CC BY
20•
V iit
Оригинальные статьи
DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2020.22/2535 Поступила в редакцию 26.01.2020
ISSN 1606-867Х elSSN 2687-0711
Принята к публикации 15.02.2020 Опубликована онлайн 25.03.2020
УДК 621.3.038.825.5:546.71
Влияние наноразмерных слоев хемостимулятора-модификатора Mn3(P01V09O4)2 на процесс термического оксидирования GaAs, состав и морфологию формируемых плёнок
© 2020 Е. В. ТоминаН*, Б. В. Сладкопевцев3, А. И. ДонцоваЬ, Л. И. Перфильева3, И. Я. Миттова3
аВоронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж 394018, Российская Федерация
ьВоронежский государственный технический университет, Московский пр., 14, Воронеж 394026, Российская Федерация
Одним из подходов к формированию функциональных наноразмерных плёнок на поверхности AIIIBV является хемостимулированное термооксидирование. Для получения требуемого результата необходимо обоснованно выбрать объект, который может выступать в роли хемостимулятора процесса или модификатора структуры и свойств формируемых в результате оксидирования плёнок. Использование сложных соединений, способных совмещать обе эти функции, представляется перспективным. Цель статьи - исследование воздействия наноразмерных слоев хемостимулятора-модификатора Mn3(P0 tV0 9O4)2 на процесс термического оксидирования GaAs, состав и морфологию формируемых пленок.
Объект исследования - арсенид галлия (100) с нанесёнными на его поверхность наноразмерными слоями ванадат-фосфата марганца Mn3(P01V09O4)2. С целью увеличения скорости процесса и обеспечения высокой химической гомогенности продукта предлагается микроволновая активация синтеза хемостимулятора-модификатора Мп,(Р01V0 9O4)2 и дальнейшее его нанесение на поверхность полупроводника методом spin-coating. Сформированные гетероструктуры Mn3(P01V09O4)2/GaAs термически оксидировали в интервале температур 490-550 0С в течение 60 минут в потоке кислорода.
Осуществляли контроль толщины растущих плёнок (методами лазерной и спектральной эллипсометрии), их состав (рентгенофазовый анализ, Оже-электронная спектроскопия) и морфологию поверхности (атомно-силовая микроскопия).
Исследования кинетики термооксидирования гетероструктур Mn3(P0.1V0.9O4)2/GaAs показали, что определяющим процессом является твердофазная реакция, лимитируемая диффузией в твердой фазе, и реализуется транзитный характер действия хемостимулятора без каталитического эффекта. Выявлено, что ванадат-фосфат марганца способствует увеличению прироста формируемой пленки в среднем на 70-220% по сравнению с эталонным оксидированием GaAs, приводит к интенсификации вторичных взаимодействий оксидов компонентов подложки с продуктами термолиза Mn3(P01V09O4)2 и отсутствию сегрегации мышьяка в плёнке в неокисленном состоянии. При термооксидировании гетероструктур Mn^Pjj 1V0 9O4)2/GaAs формируются наноразмерные (50-200 нм) плёнки с достаточно выраженным рельефом. Необходимо дальнейшее исследование электрофизических характеристик плёнок, т. к. данные о составе позволяют предположить их диэлектрический характер. Это может быть использовано на практике для формирования на поверхности AIIIBV плёнок функционального назначения с варьируемыми в широких пределах характеристиками.
Ключевые слова: арсенид галлия, ванадат-фосфат марганца, наноразмерные плёнки, хемостимулированное оксидирование, микроволновый синтез.
Источник финансирования: Исследование выполнено при поддержке РФФИ (грант No. 18-03-00354 А). Н Томина Елена Викторовна, e-mail: tomina-e-v@yandex.ru
Аннотация
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.
Для цитирования: Томина Е. В., Сладкопевцев Б. В., Миттова И. Я., Перфильева Л. И. Влияние наноразмерных слоев хемостимулятора-модификатора Мп3(Р01У0 904)2 на процесс термического оксидирования ОаЛэ, состав и морфологию формируемых плёнок. Конденсированные среды и межфазные границы. 2020; 22(1): 116-123. Б01: ЬНрБ:/^о1. 0^10.17308/1^.2020.22/2535
1. Введение
Гетероструктуры на арсениде галлия находят широкое применение в технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем, различных оптоэлектронных устройств, полевых транзисторов [1-6]. Результатом появления арсенид-галлиевой микроэлектроники стало создание на основе гетероструктур ОаЛз/ОаЛ1Л8 эффективных и мощных инжекционных лазеров и светодиодов в диапазоне длин волн 600900 нм [7-9]. При этом разнообразие объектов, формируемых на поверхности ОаЛэ и обладающих широким спектром свойств, чрезвычайно велико: квантовые точки, одномерные наноструктуры и тонкие плёнки. В последнем случае возможно нанесение самых разнообразных оксидов, сульфидов, нитридов, сложных соединений, и в настоящее время существует ряд физических и химических методов создания таких тонкоплёночных гетероструктур на основе ЛШБ¥ [10-13]. Однако до сих пор не решена задача синтеза функциональных наноразмерных плёнок сравнительно простыми и технологичными способами.
Формирование на поверхности ОаЛэ функциональных наноразмерных плёнок термическим оксидированием требует использования обоснованно выбранных хемостимуляторов синтеза и модификаторов пленок [14, 15]. Хемо-стимуляторы изменяют механизм оксидирования полупроводника и позволяют предотвратить сегрегацию мышьяка в свободном состоянии на внутренней границе пленки. Модификаторы в процессе термооксидирования встраиваются в пленку и обеспечивают ее быстрый рост, целевое изменение состава и наноструктуры.
Представляется эффективным использование в процессе термооксидирования ЛШБ¥ сложных соединений. Их катионная составляющая включает хемостимулятор. Анионная может выступать в роли модификатора, в качестве группировки включаясь в состав плёнки (фосфаты, сульфаты и т. д.), а также содержать второй, дополнительный, хемостимулятор (например, ва-надаты). В этом случае появляется дополнительная возможность тонкой регулировки процессов синтеза с использованием эффектов совместного воздействия хемостимулятора и модификатора. В данной работе в качестве хемостимулятора-модификатора выбран ванадат-фосфат марганца
Mn3(P0 ХУ0 9O4)2. Оксиды марганца выступают эффективными хемостимуляторами процессов оксидирования AIHBV [16]. Ванадатные группы VO43-, изоструктурные арсенат-анионам AsOj3- [17], являются готовыми фрагментами формирующихся в процессе оксидирования пленок. Помимо этого кислородные соединения ванадия даже в анионной составляющей способны проявлять функцию хемостимулятора [18]. Допирование вана-дата марганца фосфором обеспечивает включение в пленки фосфатных групп РО4З-, проявляющих диэлектрические свойства [19].
Цель работы - исследование воздействия наноразмерных слоев хемостимулятора-модифи-катора Mn3(P01V0 9О4)2 на процесс термического оксидирования GaAs, состав и морфологию формируемых пленок.
2. Экспериментальная часть
Реакции синтеза ванадат-фосфата марганца Mn3(P01V0 9О4)2 из раствора прекурсоров осуществляли под воздействием микроволнового излучения (рабочая частота 2450 МГц, P источни-
max
ка - 800 Вт) [20]. Оксид ванадия (V) V2O5 (Ч.Д.А., ТУ 6-09-4093-88) растворяли в избытке 20% раствора NaOH (Ч.Д.А., ГОСТ 432877), что приводило к образованию метаванадата натрия NaVO3. Для синтеза Mn3(P01V09O4)2 к раствору NaVO3 добавляли растворы Na2HPO4-12H2O (Ч. Д.А., ГОСТ 4172-76) и MnCl2-4H2O (ИМП, Ч.). Воздействовали микроволновым излучением мощностью 600 Вт в течение 10 минут. Полученную суспензию охлаждали до комнатной температуры и отделяли от неё на вакуум-фильтре осадок Mn3(P01V0 9O4)2. Затем осадок промывали, сушили и отжигали при температуре 400 0С в течение 2 часов в муфельной печи (SNOL 8,2/1100).
Определение фазового состава методом рен-тгенофазового анализа (РФА) проводили с использованием дифрактометра ARL X'TRA в непрерывном режиме. Угловой диапазон исследования находился в интервале от 10 до 80° (CuKa1 с l = 1.540562 А) при 25 °С. Размер областей когерентного рассеивания (ОКР) по данным рент-генофазового анализа (РФА) для синтезированного порошка Mn3(P01V0 9O4)2 рассчитывали по формуле Шеррера [21]:
D = Ш ш Ьш cos е'
где Dm - средний размер частиц, А, к - поправочный коэффициент (для кубической и орто-ромбической структуры к = 0.9), l - длина волны рентгеновской трубки, 0 - положение максимума пика, град., рш - истинное физическое уши-рение дифракционного максимума, рад.
В качестве полупроводниковых подложек использовали монокристаллические пластины ар-сенида галлия (100) марки АГЦЧ-1. GaAs легирован цинком, концентрация основных носителей заряда составляет 1.5-1018-2.5-1018 см-3. Для создания гетероструктур Mn3(P01V09O4)2/GaAs c наноразмерными слоями ванадат-фосфата применяли метод spin-coating [22]. К порошку Mn3(P01V09O4)2 приливали дистиллированную воду. Затем осуществляли диспергирование в ультразвуковой ванне (ВУ-09-«Я-ФП»-0) в течение 15 минут. Добавляли небольшое количество желатина для улучшения адгезии с подложкой при нанесении методом spin-coating. Конечный раствор перемешивали при 80 °С в течение 15 минут магнитной мешалкой (Magnetic Stirrer MSH-300).
Перед формированием тонкоплёночных гетероструктур полупроводниковые подложки GaAs обрабатывали концентрированной HF (49 %) в течение 10 мин [23].
Термооксидирование гетероструктур Mn3(P01V09O4)2/GaAs проводили в проточном кварцевом реакторе горизонтальной печи резис-тивного нагрева (МТП-2М-50-500) с регулированием температуры с погрешностью 1 °С (ОВЕН ТРМ-201). Процесс осуществляли в токе кислорода (медицинский (99.5 %) ГОСТ 5583-78, код ОКП: 21 1411 0200) с объёмной скоростью потока 30 л/ч (линейная скорость потока газа в реакторе составляет 10 см/мин). Оксидирование образцов проводили в интервале температур 490550 °С в течение 60 минут.
Измерение толщины нанесенных слоев ва-надат-фосфата и выращенных термооксидированием плёнок проводили на лазерном эл-липсометре ЛЭФ-754 (ЛЭ, точность ± 1 нм) и на спектральном эллипсометре «Эллипс-1891» (СЭ) [24]. Согласно данным ЛЭ и СЭ толщина слоев Mn3(P01V09O4)2 на поверхности полупроводника составляла 25±1 нм.
Элементный состав оксидных пленок на GaAs и распределение компонентов по толщине устанавливали методом Оже-электронной спектроскопии (ОЭС) на спектрометре ЭСО-3 с анализатором DESA-100, точность ±10 %. В работе применяли методику послойного травления плёнок ионами аргона для получения ин-
формации о распределении элементов по глубине плёнки.
Съемку поверхности образцов методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) проводили на сканирующем зондовом микроскопе Solver P47 Pro (NT-MDT) с кантилевером HA_NC Etalon.
3. Результаты и обсуждение
В работе предлагается микроволновая активация синтеза хемостимулятора-модификатора Mn3(P01V09O4)2 с целью значительного увеличения скорости процесса и обеспечения высокой химической гомогенности продукта [25-27].
Согласно [28] разложение кристаллогидратов 3d-элементов в микроволновом поле осуществляется до оксидной фазы в несколько ступеней. Изначально растворы кристаллогидратов поглощают микроволновое излучение за счет кристаллизационной воды. При температурах 130-180 °С начинается гидролиз солей с формированием в качестве промежуточных продуктов оксо- и гидроксосоединений. Образующиеся после разложения солевых композиций высокодисперсные частицы оксидов, равномерно распределенные по реакционному объему, способны активно взаимодействовать друг с другом. Значительный вклад вносит и специфическое «нетермическое» воздействие микроволнового излучения, связанное с генерацией ионных токов на межкристаллитных границах, интенсивность которых существенно возрастает в высокодисперсных системах.
Результаты РФА синтезируемого порошка Mn3(P01V09O4)2 помимо присутствия целевой фазы показали наличие примесей в виде Mn3(PO)2 (dhkl = 2.8745 À; 1.8610 À) и V2O5 (dhkl = 4.3(611 À; 4.0797 À; 3.3979 À; 2.7566 À). Hе-смотря на избыток гидроксида натрия при синтезе метаванадата не удалось добиться полного расходования V2O5, что согласно литературным данным [29] может наблюдаться в подобных реакциях. Однако присутствие оксида ванадия (V) в синтезированном нанокристаллическом порошке не является недостатком, поскольку ранее [18] выявлено эффективное хемостимули-рующее действие V2O5 по каталитическому механизму в процессах термического оксидирования полупроводников AinBV. Средний размер ОКР составляет 30 нм.
Кинетические характеристики процессов оксидирования гетероструктур Mn3(P01V09O4)2/ GaAs, обработанные с использованием уравнения d = (k • т)п, представлены в табл. 1.
Таблица 1. Кинетические параметры уравнения d = кЧ" для процесса термооксидирования гетероструктур Мп3(Р01У0 904)2/0аЛ8
Хемостимулятор-модификатор Температурный интервал оксидирования, °С п ±Дп, нм1/п мин-1 ср ' ЭЭА, кДж/моль Максимальное относительное увеличение толщины пленок, %
Mn3(PоЛVо.90^)2/GaAs 490-550 0.39±0.01 156 220
GaAs (эталон) 450-550 0.56±0.01 110 -
При термооксидировании гетероструктур Мп3(Р01У0904)2/0аЛз значение пср меньше 0.5, что свидетельствует о том, что в данном температурном интервале определяющим процессом является твердофазная реакция, лимитируемая диффузией в твердой фазе [16]. Значение ЭЭА исследуемого процесса несколько больше (156 кДж/моль) по сравнению с собственным термооксидированием ОаЛэ (110 кДж/моль). Это типично для реакции твердое-твердое без каталитического эффекта и указывает на транзитный характер действия хемостимулятора в рассматриваемом процессе [14].
Относительный прирост толщины пленки g в процессе хемостимулированного термооксидирования Мп3(Р01У0904)2/0аЛз (табл. 2) по сравнению с собственным оксидированием полупроводника рассчитывали по формуле:
^ = А^П3(ролуй9°4)2/ОаА; _ ^0%
Лdr,
где Ad]
Мп3(Р0.1У0.904)2/0аЛ8
- изменение толщины плен-
ки, сформированной в процессе термооксидирования исследуемых гетероструктур с нанесенным слоем хемостимулятора за вычетом толщины последнего, а ДdGaЛs - изменение толщины оксидной пленки при собственном оксидировании арсенида галлия.
При использовании хемостимулятора-мо-дификатора Мп3(Р01У0 904)2 во всем температур-но-временном диапазоне имеет место увеличение прироста формируемой пленки в среднем на 70-220% по сравнению с оксидированием GaЛs. Это, видимо, связано как с встраиванием готовых изоструктурных фосфатных и вана-датных группировок в растущие пленки, так и
с эффективным хемостимулирующим действием катионной составляющей ванадат-фосфата и обнаруженного в исходном порошке оксида ванадия У205.
Пленки, сформированные оксидированием гетероструктур Mn3(P01У09O4)2/GaЛs, содержат MnЛs04, Мп3(У04)2, Мп3(Р04)2, GaЛs, GaЛs04 (табл. 3). При повышении температуры оксидирования увеличивается интенсивность рефлексов арсената галлия и арсената марганца, что подтверждает интенсификацию вторичных взаимодействий оксидов компонентов подложки с продуктами термолиза хемостимулятора.
Анализ профилей распределения элементов по глубине плёнки, сформированной оксидированием гетероструктуры Мп3(Р01У0 904)2/GaЛs в режиме 510 °С, 60 мин, показывает (рис. 1), что плёнка по всей толщине обогащена кислородом (до 50-60 %). Это свидетельствует об отсутствии сегрегации мышьяка в пленке в неокисленном состоянии (что является атрибутом процесса собственного термооксидирования арсенида галлия), а значит об эффективном хемостиму-лирующем воздействии ванадат-фосфата марганца. Присутствие галлия и мышьяка на поверхности пленки подтверждает их значительную диффузию в слой хемостимулятора. Фосфор в пленке практически не фиксируется, что, возможно, связано с его небольшим количеством за счет испарения в виде оксидов и пределом обнаружения элементов методом ОЭС. При дальнейшем продвижении вглубь пленки окисленные галлий и мышьяк существуют в виде арсената галлия, что коррелирует с данными РФА.
По данным АСМ для неоксидированной гетероструктуры Мп3(Р01У0 904)2/GaЛs средний пе-
Таблица 2. Относительное увеличение толщины оксидной пленки при термическом оксидировании гетероструктур Мп3(Р01У0 904)2/GaAs в сравнении с эталоном GaAs
Образец
Относительное увеличение толщины в зависимости от времени оксидирования, %
Т, "СД, мин 10 20 30 40 50 60
МПз(Р0ЛУ0,О4)2/ОаЛ8 530 68 83 84 82 83 90
550 69 90 115 190 196 220
Таблица 3. Состав плёнок, сформированных термооксидированием гетероструктур Mn3(P01V0 9O4)2/GaAs (данные РФА [30])
Гетеростуктура, режим термооксидирования À Угол 20, град. Фаза
Mn3(P01V09O4)/GaAs, 500 oC, 60 мин 1.7829 51.195 MnAsO. 4
1.3898 67.320 Mn3(VO4)2
3.5777; 2.7806 24.867; 32.166 Mn3(PO4)2
3.2541 27.386; GaAs
1.6299; 2.0674 56.406; 43.752 GaAsO
Mn3(P0 1V0 9O4)/GaAs, 530 oC, 60 мин 1.7909 24.823 MnAsO4
3.2542 27.385 GaAs
3.5840; 2.774 24.823; 32.204 Mn3(PO4)2
2.0679 43.739 GaAsO 4
Рис. 1. Оже-профили распределения элементов в плёнке, сформированной оксидированием гетерост-руктуры Мп3(Р01У0 904)2/0аЛ8 в режиме 510 оС, 60 мин
репад высоты рельефа составляет порядка 15 нм (рис. 2). Для гетероструктуры Mn3(P01V09O4)2/ GaAs, оксидированной в режиме 490 °С, 60 минут, перепад высот уменьшается до 8-10 нм. Средний размер зерна находится в пределах 200 нм (рис. 3а, б). При увеличении температуры оксидирования до 550 °С пленки становятся более рельефные ( рис. 3в, г). Перепад высот увеличивается до 20-25 нм, средний размер зерна - до 300 нм.
Таким образом, при термическом оксидировании гетероструктур Mn3(P01V09O4)2/GaAs формируются наноразмерные (диапазон толщин 50200 нм) пленки с достаточно выраженным рельефом. При увеличении температуры оксидиро-
вания более ярко проявляется зеренная структура пленок.
4. Выводы
Хемостимулированное оксидирование ар-сенида галлия с наноразмерным слоем вана-дат-фосфат марганца на поверхности протекает по транзитному механизму. Об этом свидетельствует значение ЭЭА процесса (порядка 156 кДж/моль), несколько большее в сравнении с эталонным оксидированием GaAs (~110 кДж/моль). Согласно результатам РФА в пленках не обнаружен хемостимулятор с ярко выраженным каталитическим механизмом действия V2O5, первоначально присутствующий
а б
Рис. 2. АСМ-изображение поверхности неоксидированной гетероструктуры Мп3(Р01У0 904)2/GaAs: а) топография; б) профиль. Размер области сканирования 3*3 мкм2
/
■ SI (2,9S3 JjiTïJ / / / • , 1
S '
■w /
500450400350300250200164-
100| 50 0
нм
:
Ш\
\
\ \
\ V \
\ \
\
\
1 \
318
300
250200] 50 100500-
НМ
МКМ б
Рис. 3. АСМ-изображения поверхности плёнок (а, в) и профиль ( б, г), сформированных оксидированием гетероструктур Mn3(P0.1V0.9O4)2/Gi области сканирования 3*3 мкм2
гетероструктур Mn3(P01V09O4)2/GaAs в режиме 490 °С, 60 минут (а, б) и 550 °С, 60 минут (в, г). Размер
а
в
г
в исходном ванадат-фосфате, что подтверждает отсутствие цикла регенерации катализатора V2O5 ^ VO2. Пленки, сформированные оксидированием гетероструктур Mn3(P0.1V0.9O4)2/GaAs, находятся в диапазоне толщин 50-200 нм, содержат в основном арсенаты марганца и галлия, имеют выраженный рельеф при размере зерен в интервале 200-300 нм.
Благодарности
Результаты исследований частично получены на оборудовании Центра коллективного пользования Воронежского государственного университета. URL: http://ckp.vsu.ru.
Конфликт интересов
Авторы заявляют, что у них нет известных финансовых конфликтов интересов или личных отношений, которые могли бы повлиять на работу, представленную в этой статье.
Список литературы
1. Tang M., Park J.-S., Wang Z., Chen S., Jurczak P., Seeds A., Liu H. Integration of III-V lasers on Si for Si photonics. Progress in Quantum Electronics. 2019;66: 1-18. DOI: https://doi.org/10.1016/j.pquan-telec.2019.05.002
2. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A. On the application of Schottky contacts in the microwave, extremely high frequency, and THz ranges. Semicon-ductors.2019;53: 1688-1698. DOI: https://doi. org/10.1134/S1063782619160280
3. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., De Doncker R. Semiconductor power devices. Physics, characteristics, reliability. Springer-Verlag Berlin Heidelberg; 2018. 714 р. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-319-70917-8
4. Yadav S., Rajan C., Sharma D., Balotiya S. GaAs-SiGe based novel device structure of doping less tunnel FET. In: Sengupta A., Dasgupta S., Singh V., Sharma R., Kumar Vishvakarma S. (eds.) VLSIDesign and Test. VDAT 2019. Communications in computer and information science, vol. 1066. Singapore: Springer; 2019. p. 694-701. DOI: https://doi.org/10.1007/978-981-32-9767-8_57
5. Klotzkin D. J. Semiconductors as laser materials 1: Fundamentals. In: Introduction to semiconductor lasers for optical communications. Springer, Cham; 2020. p. 31-52. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-030-24501-6_3
6. Paswan R. K., Panda D. K., Lenka T. R. Dielectric Modulated AlGaAs/GaAs HEMT for label free detection of biomolecules. In: Sharma R., Rawal D. (eds.) The physics of semiconductor devices. IWPSD 2017. Springer proceedings in physics, vol. 215. Springer, Cham; 2017. p. 709-715. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-319-97604-4_109
7. Eichler H. J., Eichler J., Lux O. Semiconductor lasers. In: Lasers. Springer Series in Optical Sciences, vol. 220. Springer, Cham; 2018. p. 165-203. DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-319-99895-4_10
8. Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Yakovlev Y. P. Discovery of III-V semiconductors: physical properties and application semiconductors. Semiconductors. 2019;53(3): 273-290. DOI: https://doi.org/10.1134/ S1063782619030126
9. Анфертьев В. А., Вакс В. Л., Реутов А. И., Баранов А. Н., Teissier R. Изучение частотных характеристик ТГц квантовых каскадных лазеров с использованием открытого оптического резонатора. Журнал радиоэлектроники. 2018;12: 14-24. DOI: https://doi.org/10.30898/1684-1719.2018.12.5
10. Pawar S. A., Kim D., Kim A., Park J. H., Shin J. C., Kim T. W., Kim H. J. Heterojunction solar cell based on n-MoS/p-InP. Optical Materials. 2018;86: 576-581. DOI: https://doi.org/10.1016/j.optmat.2018.10.052
11. Sugiyama H., Uchida K., Han X., Periyanaya-gam G. K., Aikawa M., Hayasaka N., Shimomura K. MOVPE grown GaInAsP/GaInAsP SCH-MOW laser diode on directly-bonded InP/Si substrate. Journal of Crystal Growth. 2019;507: 93-97. DOI: https://doi. org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.024
12. Sharma S. K., Singh S. P., Kim D. Y. Fabrication of the heterojunction diode from Y-doped ZnO thin films on p-Si substrates by sol-gel method. Solid State Communications. 2018;270: 124-129. DOI: https://doi. org/10.1016/j.ssc.2017.12.010
13. Asalzadeh S., Yasserian K. The effect of various annealing cooling rates on electrical and morphological properties of TiO2 thin films. Semiconductors. 2019;53: 1603-1607. DOI: https://doi.org/10.1134/ S1063782619160036
14. Томина Е. В., Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Кострюков В. Ф., Самсонов А. А., Третьяков Н. Н. Термическое оксидирование как способ создания наноразмерных функциональных пленок на полупроводниках AIIIBV: хемостимулирующее воздействие оксидов металлов : обзор. Конденсированные среды и межфазные границы. 2018;20(2): 184-203. DOI: https://doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/522
15. Liu H. A short review on thermal vapor sulfu-rization of semiconductor thin films for optoelectronic applications. Vacuum. 2018;154; 44-48. DOI: https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2018.04.050
16. Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Томина Е. В., Самсонов А. А., Третьяков Н. Н., Понома-ренко С. В. Синтез диэлектрических пленок термооксидированием MnO/GaAs. Неорганические материалы. 2018;54(11): 1149-1156. DOI: https://doi. org/10.1134/S0002337X18110106
17. Housecroft C., Sharpe A. G. Inorganic chemistry (4th ed.). Издательство: Pearson; 2012. 1213 р.
18. Миттова И. Я., Томина Е. В., Лапенко А. А., Хорохордина А. О. Твердофазные процессы при
термическом окислении GaAs с поверхностью, модифицированной ванадием. Неорганические материалы. 2004;40(5): 519-523.
19. Spicer W. E., Lindau I., Skeath P., Su C. Y., Chye P. Unified mechanism for Schottky-barrier formation and III-V oxide inter-face states. Physical Review Letters. 1980;44: 420. DOI: https://doi.org/10.1103/ PhysRevLett.44.420
20. Томина Е. В., Миттова И. Я., Бурцева Н. А., Сладкопевцев Б. В. Способ синтеза люминофора на основе ортованадата иттрия: Патент № 2548089 РФ. Заявл. 12.11.2013. Опубл. 20.05.2015. Бюл. №2013133382/05.
21. Брандон Д., Каплан У. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля. М.: Техносфера; 2004. 384 с.
22. Popielarski P., Mosinska L., Bala W., Paprocki K., Zorenko Yu., Zorenko T., Sypniewska M. Persistent photoconductivity in ZnO thin films grown on Si substrate by spin coating method. Optical Materials. 2019;97: 109343. DOI: https://doi.org/10.10Wj.opt-mat.2019.109343
23. Feng C., Zhang Y., Liu J., Oian Y., Bai X. Optimized chemical cleaning procedure for enhancing photoemission from GaAs photocathode. Materials Science in Semiconductor Processing. 2019;91: 41-46. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.11.003
24. Mittova I. Ya., Tomina E. V., Sladkopevtsev B. V., Tret'yakov N. N., Lapenko A. A., Shvets V. A. Highspeed determination of the thickness and spectral ellipsometry investigation of films produced by the thermal oxidation of InP and VXOY/InP structures. Inorganic Materials. 2013;49(2): 179-184.
25. Костюхин Е. М. Синтез наночастиц магнетита в условиях микроволнового и конвекционного нагрева. Журнал физической химии. 2018;92(12): 1875-1878. DOI: https://doi.org/10.1134/ S0044453718120233
26. Черепов В. В., Кропачев А. Н., Будин О. Н. Перспективы развития способов синтеза титанатов перовскитоподобной структуры и допирования их редкоземельными элементами. Известия высших учебных заведений. Цветная металлургия. 2018;6: 31-41. DOI: https://doi.org/10.17073/0021-3438-2018-6-31-41
27. Kuznetsova V. A., Almjasheva O. V., Gusa-rov V. V. Influence of microwave and ultrasonic treatment on the formation of CoFe2O4 under hydrothermal conditions. Glass Physics and Chemistry. 2009;35(2):
205-209. DOI: https://doi.org/10.1134/ S1087659609020138
28. Третьяков Ю. Д. Развитие неорганической химии как фундаментальной основы создания новых поколений функциональных материалов. Успехи химии. 2004;73(9): 899-914.
29. Красненко Т. И., Самигуллина Р. Ф., Ротер-мель М. В., Николаенко И. В., Зайцева Н. А., Ищен-ко А. В., Онуфриева Т. А. Влияние способа синтеза на морфологические и люминесцентные характеристики a-Zn2V2O7. Журнал неорганической химии. 2017;62(3): 263-268. DOI: https://doi.org/10.7868/ S0044457X17030114
30. JCPDC PCPDFWIN: A Windows Retrieval/Display program for Accessing the ICDD PDF - 2 Data base. International Centre for Diffraction Data; 1997.
Информация об авторах
Томина Елена Викторовна, д. х. н., доцент, кафедра материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: tomina-e-v@ yandex.ru. ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-5222-0756.
Сладкопевцев Борис Владимирович, к. х. н., кафедра материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: dp-kmins@ yandex.ru. ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-0372-1941.
Донцов Алексей Игоревич, к. ф-м. н., доцент кафедры материаловедения и индустрии наноси-стем, Воронежский государственный университет, доцент кафедры физики, Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: dontalex@mail.ru. ORCID iD https://orcid.org/0000-0002- 3645-1626.
Перфильева Лидия Игоревна, магистрант 1 года обучения, Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: stepina-Lidija97@yandex.ru. ORCID iD: https://orcid. org/0000-0002-1603-3662.
Миттова Ирина Яковлевна, д. х. н., профессор, кафедра материаловедения и индустрии наноси-стем, Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: imittova@ mail.ru. ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-6919-1683.
Все авторы прочитали и одобрили окончательный вариант рукописи.
