CC BY
56
Химия
УДК 544.52
ФОТОЛИЗ АЗИДА СЕРЕБРА
Э.П. Суровой, С.М. Сирик, Л.Н. Бугерко
Кемеровский государственный университет E-mail: [email protected]
Предварительное облучение азида серебра светом (Х=365 нм, ¡>1-10’5 квант-см~2-с') при давлении -10- Па наряду с увеличением скорости фотолиза и фототока приводит к появлению новой длинноволновой (до =1280 нм) области спектральной чувствительности. Определены константы скорости фотолиза азида серебра. В результате измерений контактной разности потенциалов, вольт-амперных характеристик, фото-ЭДС, фототока установлено, что при фотолизе азида серебра формируются микрогетеро-генные системы AgN3(A) - Ад (продукт фотолиза). Показано, что лимитирующей стадией фотолиза азида серебра является диффузия межузельных катионов серебра к нейтральному центру (T„Agm)0.
Выделяющиеся при разложении твердофазные продукты оказывают существенное влияние на фотохимические и фотоэлектрические свойства азидов тяжелых металлов [1-5]. Исследование автока-талитического и сенсибилизирующего влияния твердофазных продуктов на фотолиз азидов [6-8], а также параллельное изучение фотолиза и электрофизических свойств гетеросистем азид-металл (азид-полупроводник) [9-18] позволили существенно продвинуться в направлении понимания механизма фотолиза неорганических азидов при глубоких степенях превращения. В настоящем сообщении представлены результаты работы, направленной на исследование кинетических и спектральных закономерностей образования продуктов в процессе фотолиза азида серебра в зависимости от интенсивности падающего света, выяснение энергетической структуры контакта азид серебра -продукт фотолиза и причин, вызывающих наблюдаемые изменения фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азида серебра продуктом разложения.
Объекты и методы исследования
Азид серебра марки А1 (АЭД^)) синтезировали методом двухструйной кристаллизации (в 0,2 н водный раствор А§К3 (квалификации х.ч.) по каплям приливали 0,2 н водный раствор дважды перекри-сталлизованного технического азида натрия). Скорость сливания 2 капли в мин., тсшпгаа=30 мин., Т=293 К, рН 3. Азид серебра марки Б1, Б2, Б3 (^ЩБЬ Б2, Б3, Б1а, Б2а, Б2б)) синтезировали методом двухструйной кристаллизации сливая со скоростью
7.10-4 молымин-1 водные 0,2 н растворы нитрата серебра (квалификации х.ч.) и дважды перекристалли-зованного технического азида калия в маточный 0,1 н (скорость сливания 7.10-3 молымин-1 - Б1а), 0,2 н (в присутствии 0,006 г. и 0,02 г. неонола - синтезы Б2а, Б2б соответственно) и 0,3 н раствор нитрата калия (квалификации х.ч.) тсшпгаа=6,5 мин, Т=293 К, рН 6. Образцы для исследований готовили прессованием таблеток ^ЩА^ массой 125 мг при давлении 4.103 кг.см-2, либо путем тщательного диспергирования в воде навесок А§К3(А;) массой 125 мг, последующего равномерного нанесения (методом полива) в чашечки диаметром 1 см и сушили в эксикаторе темноте при 293 К [6, 9]. Измерения скорости фотолиза Уф, фототока ф и фото-ЭДС иф образцов проводили при давлении ~Ы0-5 Па. Источниками света служили ртутная (ДРТ-250) и ксеноновая (ДКсШ-1000) лампы. Для выделения требуемого участка спектра применяли монохроматор МСД-1 и набор светофильтров. Актинометрию источников света проводили с помощью радиационного термоэлемента РТ-0589. В качестве датчика при измерении Уф использовали лампу РМО-4С омегатронного масс-спектрометра ИПДО-1, настроенного на частоту регистрации азота [12]. Измерения ф и иф проводили на установке, включающей электрометрический вольтметр В7-30, либо электрометр ТЯ-1501 [15]. Спектры диффузного отражения (ДО) до и после облучения образцов измеряли при давлении ~10-4Па, используя устройство [16], на спектрофотометре СФ-4А с приставкой ПДО-1 при давлении 101,3 кПа на спектрофотометре 8рееогё-М40 с приставкой на отражение 8°ё [17]. Контактную разность потенциалов (КРП) между азидом серебра, сере-
бром и электродом сравнения из платины измеряли, используя модифицированный метод Кельвина [19]. Топографию твердофазных продуктов фотолиза азида свинца изучали методом угольных реплик на электронном микроскопе УЭМВ-1000.
Результаты и обсуждение
На рис. 1 приведены кинетические кривые Уф при воздействии на образцы света из области собственного поглощения азида свинца (Я=365 нм) при 293 К в интервале интенсивностей падающего света Т=3,06-1016...8,56-1013 см-Ч-1. В полях интенсивного освещения (Т>1-1015 квангсмЧ1) на кинетических кривых Уф можно выделить несколько участков: начальный (I), стационарный (II), возрастания (III), насыщения - (IV). Снижение интенсивности падающего света приводит к уменьшению Уф, а также к увеличению продолжительности участков кинетических кривых. Скорость фотолиза азида серебра, а также время реализации разных участков кинетических кривых Уф в значительной степени зависят от способа синтеза препаратов (рис. 2).
На рис. 3 (кривые 1, 2) приведены спектральные распределения Уф и ф, построенные по стационарным значениям Уф и ф. Видно, что длинноволновый край Уф и ф А^ЩА^ находится при А«365 нм. Различные виды предварительных обработок, которые приводят к частичному разложению азида серебра (прогрев при давлении ~10-5 Па в интервале температур 340...420 К, облучение светом, старение образцов, обработка в восстановительной среде), уменьшают или полностью устраняют начальный максимум (участок 1) на кинетических кривых Уф. Пов-
Рис. 1. Зависимость скорости фотолиза АдЫ3(А1) от интенсивности падающего света (I, квант см~2-с-) Х=365 нм: 1) 8,56-1013, 2) 2,42-1014, 3) 8,4-1014, 4) 2,42-10к, 5) 3,17-1015, 6) 6,5-1015, 7) 3,06-106
Рис. 2. Зависимость скорости фотолиза азида серебра от метода синтеза при Х=365 нм, 1=3,17-10’5 квант см-2-с-: 1) Б, 2) Б7, 3) Б3, 4) А, 5) Б, 6) Бъ, 7) Б
Рис. 3. Спектральное распределение скорости фотолиза (0), фототока (о) до (•) и после облучения АдЫ(А) (2) светом Х=365 нм при 1=3,17-10’5 квант см-2-с-
торное (после прерывания света на I и II участках) освещение образцов не приводит к заметному изменению Уф на II, III, IV участках кинетических кривых Уф (рис. 4, кривые 2, 3) и кривых спектрального распределения Уф и ¡ф (рис. 3). Предварительное экспонирование образцов в течение 40 мин. приводит к монотонному увеличению Уф до постоянных значений (рис. 4, кривая 4). При этом наряду с увеличением Уф и ¡ф в собственной области поглощения ^^(А) на кривых спектрального распределения Уф и ф появляется новая область фоточувствительности, длинноволновый порог которой простирается до 1280 нм (рис. 3, кривые 3, 4).
О 8 16 24 32 40 48 56
X , мин
Рис. 4. Кинетические кривые скорости фотолиза АдЫ3(А1) при 1=365 нм и интенсивности падающего света 1=3,17-10'5 квантсм~2-с~’ до (1) и после прерывания освещения на I (2), II (3), IV (4) участках кинетических кривых Vф
Более продолжительное освещение образцов приводит к снижению Уф. В результате электронномикроскопических и спектрофотометрических исследований было установлено, что наблюдаемое понижение фоточувствительности ^^(Д) связано с затемнением поверхности образца твердофазным продуктом фотолиза и, как следствие, с уменьшением числа поглощенных ^^(Д) квантов света.
После прекращения экспонирования на разных участках кинетических кривых скорости фотолиза наблюдается участок темнового постгазовыделения (рис. 1, 2, 4). Видно, что кривые темнового постга-зовыделения состоят из двух участков «быстрого» и «медленного». С увеличением времени экспонирования и интенсивности падающего света продолжительность темнового постгазовыделения возрастает. Причем, по мере понижения температуры и интенсивности падающего света уменьшается временной интервал «медленной» составляющей темнового постгазовыделения. Установлено, что независимо от интенсивности падающего света и времени предварительного экспонирования кривые темнового постгазовыделения спрямляются в координатах 1пСш=Дт). По тангенсу угла наклона зависимости 1пСю=/(т) оценили значения констант скорости (к) после прерывания освещения на разных участках кинетических кривых Уф (табл. 1).
Таблица 1. Константы скорости процесса, ответственного за постгазовыделение к, с-
Образец Участки кинетической кривой Vф
I II IV
АдИ 3 (А1) (4,32-0,16)-10-2 (3,10-0,15)-10-2 (2,40-0,12) 10-3
При исследовании топографии твердофазного продукта фотолиза азида серебра, установлено, что при облучении светом Я=3б5 нм, интенсивности /=4.1014...8-1015 квангсм^с-1 и временах облучения образцов, соответствующих достижению участков I и II кинетической кривой Уф формируются частицы преимущественно двух размеров ¿«35...40 А и аЫ00...120 А сферической формы. При экспонировании А£ЩА) до участка III частицы твердофазного продукта достигают размера «0,1 мкм и приобретают огранку. При временах облучения, соответствующих достижению участка IV, поверхность АgN3(А1) практически полностью покрывается твердофазным продуктом.
Длинноволновый край ДО азида серебра находится при А=365 нм (рис. 5). Обработка образцов светом А=365 нм в интервале интенсивностей /=3,77.1014...6,62.1015 квангсм^с1, наряду с отсутствием заметных эффектов в собственной области поглощения азида серебра, приводит к существенному изменению вида спектральных кривых ДО в области А>365 нм. При временах облучения, соответствующих реализации I и II участков на кинетических кривых Уф, наряду с уменьшением ДО в диапазоне А>365 нм на спектральных кривых ДО, проявляются широкие полосы с максимумами при А«420 и 600 нм. Дальнейшее увеличение времени световой обработки до участка (III) приводит к уширению полос и смещению максимумов в длинноволновую область спектра. На рис. 6 приведены результаты сопоставления кривых зависимости площадей, соответствующих изменению отражательной способности образцов при различных временах и интенсивностях экспонирования и рассчитанных по спектрам ДО, от времени облучения с кинетическими кривыми образования фотолити-ческого серебра. Установлено совпадение кинетических зависимостей изменения количеств фото-литического металла (СМе), рассчитанных по результатам измерений кинетических кривых Уф при различных интенсивностях падающего света, со значениями площадей (£), соответствующих изменению ДО АgN3(А1) в процессе облучения.
В табл. 2 приведены константы скорости фотолиза АgN3(А1) и накопления частиц серебра соответствующих размеров оценённые по тангенсу угла наклона зависимостей 1п£=/(т) и 1пСМе=/(т).
Полученные в настоящей работе и ранее [15-18] данные свидетельствуют, прежде всего, о том, что основными продуктами фотолиза АgN3(А1) в условиях высокого вакуума являются металлическое серебро и газообразный азот. Причем, продукты фотолиза АgN3(А1) образуются в стехиометрическом соотношении и, в основном, на
поверхности образцов, а наблюдаемые в результате воздействия света изменения на кинетических кривых УФ, кривых спектрального распределения УФ и /Ф и спектральных кривых ДО А§^(А) (рис. 5) обусловлены образованием частиц серебра, а широкие полосы с максимумами при А«420 и 600 нм -с образованием частиц серебра преимущественно со средним размером ^»35...40 А и ¿Ы00...120 А.
Рис. 5. Изменение отражательной способности АдЫ3(А1) в зависимости от времени облучения светом 1=365 нм и при ¡=3,17-1015 квантсм~2-с’
Рис. 6. Сопоставление количества фотолитического серебра (Ы) (крестики) и площадей, соответствующих изменению отражательной способности (кружки) от времени облучения АдЫ3(А1) светом 1=365 нм при ¡, квант-см-2-с-1: 1) 8,56-1013; 2) 2,42-1014; 3) 8,4-1014; 4) 2,42-10'5; 5) 3,17-1015
Таблица 2. Константы скорости фотолиза АдЫ3(А1) и накопления частиц серебра (к), рассчитанные по кинетическим кривым скорости фотолиза (к1ф) и спектрам диффузного отражения (к1ДО)
¡, квант-см-2-с-1 кф-102, с-1 кдо'102, с 1 к, с-1 Ш5..Л0 А)х х103, с-1 к, с-1 (d»100...120 А) х х103, с-1
2,8-1014 1,6-1015 2,6-1015 3,17-1015 1,1 ±0,2 1,9±0,3 3,3±0,2 4,5±0,4 1,2±0,1 2,0±0,2 3,5±0,3 4,8±0,5 1,2±0,2 1,1±0,1 1,2±0,1 2,1±0,2 2,0±0,3 2,10±0,1 2,30±0,2 3,90±0,5
Для выяснения механизма влияния серебра на фотолиз азида серебра были измерены вольтампер-ные характеристики (ВАХ), иФ гетеросистем А§^(А) - А§ (продукт фотолиза) и КРП.
Таблица 3. Контактная разность потенциалов между азидом серебра, серебром и относительным электродом из платины-
Образец КРП, В
Давление, Па
1-105 1-10-5 1-10-5* 1-10-5** 1-10-5***
АдЫ 3 (Ат) Ад +0,54 +0,40 +0,52 +0,40 +0,30 +0,41 +0,40 +0,41
* После предварительной тепловой обработки при 350 К в течение 90 мин.
** После предварительного термолиза при 550 К в течение 180 мин.
*** После предварительного фотолиза при 1=365 нм, ¡=1-10'4 квант-см^-с1 в течение 90 мин.
Из табл. 3 видно, что фотолиз А§^(А) приводит к уменьшению значений КРП, причем значения КРП для образцов, подвергнутых фотолизу, удовлетворительно совпадают с измеренными для искусственно нанесенного серебра [19]. Из анализа ВАХ и результатов измерений КРП было установлено, что в области контакта А§^(А) - А§ (из-за несоответствия между работами выхода из контактирующих партнеров) возникает запорный электрический слой - контакт А§^(А) - А§ проявляет выпрямляющие свойства. Из рис. 3 видно, что полярность иф, оставаясь неизменной по всему спектру, соответствует положительному знаку со стороны азида серебра, а кривые спектрального распределения иф, УФ, 1Ф коррелируют друг с другом. Генерация иФ прямо свидетельствует о формировании в процессе фотолиза А§^(А) микрогетерогенных систем А§ЩА) - А§, темновые и фотопроцессы на границе раздела которых, по видимому, обеспечивают увеличение УФ и [Ф в собственной области поглощения азида серебра (рис. 3, 4), а также появление новых длинноволновых областей фоточувствительности (рис. 3).
Фотохимические проявления фотоэлектрических процессов в таких системах могут быть вызваны перераспределением под действием контактного поля генерированных светом носителей заряда [6-9, 15-18]. Эти процессы приведут к существенным изменениям условий протекания фотолиза у предварительно фоторазложенных препаратов азида серебра по сравнению с фотораспадом свежеприготовленных. На рис. 7 приведена диаграмма энергетических зон контакта А§^(А) - А§, при построении которой использованы результаты измерений КРП, ВАХ, данные по спектральному распределению иф, УФ и 1Ф, а также результаты измерений внешнего фотоэффекта [20].
При воздействии света из области собственного поглощения азида серебра имеет место интенсивная генерация электрон-дырочных пар (рис. 7, переход 1).
К3-^К30+е
АдК13 Ад
Рис. 7. Диаграмма энергетических зон гетеросистемы АдЫ-3(А1) - Ад, Еу - уровень потолка валентной зоны, Ес - уровень дна зоны проводимости, ЕР - уровень Ферми, Е0 - уровень вакуума, Т - центр рекомбинации
Так как квантовый выход фотолиза, оцененный по начальному участку кинетической кривой Уф, составляет 0,002...0,01, то часть фотоиндуцируемых носителей заряда рекомбинирует (рис. 7, переходы 5, 6) Т++е^Т0+р^Т+, где Т+ - центр рекомбинации.
Генерированные в области пространственного заряда Л§К3(Л1) пары носителей перераспределяются в контактном поле, сформированном из-за несоответствия между термоэлектронными работами выхода азида серебра и фотолитического серебра и наличием собственных поверхностных электронных состояний (СПЭС) [19], с переходом неравновесных электронов из зоны проводимости Л§К3(Л1) на уровни СПЭС (Тп+) или непосредственно в металл (М+) (рис. 7, переходы 3, 4)
Тп++е^Тп0,
М++е^М0.
Концентрация дырок в области пространственного заряда азида серебра по сравнению с концентрацией их в необлученном азиде будет возрастать. Возрастание концентрации дырок в области пространственного азида серебра приводит к соответствующему увеличению ¡ф и Уф по принимаемым для фотолиза азидов тяжелых металлов реакциям образования азота:
р+Уж-^Уж0 +р^Ук+^3К2+2Уа++Ук-,
где Уа+ и Ук- - анионная и катионная вакансии.
При фотолизе ^ЩЛ^ одновременно с выделением азота образуется и фотолитическое серебро. Формирование частиц фотолитического серебра, по нашему мнению, происходит с участием СПЭС
Тп0+Лв+^(ТпЛв)++е^...^(ТпЛвт)+
Наблюдаемое уменьшение Уф и ¡ф на начальном участке (I) кинетических кривых в процессе и после экспонирования образцов (рис. 4) подтверждает необратимый расход поверхностных центров. В процессе роста частиц фотолитического металла формируются микрогетерогенные системы азид серебра - серебро (продукт фотолиза).
Генерированные в области пространственного заряда азида серебра пары носителей перераспределяются в контактном поле, сформированном из-за несоответствия между термоэлектронными работами выхода азида серебра и фотолитического серебра, с переходом неравновесных электронов из зоны проводимости А§К3(А1) в металл (рис. 7)
(ТпАВт)++е^(ТпАВт)°.
Одновременно имеет место фотоэмиссия дырок из фотолитического серебра в валентную зону азида серебра (рис. 6 переход 2). Эти процессы, во-первых, приводят к возрастанию концентрации дырок и, как следствие, к увеличению Уф и ¡ф (участок III); во-вторых, могут стимулировать диффузию ме-жузельных ионов серебра к растущим частицам (азид серебра разупорядочен по Френкелю [21])
(ТпАВт)°+Ав+^(ТпАВт+1)+.
При этом формируется иф положительного знака со стороны азида серебра (рис. 3), которая может способствовать дальнейшему увеличению размеров частиц. При воздействии на гетеросистемы А§К3(А1) - А§ света из длинноволновой области спектра имеет место фотоэмиссия дырок из металла в валентную зону азида серебра (рис. 6, переход 2), что приводит к появлению иф, Уф и ¡ф у предварительно фоторазложенных препаратов в длинноволновой области спектра. Обнаруженные закономерности изменения фотолитическим серебром фоточувствительности азида серебра в длинноволновой области спектра согласуются с изложенным. Действительно, формируется иф положительного знака со стороны азида серебра (рис. 3), энергетическое положение длинноволнового порога иф, Уф и ¡ф для гетеросистем А§К3(А1) - А§ удовлетворительно совпадает с величиной энергетического барьера для перехода дырок из металла в валентную зону азида серебра (рис. 6, переход 2).
Для определения лимитирующей стадии процесса фотолиза оценили время, в течение которого подвижный межузельный катион серебра (А§+) нейтрализует локализованный электрон или диффундирует к нейтральному центру (ТпА§т)°. Время релаксации по механизму дрейфа подвижных катионов в кулоновском поле к локализованному электрону равно максвелловскому времени релаксации [22]
т=е/ 4по,
где е - диэлектрическая проницаемость (еА8щА1)=4 [23]), о - удельная проводимость при 293 К (стАеК3(А1)«1.10-12 Ом-1.см-1 [21]), г;«0,35 с. Константа скорости фотолиза при этом составит £'«2,85 с-1.
Среднее время релаксации при диффузионном протекании процесса может быть оценено [22] тд= е2/окьаТ,
где е - заряд электрона; а - постоянная решетки ^щ/и^^.Ю-8 см); 7=293 К, кь - постоянная Больцмана. При 7=293 К т«114 с. Константа скорости фотолиза (к11) при этом составляет £“«8,9.10-3 с-1.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Янг Д. Кинетика разложения твердых веществ. - М.: Мир, 19б9. - 2б3 с.
2. Evans B.L., Yoffe A.D. Structure and stability of inorganic azides. II. Some physical and optical properties and the fast decomposition of solid monovalent inorganic azides // Proc. Roy. Soc. - 1959. -V. А250. - Р. 3б4-3бб.
3. Deb S.K. Optical absorption spectra of azides // Trans. Farad. Soc.
- 19б9. - V. б5. - P. 3187-3194.
4. Verneker V.R.P. Photodecomposition of Solid Metal Azides // J. Phys. Chem. - 19б8. - V. 72. - № 5. - P. 1733-173б.
5. Савельев Г.Г., Гаврищенко Ю.В., Захаров Ю.А. Фото-ЭДС в азидах свинца и серебра // Известия вузов. Физика. - 19б8. -№ 7. - С. 2-4.
6. Суровой Э.П., Бугерко ЛЛ., Расматова С.В. Исследование кинетических закономерностей образования продуктов в процессе фотолиза азида свинца // Известия Томского политехнического университета. - 2005. - Т. 308. - № 1. - С. 93-97.
7. Суровой Э.П., Захаров Ю.А., Бугерко ЛЛ., Шурыгина Л.И. Автокатализ фотолиза азида таллия // Химия высоких энергий. - 1999. - Т. 33. - № 5. - С. 387-390.
8. Суровой Э.П., Шурыгина Л.И., Бугерко ЛЛ. Закономерности формирования микрогетерогенных систем при фотолизе азида таллия // Химическая физика. - 2003. - Т. 22. - № 9. -С. 24-28.
9. Суровой Э.П., Сирик С.М., Бугерко ЛЛ. Фотолиз систем азид серебра - медь // Известия Томского политехнического университета. - 200б. - Т. 309. - № 2. - С. 1б4-1б9.
10. Власов А.П., Суровой Э.П. Фотоэлектрическая чувствительность гетеросистем азид таллия - алюминий в поле излучения // Журнал физической химии. - 1991. - Т. б5. - № б. -С. 14б5-14б9.
11. Суровой Э.П., Сирик С.М., Бугерко ЛЛ. Кинетика фотолиза гетеросистем азида серебра с теллуридом кадмия и оксидом меди // Журнал физической химии. - 2000. - Т. 74. - № 5, -С. 927-933.
12. Суровой Э.П., Бугерко ЛЛ., Расматова С.В. Фотолиз гетеросистем «азид свинца - кадмий» // Известия Томского политехнического университета. - 2004. - Т. 307. - № 2. - С. 95-99.
Удовлетворительное совпадение констант скорости фотолиза (табл. 2) с к11 дает основание полагать, что лимитирующей стадией процесса фотолиза АgN3(А1) является диффузия межузельных катионов серебра к нейтральноу центру (Т^т)0.
Работа поддержана грантом Президента Рф для поддержки ведущих научных школ НШ - 20.2003.3.
13. Суровой Э.П., Шурыгина Л.И., Бугерко Л.Н. Фотолиз гетеросистем азид таллия - металл // Химическая физика. - 2001. -Т. 20. - № 12. - С. 15-22.
14. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н. Термостимулированное газовыде-ление из систем азид серебра - металл // Химическая физика.
- 2002. - Т. 21. - № 7. - С. 74-78.
15. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Захаров Ю.А., Расматова С.В. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем азид свинца металл // Материаловедение.
- 2002. - № 9. - С. 27-33.
16. А.с. 1325332 СССР. МКИ G01N 21/55. Устройство для измерения спектров отражения в вакууме / А.И. Турова, ГП. Адушев,
Э.П. Суровой и др. Заявлено 10.11.1985; Опубл. 24.07.1987, Бюл. № 27. - 5 с.: ил.
17. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Расматова С.В. Фотолиз азида свинца в контакте с оксидом меди (I) // Известия Томского политехнического университета. - 2006. - Т. 309. - № 4. -С. 90-95.
18. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Расматова С.В. Фотолиз систем «азид свинца - теллурид кадмия» // Известия Томского политехнического университета. - 2004. - Т. 307. - № 4. - С. 85-88.
19. Суровой Э.П., Титов И.В., Бугерко Л.Н. Контактная разность потенциалов для азидов свинца, серебра и таллия // Известия Томского политехнического университета. - 2005. - Т. 308. -№ 2. - С. 79-83.
20. Колесников Л.В. Спектры энергетических состояний и некоторые особенности реакций разложения азидов тяжелых металлов: Автореф. дис. ... канд. хим. наук. - Минск, БГУ, 1978. -21 с.
21. Захаров Ю.А., Гасьмаев В.К., Колесников Л.В. О механизме процесса ядрообразования при термическом разложении азидов серебра // Журнал физической химии. - 1976. - Т. 50. -№ 7. - С. 1669-1673.
22. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. - М.: Наука, 1972. - 399 с.
Поступила 08.12.2006 г.
