Физика список научных статей
-
ЭКСИТОННЫЕ ПОЛОСЫ СDO В СПЕКТРАХ КРИСТАЛЛОВ CDS(O)
Исследованы кристаллы CdS(O) для случая присутствия в них дополнительно фазы оксида CdO. Идентифицированы полосы экситонной люминесценции CdO в спектрах кристаллов сульфида кадмия, содержащих растворенный кислород.CdS(O) crystals have been investigated for a case of an additional phase of CdO oxide ...
2012 / Морозова Наталия Константиновна, Данилевич Надежда Дмитриевна, Галстян Виктор Гайкович, Олешко Владимир Иванович, Вильчинская Светлана СергеевнаВАКRSCI -
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА АКТИВАЦИИ ПРЕССОВАННОГО ПАЛЛАДИЙ-БАРИЕВОГО КАТОДА МАГНЕТРОНА С БЕЗНАКАЛЬНЫМ ЗАПУСКОМ
Разработан метод высоковакуумного термогравиметрического анализа во внешнем электрическом поле. Проведены кинетические исследования каталитического испарения, окисления и термоэлектронной эмиссии катодных сплавов при температуре активирования. Обнаружен колебательный характер изменения массы...
2012 / Ли Илларион Павлович, Петров Владимир Семёнович, Васильевский Владимир Викторович, Гайдар Анна Ивановна, Прокофьева Таисия ВалерьевнаВАКRSCI -
МОДЕЛЬ ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫХ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ-МОДУЛЯТОРОВ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМ ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ
Предложена модель инжекционных лазеров с функционально-интегрированными амплитудными модуляторами оптического излучения для интегральных систем оптической коммутации. Модель учитывает пространственное распределение концентрации электронов, дырок и фотонов в активной и периферийных областях...
2012 / Рындин Евгений Адальбертович, Денисенко Марк АнатольевичВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ МАТЕРИАЛА ЗОНДА НА ЛОКАЛЬНОЕ АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ ПОДЛОЖЕК
Показана зависимость катодных скачков потенциалов от материала зондов. Предсказана возможность свечения межэлектродного зазора при локальном анодном окислении и целесообразность эффективного лазерного стимулирования анодного окисления в некоторых случаях.The dependence of the cathode potential...
2012 / Кондрашов Владислав Андреевич, Неволин Владимир КирилловичВАКRSCI -
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ РАЗРЕЖЕННЫХ ГАЗОВ В УСЛОВИЯХ ВЫСОКОГРАДИЕНТНОГО ТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛЯ
Приведен анализ возможных механизмов теплоотдачи применительно к микроэлектромеханическим датчикам остаточного давления, основанных на зависимости теплопроводности газа от величины остаточного давления. Указаны особенности явлений переноса применительно к тепловым микросистемам. Приведены...
2012 / Гончаров Виктор Александрович, Зиновьев Дмитрий Валерьевич, Локтев Дмитрий ВикторовичВАКRSCI -
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ IN1-XGAXAS1-XNX И IN1-XGAXP1-XNX
Рассмотрены физико-химические свойства неупорядоченных твердых растворов In1-xGaxAs1-xNx и In1-xGaxP1-xNx, образующихся путем взаимодействия двух различных кристаллических решеток - сфалерита и вюрцита. Рассчитаны предельные равновесные концентрации азота и области метастабильного состояния в...
2011 / Вигдорович Евгений НаумовичВАКRSCI -
СИЛОВЫЕ ПОСТОЯННЫЕ ДВУМЕРНОГО КОЛЛОИДНОГО КРИСТАЛЛА С КВАДРАТНОЙ СТАТИЧЕСКОЙ РЕШЕТКОЙ
Определены силовые постоянные двумерного коллоидного кристалла с квадратной решеткой в широком диапазоне плотностей. Электростатическое взаимодействие в кристалле описано в рамках модели уравнения Пуассона−Больцмана. Учет свойств симметрии системы позволяет значительно уменьшить объем вычислений и...
2011 / Александров Юрий Владимирович, Дышловенко Павел ЕвгеньевичВАКRSCI -
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В ТУННЕЛЬНО-РЕЗОНАНСНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GAN/ALGAN
Разработан численный метод расчета электронного транспорта в резонансно-туннельных гетероструктурах GaN/AlGaN, основанный на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона. Для двухбарьерного туннельно-резонансного диода исследованы зависимость коэффициента пропускания системы от...
2011 / Егоркин Владимир Ильич, Журавлёв Максим Николаевич, Капаев Владимир ВасильевичВАКRSCI -
КРИСТАЛЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР IN1-YGAYAS1-XNX/GAAS
Рассмотрены некоторые свойства неупорядоченных твердых растворов In1-yGayAs1-xNx и физические предпосылки их использования в науке и технике. Приведены результаты исследования межмолекулярного взаимодействия в изучаемых системах и особенности их применения в функциональных гетероструктурах...
2011 / Вигдорович Евгений НаумовичВАКRSCI -
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИХ АВТОЭЛЕКТРОННУЮ ЭМИССИЮ ИЗ НАНОРАЗМЕРНОГО ОСТРИЯ
Рассмотрены особенности моделирования тепловых процессов, сопровождающих автоэлектронную эмиссию из одиночного кремниевого острийного катода. Приведены результаты аналитического моделирования разогрева катода током проводимости в стационарном приближении.Some issues of thermal processes modeling...
2011 / Дюжев Николай Алексеевич, Махиборода Максим АлександровичВАКRSCI -
ДВУМЕРНЫЕ ДЕФЕКТЫ И ПРОБЛЕМА ИДЕНТИФИКАЦИИ СТРУКТУРЫ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ
Показано, что двойники и антифазные границы могут сосуществовать в наноразмерных объектах. Установлено, что двойникование и домены упорядочения влияют на закономерности дифракции, искажая сетки рефлексов на электронограмме. Адекватное объяснение структурно-фазовой принадлежности наночастиц...
2011 / Максимов Кирилл СергеевичВАКRSCI -
О НОВОМ ТИПЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ВОЛН В КРИСТАЛЛАХ С ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ СИММЕТРИЕЙ
Показано, что в базисной плоскости кристаллов с гексагональной симметрией могут распространяться чисто продольные поверхностные акустоэлектрические волны, которые в отличие от известных поперечных волн Гуляева-Блюстейна локализованы в приповерхностном слое толщиной порядка длины волны. Поля...
2011 / Мороча Арнольд КлиментьевичВАКRSCI -
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В МНОГОКАНАЛЬНЫХ СПЕКТРОЗОНАЛЬНЫХ ФОТОЯЧЕЙКАХ С ВЕРТИКАЛЬНО ИНТЕГРИРОВАННЫМИ P - N-ПЕРЕХОДАМИ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИЗОБРАЖЕНИЯ С РАЗДЕЛЕНИЕМ ЦВЕТОВ
Приведены результаты исследований фотоэлектрических процессов в фоточувствительных структурах на основе многоканальных вертикально интегрированных p - n-переходов. Изучены процессы фоторелаксации и процессы накопления фотозарядов, исследованы спектральные характеристики фоточувствительностей в...
2011 / Денисова Елена Александровна, Уздовский Валерий Владимирович, Хайновский Владимир ИвановичВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ НА ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ P-КАНАЛЬНЫХ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ
Рассмотрено влияние на пороговое напряжение толщины пленки кремния и концентрации дырок в p-канальном наноразмерном МОП-транзисторе со структурой КНИ. Получены формулы для расчета этих зависимостей, представлены графические зависимости.The effect of the silicon film thickness and of the holes...
2011 / Петров Борис Константинович, Краснов Александр АлександровичВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ И ЧИСЛА СЛОЕВ НА ОПТИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ CU/ZNO:GA
Исследованы оптические и электрофизические свойства многослойных периодических структур на основе Cu/ZnO:Ga с различным количеством периодов N в зависимости от толщины слоев металла и оксида. Установлено, что интегральный коэффициент пропускания структуры (Cu/ZnO:Ga)·N с толщиной каждого слоя Cu,...
2011 / Громов Дмитрий Геннадьевич, Шулятьев Алексей Сергеевич, Редичев Евгений Николаевич, Берестов Александр ТихоновичВАКRSCI -
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ И ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ ПО СПЕКТРУ ОТРАЖЕНИЯ СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЯ
Показана возможность определения проводимости и толщины полупроводниковых слоев по результатам измерения частотной зависимости коэффициента отражения электромагнитного СВЧ-излучения при различных температурах. Приведена методика решения соответствующей обратной задачиhe possibility of the...
2011 / Усанов Дмитрий Александрович, Постельга Александр Эдуардович, Сысоев Николай ЮрьевичВАКRSCI -
ПОТЕНЦИАЛИ ТЕТРАЭДРОВ КУБИЧЕСКОГО УГЛЕРОДА
Показано, что ребро тетраэдра c-C является осью потенциали, которую создают заряды атомов углов. Обсчет положения пяти точек кривой и значений эксцентриситета выявил их близость к параметрам эллипса.t has been shown that the edge of tetrahedron c-C is the axis of the potential, which is created by...
2011 / Неустроев Степан АрхиповичВАКRSCI -
К ТЕОРИИ ВОЛН ЛЯВА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ СИММЕТРИЕЙ
Найдено аналитическое решение задачи о распространении продольных акустоэлектрических волн в многослойных AlGaN/GaN-гетероструктурах. Если толщины гетерослоев значительно меньше длины волны, точное дисперсионное уравнение, полученное для двух слоев, переходит в уравнение для волны Лява, содержащее...
2010 / Мороча Арнольд КлиментьевичВАКRSCI -
ВОЛНОВОДНЫЕ ФОТОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ С ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, УПРАВЛЯЕМЫМИ P-I-N-ДИОДАМИ
Реализована одномерная волноводная фотонная структура - фотонный кристалл с управляемыми частотными характеристиками. Перестройка центральной частоты окна прозрачности фотонного кристалла достигалась выбором параметров нарушения периодичности в фотонном кристалле, в то время как управление...
2010 / Усанов Дмитрий Александрович, Скрипаль Александр Владимирович, Абрамов Антон Валерьевич, Боголюбов Антон Сергеевич, Скворцов Владимир Сергеевич, Мерданов Мердан КазимагомедовичВАКRSCI -
ТЕРМОДИНАМИКА ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ КАТАЛИЗАТОРОВ ДЛЯ РОСТА УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК
Разработана фундаментальная термодинамическая модель формирования кластеров катализаторов, из которых растут углеродные нанотрубки. Проведено сопоставление этой модели с экспериментом. Получено выражение для функции распределения кластеров по размерам в зависимости от условия их формирования....
2010 / Булярский Сергей Викторович, Пятилова Ольга Вениаминовна, Цыганцов Андрей Валерьевич, Басаев Александр Сергеевич, Галперин Вячеслав Александрович, Павлов Александр Александрович, Шаман Юрий ПетровичВАКRSCI