Физика список научных статей
-
ЗАРЯДОВЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРНОЙ МОП-СТРУКТУРЫ С КАНАЛОМ ИЗ ДВУМЕРНОГО КРИСТАЛЛА
Для дальнейшего увеличения эффективности и быстродействия полевых транзисторов возможно применение полупроводниковых двумерных кристаллов. Такие транзисторы лишены некоторых отрицательных эффектов, проявляющихся в традиционных МОП-транзисторах при уменьшении их размеров. В работе предложена модель...
2019 / Маковская Татьяна Ивановна, Данилюк Александр Леонидович, Кривошеева Анна Владимировна, Шапошников Виктор Львович, Борисенко Виктор ЕвгеньевичВАКRSCI -
ОСОБЕННОСТИ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВАХ JFET-ТРАНЗИСТОРОВ В ДИАПАЗОНЕ КРИОГЕННЫХ ТЕМПЕРАТУР
Компактные модели JFET-транзисторов, используемые в коммерческих версиях SPICE-подобных программ, ориентированы только на стандартный диапазон температур от -60 до +150 °С и не пригодны для расчета электронных схем в диапазоне криогенных температур (ниже -120 °С). В работе представлена Low-T...
2019 / Петросянц К.О., Исмаил-Заде М.Р., Самбурский Л.М.ВАКRSCI -
МОДЕЛЬ АНОМАЛЬНОЙ ДИФФУЗИИ ДЛЯ ОПИСАНИЯ ИМПЕДАНСА ЛИТИЙ-ИОННОГО АККУМУЛЯТОРА
В последние годы в компонентах литий-ионных аккумуляторов (ЛИА) обнаружен аномально-диффузионный характер ионного транспорта. Несмотря на это, отсутствуют микроскопические модели ЛИА, последовательно учитывающие суб- или супердиффузию и перколяцию ионов лития в ЛИА. Все большее распространение...
2019 / Сибатов Ренат Тимергалиевич, Морозова Екатерина Владимировна, Костишко Борис Михайлович, Светухин Вячеслав Викторович, Кицюк Евгений Павлович, Павлов Александр АлександровичВАКRSCI -
ОБРАЗОВАНИЕ КОВАЛЕНТНЫХ СВЯЗЕЙ МЕЖДУ ЦЕНТРАЛЬНЫМИ АТОМАМИ БАЗОВЫХ ПЛОСКОСТЕЙ СОПРЯЖЕННЫХ ПРИЗМ КУБИЧЕСКОГО УГЛЕРОДА ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНЕГО ДАВЛЕНИЯ
Кубический углерод с -С (разновидность алмаза) перспективен для использования в качестве диэлектрика. Препятствующими факторами применения с -С в микроэлектронике являются экстремальные условия его формирования - давление и высокая температура, которые далеки от применяемых в производстве. При...
2019 / Неустроев Степан Архипович, Неустроев Николай СтепановичВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ И КОНСТРУКЦИИ НА ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ
Мощные биполярные СВЧ-транзисторы (МБТ) работают, как правило, в режимах, близких к предельным, что требует контроля качества отвода тепла от активной области кристалла к корпусу транзистора и далее в окружающую среду. Одним из наиболее эффективных является контроль тепловых характеристик МБТ,...
2019 / Сергеев Вячеслав Андреевич, Смирнов Виталий Иванович, Ходаков Александр Михайлович, Куликов Александр Александрович, Черняков Антон ЕвгеньевичВАКRSCI -
ВЗАИМОСВЯЗЬ ФИЗИЧЕСКОЙ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ЭНТРОПИЙ В ТЕОРИИ НАДЕЖНОСТИ ДЛЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Современные наноструктуры и наноматериалы, используемые в составе электронной компонентной базы, характеризуются высокой степенью гетерогенности и неравновесности. Во время работы прибора при термических, электрических и других воздействиях его характеристики ухудшаются в результате протекания...
2019 / Кожевников Владислав Сергеевич, Матюшкин Игорь Валерьевич, Черняев Николай Владимирович, Жукова Татьяна ДмитриевнаВАКRSCI -
О СУЩЕСТВОВАНИИ ПОПЕРЕЧНЫХ АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ВОЛН ТИПА СТОУНЛИ И ВОЗМОЖНОСТИ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ В АКУСТОНАНОЭЛЕКТРОНИКЕ
Для пьезогетерослоев кристаллов кубической симметрии впервые найдено аналитическое решение задачи Стоунли. Новые типы акустоэлектрических волн в отличие от классических волн Стоунли плоско поляризованы в направлении, ортогональном сагиттальной плоскости. Электрическое поле волны в каждом из слоев...
2017 / Мороча Арнольд Климентьевич, Рожков Александр СергеевичВАКRSCI -
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ТРЕХМЕРНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДА С РАСПРЕДЕЛЕННОЙ ГЕНЕРАЦИЕЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
Идея создания фотоэлементов с распределенным гетеропереходом заключается в распространении границы донор-акцептор на весь объем активного слоя для повышения эффективности диссоциации фотогенерируемых экситонов. Этот принцип в рамках модели обобщен на случай бетавольтаических элементов,...
2017 / Шулежко Вадим Владимирович, Морозова Екатерина ВладимировнаВАКRSCI -
РАСЧЕТ ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ШУНТОВ НА ЭФФЕКТ DV/DT В МОЩНЫХ ФОТОТИРИСТОРАХ
Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV/dt. Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV/dt. Полученное условие может быть использовано...
2017 / Силкин Денис Сергеевич, Падеров Виктор ПетровичВАКRSCI -
МОДЕЛИРОВАНИЕ ОРБИТАЛЕЙ В ТЕТРАЭДРЕ КРИСТАЛЛА КУБИЧЕСКОГО УГЛЕРОДА
Процесс получения пленок алмаза зависит от энергетического состояния частиц газовой фазы и топологии поверхности осаждения, а также от положения и вида орбиталей в тетраэдре кристалла кубического углерода. Приведена визуализация ячейки кубического углерода с-С в гексагональной анаморфозе....
2017 / Неустроев Степан АрхиповичВАКRSCI -
ИЕРАРХИЯ МОДЕЛЕЙ РАБОТЫ ЯЧЕЙКИ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ С ПРОДОЛЬНОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ СЛОЕВ КОБАЛЬТА
Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) имеет значительные преимущества перед уже существующими типами памяти. Исследование динамики вектора намагниченности свободного слоя MRAM в приближении Стонера - Вольфарта сводится к анализу нелинейной динамической системы трех уравнений. Для ...
2017 / Юсипова Юлия АлександровнаВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ КВАНТОВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛИКРЕМНИЕВОМ ЗАТВОРЕ НА СДВИГ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРА
При производстве МДІ 1-транзисторов с технологическими нормами вплоть до 65 нм в настоящее время в качестве материала затвора используется сильнолегированный поликремний. Эффекты квантования носителей инверсного слоя в подложке и обеднения поликремниевого затвора обычно учитываются введением...
2017 / Лапин Александр Евгеньевич, Парменов Юрий АлексеевичВАКRSCI -
ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В N-INSB ПО СПЕКТРАМ ОТРАЖЕНИЯ В ДАЛЬНЕЙ ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ С УЧЕТОМ ПЛАЗМОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
Бесконтактный неразрушающий метод дает возможность определять концентрацию свободных электронов в образцах антимонида индия InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области, снятым при комнатной температуре. Разработана компьютерная программа, которая с помощью соотношений Крамерса-Кронига ...
2017 / Белова Ирина Михайловна, Белов Александр Георгиевич, Каневский Владимир Евгеньевич, Лысенко Александр ПавловичВАКRSCI -
ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ВНЕШНЕЙ КВАНТОВОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ INGAN/GAN ЗЕЛЕНЫХ СВЕТОДИОДОВ В ПРОЦЕССЕ УСКОРЕННЫХ ИСПЫТАНИЙ
Причины и механизмы изменения квантовой эффективности и других характеристик гетероструктур InGaN/GaN в различных режимах работы активно исследуются. Представлены результаты экспериментального исследования изменения внешней квантовой эффективности маломощных InGaN/GaN зеленых светоизлучающих диодов ...
2017 / Сергеев Вячеслав Андреевич, Фролов Илья Владимирович, Широков Алексей Анатольевич, Радаев Олег АлександровичВАКRSCI -
ПЕРЕНОС ЭЛЕКТРОНОВ ПОПЕРЕЧНОЙ АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ВОЛНОЙ ТИПА СТОУНЛИ
Эффект акустоэлектрического переноса заряда связан с возможностью усиления акустоэлектрических волн внешним электрическим полем и детально исследован для объемных и поверхностных волн. Перенос электронов поперечной акустоэлектрической волной типа Стоунли, распространяющейся вдоль границы...
2017 / Мороча Арнольд Климентьевич, Рожков Александр СергеевичВАКRSCI -
ОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ПОВЕРХНОСТИ КМОП-СТРУКТУРЫ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ГАММА-ЛУЧАМИ И ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ
КМОП ИМС широко используются в бортовых устройствах космических аппаратов, работающих в условиях повышенной температуры и низкоинтенсивного облучения. Поэтому важно знать процессы, приводящие к старению микросхем, т.е. к ухудшению параметров под действием дестабилизирующих факторов. Рассмотрены...
2017 / Попов Виктор ДмитриевичВАКRSCI -
INVESTIGATION OF TEMPERATURE DEPENDENCIES OF SEEBECK COEFFICIENT AND ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF GE2SB2TE5 THIN FILMS
At present, the halkogenide semiconductors based on the Ge-Sb-Te system materials are actively used due to their successful application in the optical phase change memory and the perspectives of the application in the electric phase change memory. The simultaneous study on the Seebeck coefficient...
2017 / Terekhov Dmitry Y., Lazarenko Petr I., Sherchenkov Alexey A., Shtern Yuri I., Kozyukhin Sergey A., Filatov Sergey A., Babich Alexey V., Pepelyaev Dmitry V., Presnukhina Anna A.ВАКRSCI -
КВАНТОВЫЙ ВЫХОД ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAINN
Важным параметром светодиодных гетероструктур является величина внешнего квантового выхода. Однако к структурам, используемым при изготовлении кристаллов для синих и белых светодиодов, предъявляется еще одно жесткое требование: длина волны в максимуме спектра излучения и разброс ее величины по всей ...
2017 / Вигдорович Евгений НаумовичВАКRSCI -
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ P-N-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ GAAS
Разработан и реализован на примере GaAs алгоритм вычисления параметров электрон-фононного взаимодействия ловушки EL2. На основе данных параметров вычислены полевые зависимости вероятностей безызлучательных переходов с данной ловушки и обратные токи p-n-переходов на GaAs, которые хорошо согласуются...
2016 / Жуков Андрей ВикторовичВАКRSCI -
ПРИМЕНЕНИЕ МОДИФИЦИРОВАННОГО УРАВНЕНИЯ ГИББСА ДЛЯ ЗАДАЧ ИССЛЕДОВАНИЯ ОТКАЗОВ ИЗДЕЛИЙ МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ
С позиций статистической термодинамики проведен анализ механизмов отказов и процессов химической кинетики, определяющих надежность изделий микросистемной техники. Впервые предпринята попытка использовать модифицированное уравнение Гиббса в форме Семенченко для задач исследования механизмов отказов...
2016 / Тимошенков Сергей Петрович, Горошко Владимир Николаевич, Симонов Борис Михайлович, Петрова Валентина ЗахаровнаВАКRSCI