Физика список научных статей
-
УЧЕТ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА РАДИАЦИОННЫЙ СДВИГ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА В СИСТЕМЕ TCAD
The method for accounting the influence of temperature on the shift of the current-voltage characteristics of MOSFET transistor, irradiated by γ quantums, has been described.
2013 / Петросянц Константин Орестович, Попов Дмитрий АлександровичВАКRSCI -
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ НЕСТАЦИОНАРНЫХ УСЛОВИЙ НА ОБРАЗОВАНИЕ КОНЦЕНТРАЦИОННЫХ ПОЛОС РОСТА ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА
Исследовано влияние нестационарных воздействий в ростовой установке на образование микроскопических неоднородностей примеси в кристалле. С помощью численного моделирования определена величина неоднородности при погрешности поддержания температуры на нагревателях в пределах 0,05 - 1 К и...
2013 / Гончаров Виктор Анатольевич, Дормидонтов Алексей НиколаевичВАКRSCI -
АНАЛИЗ ИМПУЛЬСНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ С ОДНИМ РЕАКТИВНЫМ ЭЛЕМЕНТОМ
Описан подход, позволяющий рассчитывать импульсные генераторы с одним реактивным элементом на основе исследования ВАХ активного двухполюсника. Подход позволяет легко выявить условия возбуждения генератора, отличается наглядностью и простотой получения соотношений для параметров генерируемых...
2013 / Балабанов Анатолий Андреевич, Кузнецов Сергей НиколаевичВАКRSCI -
ОПРЕДЕЛЕНИЕ МЕЖАТОМНЫХ РАССТОЯНИЙ В КРИСТАЛЛАХ КУБИЧЕСКОГО УГЛЕРОДА2013 / Неустроев Степан АрхиповичВАКRSCI
-
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ОДНОСТОРОННЕ ЛЕГИРОВАННЫХ СТРУКТУР N-ALGAAS/GAAS С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
Проведены систематические исследования спектров фотолюминесценции односторонне легированных структур n-AlGaAs/GaAs в зависимости от ширины квантовой ямы и температуры. Впервые в таких структурах наблюдалось резкое возрастание интенсивности фотолюминесценции, вызванное резонансным захватом...
2012 / Яременко Наталья Георгиевна, Карачевцева Мария Виссарионовна, Страхов Валерий АлександровичВАКRSCI -
ОСОБЕННОСТИ ЭКСИТОННЫХ СПЕКТРОВ МОНОКРИСТАЛЛОВ CDS(О)
Исследованы спектры экситонной катодолюминесценции монокристаллов CdS(O) по глубине (0,3 - 125 мкм). Выяснено, что твердый раствор CdS(O) устойчив в объеме, где решетка кристалла обеспечивает компенсацию деформаций изоэлектронной примеси OS. Вблизи поверхности (до 0,5 мкм) твердый раствор CdS(O)...
2012 / Морозова Наталия Константиновна, Данилевич Надежда Дмитриевна, Олешко Владимир Иванович, Вильчинская Светлана СергеевнаВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ПОГРЕШНОСТЬ ПРИБОРОВ АСТРООРИЕНТАЦИИ
Рассмотрено влияние тепловых воздействий на точностные характеристики звездных приборов. Для исследования и анализа теплового влияния разработана математическая модель, с помощью которой получены функции распределения температур вдоль одной из осей звездного датчика. Определены величины точностных...
2012 / Разживалов Павел Николаевич, Блинов Валентин ДмитриевичВАКRSCI -
ЗОНДОВЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА В АНИЗОТРОПНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ И ПЛЕНКАХ
Представлены выражения, позволяющие определять распределения электрического потенциала в анизотропных полупроводниковых образцах прямоугольной формы. Рассмотрены практически важные случаи, когда исследуемый образец находится на металлической, полупроводниковой или диэлектрической подложке.The...
2012 / Филиппов Владимир Владимирович, Власов Артур НиколаевичВАКRSCI -
ПРОСТРАНСТВЕННО-МОДУЛИРОВАННЫЕ АНТИФЕРРОМАГНИТНЫЕ СТРУКТУРЫ В МУЛЬТИФЕРРОИКЕ С ДВУОСНОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
Исследованы возможные типы пространственно-модулированных периодических антиферромагнитных структур в одноосном ромбоэдрическом мультиферроике с симметрией кристалла BiFeO3 в зависимости от соотношения параметров одноосной и базисной анизотропии, а также магнитоэлектрического...
2012 / Попков Анатолий Фёдорович, Соловьев Сергей Владимирович, Кулагин Николай Евгеньевич, Звездин Анатолий КонстантиновичВАКRSCI -
ПРЫЖКОВЫЙ ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ V:TIO2-X
Проведены измерения электрической проводимости слоев TiO2, легированного в высоких концентрациях ванадием, как функции от температуры в интервале 77-300 К. Показано, что для тонких эпитаксиальных слоев в случае легирования ванадием наблюдается 3D-проводимость с переменной длиной прыжка по закону...
2012 / Кулеманов Иван Васильевич, Тарелкин Сергей АлександровичВАКRSCI -
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ РЕЗОНАНСНЫХ СЕНСОРОВ ДАВЛЕНИЯ
Рассмотрены вариационный и конечно-элементный методы расчета частотных характеристик резонансных сенсоров давления (РСД). В результате моделирования установлено существенное влияние двугранных углов в областях сопряжения балочки резонатора с упругим элементом РСД на его характеристики. Дана оценка...
2012 / Гридчин Виктор Алексеевич, Чебанов Михаил Александрович, Васильев Владислав ЮрьевичВАКRSCI -
МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
Предложен автоматизированный метод эмпирико-теоретического моделирования температурных зависимостей диэлектрических параметров сегнетоэлектриков, основанный на законе Кюри - Вейса. Проведен метрологический анализ канала измерения температуры информационно-измерительной системы для исследования...
2012 / Печерская Екатерина Анатольевна, Соловьев Виталий Анатольевич, Метальников Алексей Михайлович, Бобошко Артём ВладиславовичВАКRSCI -
ТРИ ТИПА ЦЕНТРОВ САМОАКТИВИРОВАННОГО СВЕЧЕНИЯ CDS(О)
Изучены спектры катодо- и рентгенолюминесценции для кристаллов CdS(O) с известными концентрацией кислорода, зависимостью ширины запрещенной зоны CdS от [OS] и зонной моделью, построенной на основе теории «антикроссинг зон» (band anticrossing - BAC). Получены новые данные для трех типов...
2012 / Морозова Наталия Константиновна, Данилевич Надежда Дмитриевна, Олешко Владимир Иванович, Вильчинская Светлана СергеевнаВАКRSCI -
ОСОБЕННОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОЛЬЦЕВЫХ КИРАЛЬНЫХ СРЕД С ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ САНТИМЕТРОВОГО И ДЕЦИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНОВ
Рассмотрено взаимодействие плоского слоя кольцевых киральных структур, расположенных на тонкой диэлектрической подложке, с электромагнитным излучением сантиметрового и дециметрового диапазонов. Показано, что это взаимодействие носит резонансный характер и зависит от строения и взаимного...
2012 / Воронин Игорь Васильевич, Горбатов Сергей Александрович, Дьяконова Ольга Алексеевна, Науменко Владимир ЮрьевичВАКRSCI -
ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МОНТЕ-КАРЛО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЧНОСТИ ДИФФУЗИОННЫХ МОДЕЛЕЙ ПРОХОЖДЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ЧЕРЕЗ ОДНОРОДНЫЙ РАССЕИВАЮЩИЙ СЛОЙ
Проведено сравнение временных распределений лазерного импульса, прошедшего через однородный рассеивающий слой, полученных с помощью классической и уточненной диффузионных моделей с временными распределениями, смоделированными методом Монте-Карло. Показана неточность временных распределений,...
2012 / Терещенко Сергей Андреевич, Титенок Сергей Александрович, Долгушин Сергей АнатолиевичВАКRSCI -
ЭФФЕКТИВНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СРЕДЫ В СЛУЧАЕ СЛАБОЙ МАКРОСКОПИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИИ
В приближении эффективной среды получено аналитическое решение задачи вычисления тензора эффективной проводимости поликристаллической среды при наличии слабовыраженной одноосной текстуры. Среда считается состоящей из однотипных двуосных кристаллитов сферической формы. Для учета ориентаций...
2012 / Лавров Игорь ВикторовичВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ И УПРАВЛЯЮЩИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОЯЧЕЙКИ С ТРЕМЯ ВЕРТИКАЛЬНО ИНТЕГРИРОВАННЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ
Исследовано влияние управляющих напряжений на фотоэлектрические характеристики фотоячейки с тремя вертикально интегрированными p-n-переходами. Приведены временные диаграммы управляющих импульсов напряжения для n- и p-областей, а также их спектральные характеристики. Получены зависимости...
2012 / Денисова Елена Александровна, Уздовский Валерий Владимирович, Хайновский Владимир ИвановичВАКRSCI -
ОСОБЕННОСТИ ЭНЕРГОВЫДЕЛЕНИЯ В МИКРООБЪЕМАХ ЭЛЕМЕНТОВ СБИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НЕЙТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Предложена аналитическая модель и проведено численное моделирование в системе GEANT4 процессов энерговыделения при воздействии нейтронов в микрообъемах активных элементов СБИС с учетом влияния окружающих материалов. Развитая модель оценки сечений локальных радиационных эффектов показывает...
2012 / Чумаков Александр Иннокентьевич, Афонин Андрей Викторович, Полунин Владимир АлександровичВАКRSCI -
ЛАЗЕРНОЕ ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ ИОНИЗАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В СУБМИКРОННЫХ СБИС
Адекватность лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов (мощности дозы) в микросхемах нарушается из-за влияния поверхностной металлизации. Показано, что оптическая дифракция лазерного излучения ограничивает возможность использования данного метода уровнем технологии 0,18...
2012 / Скоробогатов Петр КонстантиновичВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ КОНЕЧНОГО РАЗМЕРА ПЯТНА ЛАЗЕРНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ДОСТОВЕРНОСТЬ ОЦЕНКИ СЕЧЕНИЙ ОДИНОЧНЫХ ЭФФЕКТОВ
Рассмотрен метод корректировки значения сечения одиночных эффектов, учитывающий конечные размеры пятна лазерного излучения.When determining the SEE cross section in ICs by the local laser irradiation methods an error caused by the laser beam spot size effect can arise. The method of the SEE cross...
2012 / Савченков Дмитрий Владимирович, Печенкин Александр АлександровичВАКRSCI