Научная статья на тему 'Фотолиз систем азид серебра медь'

Фотолиз систем азид серебра медь Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
219
34
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Аннотация научной статьи по нанотехнологиям, автор научной работы — Суровой Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н.

Масс-спектрометрическим и спектрофотометрическим методами исследованы кинетические и спектральные закономерности формирования продуктов фотолиза систем AgN3 (A1 ) Cu в зависимости от интенсивности падающего света (2,8.1014…3,17.1015 квант.см-2.с-1) при л=365 нм и времени экспонирования. Создание систем AgN3 (A1 ) Cu, предварительная обработка их светом л=365 нм наряду с увеличением скорости фотолиза и фототока в области собственного поглощения AgN3 (A1 ) приводит к расширению области спектральной чувствительности азида серебра. Предложена модель фотолиза систем AgN3 (A1 ) Cu, включающая генерацию, рекомбинацию и перераспределение в контактном поле электрон-дырочных пар, формирование микрогетерогенных систем азид серебра серебро (продукт фотолиза) и образование азота. Показано, что диффузия подвижного иона серебра к нейтральному центру лимитирует процесс фотолиза систем AgN3 (A1 ) Cu. Рассчитаны удельная скорость, скорость и константа скорости фотолиза.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Photolysis of azide silver systems copper

Kinetic and spectral legitimacies of photolytes formation of system AgN3(A1) Cu depending on intensity of an incident light (2,8.1014…3,17.1015 quantum cm-2.s-1) at л=365 nm and time of exposure are investigated by mass-spectrometric and spectrophotometric methods. Making system AgN3(A1) Cu, their pretreatment by light л=365 nm alongside with magnification of velocity of photolysis and photocurrent in the field of natural uptake AgN3 (A1) results in expansion of spectral sensitivity area of silver azide. The model of photolysis of system AgN3(A1) Cu, including generation, recombination and redistribution of the electrons hole pare in a contact field, formation of microheterosystems silver azide silver (photolyte) and formation of nitrogen is offered. It is shown that the diffusion of silver mobile ion to neutral centre limits the process of photolysis system AgN3(A1) Cu. Specific velocity, velocity and kinetic constant of photolysis are calculated.

Текст научной работы на тему «Фотолиз систем азид серебра медь»

7. Blevins G.S., Jache A.W., Gordy W. Millimeter wave spectra ofAsH3 and AsD3 // Phys. Rev. - 1955. - V. 97. - P. 684-692.

8. Helminger P., Beeson Jr E.L., Gordy W. Microwave spectra and molecular constants of arsine and stibine // Phys. Rev A. - 1971. - V. 3.

- P. 122-135.

9. McRae G.A., Gerry M.C.L., Wong M., Ozier I., Cohen E.A. Microwave spectra of deuterated arsines: distortion moment transitions ofAsD3, microwave spectra ofAsH2D and AsHD2, and the structure of arsine // J. Mol. Spectrosc. - 1987. - V. 123. - P. 321-331.

10. McConaghie V.M., Nielsen H.H. A study of the high frequency fundamental bands in the spectrum of AsH3 and AsD3 // Phys. Rev. -1949. - V. 75. - P. 633-642.

11. Bürger H., Jerzembeck W., Ruland H., Wirtz M. High resolution FTIR spectra of AsD3 in the 20-1000 cm-1 region. The ground, v2=1 and v4=1 states // Molec. Phys. - 2000. - V. 98. - № 9. - P. 589-597.

12. Ulenikov O.N., Malikova A.B., Alanko S., Koivusaari M., Anttila R. High-resolution study of the 2 vV hybrid band of the CHD3 Molecule // J. Mol. Spectrosc. - 1996. - V. 179. - P. 175-186.

13. Улеников О.Н. Обратные задачи молекулярной спектроскопии: Дис. ... докт. физ.-мат. наук. - Томск, 1984. - 375 c.

14. Ulenikov O.N. On the determination of the reduced rotational operator for polyatomic molecules // J. Mol. Spectrosc. - 1986. -V. 119. - P. 144-157.

УДК 544.52

ФОТОЛИЗ СИСТЕМ АЗИД СЕРЕБРА - МЕДЬ

Э.П. Суровой, С.М. Сирик, Л.Н. Бугерко

ГОУ ВПО «Кемеровский государственный университет»

E-mail: epsur@kemsu.ru

Масс-спектрометрическим и спектрофотометрическим методами исследованы кинетические и спектральные закономерности формирования продуктов фотолиза систем AgN3(A) - Cu в зависимости от интенсивности падающего света (2,8-'0’4...3,'7-'0’5 квант-см~2-с) при 1=365 нм и времени экспонирования. Создание систем AgN3(A) - Cu, предварительная обработка их светом 1=365 нм наряду с увеличением скорости фотолиза и фототока в области собственного поглощения AgN3(A) приводит к расширению области спектральной чувствительности азида серебра. Предложена модель фотолиза систем AgN3(A) - Cu, включающая генерацию, рекомбинацию и перераспределение в контактном поле электрон-дырочных пар, формирование микрогетерогенных систем азид серебра - серебро (продукт фотолиза) и образование азота. Показано, что диффузия подвижного иона серебра к нейтральному центру лимитирует процесс фотолиза систем AgN3(A') - Cu. Рассчитаны удельная скорость, скорость и константа скорости фотолиза.

Решение задач направленного регулирования фотохимической и фотоэлектрической чувствительности неорганических солей представляет для физики и химии твердого тела многосторонний интерес [1-6]. Постановка подобных исследований, наряду с их технической актуальностью [3, 4, 6], может быть полезным инструментом для выяснения механизма процесса разложения твердых тел [1, 2, 4, 5]. Среди разнообразных светочувствительных соединений особое место занимают азиды тяжелых металлов (АТМ) [7]. Относительно несложный состав и структура, высокая фоточувствительность, значительный внутренний фотоэффект, простой состав конечных продуктов фотолиза делают АТМ удобными модельными объектами исследований [8, 9]. Ранее [10] было установлено, что создание контактов азида серебра с полупроводниками, наряду с увеличением скорости фотолиза и фототока в области собственного поглощения азида серебра, приводит к расширению области спектральной чувствительности.

В настоящем сообщении приведены результаты цикла работ, направленного на исследование кинетических и спектральных закономерностей фотолиза систем AgN3(A1) - Cu до, в процессе и после предварительного разложения и выяснение причин, вызывающих наблюдаемые изменения медью фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азида серебра.

Объекты и методы исследования

Азид серебра марки А1 (А§ЩА;)) синтезировали методом двухструйной кристаллизации, одновременно сливая водные 0,2 н растворы дважды пере-кристаллизованного технического азида натрия и нитрата серебра (марки хч) при рН 3, 7=293 К. ^N3^) прессовали в таблетки массой 150 мг при давлении Ф103 кгсм-2. Системы готовили: 1) перемешиванием дозированных количеств азида серебра и меди (Си) в сухом состоянии и в этиловом спирте, с последующей сушкой и прессованием таблеток при давлении Ф103 кгсм-2, 2) нанесением Си на таблетки азида серебра методом термического испарения при давлении Н0-4 Па, используя вакуумный универсальный пост (ВУП-5М). Толщина слоев кадмия варьировалась в пределах 500...1500 А. При сопоставлении результатов и построении кривых спектрального распределения скорости фотолиза (Уф) и фототока (/ф) пропускание света через Си учитывалось.

Измерения кинетических кривых Уф и /ф образцов проводили при давлении Н0-5 Па. В качестве датчика при измерении Уф использовали лампу РМО-4С оме-гатронного масс-спектрометра ИПДО-1, настроенного на частоту регистрации азота. Измерения /ф проводили на установке, включающей электрометрический вольтметр В7-30 либо электрометр ТР-1501 [11]. Спектры диффузного отражения (ДО) до и после

облучения образцов измеряли при давлении Н0-4 Па [10], используя специально сконструированное устройство [12], на спектрофотометре СФ-4А с приставкой ПДО-1, и при давлении 101,3 кПа на спектрофотометрах СФ-10 и SPEСORD-M40 с приставкой на отражение 8°ё. В качестве источника света применяли ртутную (ДРТ-250) и ксеноновую (ДКсШ-1000) лампы. Для выделения требуемого спектрального диапазона излучения использовали монохроматор SРМ-2 и набор светофильтров. Актинометрию источников света проводили, используя радиационный термоэлемент РТ-0589. Контактную разность потенциалов (КРП) между азидом серебра, Си и относительным платиновым электродом измеряли, используя модифицированный метод Кельвина [13].

Результаты и обсуждение

При исследовании кинетических закономерностей фотолиза и фототока ^N3^) и систем А§ЩА^ - Си в зависимости от интенсивности (2,8.1014...3,17.1015 квант.см-2.с-1) и спектрального состава падающего света (1=300... 1500 нм) было установлено, что кинетические кривые Уф и гф коррелируют (рис. 1).

Создание контактов А§ЩА;) с Си приводит к увеличению Уф и гф азида серебра. При экспонировании образцов светом 1=365 нм в интервале интенсивностей от 2,8.1014 до 3,17.1015 квантсм-2х-1 реализуются кривые, состоящие из пяти участков:

I - начального (с максимумом), II - стационарного, III - ускорения, IV - насыщения, V - темново-го постгазовыделения. Предварительный прогрев систем АЭД^) - Си при давлении Р=Ы0-5 Па,

продолжительное хранение образцов в атмосферных условиях, засветка рассеянным белым светом приводят к уменьшению максимума на кинетических кривых Уф и гф. Повторное (после прерывания света на I и II участках) освещение образцов не приводит к заметному изменению Уф и гф на II, III, IV участках кинетических кривых Уф и ц (рис. 1), при этом значения Уф и гф на участке I уменьшаются (рис. 1, кривая 3). Предварительное экспонирование образцов в течение времени достижения участка IV приводит к монотонному увеличению Уф и гф до постоянных значений (рис. 1, кривая 4). Хранение в течение 12 ч и более при давлении Н0-1 Па предварительно экспонированных образцов приводит к частичному восстановлению формы кривой (максимум на участке I не восстанавливается). Кривые темнового постгазовыделения спрямляются в координатах 1пС^=Дт). По тангенсу угла наклона зависимости 1пСК2=Дт) оценили значения констант скорости (к) после прерывания освещения на разных участках кинетических кривых Уф (табл. 1).

Таблица 1. Константы скорости постгазовыделения

Образец Константа к, с-1

Участок I Участок II Участок III

АдМ3(Л1)-Си Ад^Д) (1,30±0,04).10-2 (1,20±0,05).10-2 (1,42±0,05)-10-2 (1,28±0,05)-10-2 (1,19±0,04).10-3 (1,30±0,05)'10-3

Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза систем АЭД^) - Си изучали путем измерений ДО образцов в процессе обработки их светом из области собственного поглощения азида серебра в интервале интенсивностей падающего света (2,8.1014.3,17-1015 квантсм-2.с-1). Было

Рис. 1. Кинетические кривые скорости фотолиза и фототока систем АдМ-3(А1) - Си до (1) и после прерывания света на I (2), II (3), IV (4) участках, рассчитанная кривая Vф (5) при 1=365 нм, 1=3.17■ 105 квантсм~2-с~1. Стрелками обозначены моменты выключения света

установлено, что формирование систем А№(А[) -Си приводит к уменьшению ДО по сравнению с индивидуальным азидом серебра в области А=400...900 нм. Длинноволновый край ДО систем А§ЩА^ - Си совпадает с измеренным для индивидуального азида (А=365 нм).

Обработка образцов А§ЩА^ - Си светом из области собственного поглощения азида серебра приводит к существенным изменениям спектральных кривых ДО. При временах облучения образцов, соответствующих временам реализации нестационарного (I) и стационарного (II) участков кинетических кривых Уф и /ф, наряду с уменьшением ДО диапазоне 400.900 нм на спектральных кривых ДО систем А§ЩА^ - Си (также как и для азида серебра [15]) появляются максимумы при А=440 и 600 нм. Дальнейшее увеличение времени световой обработки до участка возрастания Уф и /ф (III) приводит к уширению полос и смещению максимумов в длинноволновую область спектра. При временах освещения, соответствующих достижению участка (IV) на кривых Уф и /ф, заметных изменений в спектрах ДО не наблюдается. Хранение облученных образцов в течение 24 ч при 293 К и Р=101,3 кПа приводит к частичному восстановлению ДО образцов в длинноволновой области спектра. Было установлено [14], что изменения в спектрах ДО А§ЩА^ связаны с образованием фотолитического серебра, а широкие полосы с максимумами при А=420 и 600 нм - с образованием частиц серебра со средним размером ¿=40 и 100 А. На рис. 2 представлены результаты сопоставления кинетических зависимостей изменения концентрации фотолитического металла (СмЕ), рассчитанные по результатам измерений кинетических кривых Уф при различных ин-

тенсивностях падающего света, со значениями площадей (Я), соответствующих изменению диффузного отражения систем А§ЩА^ - Си в процессе облучения. Совпадения зависимостей, а также результаты работ [9, 14] свидетельствуют о том, что наблюдаемые в результате облучения образцов изменения на спектральных кривых диффузного отражения систем А§ЩА^ - Си обусловлены образованием серебра - продукта фотолиза азида серебра, а максимумы - формированием частиц серебра соответствующих размеров. Твердофазный (серебро) и газообразный (азот) продукты фотолиза систем А§ЩА^ - Си образуются в стехиометрическом соотношении, в основном, на поверхности образцов.

В табл. 2 приведены константы Уф А§ЩА^ и систем А§ЩА!) - Си, оцененные по тангенсу угла наклона зависимостей 1п$=Дт), 1пСме=Дт).

Таблица 2. Константы скорости фотолиза систем АдЫ3(А1) -Си, рассчитанные по кинетическим кривым скорости фотолиза (кф) и спектрам диффузного отражения (кДО), при 1=3,17-10’5 квантсм~2-с-1

Образец 'и 'и о

О Л < < 2 го ^ ^ < < (2,20±0,15).10-2 (4,50±0,35)10-2 (2,40±0,18)10-2 (4,8±0,50)10-2

Из табл. 2 видно, что константы скорости фотолиза азида серебра и систем ^ЩА^ - Си удовлетворительно совпадают. На рис. 3 приведены кривые спектрального распределения Уф и /ф, построенные по стационарным значениям Уф и /ф (участок

II кинетических кривых Уф и /ф). Видно, что создание систем А§Щ^) - Си наряду с увеличением Уф и /ф в собственной области поглощения азида сере-

Рис. 2. Зависимость количества фотолитического серебра (ЫАд) и площадей (S), соответствующих изменению диффузного отражения образцов АдЫ3(А1) - Си, от интенсивности падающего света I, квант-см^-с1:1 - 3,7-Ю'5, 2 - 2,6-Ю'5,3 - 1,6-Ю'5, 4 - 2,8■ 1014, при Х=365 нм

бра приводит к расширению области спектральной чувствительности А№(А[). Для выяснения энергетического строения контактов азида серебра с Си и причин, вызывающих наблюдаемые изменения медью Уф и /ф азида серебра в разных спектральных областях, были выполнены измерения вольтампер-ных характеристик (ВАХ) и КРП между азидом серебра, Си и относительным платиновым электродом. Из анализа ВАХ и результатов измерений контактной разности потенциалов (табл. 3) было установлено, что в области контакта А§ЩА^ - Си возникает потенциальный барьер. Контакт А§ЩА^ -Си проявляет выпрямляющие свойства (прямому направлению соответствует внешнее напряжение, приложенное в направлении противоположном контактной разности потенциалов - плюс источника подан со стороны А§ЩА^).

Таблица 3. Контактная разность потенциалов междуАдЫ3(А), Си и относительным платиновым электродом

Образец КРП, В (Т=293 К)

Р=И05 Па Р=И0-5 Па

АдЫз(А,) +0,54 +0,52

Си +0,07 +0,08

ния Уф и /ф (рис. 3), контактной разности потенциалов [13] (табл. 3), внешней фотоэмиссии из азида серебра [15], спектров диффузного отражения АЭД^) [14] и А§ЩА[) - Си, приведена на рис. 4. При воздействии на системы А§ЩА^ - Си света из области собственного поглощения азида серебра имеет место интенсивная генерация неравновесных носителей заряда а азиде серебра (переход 1)

и фотоэмиссия дырок из металла в валентную зону азида серебра (переход 2). Генерированные в области пространственного заряда АЭД^) пары носителей перераспределяются в контактном поле, обусловленном несоответствием работ выхода электронов из контактирующих партнеров и наличием собственных поверхностных электронных состояний (СПЭС) [13], с переходом электронов на уровни СПЭС (Т+) или непосредственно в металл (переходы 3, 4) Т++е^Тп,

М++е^Мо.

Полученные в настоящей работе и ранее [8-10, 14] результаты исследований свидетельствуют о том, что фотохимические проявления фотоэлектрических процессов в системах А§ЩА^ - Си могут быть вызваны:

1. фотоэмиссией электронов (дырок) из металла в азид серебра;

2. перераспределением под действием контактного поля генерированных в ^ЩА^ светом неравновесных электрон-дырочных пар;

3. компенсирующими потоками равновесных носителей заряда.

Эти процессы приводят к тому, что добавка металла может выступать в качестве донора или акцептора электронов.

Диаграмма энергетических зон систем А§ЩА^ - Си, при построении которой использовали результаты исследований спектрального распределе-

АдИз Си

Рис. 4. Диаграмма энергетических зон систем ~ Си,

Е/ - уровень потолка валентной зоныI, ЕС - уровень дна зоны проводимости, Е^ - уровень Ферми, Е0 -уровень вакуума, Т - центр рекомбинации

Так как квантовый выход фотолиза, оцененный по начальному участку кинетической кривой Уф, составляет «0,002.0,01, то часть фотоиндуцируемых носителей заряда рекомбинирует (переходы 5, 6) Т++е^То,

То+р^Т+,

где Т+ - центр рекомбинации. Концентрация дырок в области пространственного заряда азида серебра по сравнению с концентрацией их в индивидуальном азиде будет возрастать. Возрастание концентрации дырок в области пространственного * азида серебра приводит к соответствующему увеличению /ф и Уф по принимаемым для фотолиза АТМ реакциям образования азота: р+^г^,

Х+^2+2 Х++^-, где Х+ и V“ - анионная и катионная вакансии.

При фотолизе систем А§ЩА^ - Си одновременно с выделением азота образуется и фотолити-ческое серебро. Формирование частиц фотолити-ческого серебра, по нашему мнению, происходит с участием СПЭС

Тп°+Ав+^(ТпАв)++е^...^(ТпАви)+.

Наблюдаемое уменьшение Уф и /ф на начальном участке (I) кинетических кривых в процессе и после экспонирования образцов (рис. 1) подтверждает необратимый расход поверхностных центров. В процессе роста частиц фотолитического металла формируются микрогетерогенные системы азид серебра - серебро (продукт фотолиза). Генерированные в области пространственного заряда азида серебра пары носителей перераспределяются в контактном поле, сформированном из-за несоответствия между термоэлектронными работами выхода азида серебра и фотолитического серебра, с переходом неравновесных электронов из зоны проводимости А§ЩА;) в металл

(Т^и)++е^(Т^и)0.

Одновременно имеет место фотоэмиссия дырок из фотолитического серебра в азид серебра (переход 2). Эти процессы, во-первых, приводят к возрастанию концентрации дырок и, как следствие, к увеличению Уф и /ф (участок III); во-вторых, могут стимулировать диффузию ионов серебра к растущим частицам

(ТпАви)°+Ав+^(ТпАви+1)+.

Для определения лимитирующей стадии процесса роста частиц серебра оценили время, в течение которого подвижный ион А§+ диффундирует к нейтральному центру (Т^м)°.

Среднее время релаксации при диффузионном протекании процесса может быть оценено [16] тп=е2/аакТ,

где: е - заряд электрона, а - постоянная решетки А§ЩА;), 5,6.10-8 см, а - удельная проводимость ^N3^). При 7=293 К а=1.10-12 Ом-1.см-1 [17], к - постоянная Больцмана, Т - температура.

При 7=293 К тп«1,14.102 с, константа скорости диффузии А§+ к нейтральному центру (ТпА§м)° к1«1/1,14.102«8,8.10-3 с-1.

При условии, что концентрация центров роста (Тп+) и скорость роста частиц серебра постоянная, зависимость скорости реакции от времени экспонирования, согласно [18], описывается уравнением:

= %Т2 - 1%Т *

(а / ^¡2п)ехр[-(т - а)2/2<г2] - (а/-\/2Л)ехр( -/2а2)

+[(т - а)/а>/2Л]|ехр[-(т - а)2 /2а2]с1т

0

где х=2п(М/й2)^дЫ, М - молярная масса серебра, й - эффективная плотность серебра, - удельная скорость реакции, N - количество частиц серебра, а - время, при котором скорость касания растущих ядер максимальна, а - рассеяние случайных величин вокруг ее математического ожидания. Чем меньше а, тем больше ядер соприкасается друг к другу к моменту времени т=а и тем более равномерно распределены они на поверхности. Первый член правой части уравнения выражает скорость реакции при независимом росте ядер, а остальные - поправку, связанную с перекрыванием ядер. Параметр % предварительно определяли из данных для начального участка кинетической кривой (рис. 1, кривая 1) [18]:

где па - количество превращенного вещества. Параметр а и а определяли, сопоставляя кинетическую кривую Уф (рис. 1) с калибровочными кривыми, построенными при различных значениях а и у по ур. (1). Получили, что при х=1,Н0-11 моль.мин-3 а=21 мин и а=13. Согласно [18], удельная скорость образования частиц серебра

^=2ха 2/пЯуд, где Я, - удельная поверхность азида серебра, равная 6.106 см2.моль-1 [19], g - навеска исходного образца.

Поскольку коэффициент поглощения для азида серебра при А=365 нм составляет ~105 [20], то процесс фотолиза протекает на глубине до 10-5 см, возможно вместо значения g, использовать й=5.10-7 моль, рассчитанное из кривой полного разложения азида серебра. При g1 получили, что ДО^ц=1,26.10-9моль.с-1.

Рассчитанная кривая скорости образования частиц серебра представлена на рис. 1 (кривая 5). По тангенсу угла наклона зависимости 1пСАе=/(т), где СА8 - концентрация фотолитического серебра, оценили константу скорости роста частиц фотолитиче-ского серебра (кг=5,3.10-3 с-1). Константа скорости к2 удовлетворительно согласуется с рассчитанной константой скорости диффузии иона серебра Ag+ к растущей частице серебра (к1) и с константами скорости темнового постгазовыделения (к) (табл. 1) и фотолиза (кф) (табл. 2), определенными из экспериментальных данных. Совпадение значений кф, к, к1, к2 дают основание предположить, что лимитирую-

щей стадией фотолиза и темнового постгазовыделе-ния для систем AgN3(A1) - Си является диффузия ионов серебра к нейтральному центру (Т^м)°. В процессе фотолиза граница раздела контактов азид серебра - медь покрывается слоем фотолитическо-го серебра, и при больших степенях превращения

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Robbilard J.J. Possible use of certain metallic azides for the development of dry photographic process // J. Photog. Science. - 1971. -V. 19. - Р. 25-37.

2. Levy B., Lindsey M. Semiconductor sensitization of photosensitive materials. Part II. Spectral sensitization silver halides with PbO -photographic diode // Phot. Sci. and Eng. - 1973. - V. 17. - № 2.

- P. 135-141.

3. Акимов И.А., Черкасов Ю.А., Черкашин М.И. Сенсибилизированный фотоэффект.- М.: Наука, 1980. - 384 с.

4. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Управление процессами формирования изображения в неорганических светочувствительных материалах // Успехи научной фотографии. - 1980. - Т. 20. -С. 96-105.

5. Индутный И.З., Костышин М.Т., Касярум О.П., Минько В.И., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл - полупроводник. - Киев: Наукова думка, 1992. - 240 с.

6. Шапиро Б.И. Теоретические начала фотографического процесса. - М.: Эдиториал УРСС, 2000. - 288 с.

7. Боуден Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твердых веществах. -М.: Иностранная литература, 1962. - 243 с.

8. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Расматова С.В. Фотолиз гетеросистем «азид свинца - кадмий» // Известия Томского политехнического университета. - 2004. - Т. 307. - № 2. - С. 95-99.

9. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Расматова С.В. Фотолиз систем «азид свинца - теллурид кадмия» // Известия Томского политехнического университета. - 2004. - Т. 307. - № 4. - С. 85-88.

10. Суровой Э.П., Сирик С.М., Захаров Ю.А., Бугерко Л.Н. Фотолиз гетеросистем азид серебра - оксид меди (I) // Журн. науч. и прикл. фотографии. - 2002. - Т. 47. - № 5. - С. 19-27.

фотоэлектрические процессы в системах AgN3(A1) -Си будут в значительной степени определяться фотоэлектрическими процессами на границе азид серебра - серебро (продукт фотолиза) - медь.

Работа поддержана грантом Президента РФ для поддержки ведущих научных школ НШ - 20.2003.3.

11. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Захаров Ю.А., Расматова С.В. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем азид свинца - металл // Материаловедение. - 2002. - № 9. - С. 27-33.

12. А.с. 1325332 СССР. МКИ G01N 21/55. Устройство для измерения спектров отражения в вакууме / А.И. Турова, ГП. Адушев,

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

Э.П. Суровой и др. Заявлено 10.11.1985; Опубл. 24.07.1987, Бюл. № 27. - 5 с.: ил.

13. Суровой Э.П., Захаров Ю.А., Бугерко Л.Н. Определение работы выхода электрона из азидов серебра, свинца и таллия // Неорганические материалы. - 1996. - Т. 32. - № 2. - С. 162-164.

14. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Сирик С.М. Закономерности образования твердофазного продукта фотолиза азида серебра // Химическая физика. - 2000. - Т. 19. - № 10. - С. 68-71.

15. Захаров Ю.А., Колесников Л.В., Черкашин А.Е., Кащеев С.В. Исследование методом внешней фотоэмиссии электронной структуры азида серебра // Известия вузов. Сер. Физика. -1975. - № 6. - С. 44-50.

16. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. - М.: Наука. 1972. - 399 с.

17. Гасьмаев В.К. Исследование механизма термического разложения азида серебра электрофизическими методами: Автореф. дис. ... канд. хим. наук. - Томск, 1973. - 19 с.

18. Розовский А.Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и механизм. - М.: Наука, 1980. - 264 с.

19. Савельев Г.Г., Захаров Ю.А., Гаврищенко Ю.В. Фотолиз азидов тяжелых металлов и его оптическая сенсибилизация // Журн. науч. и прикладной фото- кинематографии. - 1969. - Т. 14. -№ 6. - С. 466-468.

20. Диамант Г.М. Неравновесная проводимость в процессе фотохимической реакции в азиде серебра: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. - Кемерово, 1986. - 22 с.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.