CC BY
56
27. Лисицын В.М. Начальное взаимное пространственное распределение пар дефектов, образующихся при распаде электронных возбуждений // Известия Латв. АН. Сер. Физ. и техн. наук. -1990. — № 3. -С. 59-65.
28. Лисицын В.М., Яковлев А.Н. Кинетика релаксации первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах // Физика твердого тела. —2002. —Т. 44. — Вып. 11. — С. 1974—1978.
29. Гриценко Б.П., Лисицын В.М., Собственные короткоживущие дефекты в кварце // Физика твердого тела. — 1985. —Т. 27. — Вып. 7. -С. 2214-2216.
30. Гриценко Б.П., Лисицын В.М., Степанчук В.Н. Поглощение и люминесценция кристаллического кварца при наносекундном облучении // Физика твердого тела. —1981. —Т. 23. —№ 2. — С. 393-396.
31. Гриценко Б.П., Лисицын В.М. Образование дефектов в кварцевом стекле при импульсном облучении электронами // Физика и химия стекла. —1978. —Т. 4. —Вып. 2. —С. 239—241.
32. Volchek A.O., Lisitsyn V.M., Gusarov A.I., Yakovlev V.Yu., Arbuzov V.I. Transient optical transmission changes induced by electron radiation in commercial crown silicate glasses // Nucl. Instr. and Meth. In Phys. Research. —2003. —V. B211. —P. 100—106.
33. Лисицын В.М. Старение оптических материалов в газоразрядных источниках света // Светотехника. —1989. —№ 10. —С. 1—3.
34. Лисицын В.М., Лисицына Л.А., Ликай Л.П. Изменение потенциальной энергии носителя заряда в области нейтрального дефекта. -Деп. в ВИНИТИ 17.07.79, 2622-79. -7 с.
35. Лисицына Л.А., Рейтеров В.М., Лисицын В.М., Чинков Е.П., Трофимова Л.П. Влияние примеси на распад электронных возбуждений в кристалле CaF2 // Оптика и спектроскопия. — 1983. -Т. 55. - Вып. 5. -С. 875-878.
36. Лисицын В.М., Малышев А.А., Яковлев В.Ю. Локализованные примесью экситоны в щ.г.к. // Физика твердого тела. — 1983. — Т 25. -№ 11. -С. 3356-3360.
37. Лисицын В.М., Корепанов В.И., Стреж В.В., Бочканов П.В. Преобразование электронных возбуждений в кристаллах KCl:J // Физика твердого тела. — 1985. — Т. 27. — Вып. 10. — С. 3052-3056.
38. Лисицын В.М., Олешко В.И. Электрический пробой ЩГК при импульсном облучении // Письма в ЖТФ. — 1983. — Т. 9. — Вып. 1. -С. 15-18.
39. Лисицын В.М., Олешко В.И., Штанько В.Ф. Кумуляция энергии СЭП в твердых телах // ЖТФ. —1985. —Т. 55. — Вып. 9. — С. 1881-1883.
40. Олешко В.И., Штанько В.Ф., Лисицын В.М. Образование периодической структуры разрушений в №С1 под действием мощного электронного пучка наносекундной длительности // Письма в ЖТФ. -1985. -Т. 11. -№ 24. -С. 1478-1481.
41. Ципилев В. П. Стенд для исследования кинетики взрывного разложения конденсированных сред при воздействии импульсов лазерного излучения // Известия Томского политехнического университета. —2003. —Т. 306. —№ 4. —С. 99—103.
42. Ципилев В. П. Кинетика взрывного разложения азидов тяжелых металлов при лазерном импульсном инициировании // Известия Томского политехнического университета. —2003. — Т. 306. — № 5. -С. 45-51.
43. Корепанов В.И., Лисицын В.М., Олешко В.И., Ципилев В.П. Импульсная катодолюминесценция азидов тяжелых металлов // ПЖТФ. -2002. -Т. 28. - Вып. 24. -С. 48-52.
44. Корепанов В.И., Лисицын В.М., Олешко В.И., Ципилев В.П. Инициирование детонации ТЭНа мощным электронным пучком // Письма в ЖТФ. -2003. -Т. 29. - Вып. 16. - С. 23-28.
45. Лисицын В.М., Лях ГД., Орловский В.Н., Осипов В.В., Уразба-ев М.Н. Лазер на Яо60 с катодолюминесцентной накачкой // Квантовая электроника. —1984. —Т. 11. —№ 8. —С. 1670—1671.
46. Лисицын В.М., Штанько В.Ф., Яковлев В.Ю. Катодолюминесцентный импульсный источник света // ЖТФ. —1985. —Т. 55. -Вып. 6. -С. 1187-1188.
47. Лисицын В.М., Корепанов В.И., Полисадова Е.Ф. Импульсный катодолюминесцентный анализ материалов // Светотехника. -1999. -№ 6. -С. 13-15.
48. Лисицын В.М., Корепанов В.И., Кузнецов М.Ф., Полисадова Е.Ф., Полуэктова Т.И., Баженов А.И. Люминесценция кальцитов при импульсном электронном возбуждении // Записки Всеросс. Минерал. Общества. —2001. —№ 1. —С. 114—118.
УДК 541.14
ФОТОЛИЗ ГЕТЕРОСИСТЕМ "АЗИД СВИНЦА - КАДМИЙ"
Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко, С.В. Расматова
Кемеровский государственный университет E-mail: [email protected]
Масс-спектрометрическим и спектрофотометрическим методами исследованы кинетические и спектральные закономерности формирования продуктов фотолиза гетеросистем PbN6 (Ам)-Св в зависимости от интенсивности падающего света (110'3...ï 10'6 см~1 с4). Создание гетеросистем РЬ^(Ам)—Сд наряду с уменьшением скорости фотолиза и фототока в области собственного поглощения PbN6 (Ам) приводит к расширению области спектральной чувствительности азида свинца, а предварительная обработка их светом h=365 нм — к увеличению скорости фотолиза. В результате анализа вольтамперных характеристик, контактной фотоЭДС, контактной разности потенциалов построена диаграмма энергетических зон и предложена модель фотолиза гетеросистем РЬ^(Ам)—Сд, включающая: генерацию, рекомбинацию, перераспределение неравновесных носителей в контактном поле, формирование мик-рогетерогенных систем РЬ^(Ам)—РЬ (продуктфотолиза) и образование азота.
Решение задач направленного регулирования фотохимической и фотоэлектрической чувствительности неорганических солей представляет для физики и химии твердого тела многосторонний
интерес [1-6]. Постановка подобных исследований, наравне с их технической актуальностью [3, 4, 6], может быть полезным инструментом для выяснения механизма процесса разложения твердых тел
[1, 2, 4, 5]. Среди разнообразных светочувствительных соединений особое место занимают азиды тяжелых металлов (АТМ) [7]. Относительно несложный состав и структура, высокая фоточувствительность, значительный внутренний фотоэффект, простой состав конечных продуктов фоторазложения делают АТМ удобными модельными объектами исследований [8, 9]. Было установлено [10-12], что создание контактов АТМ с полупроводниками, наряду с изменением скорости фотолиза и фототока в области собственного поглощения азидов, приводит к расширению области спектральной чувствительности.
В настоящем сообщении приведены результаты цикла работ, направленного на исследование кинетических и спектральных закономерностей фотолиза гетеросистем РЬЩАм-Сё до, в процессе и после предварительного разложения, и выяснение причин, вызывающих наблюдаемые изменения кадмием фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азида свинца.
Объекты и методы исследования
Азид свинца марки Ам - РЬЩАм) синтезировали методом двухструйной кристаллизации, медленным (в течение 60 мин) сливанием "струя в струю” водных
0,2 н растворов дважды перекристаллизованного технического азида натрия и нитрата свинца (квалификации х.ч.) при рН 3 и Т = 293 К. Гетеросистемы РЬК6(Ам)-Сё готовили перемешиванием дозированных количеств азида свинца и кадмия в сухом состоянии и в этиловом спирте с последующей сушкой и прессованием таблеток при давлении 1103 кгсм-2, а также нанесением тонкого слоя кадмия на таблетки азида свинца методом термического испарения при давлении ~10- Па, используя вакуумный универсальный пост ВУП-5М. Толщина слоя металла варьировалась в пределах 500... 1500 А. При сопоставлении результатов и построении кривых спектрального распределения скорости фотолиза (Рф), фототока (/ф) и фотоЭДС (иф) учитывались потери на прохождение света через металлические пленки.
Измерения кинетических кривых Рф, /ф и иф образцов осуществляли при давлении ~10- Па. В качестве датчика при измерении Рф использовали лампу РМО-4С омегатронного масс-спектрометра ИПДО-1, настроенного на частоту регистрации молекулярного азота. Измерения /ф и иф проводили на установке, включающей электрометрический вольтметр В7-30 [12]. Спектры диффузного отражения (ДО) до и после облучения образцов измеряли при давлении ~10- Па, используя устройство
[13], на спектрофотометре СФ-4А с приставкой ПДО-1 и при давлении 101,3 кПа на спектрофотометре 8ресогё-М40 с приставкой на отражение 87d [11]. В качестве источников излучения применяли ртутную (ДРТ-250) и ксеноновую (ДКсШ-1000) лампы. Для выделения требуемого участка спектра использовали монохроматоры МДР-2 и 8РМ-2, светофильтры. Актинометрию источников света
проводили с помощью радиационного термоэлемента РТ-0589. Контактную разность потенциалов (КРП) между азидом свинца, кадмием и электродом сравнения из платины измеряли, используя модифицированный метод Кельвина [14].
Результаты и обсуждение
В результате анализа кинетических закономерностей фотолиза гетеросистем РЬШ(А)-Сё в зависимости от интенсивности (/=Ы013...Ы016 см-2с-1) и спектрального состава падающего света (А=300...1500 нм) были установлены следующие экспериментальные факты.
Создание контактов РЬЩАм) с Сё наряду с уменьшением Рф в области собственного поглощения азида свинца не приводит к изменению формы кинетических кривых Рф РЬЩАм) (рис. 1). Форма кинетических кривых и значения Уф гетеросистем РЬК6(Ам)-Сё зависят от интенсивности падающего света, а также предварительных тепловой и световой обработок образцов. При освещении гетеросистем светом из области собственного поглощения азида свинца в интервале интенсивностей 2,61014...11016 см-2с-1 реализуются кинетические кривые, для которых характерно наличие четко выраженных четырех участков. В начальный момент освещения Рф, быстро достигнув максимальных значений (начальный участок - I), уменьшается и принимает постоянные значения (стационарный участок - II). Далее Рф возрастает до определенной величины (участок возрастания - III) и остается неизменной (участок насыщения - IV).
т, мин
Рис. 1. Кинетические кривые скорости фотолиза (УФ) РЬМ6(Ам) (1) и РЬМ6(Ам)-СС (2-4) при Х=365 нм и интенсивности падающего света 2105 см~2-с~1 до (1, 2) и после прерывания освещения на II (3) и IV (4) участках кинетических кривых Vф. Стрелками обозначены моменты выключения света
По мере понижения интенсивности падающего света, Рф уменьшается, продолжительность стационарного участка увеличивается, наклон участка III уменьшается. Продолжительная обработка образцов РЬК6(Ам)-Сё светом, теплом в восстановительной среде уменьшает (вплоть до полного исчезновения) начальный максимум на кинетической кривой
Уф. Повторное (после предварительного прерывания света на I и II участках) облучение образцов не приводит к заметному изменению Уф на II, III, IV участках кинетической кривой Уф (рис. 1 кривая 3). Предварительное экспонирование образцов в течение времени достижения участка IV приводит к монотонному увеличению значений Уф до постоянных значений (рис. 1, кривая 4). Последующая обработка гетеросистем РЬК6(Ам)-Сё красным светом в окислительной среде, хранение при Р=101,3 кПа и 7=293 К и при давлении 1 • 10-3 Па (в течение 1 мес.) приводит к частичному восстановлению формы кинетической кривой Уф. После прекращения освещения на разных участках кинетических кривых Уф наблюдается темновое постгазовыделение (рис. 1). Кривые темнового постгазовыделения спрямляются в координатах 1пСУ2=Дт). По тангенсу угла наклона зависимости 1пСУ2=Дт) оценены значения констант скорости (к) процессов, ответственных за темновое постгазовыделение после прерывания освещения на разных участках кинетических кривых Уф (табл. 1).
Таблица 1. Константы скорости темнового постгазовыделения
Образец к, с-1
Участки кинетической кривой 1/ф
I II III
РЬМ6(Ам)-Сс1 (3,20±0,05)■’0-2 (2,’0±0,’3)■’0-3
Исследование закономерностей формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем РШ6(Ам)-Сё проводили путем измерения спектров ДО образцов до и после обработки их светом А=365 нм в интервале интенсивностей падающего света 2-1015...6-1013 см~2-сч. Было установлено, что наряду с отсутствием заметного влияния кадмия на длинноволновый порог ДО азида свинца, создание контактов азида свинца с кадмием приводит к уменьшению ДО азида в длинноволновой области спектра (400.900 нм). При воздействии на гетеросистемы РЬК6(Ам)-Сё света из области собственного поглощения азида свинца на спектральных кривых ДО наблюдаются изменения. При временах облучения, соответствующих временам реализации I и II участков на кинетических кривых Уф наряду с уменьшением ДО в диапазоне 400.800 нм на спектральных кривых ДО появляется максимум при 400.450 нм. Дальнейшее увеличение времени световой обработки (до участка возрастания Уф на участке III) приводит к уширению полосы и смещению максимума в длинноволновую область спектра. Хранение облученных образцов в течение 24 ч при 7=293 К и Р=101,3 кПа приводит к частичному восстановлению ДО образцов в области Я>400 нм.
Были сопоставлены кинетические кривые зависимостей изменения концентрации фотолитическо-го металла (СмЕ), рассчитанные по результатам измерений кинетических кривых Уф при различных интенсивностях падающего света, со значениями площадей (Я), соответствующих изменению ДО гетеросистем РЬЩАм)-Сё в процессе облучения (рис. 2).
Совпадение зависимостей свидетельствует о том, что наблюдаемые в результате облучения образцов изменения на спектральных кривых ДО гетеросистем РЬЩАм)-Сё обусловлены образованием свинца -продукта фотолиза азида свинца. Причем, твердофазный (свинец) и газообразный (азот) продукты фотолиза гетеросистем РЬК6(Ам)-Сё образуются в стехиометрическом соотношении, в основном на поверхности образцов. В табл. 2 приведены значения констант скорости фотолиза РШ6(Ам) и гетеросистем РЬК6(Ам)-Сё, оцененные по тангенсу угла наклона зависимостей 1п$=Д т), 1пСМе=Дт). Из табл. 2 следует, что значения констант фотолиза азида свинца и гетеросистем РЬЩАм)-Сё практически совпадают.
Рис. 2. Сопоставление количества фотолитического свинца (МРЬ/х) и площадей (Б,о), соответствующих изменению диффузного отражения РЬМ6(Ам)—СС в зависимости от интенсивности светового потока I, см~2-с~’: ’) 6,’Ю’3, 2) 1,8'Ю’4, 3) 5,0'Ю’4, 4) 1,4-Ю’5, 5) 2,0-Ю’5
На рис. 3 приведены кривые спектрального распределения Уф и гф, построенные по стационарным значениям Уф и гф. Видно, что в результате создания гетеросистем РЬЩАм-Сё наряду с уменьшением Уф и гф в собственной области поглощения азида свинца на кривых спектрального распределения Уф и гф появляется новая длинноволновая область спектральной чувствительности.
Рис 3. Спектральное распределение скорости фотолиза (’, 2), фототока (3, 4), фотоЭДС (5) РЬМ6(Ам) (’, 3) и РЬМ6(Ам)-СС (2, 4, 5) при I = 2-Ю’5 см-2 с-
Таблица 2. Константы скорости фотолиза, рассчитанные по кинетическим кривым скорости фотолиза (кф) и спектрам диффузного отражения (к1ДО), ^3,’7’Ю см- с-’
Образец кф с-’ с
РЬМ6(Ам) (5,90±0,47) ■ 10-2 (5,80±0,48) 10-2
РЬЫ6(А\м)-СС (6,00±0,55М0-2 (5,80±0,50)■ 10-2
Таблица 3. КРП между образцами и электродом сравнения из платины при Т=293 К
Образец КРП, В
Р=’01,3 кПа Р=1 ■ 10-5 Па
РЬМ6(Ам) +0,28 +0,46
Сс1 +0,60 +0,61
Для выяснения энергетического строения контактов азида свинца с кадмием и причин, вызывающих наблюдаемые изменения металлами Уф и гф азида свинца в разных спектральных областях, были выполнены измерения вольтамперных характеристик (ВАХ), Пф гетеросистем РЬК6(Ам)-Сё, а также измерены значения КРП между РЬК6(Ам), Сё и электродом сравнения из платины. На рис. 3 показано спектральное распределение Щ гетеросистем РЬК6(Ам)-Сё. Видно, что кривые спектрального распределения Уф, гф и Щ коррелируют, а знак Щ отрицателен со стороны РЬЩАм). Из анализа ВАХ и результатов измерений Щ и КРП (табл. 3) было установлено, что в области контакта азида свинца с кадмием образуется антизапорный слой.
Рис. 4. Диаграмма энергетических зон гетеросистемы РЬЫ6(Ам)—Сс1. Еу - уровень потолка валентной зоны, ЕС-уровень дна зоны проводимости, Е -уровень Ферми, Е0 -уровень вакуума, - центр рекомбинации
Полученные в настоящей работе и ранее [8-12, 14, 15] результаты исследований свидетельствуют: во-первых, о контактной фотоэлектрической природе эффектов изменения кадмием Уф и гф азида свинца в разных спектральных областях; во-вторых, о наличии на границе контактов азида свинца с кадмием достаточно высокой плотности поверхностных электронных состояний. Это следует из установленных экспериментальных фактов:
1. Отсутствие (ожидаемого из результатов измерений КРП - табл. 3) эффектов "выпрямления" на ВАХ гетеросистем РЬЩАм-Сё.
2. Корреляция кривых спектрального распределения Уф, гф и Щ.
3. Формирование Ц, для гетеросистем РЬЩАм) -Сё прямо свидетельствует о разделении неравновесных носителей заряда на границе раздела.
4. Наличие у азида свинца до контакта с кадмием антизапорного поверхностного слоя [14-16]. Мы полагаем, что при создании контакта азида
свинца с кадмием в результате электронных переходов, заряжающих поверхность кадмия положительно, уменьшается высота потенциального барьера, обусловленного поверхностными электронными состояниями азида свинца. При этом уровень химического потенциала на поверхности азида свинца должен сместиться к дну зоны проводимости - это приведет к увеличению отрицательного заряда на поверхностных электронных состояниях. Такое увеличение будет компенсировать изменение высоты потенциального барьера контактной разности потенциалов.
Диаграмма энергетических зон гетеросистем РЬК6(Ам)-Сё, при построении которой использованы результаты исследований спектрального распределения УФ, гФ и ЦФ (рис. 3), КРП (табл. 3)
[14], внешней фотоэмиссии [15], спектров ДО приведена на рис. 4.
При воздействии на образцы РЬЩАм-Сё света из области собственного поглощения азида свинца имеет место интенсивная генерация электрон-дырочных пар в азиде свинца (переход 1, рис. 4)
N3- ^ р + е
и фотоэмиссия электронов из металла в зону проводимости РЬК6(Ам) (переход 2, рис. 4).
Так как квантовый выход фотолиза, оцененный по начальному участку кинетической кривой Уф, составляет 0,002.0,01, то часть фотоиндуцируемых носителей заряда рекомбинирует (переходы 3, рис. 4):
Т + + е ^ Т0 + р ^ Т+, где Т+ - центр рекомбинации.
Генерируемые в области пространственного заряда азида свинца неравновесные носители заряда перераспределяются в контактном поле, которое обусловлено несоответствием работ выхода контактирующих партнеров, наличием собственных поверхностных электронных состояний (СПЭС) и поверхностных электронных состояний контакта (ПЭСК) с переходом дырок на уровни СПЭС (ТП-) и ПЭСК (ПК-)
^+ТП-^ТП° и ^+ПК-^ПК°.
При этом формируется Щ отрицательного знака со стороны РЬЩАм) (рис. 3). При воздействии на гетеросистемы РЬК6(Ам)-Сё света из области А=510...400 нм имеет место фотоэмиссия электронов с уровней ПЭСК (либо металла) в зону прово-
димости азида свинца. Формирование и, отрицательного знака со стороны азида свинца свидетельствует о возможности осуществления таких переходов. Одновременно с отмеченными переходами, которые приводят к формированию и, (и смещению энергетических уровней у азида свинца), имеют место потоки равновесных носителей заряда через границу раздела. В итоге, концентрация дырок в области пространственного заряда азида свинца будет изменяться по сравнению с концентрацией их в индивидуальном азиде. Результирующее изменение концентрации дырок в области пространственного заряда азида свинца приведет к соответствующему изменению 4 (^-типа) и Vф по принимаемым для фотолиза АТМ реакциям образования азота:
^+Ук-^Ук°+^^Ук+^3К2+2Уа++Ук-, где Ук+ и Уг - катионная и анионная вакансии.
Мы полагаем, что СПЭС и ПЭСК являются центрами формирования фотолитического металла
Тп°+Ме+^(ТпМе)++е^(ТпМе)°^...^(ТпМеш)+,
ПК°+Ме+^(ПКМе)++е^(ПКМе)°^...^(ПКМет)+.
Наблюдаемое уменьшение V, на начальном участке (I) кинетических кривых в процессе и после экспонирования образцов (рис. 1) подтверждает не-
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Robbilard J.J. Possible use of certain metallic azides for the development of dry photographic process // J. Photog. Science. —1971. — V. 19. -P 25 -37.
2. Levy B., Lindsey M. Semiconductor sensitization of photosensitive materials. Part II / Spectral sensitization silver halides with PbO — photographic diode // Phot. Sci. and Eng. —1973. —V. 17. — № 2. -P. 135-141.
3. Акимов И.А., Черкасов Ю.А., Черкашин М.И. Сенсибилизированный фотоэффект. — М.: Наука, 1980. — 384 с.
4. Горяев М.А., Пименов Ю.Д. Управление процессами формирования изображения в неорганических светочувствительных материалах // Успехи научной фотографии. —1980. — Т. 20. — С. 96-105.
5. Индутный И.З., Костышин М.Т., Касярум О.П., Минько В.И., Михайловская Е.В., Романенко П.Ф. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл — полупроводник. — Киев: Наукова думка, 1992. —240 с.
6. Шапиро Б.И. Теоретические начала фотографического процесса. — М.: Эдиториал УРСС, 2000. —288 с.
7. Боуден Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твердых веществах. — М.: Иностранная литература, 1962. —243 с.
8. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Сирик С.М. Катализ фоторазложения азида серебра продуктами реакции // Химическая физика. -1999. -Т. 18. -№ 2. - С. 44^6.
9. Суровой Э.П., Сирик С.М., Захаров Ю.А., Бугерко Л.Н., Шу-рыгина Л.И., Расматова С.В. Образование серебра в процессе
обратимый расход поверхностных центров. В процессе роста частиц фотолитического металла формируются микрогетерогенные системы PbN6(Ам)-Pb (продукт фотолиза) [16]. Генерированные в области пространственного заряда азида свинца пары носителей перераспределяются в контактном поле, сформированном из-за несоответствия между термоэлектронными работами выхода ГЬЩАм) и фотолити-ческого свинца, с переходом неравновесных дырок из валентной зоны азида свинца в свинец
(ТпМеш)-+^^(ТпМеш)0, (ПкМеш)-+_р^(ПкМеш)0. Одновременно имеет место фотоэмиссия электронов из фотолитического свинца в азид свинца. Эти процессы, во-первых, приводят к изменению концентрации дырок и, как следствие, к изменению Уф (участок ill); во-вторых, могут стимулировать диффузию ионов к растущим частицам [16]: (ТпМеm)0+Ме+^(ТпМеmt1)+, (ПкМеm)0 +Ме+^(ПкМеmt1)+.
В процессе фотолиза граница раздела контактов PbN6(Ам)-Cd покрывается слоем фотолитического свинца и при больших степенях превращения фотоэлектрические процессы в гетеросистемах азид свинца - кадмий будут в значительной степени определяться фотоэлектрическими процессами на границе раздела ?ЬЩАм)-?Ь (продукт фотолиза).
фотолиза азида серебра // Журн. науч. и прикл. фотографии. — 2000. -Т. 45. — № 4. -С. 14-20.
10. Суровой Э.П., Сирик С.М., Бугерко Л.Н. Кинетика фотолиза гетеросистем азида серебра с теллуридом кадмия и оксидом меди (I) // Журн. физ. химии. — 2000. — Т. 74. — № 5. — С. 927-933.
11. Суровой Э.П., Сирик С.М., Захаров Ю.А., Бугерко Л.Н. Фотолиз гетеросистем азид серебра — оксид меди (I) // Журн. науч. и прикл. фотографии. —2002. —Т. 47. —№ 5. —С. 19—27.
12. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Захаров Ю.А., Расматова С.В. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем азид свинца — металл // Материаловедение. -2002. — № 9. -С. 27-33.
13. А.с. 1325332 СССР. МКИ G01N 21/55. Устройство для измерения спектров отражения в вакууме / А.И. Турова, ГП. Адушев,
Э.П. Суровой и др. Заявлено 10.11.1985; Опубл. 24.07.1987, Бюл. № 27. —5 с.: ил.
14. Суровой Э.П., Захаров Ю.А., Бугерко Л.Н. Определение работы выхода электрона из азидов серебра, свинца и таллия // Неорганические материалы. —1996. —Т. 32. —№ 2. —С. 162—164.
15. Суровой Э.П., Бугерко Л.Н., Сирик С.М. Закономерности образования твердофазного продукта фотолиза азида серебра // Химическая физика. —2000. —Т. 19. —№ 10. —С. 68—71.
16. Суровой Э.П., Захаров Ю.А., Бугерко Л.Н., Сирик С.М., Шу-рыгина Л.И., Расматова С.В. Формирование под действием света гетеросистем "азид свинца — свинец" // Журн. науч. и прикл. фотографии. —2001. —Т. 46. —№ 3. —С. 1-9.
