CC BY
60Конденсированные среды и межфазные границы
https://journals.vsu.ru/kcmf/
ISSN 1606-867Х (Print) ISSN 2687-0711 (Online)
Обзор
Обзорная статья
УДК (54+621.315.592):001.3(09)
https://doi.org/10.17308/kcmf.2021.23/3524
Наноразмерные полупроводниковые и диэлектрические пленки и магнитные нанокристаллы - новые направления развития научной школы Я. А. Угая «Химия твердого тела и полупроводников». Обзор
И. Я. Миттова1н, Б. В. Сладкопевцев1, В. О. Миттова2
1Воронежский государственный университет, Университетская пл., 1, Воронеж394018, Российская Федерация
2Воронежский государственный медицинский университет им. Н.Н. Бурденко, Студенческая ул., 10, Воронеж, 394036, Российская Федерация
Рассмотрены новые направления развития научной школы Якова Александровича Угая «Химия твердого тела и полупроводников» в разделе «Материаловедение полупроводников и наноразмерных функциональных пленок на их основе», руководимые И. Я. Миттовой. Работы учеников и последователей научной школы Я. А. Угая охватывают материаловедческую тематику в области химии твердого тела, неорганической и физической химии. На современном этапе исследований упор сделан именно на наноразмерные объекты, т. к. здесь наиболее ярко выявляется основная закономерность современной химии твердого тела: способ синтеза - состав - структура (степень дисперсности) -свойства. Под руководством д. х. н., проф. Миттовой И. Я. ведутся исследования в двух ключевых направлениях: «Наноразмерные полупроводниковые и диэлектрические пленки» и «Допированные и недопированные нанокристаллические ферриты». В первой области решается проблема создания качественных полупроводниковых и диэлектрических наноразмерных пленок на АШВУ за счёт воздействия на процесс термооксидирования полупроводников обоснованно выбранных хемостимуляров и/или направленной модификации состава и свойств пленок. Приведены достигнутые к настоящему моменту конкретные результаты, отражающие положительное влияние хемостимуляторов и модификаторов на темп формирования диэлектрических и полупроводниковых пленок наноразмерного диапазона толщины и их функциональные характеристики, имеющих перспективы практического применения.
Наноматериалы на основе ортоферритов иттрия и лантана со структурой перовскита обладают уникальными магнитными, оптическими и каталитическими свойствами. Использование различных подходов к их синтезу и допированию позволяет в широком диапазоне управлять структурой и свойствами. В области магнитных нанокристаллов под руководством проф. Миттовой И. Я. проводятся исследования влияния допирующей примеси на состав, структуру и свойства наночастиц ортоферритов иттрия и лантана замещением катиона Y(La)3+ и Fe3+. В рамках этого направления в Социалистической республике Вьетнам успешно работает один из талантливых учеников проф. И. Я. Миттовой - Нгуен Ань Тьен; к настоящему времени разработаны новые методики синтеза нанокристаллов допированных и недопированных ферритов, в том числе и ферритов неодима, празеодима, гольмия и т. п. Ключевые слова: полупроводники, диэлектрики, магнитные нанокристаллы, ферриты, наноразмерные плёнки, нанокристаллы
Благодарности: авторы выражают благодарность академику РАН В. М. Иевлеву за предоставление возможности дальнейшего творческого развития исследований в рамках научной школы, за поддержку и помощь. Для цитирования: Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Миттова В. О. Наноразмерные полупроводниковые и диэлектрические пленки и магнитные нанокристаллы - новые направления развития научной школы Я. А. Угая
И Миттова Ирина Яковлевна, e-mail: [email protected] © Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Миттова В. О., 2021
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.
Аннотация
«Химия твердого тела и полупроводников». Конденсированные среды и межфазные границы. 2021;23(3): 309-336. https://doi.org/10.17308/kcmf.2021.23/3524
For citation: Mittova I. Ya., Sladkopevtsev B. V., Mittova V. O. Nanoscale semiconductor and dielectric films and magnetic nanocrystals - new directions of development of the scientific school of Ya. A. Ugai "Solid state chemistry and semiconductors". Kondensirovannye sredy i mezhfaznye granitsy = Condensed Matter and Interphases. 2021;23(3): 309-336. https://doi. org/10.17308/kcmf.2021.23/3524
1. Введение
Новые исследования научной школы Я. А. Угая «Химия твердого тела и полупроводников» [1] в разделе «Материаловедение полупроводников и наноразмерных функциональных пленок на их основе», руководимые И. Я. Мит-товой, развиваются по целому ряду направлений «вширь» и «вглубь». Их ведут как непосредственные ученики Якова Александровича, так и
Таблица 1. Защиты диссертаций
«ученики учеников», что отражено в табл. 1. На самом деле можно говорить о более глубокой научной преемственности, поскольку Яков Александрович защищал кандидатскую диссертацию по физико-химическому анализу солевых систем под руководством проф. А. П. Палкина, который, в свою очередь, являлся непосредственным учеником академика Н. С. Курнакова. Из табл. 1 следует охват современной материаловедческой
№ п/п Диссертация ФИО соискателя ученой степени Название диссертационной работы Год защиты
1 2 3 4 5
Научный руководитель/консультант проф. Миттова И.Я.
1 Докторская Пономарева Наталья Ивановна Формирование функциональных слоев на полупроводниках парофазным химическим осаждением из элементоорганических соединений 2004
2 Докторская Самойлов Александр Михайлович Направленный синтез легированных галлием и индием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии 2006
3 Докторская Кострюков Виктор Федорович Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия 2011
4 Докторская Томина Елена Викторовна Хемостимулированное оксидирование GaAs и InP под воздействием d-металлов (Ni, Co, V), их оксидов и композиций оксидов 2017
5 Кандидатская Гадебская Татьяна Александровна Кинетика роста и некоторые свойства легированных оксидных пленок на кремнии 1983
6 Кандидатская Пономарева Наталья Ивановна Взаимодействие хлоридов элементов III, IV и V групп с поверхностью кремния и арсенида галлия в окислительной атмосфере 1984
7 Кандидатская Пухова Виктория Владимировна Взаимодействия в структурах Si-Э^ (Э = In, Ge, Pb, Sb, Bi) и GaAs-Э^ (Э = In, Pb, Sb) при их термическом окислении 1986
8 Кандидатская Свиридова Вера Васильевна Термическое оксидирование арсенида галлия и фосфида индия в присутствии оксидов-примесей 1995
9 Кандидатская Кузнецова Ирина Владимировна Процессы фазообразования в алюмооксидной керамике, модифицированной оксидами меди, никеля и бора 1995
10 Кандидатская Томина Елена Викторовна Термическое окисление арсенида галлия и фосфида индия при участии хлоридов и оксохлоридов элементов IV-VI групп 1997
11 Кандидатская Кострюков Виктор Федорович Нелинейность совместного воздействия оксидов свинца, сурьмы и висмута на процесс термического окисления арсенида галлия 2000
И. Я. Миттова и др. Обзор
Окончание табл. 1
1 2 3 4 5
12 Кандидатская Пиняева Ольга Анатольевна Хемостимулирующее воздействие производных хрома на термооксидирование арсенида галлия 2001
13 Кандидатская Артамонова Ольга Владимировна Синтез нанокерамических материалов на основе диоксида циркония, стабилизированного оксидом индия 2004
14 Кандидатская Сухочев Алексей Сергеевич Твердофазные взаимодействия при термическом окислении структур Me/GaAs и MeO/GaAs (Ме = Fe, Со, №) 2006
15 Кандидатская Донкарева Ирина Александровна Области локализации взаимодействий между оксидами-активаторами при термическом окислении арсенида галлия 2006
16 Кандидатская Пенской Петр Константинович Термическое окисление GaAs под воздействием композиций хемостимуляторов Sb2O3, В^О3, МпО, Мп02 с инертными компонентами Ga2O3, А1203, Y2O3 2009
17 Кандидатская Нгуен Ань Тьен Синтез, структура и свойства нанопорошков La(Y)1-xSr(Ca)xFeO3 (х = 0.0; 0.1; 0.2; 0.3) 2009
18 Кандидатская Лапенко Александр Александрович Эволюция наноразмерных плёночных и островко-вых структур Ме/1пР (GaAs) и МехОу1пР (GaAs) (Ме = V, Со) в процессе термооксидирования 2010
19 Кандидатская Динь Ван Так Золь-гель синтез и свойства нанокристаллических ферритов на основе системы Y2O3-Fe2O3 2012
20 Кандидатская Сладкопевцев Борис Владимирович Влияние методов формирования структур УО у/1пР на особенности их термооксидирования и состав пленок 2013
21 Кандидатская Самсонов Алексей Алексеевич Термическое оксидированние 1пР, модифицированного нанесенными композициями оксидов №О + РЬО, У2О5 + РЬО 2013
22 Кандидатская Бережная Мария Викторовна Влияние цинка и бария на структуру и свойства нанопорошков на основе YFeO3 и LaFeO3, синтезированных золь-гель методом 2019
Научный руководитель проф. Пономарева Н. И.
23 Кандидатская Манеляк Павел Иванович Влияние дезинфицирующего раствора анолита на стабильность геометрических форм силиконовых оттисков (совместное руководство с д.м.н., профессором Каливраджияном Эдвардом Саркисовичем, ныне покойным) 2009
24 Кандидатская Будакова Елена Викторовна Клинико-экспериментальное обоснование применения изопрен-стирольного термоэластопласта для базисных съемных пластиночных протезов (совместное руководство с д.м.н., профессором Каливраджи-яном Эдвардом Саркисовичем, ныне покойным) 2009
25. Кандидатская Попрыгина Татьяна Дмитриевна Синтез, структура и свойства гидроксиапатита, композитов и покрытий на его основе 2012
Научный руководитель проф. Самойлов А.М.
26 Кандидатская Шаров Михаил Константинович Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках 2000
27. Кандидатская Беленко Сергей Владимирович Одностадийный синтез легированных галлием пленок РЬТе^ с заданным составом и оптимизированными функциональными параметрами 2013
И. Я. Миттова и др. Обзор
тематики в области химии твердого тела, неорганической и физической химии, разрабатываемой учениками и последователями научной школы Я. А. Угая, его «научными детьми, внуками и правнуками». Здесь нельзя не упомянуть одну из самых талантливых, любимых и успешных учениц Я. А. Угая - Эвелину Павловну До-машевскую. Она много лет заведовала кафедрой физики твердого тела и наноструктур ВГУ, а сейчас - профессор этой кафедры. Созданная ей научная школа «Атомное и электронное строение твердого тела и наноструктур» широко известна не только в России, но и на мировом уровне. Несомненно, большой вклад внесли и сыграли огромную роль в становлении нашей научной школы уже, к сожалению, ушедшие от нас такие выдающиеся ученики Якова Александровича, как доцент Е. М. Авербах (его первый аспирант), профессор В. З. Анохин, доценты В. Р. Пшестан-чик и В. Л. Гордин. Все они заложили основы исследований новых для того времени объектов -тонких пленок различного функционального назначения на полупроводниках. Новые объекты исследований в основном имеют наноразме-ры, поскольку именно в этой области наиболее зримо и ярко проявляется основная закономерность современной химии твердого тела: способ синтеза - состав - структура (степень дисперсности) - свойства. Такой выбор обусловлен необходимостью установления новых фундаментальных закономерностей химии твердого тела, требованиями современного материаловедения, отраженными в актуальных Перечне критических технологий (Технологии получения и обработки функциональных наноматериалов) и Перечне приоритетных направлений развития науки, технологий и техники в Российской Федерации (Индустрия наносистем).
2. Наноразмерные полупроводниковые и диэлектрические пленки
Перспективы развития всех сфер деятельности человека однозначно связаны с совершенствованием микроэлектронной и наноэлектронной элементных баз. Многообразие свойств полупроводников типа АШВ¥ обусловливает их широкое применение в устройствах различного технического назначения: для создания разнообразных оптоэлектронных устройств инфракрасного и видимого диапазонов, быстродействующих электронных и мощных СВЧ-приборов [2].
Одной из основных задач целевого формирования гетероструктур на АШВ¥ с заданными
свойствами является получение качественных диэлектрических и полупроводниковых пленок нанометровой толщины и улучшение свойств границ раздела. Создание качественных гетероструктур на АШВ¥ термическим оксидированием осложняется механизмом протекающих процессов, обусловливающим за счет реализации отрицательного канала связи между стадиями покомпонентного окисления в случае 1пР обогащение пленок неокисленными индием, а для GaAs - сегрегацию мышьяка в элементарном состоянии на внутренней границе раздела гетероструктуры [3]. Термооксидирование АШВ¥ при одновременном воздействии модификаторов границы раздела и растущих пленок, позволяющих управлять их составом, наноструктурой и свойствами, и хемостимулирующих агентов, способствующих ускоренному формированию пленок при снижении рабочих параметров процесса и блокирующих отрицательный канал связи собственного термооксидирования АШВ¥, позволяет достичь приемлемых оптических и электрофизических характеристик и контролировать наноструктуру пленок, которая является одним из факторов, определяющих их свойства.
Качественные термические оксидные пленки на 1пР имеют потенциал применения в разработках высокоэффективных и дешевых фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучения на основе 1пР. Ар-сенид галлия, наряду с фосфидом индия, является наиболее вероятным материалом для производства СВЧ интегральных схем следующего поколения [4].
Результатом появления арсенид-галлиевой микроэлектроники стало создание на основе гетероструктур GaAs/GaAlAs эффективных и мощных инжекционных лазеров и светодиодов в диапазоне длин волн 600-900 нм. Фосфид индия оказался необходимым компонентом более сложных гетероэпитаксиальных структур. В результате этих работ возникла и быстро развилась 1пР-технология, составляющая в настоящее время значительную базу микро- и оптоэлектрони-ки. Лазерные диоды на основе InP/InGaPAs/InP представляют собой ключевой элемент оптоэ-лектроники для волоконно-оптической связи, обработки, хранения информации и т.д., поскольку они перекрывают диапазоны наибольшей прозрачности оптоволокна (длины волн 1.3 и 1.55 мкм) [5]. В современной коммерческой и технической кабельной связи (межкомпьютерные связи, дальняя телефония, местные сети и
И. Я. Миттова и др. Обзор
т. д.) используются в основном именно эти ге-теролазеры.
Энергетические параметры монокристаллической фазы 1пР и GaAs очень близки к параметрам монокристаллического кремния, что делает возможным изготовление гибридных приборов интегральной электроники, совместимых с кремнием [6]. Кроме реализации в технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем [4, 7, 8], гетероструктуры на фосфиде индия и арсениде галлия находят множество других применений, например, в качестве фотодетекторов [9, 10], в полевых транзисторах на основе Gatestacktechnology [11], ячейках памяти [12], оптоэлектронных приборах [13], в солнечных элементах [14].
Широкозонный и оптически прозрачный фосфид галлия является основным материалом для создания светодиодов, фотоприемников, фотодетекторов, перспективен для разработки приборов высокотемпературной электроники, способных функционировать при температурах, значительно превышающих достигнутые пределы современных сенсоров температуры [15-17]. На уникальных оптических свойствах монокристаллов GaP основано изготовление оптических линз и линз для лазеров [13]. Однако любое практическое приложение GaP требует формирования на его поверхности разнообразных функциональных плёнок (проводящие, диэлектрические, просветляющие и т. д.), что, несомненно, связано с целым рядом технических сложностей. Применение фосфида галлия в качестве волноводов и оптических линз для лазеров обычно связано с заключением монокристаллов GaP в слои материала с меньшим показателем преломления (nGaP < 3.3), то есть просветлением. Обычно в качестве наносимого материала применяют АЮаР, который хорошо согласован по размеру решетки с GaP [18].
Отдельно следует выделить направления исследований, связанных с формированием различными методами гетероструктур оксид металла/полупроводник АШВУ. Среди них можно отметить гетероструктуры ZnO/InP, применяемые для создания оптоэлектронных устройств и акустических датчиков [19, 20]; SnO2/InP с определёнными электрофизическими свойствами, позволяющими использовать их для газочувствительных сенсоров [21, 22]; многослойные гетероструктуры со слоем диоксида марганца, обладающие перспективными магнитными характеристиками [23]. Спектр используемых методов
синтеза для подобных гетероструктур чрезвычайно широк: пиролиз аэрозолей, молекуляр-но-лучевая эпитаксия, магнетронное распыление, СУБ-процессы и т. д. Однако к настоящему времени остаётся практически нереализованной идея многоцелевого управления посредством допантов процессами формирования на поверхности полупроводников АШВУ функциональных наноразмерных плёнок. Данный подход позволяет тонко регулировать кинетику и механизм процессов синтеза указанных объектов и варьировать в широких пределах их состав, наноструктуру, а, следовательно, и свойства.
В современном мире возрастает спрос на портативные газовые датчики в связи с необходимостью их широкого использования в различных отраслях техники (для предотвращения взрывов, пожаров) для контроля загрязнения окружающей среды. Все это стимулировало развитие исследований в области полупроводниковых газовых датчиков во всем мире. Однако изучение физическо-химических процессов, лежащих в основе работы датчиков, еще далеко от завершения. А именно понимание этих процессов обусловливает возможность создания нового поколения высокоэффективных, надежных и экономичных приборов на основе сенсорных элементов. Среди изученных материалов наибольшее практическое применение нашел нано-кристаллический диоксид олова [24-27]. Помимо материалов на основе диоксида олова также изучаются другие оксидные материалы (1п2О3, ZnO, МоО3, Ga2O3), которые могут представлять интерес для создания химических сенсоров. Оксид индия обладает высокой чувствительностью, быстродействием, удобным диапазоном изменения сопротивления, достаточно низкой температурой при детектировании окислительных и восстановительных газов в воздухе [24]. Данные [28, 29] и результаты исследований [30] позволяют считать, что решающую роль в исключительных сенсорных свойствах 1п2О3 играет, по-видимому, высокая подвижность поверхностного кислорода, характерная для этого оксида. Имеет место адсорбционно-конкурентный механизм сенсорного отклика, который связан с вытеснением кислорода с поверхности с последующей адсорбцией детектируемых молекул газа на активных центрах оксида индия. Однако низкоразмерная структура одного полупроводникового оксида металла, получаемая различными способами, не решает проблемы селективности и стабильности сенсорного материала.
И. Я. Миттова и др. Обзор
Поэтому возникает необходимость легирования оксида. В работе [24] показано, что тонкие пленки Fe2O3• 1п203 проявляют максимальную чувствительность к озону при рабочей температуре 370 оС. Кроме того, в настоящее время увеличивается число работ, в которых для детектирования хлора в воздухе предлагается применять многокомпонентные системы на основе оксида индия с добавками других оксидов металлов: ZnO-In2O3, MgO-In2O3, 1п203^п02 [31, 32]. Уделяется также внимание сенсорам на основе оксида меди [33-35].
Существенным недостатком материалов, представленных в литературе различными авторами для создания сенсоров, является высокая рабочая температура (выше 200 °С). Этот недостаток может быть нивелирован путем создания материалов смешанного состава [35].
Основное направление развития наших идей, продолжающих развитие рассматриваемого раздела научной школы, заключается в использовании в процессе оксидирования АШВ¥ хемостимуляторов и модификаторов границы раздела и растущих пленок с целью управления скоростью их формирования, составом, наноструктурой и свойствами [36-39]. Решение проблемы создания качественных полупроводниковых и диэлектрических пленок нанометрового масштаба толщины на АШВ¥ возможно при изменении механизма термооксидирования этих полупроводников с собственного на хемости-мулированный за счет воздействия на процесс обоснованно выбранных хемостимуляров и/или направленной модификации состава и свойств пленок. Участие хемостимуляторов в процессе оксидирования обеспечивает протекание новых интерфейсных реакций с кинетически сопряженными и гетерогенно-каталитическими стадиями. При этом осуществляется кинетическое блокирование отрицательных каналов связи между стадиями окисления компонентов Аш и В¥ за счет создания новых, положительных каналов с участием хемостимуляторов, снижаются температура и время процесса синтеза с одновременным модифицированием состава и свойств функциональных пленок нанометровой толщины в случае хемостимулятора, обладающего модифицирующим действием. Нами ранее показано [40-42], что использование только модификаторов внутренней границы раздела и самих плёнок уже позволяет предотвратить испарение летучего компонента и деградацию внутренней границы раздела, снизить плотность по-
верхностных состояний на внутренней границе раздела гетероструктуры, осуществить управление структурой и рельефом поверхности на на-ноуровне. Естественно, что использование совместного действия хемостимулятора и модификатора является наиболее эффективным подходом к решению данной научной задачи. На основании многолетних исследований нами разработаны 2 способа введения хемостимулятора (модификатора) в окислительную среду: непосредственно в процессе термооксидирования полупроводника через газовую фазу (способ 1) и предварительное нанесение на поверхность, после чего происходит термооксидирование уже сформированной гетероструктуры (способ 2). При этом, в зависимости от того, какое воздействие на поверхность полупроводника оказывается в процессе нанесения на нее хемостимуля-тора (модификатора), в рамках способа 2 нами применялось два метода - метод 1 (жесткий метод) - магнетронное или вакуумно-термическое нанесение на поверхность полупроводника и метод 2 (мягкий метод) осаждения из аэрозоля или центрифугирование. При использовании метода 2 не оказывается заметного воздействия на поверхность полупроводника в процессе создания гетероструктуры [43,44].
Использование модификаторов в комбинации с хемостимуляторами, помимо блокировки диффузии компонента А в пленку в неокис-ленном состоянии и химического связывания компонента В на внутренней границе раздела, обеспечивает управление скоростью роста, наноструктурой и свойствами термических оксидных пленок и позволяет разработать новые процессы формирования функциональных нанораз-мерных диэлектрических и полупроводниковых пленок на полупроводниках AIIIBV. Комбинированное использование хемостимуляторов роста и модификаторов особенно актуально при формировании наноразмерных пленок заданной толщины, когда в процессе оксидирования с использованием только хемостимулирующего агента вследствие малой толщины синтезируемых образцов положительное воздействие хе-мостимулятора может не реализоваться в полной мере [45,46]. Хемостимулирующие и модифицирующие агенты могут вводиться в процессе оксидирования полупроводников в одном соединении. В частности, при нанесении химическим осаждением сульфидов (PbS, Sb2S3 и т. п.) на поверхность полупроводников, при оксидировании сформированных гетероструктур эле-
мент-катионообразователь, способный к транзитной передаче кислорода компонентам подложки, обеспечивает быстрое формирование пленки по каталитическому или транзитному механизму, частично выполняя модифицирующую функцию при ее легировании. Основную же модифицирующую роль играет анионообразова-тель, влияя на характеристики внутренней границы раздела, состав, а, следовательно, и характеристики пленок. Изменение состава пленок в процессах оксидирования гетероструктур сульфид/полупроводник по схеме сульфид-сульфат-оксосульфат-оксид позволяет получить целый спектр их различных характеристик. Эффективность воздействия серы на свойства внутренней границы раздела термической оксидной пленки с полупроводником продемонстрирована предварительной обработкой поверхности подложки в парах серы [47, 48].
При использовании сложных соединений в процессах хемостимулированного оксидирования АШВУ положительное влияние оказывают и такие, как ванадат-фосфаты марганца и висмута [49, 50], поскольку оксиды марганца и висмута ранее продемонстрировали себя как эффективные хемостимуляторы термооксидирования АШВУ, в которых катион обладает ярко выраженной хемостимулирующей активностью, а анион может предоставлять готовые фрагменты растущих оксидных пленок типа группировок РО|-либо изоструктурных им.
Перспективно использование хемостимуля-торов и/или модификаторов в ступенчатом синтезе наноразмерных пленок на АШВУ в сочетании с разными видами активации их действия - термической обработкой или импульсной фотонной обработкой, что расширяет возможности управления скоростью формирования пленок, их составом, структурой и свойствами [43,44,51].
Часть достигнутых к настоящему времени в этом направлении конкретных результатов, отражающих положительное влияние хемости-муляторов и модификаторов на темп формирования диэлектрических и полупроводниковых пленок наноразмерного диапазона толщины и их функциональные характеристики, имеющих перспективы практического применения, сведена в табл. 2.
Основные фундаментальные результаты, достигнутые научной группой под руководством д. х. н., профессора И. Я. Миттовой, в состав которой входят доктора химических наук Е. В. То-мина и В. Ф. Кострюков, кандидаты химических
наук Б. В. Сладкопевцев и А. А. Самсонов, аспиранты и студенты, состоят в следующем:
1. Предложена концепция многофункционального воздействия хемостимуляторов-моди-фикаторов, часто в одном соединении и в едином процессе, и представлены схемы механизмов процессов термооксидирования АШВУ под воздействием простых и сложных соединений и их композиций как физико-химическая основа разработки новых процессов формирования полупроводниковых и диэлектрических пленок на АШВУ с заданными скоростью роста и целевыми характеристиками. Выявлена специфика каталитических процессов в новых неравновесных системах с твердофазными тонкопленочными катализатором, реагентами и продуктами. Установлена природа синергетических эффектов совместного воздействия нанесенных на поверхность полупроводников АШВУ хемостиму-ляторов и модификаторов в процессах оксидирования гетероструктур [36-38,52-55].
2. Установлены нелинейные эффекты воздействия бинарных композиций оксидов-хемо-стимуляторов на процесс формирования тонких пленок на GaAs и 1пР, количественно интерпретированные с привлечением представлений об относительных парциальных и интегральных толщинах [39, 56-64].
3. Выявлена зависимость нелинейного эффекта совместного воздействия хемостимуля-торов от степени окисления элемента, образующего один из оксидов композиции, как в паре с оксидом другого элемента, так и с оксидом того же элемента, но в другой степени окисления [59, 65, 66].
4. Установлена природа и пространственная локализация связывающих стадий при совместном воздействии хемостимуляторов на процесс термооксидирования GaAs и 1пР, ответственных за наблюдаемые нелинейные эффекты [67-71].
5. Доказана принципиальная возможность аддитивного воздействия композиции оксидов, один из которых является инертным компонентом, на процесс термооксидирования GaAs [72-78].
6. Установлено наличие сенсорного сигнала к присутствию в атмосфере газов-восстановителей у синтезированных на поверхности GaAs и 1пР методом хемостимулированного термооксидирования под воздействием как индивидуальных оксидов-хемостимуляторов, так и их композиций, тонких пленок [79-82].
Таблица 2. Многофункциональность действия хемостимуляторов и модификаторов в процессах синтеза наноразмерных пленок на АШВ¥
Характеристика объекта Режим оксидирования, Г, °С / Ь, мин ЭЭА, кДж/моль 1 этап/ 2 этап Механизм оксидирования Относительное увеличение толщины плёнки по сравнению с собственным оксидированием (% или раз) Состав пленок Результат воздействия Удельное сопротивление (р), напряже ние пробоя (Е) Свойства синтезированных пленок
Хемостимуля-тор Полупроводник
Модификаторы
Способ - введение через газовую фазу
А1Р04 1пР 475-550/10-60 153 собственный 120% А1РО., 1пРО, 4' 4, модифицирование
Способ - нанесение на поверхность - жёсткие методы
5П02 1пР 475-550/10-60 48 собственный - 1п(Р03)3,Р205, 1п20„, 5п02, Яп^РО,), модифицирование р = 9,0-106 Ом-см полупроводниковые
Суперпозиция модификатор + модификатор
5П02/1ПР + А1Р0, 1пР 530/10-60 собственный - А1Р04 1ПРО„ модифицирование р = 8,5-Ю7 Ом-см полупроводниковые
Хемостимуляторы
Способ - нанесение на поверхность - жёсткие методы
Мп02 ОаАэ 450-550/10-60 95 транзитный до 7.5 раз Са20„, АБ205, Мп02 хемостиму-лирование р = 1.2-1010 Омсм; £ = 5.2-106В/см диэлектрические
1пР 450-550/10-60 180 транзитный до 2.1 раз 111,0., 1пР04, Мп20., Мп02 хемостиму-лирование р = 6.3-108 Ом-см; Е = 7-106 В/см диэлектрические
Суперпозиция хемостимулятор + модификатор
Способ - нанесение на поверхность - мягкие методы
В-Р^, 0, 1пР 490-570/5-60 51 транзитно-каталитиче-ский 62 - 248 % В1УО„ 1пР04 В1Р04,У205 хемостиму-лирование и модифицирование
ОаАэ 490-550/5-60 156 транзитный до 220 % МПАБ04, Мп^РО^, ОаАэ, ОаАБО , хемостиму-лирование и модифицирование
ю
о го ш
тз
О
СП ы о тз
о
X
ь
П> X
п ^
тз о
X X
п тз
П>
2 П>
ш
тз ш X
о о и о.
П>
и
СП
п> о.
и о.
5"
г+
П>
—5
тз
ю о ю
То
1-М
1-М
0
чО
1
1-М 1-М
о
Способ - нанесение на поверхность и одновременное введение из газовой фазы
Мп02/1пР+ МПзСЮ^«" 1пР 450-550/10-60 110 транзитный до 240% 1п(Р03)3, Мп^Ор МпО, МпД, Мп,(РО,Х, МпРОд хемостиму-лирование и модифицирование р = 1.5-1010 Ом-см диэлектрические
Суперпозиция хемостимулятор + инертный компонент
5ЬА+ ОаАэ 530/10-40 транзитный 2-6 раз Са203,А5203, 5Ь203 хемостиму-лирование р = 1.5-106 Ом-см Полупроводниковые с газовой чувствительно -стью
РЬ0+У20. 1пР 560/10-60 транзитный 2-4 раз 1^0., 1пР04, РЬО хемостиму-лирование р = 1.5-106 Ом-см Полупроводниковые с газовой чувствительно -стью
Суперпозиция хемостимулятор + хемостимулятор
РЬО + В120. ОаАэ 530/10-40 транзитный 2-4 раз Са203, Аб203, РЬО, в12о.а хемостиму-лирование р = 1-106 Ом-см Полупроводниковые с газовой чувствительностью
ОаАэ 530/10-40 транзитный 3-6 раз Са20„, Аб20„, 5Ь203,У20; хемостиму-лирование р = 1-106 Ом-см Полупроводниковые с газовой чувствительностью
рьо+у2о5 1пР 560/10-60 транзитный 2-4 раз 1^0., 1пР04, РЬО, УД хемостиму-лирование р = 1-Ю6 Ом-см Полупроводниковые с газовой чувствительностью
Эталоны
ОаАэ, эталон-1 450-550/10-60 110 собственный - Аб, Са20„, АБ203 - р = 1-105 Ом-см Полупроводниковые
1пР, эта-лон-2 450-550/10-60 270 собственный - 1п, 1п203, 1пР04 - Омическая проводимость Проводящие
ю
тз
О
СП ы о тз
о
X
ь
П> X
п ^
тз о го ш X X
тз
П>
2 п>
тз ш X
о о и о. п> и
СП П>
о.
и о.
5"
г+
П>
—5
тз
ю о ю
ю
1-М
1-М
0
чО
1
1-М 1-М
о
И. Я. Миттова и др. Обзор
7. Разработаны способы прецизионного легирования тонких пленок на поверхности GaAs и 1пР [81, 83, 84];
8. Разработаны методики синтеза нанораз-мерных наноструктурированных оксидных плёнок на 1пР и GaAs с использованием геля V2O5, позволяющие модифицировать поверхность полупроводников в мягких условиях, отличающиеся экономичностью и простотой реализации, вариативностью состава, толщины и морфологии нанесенных слоёв оксидных допантов в широких пределах [43, 51, 85, 86];
9. Исследованиями хемостимулированно-го термооксидирования GaAs и 1пР установлено определяющее влияние физико-химической природы хемостимулятора, способа и метода его введения в систему на механизм процесса. Показано, что введение оксидного хемостимулято-ра через газовую фазу и нанесение его мягкими методами на поверхность полупроводника обусловливает транзитный механизм оксидирования. При нанесении жесткими методами соединений, обеспечивающих возобновляемую цикличность процесса, он протекает по синхронному каталитическому механизму. Получены данные о зависимости состава, толщины и скорости формирования плёнок, их морфологии от способа и метода введения в систему различных хе-мостимуляторов-модификаторов [46, 51, 86-90];
10. Доказана высокая эффективность применения метода спектральной эллипсометрии для определения толщин и оптических постоянных наноразмерных плёнок сложного состава, выращенных в результате термооксидирования 1пР и GaAs под воздействием хемостимуляторов-мо-дификаторов [81, 91-94];
11. Установлено, что магнетронное распыление является оптимальным методом формирования гетероструктур оксид ^205, Мп02 и др.)/полупроводник, хорошо блокирующим диффузию неокисленного индия в пленку в процессе термооксидирования по сравнению с мягкими методами модифицирования поверхности полупроводника. Синтезированы слабопоглоща-ющие плёнки с низким содержанием неокисленного индия, не более 1-2 % [89, 93];
12. Хемостимулированное оксидирование фосфида индия с наноразмерным слоем вана-дат-фосфата висмута на поверхности приводит к значительному снижению ЭЭА (~50 кДж/моль) по сравнению с собственным оксидированием 1пР (~270 кДж/моль), что свидетельствует о значительном хемостимулирующем воздействии
сложного хемостимулятора на процесс термооксидирования InP за счет разложения сложного хемостимулятора-модификатора с образованием оксидов-хемостимуляторов, а также изо-структурных фосфатных и ванадатных фрагментов, встраивающихся в формирующуюся пленку. Наличие в пленках V2O5 при значительном снижении ЭЭА и большом относительном приросте толщины пленок на протяжении всего процесса позволяет говорить о каталитической составляющей механизма оксидирования [95]. Состав и оптические свойства пленок подтверждают эффективное блокирование диффузии неокис-ленного индия в формирующиеся пленки, что благоприятно сказывается на их функциональных свойствах. Хемостимулированное оксидирование арсенида галлия с наноразмерным слоем ванадат-фосфата марганца на поверхности протекает по транзитному механизму, в пользу чего говорит значение ЭЭА процесса (порядка 150 кДж/моль), сравнимое по порядку величины с таковым для эталонного оксидирования InP (~270 кДж/моль). Согласно результатам РФА, в пленках не обнаружен хемостимулятор с ярко выраженным каталитическим механизмом действия (V2O5), первоначально присутствующий в исходном ванадат-фосфате, что свидетельствует об отсутствии цикла регенерации катализатора V2O5 ^ VO2. Ванадат-фосфаты висмута и марганца выступают одновременно и хемости-муляторами, и модификаторами процесса термооксидирования, действующими по транзитному механизму для гетероструктур на GaAs и транзитно-каталитическому - для гетерострук-тур на InP, и приводящими к ускорению процесса до 220-248 % (см. табл. 2). Термооксидирование InP с магнетронно нанесенными наноразмер-ными слоями хемостимулятора MnO2 и одновременном введении хемостимулятора-модифи-катора Mn3(PO4)2 через газовую фазу приводит к увеличению скорости роста пленок до 240 % по сравнению с собственным оксидированием InP, отсутствию в плёнках недоокисленного индия, большому содержанию целого спектра фосфатов (РФА, ИКС, ОЭС, УМРЭС, СЭ), и, как следствие, их диэлектрическим характеристикам (удельное сопротивление до 1010 Ом-см, табл. 2).
Традиции, заложенные научной школой профессора Якова Александровича Угая, продолжает в своих работах и д. х. н., проф. А. М. Самойлов [96-101].
Основными целями этих исследований являются изучение фундаментальных физико-хи-
И. Я. Миттова и др. Обзор
мических свойств полупроводниковых систем с сенсорными свойствами, а также совершенствование методов направленного синтеза гете-ро- и наноструктур на основе этих материалов с целью достижения оптимальных значений их функциональных параметров.
В центре внимания находятся многокомпонентные узкозонные полупроводники AIVBVI, способные эффективно детектировать электромагнитное излучение в терагерцовой и инфракрасной области спектра [102-115], а также широкозонные транспарентные оксиды металлов, перспективные для создания газовых сенсоров и датчиков ультрафиолетового излучения [116129]. Исследование этих материалов в настоящее время осуществляется по нескольким направлениям: изучаются и уточняются фундаментальные физико-химические свойства, которые являются принципиальными при функционировании этих систем в качестве сенсорных материалов [102, 103, 105, 109-112]; на основании данных о растворимости Ga и In в PbTe оптимизируются методы синтеза тонких пленок PbTe<Ga^ PbTe<In> с высокой чувствительностью к ИК-из-лучению [104, 106, 111, 124, 125].
Полученные экспериментальные данные о термической стабильности и кристаллической структуре оксида палладия (II) позволили разработать методы синтеза наноструктур с различной морфологической организацией, которые продемонстрировали высокую чувствительность к токсичным газам с окислительными свойствами, хорошее быстродействие и стабильность сенсорного отклика во времени [120-123]. Результаты расчета области нестехиометрии на-нокристаллическихпленок PdO [127-129] позволят в дальнейшем найти оптимальные условия синтеза наноструктур, обладающих высокой селективностью при детектировании в атмосферном воздухе ядовитых и взрывоопасных газов с окислительными и восстановительными свойствами [126].
Несколько неожиданное развитие матери-аловедческие традиции школы получили в работах д. х. н., профессора Н. И. Пономаревой по развитию новых методов синтеза композитов гидроксоапатита (ГА), позволяющих получать частицы, включенные в биополимерную матрицу. Так как свойства как самого ГА, так и композитов на его основе зависят от размера частиц, задачей исследований было получение нано-ГА. Показано, что при капельном смешении реагентов и добавлении ализаринового красного, спо-
собствующего возникновению центров индуцированной кристаллизации, скорость образования стехиометрического ГА в водном растворе увеличивается более чем в 100 раз по сравнению с эталонным процессом. Синтез ГА в модельной жидкости организма (SBF) приводит к образованию карбонатгидроксиапатита типа А, соответствующего формуле Са10(РО4)6(СО3)а5х(ОН)2-х, где х < 2 (ЛРСМА, ИКС), что объясняется присутствием гидрокарбонат-иона в SBF и углекислого газа в воздухе [130, 131]. Разработан способ синтеза нано-ГА в каплях микроэмульсий, приготовленных на основе толуола/октана и воды с добавлением АОТ в качестве ПАВ и показано, что частицы имеют игольчатую форму (длина 10-20 нм и ширина 2-4 нм) и покрыты аморфной оболочкой. Установлено, что при образовании композитов ГА с биополимерами определяющими факторами являются наличие карбоксильных, гидроксильных и сульфогрупп в используемых биополимерах и отрицательный заряд поверхности полимеров. Избыток ионов кальция увеличивает степень связывания этих органических компонентов с ГА и существенно повышает твердость композитов (до 260 Мн/м2) [132-134]. Н. И. Пономаревой с соавторами предложен новый экономически целесообразный способ формирования на поверхности титана биоактивных покрытий осаждением из раствора карбонатных пленок с их последующей трансформацией в фосфатные и гидроксиапатитовые [133-137]. Авторами даны рекомендации по импрегниро-ванию углеродистых имплантатов ГА [138, 139].
3. Допированные и недопированные нанокристаллические ферриты иттрия и лантана
Развитие исследований в области полупроводниковых и диэлектрических пленок нано-размерного диапазона толщины последователями научной школы Я. А. Угая закономерно распространилось в область магнитных нанокри-сталлов. Повышенный интерес к наноматериа-лам на основе ортоферритов иттрия и лантана со структурой перовскита вызван уникальными магнитными, оптическими и каталитическими свойствами [140, 141] и возможностью в широком диапазоне управлять их структурой и свойствами посредством допирования.
Среди методов получения наноразмерных ферритов РЗЭ широко распространен золь-гель метод, позволяющий при относительно низких температурах, используя простое и недорогое
И. Я. Миттова и др. Обзор
оборудование, формировать нанопорошки с узким распределением частиц по размерам. К разновидностям золь-гель метода относят полимер-гель процесс, в котором образование геля достигается введением в исходный раствор водорастворимого полимера с последующим упариванием, и метод Печини (цитрат-гель), в котором используют лимонную кислоту, этиленг-ликоль или поливиниловый спирт [142-144]. Гидротермальная обработка осажденных гидрок-сидов иттрия и железа (III) позволяет получать монокристаллы феррита иттрия [145, 146], микрокристаллические [147, 148] и нанокристал-лические порошки [147, 149, 150], подбирая соответствующие прекурсоры, рН среды и условия гидротермальной обработки. Механизм формирования нанопорошков феррита иттрия в условиях глицин-нитратного горения описан в работах [151, 152]. Синтезированные частицы характеризуются ромбической и гексагональной структурой с размером частиц от 30 до 53 нм и от 6 до 14 нм соответственно. Установлено, что на фазовый состав и средний размер кристаллитов существенное влияние оказывает соотношение глицин/нитраты, которое определяет температуру горения.
Методом разложения алкоксидных комплексов нанопорошки ортоферрита иттрия формируются при температуре 680 °С и проявляют слабый ферромагнетизм [153]. Одним из современных способов синтеза нанокристаллов ферритов является микроволновой синтез. Способ синтеза ванадатов и ферритов осаждением из раствора прекурсоров под воздействием микроволнового излучения характеризуется простотой реализации, экономичностью, высокой скоростью синтеза. Микроволновое излучение стимулирует разложение солевых прекурсоров, дегидратацию и синтез целевых продуктов за счет однородности и высокой скорости микроволнового нагрева и ускорения процессов «зародышеобразования» под влиянием «нетермических» эффектов [154].
Для эффективного поглощения микроволнового излучения необходимо наличие в веществе либо диполей, способных переориентироваться и вращаться под микроволновым воздействием, либо свободных носителей зарядов, способных перемещаться при наложении микроволнового поля. Молекулы воды, находящиеся в кристаллической решетке кристаллогидратов-прекурсоров, обладают значительным дипольным моментом. Разложение используемых кристаллогидратов в микроволновом поле идет до окси-
дов, поскольку образование оксидного продукта начинается до удаления всей содержащейся в системе воды.
По сравнению с традиционными способами нагрева микроволновый нагрев имеет несколько несомненных преимуществ: при микроволновом нагревании стенки сосуда не нагреваются, греется только реакционная смесь. В результате этого: сокращается время реакции (в 101000 раз); осуществляется направленная активация реагирующих молекул; отсутствуют побочные процессы деструкции на стенках сосуда, перегрев растворителя выше температуры кипения; после прекращения реакции поступление энергии прекращается [155, 156].
Микроволновое воздействие с последующей ультразвуковой обработкой синтезируемых образцов YFeO3 и BiFeO3 при использовании в качестве осадителя гидроксида натрия позволило нам синтезировать химически однородные на-нопорошки при значительном снижении энергоемкости процесса. Полученные частицы YFeO3 и BiFeO3 имеют близкую к сферической форму, для них характерна небольшая дисперсия по размерам в интервале 20-100 нм [157, 158].
Изменение магнитных свойств допирован-ных ферритов вызвано несколькими причинами: изменением размера и формы частиц, искажением кристаллической решетки вследствие разницы ионных радиусов, изменением валентного состояния железа при введении допанта, возникновением кислородной нестехиометрии.
Исследования влияния допирующей примеси на состав, структуру и свойства наноча-стиц ортоферрита иттрия можно подразделить на два направления: замещение катиона Y3+ и Fe3+. Нами ведутся работы по обоим этим направлениям.
На первом этапе исследований было показано, что замещение катионов Y3+ на La3+ в на-нопорошках феррита иттрия, синтезированных совместным осаждением, приводит к увеличению намагниченности от 0.041 А-м2/кг для х = 0 до 0.231 А-м2/кг для х = 0.4 и уменьшению коэрцитивной силы, что свидетельствует о значительном вкладе искажения кристаллической решетки в формирование магнитных свойств материала [159]. Такой эффект обнаружен даже при изовалентном замещении и в данном случае он обусловлен размерным фактором.
Изменение же магнитных свойств в случае геторовалентного замещения обусловлено не только размерными факторами, но и изменени-
И. Я. Миттова и др. Обзор
ем валентного состояния железа для компенсации заряда и возникновением кислородной нестехиометрии.
Ряд данных, полученных при допировании феррита иттрия некоторыми двухзарядными катионами, представлен нами в [160-162]. Методика золь-гель синтеза образцов Y1_,ДFeO3 (где А - Са2+, Sr2+, Cd2+) основана на процессах совместного осаждения катионов и отжиге в муфельной печи при температуре 750 °С в течение 1 ч. Допирование катионами Са2+ и Cd2+, ионный радиус которых незначительно превышает ионный радиус Y3+, приводит к уменьшению размера частиц, удельной намагниченности и коэрцитивной силы. Уменьшение Бср объясняется возникновением внутренних напряжений, обусловливающих ограничение роста кристаллов [163]. Несмотря на отклонение от правила Голь-дшмидта [164], замещение Y3+ катионами стронция возможно и вызывает значительное увеличение коэрцитивной силы от 3.98 кА/м (х = 0) до 409.94 кА/м (х = 0.3), т.е. формирование нового типа магнитного материала - магнитножестко-го ферромагнетика.
Можно было предположить, что допирование феррита иттрия катионами бария приведет к сильному увеличению магнитных характеристик, вследствие встраивания Ва2+ в положение Y3+ (т. к. г(Ва2+) > г^3+) [165]), а введение Zn2+ может изменять магнитные свойства как в сторону уменьшения (т.к. катионы цинка имеют небольшой радиус), так и повышения их величины в случае замещения катионов железа ионами Zn2+. Действительно, в работах нашего коллектива показано [165, 166], что замещение катионов La3+ или Y3+ в ортоферритах двухзарядными ионами Zn2+ и Ва2+ вызывает искажение кристаллической решетки, изменение валентного состояния железа, что, в свою очередь, влияет на силу обменного взаимодействия и приводит к изменению физико-химических свойств, что расширяет области применения синтезированных материалов. Так, нанокристаллические порошки (1-х) YFeO3_s : xZn2+ и (1-x)LaFeO3_s : xZn2+, характеризующиеся слабым ферромагнетизмом, являются перспективными материалами для изготовления устройств, требующих быстрого перенамагничивания образца с минимальными затратами энергии, например, при создании катушек трансформаторов, а, нанопорошки (1-x)YFeO3_s : хВа2+ и (1-x)LaFeO3-s : хВа2+ могут быть использованы для решения проблемы увеличения плотности магнитной записи информации, т. к. яв-
ляются магнитножесткими материалами. Показано, что допирование нанокристаллических порошков феррита иттрия цинком методом совместного осаждения с последующей термообработкой вызывает немонотонное уменьшение размера кристаллитов от 60±6 нм х = 0 до 50±4 нм х = 0.2 (РФА), способствует увеличению удельной намагниченности от 0.242 А-м2/кг для х = 0 до 0.556 А-м2/кг для х = 0.2 (в поле 1250 кА/м). Наличие в образцах примеси ZnFe2O4 приводит к усилению ферромагнитного характера образцов.
Установлено, что разработанная методика синтеза [167] нанопорошков (1-x)YFeO3_s:xВа2+ приводит к формированию частиц с размером от 30±2 нм для х = 0 до 55±5 для х = 0.1 (РФА), характеризующихся наличием магнитномягкой и магнитножесткой подрешеток в рамках одной химической фазы.
В наших работах [168] представлена методика золь-гель синтеза LaFeO3 с использованием в качестве осадителя водного раствора аммиака, проведено допирование феррита лантана кальцием и стронцием. Установлено, что введение катионов Са2+ в решетку феррита обусловливает увеличение среднего диаметра кристаллитов от 30 нм для LaFeO3 до 50 нм, в случае Sr2+ - до 70 нм. Допирование катионами кальция и стронция приводит к увеличению коэрцитивной силы и удельной намагниченности образцов. Изменение магнитных свойств феррита лантана при допировании двухзарядными катионами вызвано частичным переходом Fe3+ в Fe4+, а также искажением кристаллической решетки из-за разницы ионных радиусов La3+ и до-панта. При равном содержании катионов Са2+ и Sr2+ в составе образцов магнитные свойства различаются: Я^а07Са0^е03) < Я^а0^г0^е03), а /^аа7Са0/е03) > /^а0^г0/е03).
Сложность формирования нанопорошков феррита лантана, допированного цинком и барием, обусловлена большой разницей ионных радиусов лантана и вводимого допанта. Однако, несмотря на узкую область гомогенности, получены однофазные образцы, характеризующиеся сложной магнитной структурой [169, 170]. Максимальная степень допирования феррита лантана цинком составляет х = 0.07. По мере уве-
^ реал г '
личения количества вводимого допанта немонотонно увеличиваются объем элементарной ячейки от 240.634 А3 (х = 0) до 242.245 А3 (х = 0.2) и средний размер кристаллитов от 58 (х = 0) до 123 нм (х = 0.2), что обусловлено встраиванием ионов Zn2+ в положение Fe3+, т. к. г^п2+) > г^е3+).
И. Я. Миттова и др. Обзор
Наночастицы (1-x)LaFeO3-s : л£п2+ в зависимости от состава обладают разным типом магнитного упорядочения: антиферромагнитным и ферри-магнитным. Допирование нанопорошков YFeO3 катионами Zn2+, радиус которых меньше, чем Y3+, должно отрицательно влиять на намагниченность и коэрцитивную силу. Однако наблюдается образование нанокристаллов, характеризующихся сложным распределением допирую-щего катиона. Формирование частиц со структурой «кристаллическое ядро - аморфная оболочка» приводит к расположению части ионов допанта в форме аморфной оболочки из оксида цинка. Увеличение удельной намагниченности (1-x)YFeO3-s:xZn2+ при повышении количества Zn2+ обусловлено переориентацией магнитных моментов ионов железа, как наблюдалось в [171]. Искажение кристаллической решетки незначительно, поэтому в данном случае существенного влияния на свойства не оказывает. Усиление ферромагнитного характера материала также обусловлено присутствием в образцах шпинель-ной фазы феррита цинка [166]
Введение катионов Ва2+ в решетку LaFeO3 в положение La3+ вызывает увеличение параметров кристаллической решетки и среднего диаметра частиц от 25 (х = 0) до 42 нм (х = 0.1). Максимальная номинальная степень допирования составляет х = 0.1 (РФА). Синтезированные частицы проявляют свойства магнитножесткого ферромагнетика с широкой петлей гистерезиса. Немонотонное изменение магнитных характеристик обусловлено формированием сложной магнитной структуры сочетающей магнитно-жесткую и магнитномягкую подрешетку.
Таким образом, как и в случае феррита иттрия, допирование феррита лантана двухза-рядными катионами бария и цинка приводит к образованию материалов, проявляющих различные магнитные свойства, что позволяет их использовать для изготовления устройств хранения информации [165, 166, 169, 170]
Изменения магнитных свойств феррита иттрия при допировании двухзарядными катионами вызваны несколькими причинами: во-первых, из-за разности ионных радиусов Y3+ и до-панта возникает искажение кристаллической решетки и меняется размер частиц; во-вторых, подобное допирование относится к гетеровалент-ным изоморфным превращениям, в результате которых образуются катионы Fe4+, т. е. возникает двойное обменное взаимодействие Fe3+-O2--Fe4+, генерируются дырки, которые являются пе-
реносчиками заряда при переходе с иона Fe4+ на ион Fe3+ через р-орбиталь кислорода [172]. В работах [159, 161] показано, что при допировании феррита лантана увеличение намагниченности может быть вызвано аналогичными причинами. Отсутствие такого взаимодействия в перовските Y1лLaлFeO3 [159] объясняет более низкую его намагниченность по сравнению с Y1_лCd,FeO3 [161] при одинаковой степени замещения, т.к. с ростом содержания кадмия, хотя размер полученных частиц Y1лСdлFeO3 уменьшается, их намагниченность монотонно увеличивается. Следовательно, вышеописанная компенсация, по-видимому, оказывает более сильное влияние на намагниченность, чем изменение размера частиц.
Отметим, что имеющиеся в литературе данные о влиянии цинка на размер нанокристал-лов и магнитные свойства нанопорошков LaFeO3 весьма противоречивы. В работах [173, 174] показана возможность замещения катионов La3+ катионами Zn2+ в ортоферрите лантана, синтезированном методом соосаждения. Уменьшение объема кристаллической решетки с увеличением концентрации допанта приводит к увеличению орторомбического искажения решетки пе-ровскита LaFeO3, что вызывает увеличение намагниченности.
В работах [175,176] приведены результаты синтеза нанопорошков LaFe1-xZnxO3 методом сгорания геля, описан механизм встраивания до-панта и влияния на магнитную структуру материала. Введение Zn2+ вместо Fe3+ приводит к преобразованию Fe3+ - Fe4+ и формированию кислородных вакансий в структуре перовскита, что изменяет угол и длину связей Fe-О. Структурный анализ показал, что допирование цинком вызывает кислородную нестехиометрию в системе. Это может изменить валентное состояние Fe3+ и, следовательно, намагниченность [176].
Допирование феррита лантана цинком, независимо от способа получения и положения до-панта в решетке перовскита (в положении La3+ или Fe3+) приводит к формированию частиц со сложной магнитной структурой: антиферромагнитное ядро - ферромагнитная оболочка, о чем свидетельствует смещение петли гистерезиса в сторону отрицательной величины напряженности поля [174-176].
В связи с тем, что разница радиусов La3+ -Zn2+ значительно больше, чем у Fe3+ - Zn2+ , более вероятно замещение катионов железа на цинк. Это доказано нами для нанопорошков (1-x)LaFeO3-s : xZn2+, синтезированных совмест-
И. Я. Миттова и др. Обзор
ным осаждением с последующим отжигом в муфельной печи [170]. Замещение части ионов Fe3+ ионами Zn2+ приводит к формированию материала со сложной магнитной структурой. Контролируя количество вводимого допанта, можно получать материалы с антиферромагнитными (для х = 0; 0.075; 0.15) или ферримагнитными (х = 0.05; 0.1; 0.2) свойствами.
Более низкая удельная намагниченность для образцов феррита иттрия, допированного катионами Zn2+, Cd2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+, по сравнению с (1-x)LaFeO3S^2+, свидетельствуют о значительном вкладе влияния двойного обменного взаимодействия на магнитные свойства материала. Величина намагниченности и коэрцитивной силы нанопорошков феррита лантана, допированного двухзарядными катионами, зависит от разницы ионных радиусов, т. е. от искажения кристаллической решетки. С ростом содержания допанта зависимость намагниченности от размера частиц не установлена. Следовательно, вышеописанная компенсация и структурный фактор, по-видимому, оказывают более сильное влияние на намагниченность, чем изменение размера частиц исследуемых ферритов иттрия и лантана. Описанные результаты могут быть использованы для получения композитных материалов [177, 178]. Кроме того, обнаруженные включения ферромагнитных фаз Fe2O3, BaFe2O4, ZnFe2O4 показывают перспективность синтезированных образцов для создания гранулированных структур [179, 180].
Из вышеизложенного следует сложный механизм встраивания цинка в решетки ферритов иттрия и лантана, причем, судя по разнице атомных радиусов, наиболее вероятно встраивание его на место железа. Тем не менее, как показано выше, это утверждение далеко неоднозначно. Такие выраженные переходные элементы, как марганец и никель, должны занимать в структуре позиции железа, поскольку они достаточно близки по свойствам. Соответствующие исследования отвечают вышеозначенному второму направлению. Существенное увеличение магнитных параметров наночастиц YFeO3 наблюдается при допировании магнитными ионами Mn3+, как было показано в [181]. Считается, что магнитный момент иона Mn3+ больше, чем у Fe3+ в оксидах перовскитного типа, и это должно быть причиной увеличения магнитных моментов с ростом количества допанта в YFe1xMnxO3 [182]. Кроме того, усиление антиферромагнитного упорядочения обусловлено искажениями в кристалличе-
ской решетке. В работах [183, 184] представлены результаты допирования никелем №2+ порошков ферритов иттрия и лантана, методом последовательного осаждения с использованием водного раствора гидроксида калия [184]. Однофазность образцов YFe1-xNixO3 ^ = 0-0.25) достигается при температуре 800°С в течение 1 ч соответственно (РФА). При увеличении содержания допанта № до x = 0.3 после отжига при 800 °С в течение 1 ч, помимо YFeO3 образуются примесные фазы №0 и Y203. С увеличением содержания №2+ в решетке YFe03 от x = 0.1 до 0.25 наблюдается уменьшение коэрцитивной силы от 1332.6 до 887.9 Э, в то время как значения избыточной намагниченности Мг и намагниченности насыщения М5 увеличиваются: 1.8401 до 3.2401 А-м2/кг, 0.67 до 1.18 А-м2/кг соответственно.
Введение катионов №2+ в решетку LaFe03 в положение Fe3+ вызывает уменьшение параметров кристаллической решетки и среднего диаметра частиц от 28.72 (х = 0) до 23.59 нм (х = 0.25). Для образцов LaFe1-xNix03 с увеличением содержания допанта №2+ от х = 0 до 0.25 наблюдается увеличение коэрцитивной силы от 42.53 Э до 160.76 Э, при этом значения избыточной намагниченности Мг и намагниченности насыщения М5 снижаются: 1.0-10-2 до 3.8-10-4 А-м2/кг, а от 0.24-10° до 0.74-10-4 А-м2/кг [183]. Установлено, что увеличение содержания допанта №2+ в решетках YFe03 и LaFe03 позволяет варьировать величину коэрцитивной силы (Я) и намагниченности насыщения (М5), что расширяет новые возможности применения допированных ферритов иттрия и лантана в сильном магнитном поле.
В [185] нанопорошки перовскита YFe1_хMnхP3 ^ = 0.1; 0.2; 0.3; 0.4) синтезированы методом химического совместного осаждения с применением КОН 5 % в качестве осаждающего реактива. Введение ионов марганца в решетку YFe03 предложенным способом приводит к увеличению параметров кристаллической решетки (Ь = 7.7373 V 7.5194 А, с = 5.3014 V 5.2592 А); объем элементарной ячейки (V = 229.425 V 224.4012 А), среднего размера частиц фхкс = 23.6081 V 22.9449 нм). Установлено, увеличение коэрцитивной силы (Яс = 56.94 V 150.95 Э) и остаточной намагниченности (Мг = 0.23-0.50 А-м2/кг) при повышении содержания допанта.
Методом совместного осаждения с последующим термическим отжигом при 950°С в течение 1 ч синтезированы нанокристаллические порошки La1 _ ;М;Бе03 (х = 0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2), ха-
И. Я. Миттова и др. Обзор
рактеризующиеся узкой областью гомогенности хтах = 0.09 (ЛРСМА, РФА). Введение катионов Cd2+ приводит к уменьшению среднего размера кристаллитов от 10-70 нм для х = 0 до 5-60 нм для х = 0.1 (ПЭМ). Синтезированные нанокристал-лы проявляют свойства ферримагнетиков [186].
В этом направлении работы, относящиеся к рассматриваемому в настоящей статье разделу научной школы Я. А. Угая, продолжаются и за рубежом. Так, в Социалистической республике Вьетнам Нгуен Ань Тьен, защитивший диссертацию в России под руководством И. Я. Мит-товой, заведует кафедрой общей и неорганической химии Хошиминского педагогического университета, и со своими коллегами и соавторами успешно реализует исследования по синтезу и характеризации нанокристаллов ферритов. Работы ведутся в соавторстве с российскими коллегами (научная группа под руководством И. Я. Миттовой) в соответствии с подписанным между Воронежским государственным университетом и Хошиминским педагогическим университетом Меморандумом о взаимопонимании, касающимся программы развития сотрудничества в сфере высшего образования. К настоящему времени разработаны новые методики синтеза нанокристаллов допированных и недопированных ферритов, в том числе и ферритов РЗЭ (неодим, празеодим, гольмий и т. п.) растворными методами, установлены закономерности изменения магнитных свойств в зависимости от метода синтеза, размера частиц, физико-химической природы допанта и уровня допирования [187-192]. Эти исследования неоднократно были поддержаны внутренними грантами Социалистической Республики Вьетнам.
В нашей стране исследования, продолжающие заложенные основы и традиции научной школы Я. А. Угая, поддержаны следующими грантами и Программами (везде руководитель - проф. Миттова И. Я.):
1. МНФ Дж. Сороса № ШШ00+ШШ00.
2. НТП «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники», подпрограмма (208) - электроника, код проекта 01.01.004.
3. Грант Минобразования Е00-5.0-363 (регистрационный номер 01.2.00104702).
4. НТП Исследования Высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники.
5. Федеральная программа «Университеты России - фундаментальные исследования» (гранты № 06.01.07, №УР.06.01.020, №УР.06.01.001).
6. Программа по фундаментальным исследованиям в области радиотехники и электроники (грант № 97-5-1.1-32).
7. РФФИ №02-03-32418 - Хемостимулированное окисление полупроводников AIIIBV при формировании гетероструктур.
8. РФФИ №03-03-96500-р2003цчр_а - Нелинейные эффекты в процессах хемостимули-рованного синтеза диэлектрических оксидных слоев на AIIIBV.
9. РФФИ № 06-03-96338_р_центр_а - Воздействие хемостимуляторов на кинетику и механизм термического окисления полупроводников AIIIBV в процессах формирования тонких пленок и гетероструктур.
10. РФФИ № 09-03-97552-р_центр_а - Каталитические и транзитные твердофазные взаимодействия в наносистемах на основе полупроводниковых материалов.
11. РФФИ 10-03-00949-а - Размерные эффекты в процессах синтеза оксидных слоев на GaAs и InP.
12. РФФИ №13-03-00705-а - Роль V2O5 как катализатора оксидирования, модификатора границы раздела и наноструктуры функциональных нанометровых пленок на InP и GaAs.
13. РФФИ № 16-43-360595 р_а - Модифицирование поверхности GaAs, GaP и InP как способ управления наноструктурой, оптическими и электрофизическими свойствами оксидных плёнок нанометрового диапазона толщины для микроэлектроники.
14. РФФИ №18-03-00354_а - Разработка фундаментальных основ химически управляемого синтеза функциональных нанораз-мерных пленок на полупроводниках А3В5 для опто- и микроэлектроники, газочувствительных сенсоров.
15. Аналитическая ведомственная целевая программа (№ Г.Р. 01200602176) «Развитие научного потенциала высшей школы» в рамках программного мероприятия 1 «Проведение фундаментальных исследований в рамках тематических планов» «Разработка методов синтеза и установление механизма формирования нано-размерных слоёв, нанопорошков и кристаллов полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов».
16. Проект Министерства образования и науки РФ: государственное задание 3.1673.2011.
17. Государственное задание ВУЗам в сфере научной деятельности на 2014-2016 годы (проекты № 673, 225).
18. Грант РФФИ № 20-33-90048 «Механизмы формирования, особенности строения и свойств углерод-содержащих нанокомпозитов на основе нанокристаллических ферритов с перовски-топодобной структурой» («Аспиранты»).
Аспирант Копейченко Е. И. (научный руководитель - проф. Миттова И. Я.) выиграла конкурс на лучшие научные проекты, выполняемые молодыми учеными под руководством кандидатов и докторов наук в научных организациях Российской Федерации (грант РФФИ № 19-3350104 мол_нр «Мобильность»).
Российской Академией Естествознания выдан сертификат И. Я. Миттовой как руководителю научной школы «Управление процессами синтеза, составом и свойствами функциональных (полупроводниковых, диэлектрических, пара- и ферромагнитных) наноразмерных пленок, магнитных нанокристаллов и нанолюми-
нофоров посредством хемостимуляторов и до-пантов» (Российская академия естествознания, сертификат №01165, «Ведущие научные школы. Москва: Издательский дом Академии Естествознания, 2018. Т. 11. 132 с.; Миттова Ирина Яковлевна, с. 81; http://www.famous-scientists.ru/ school/1393»), являющейся воплощением идей Я. А. Угая, его учеников и последователей в области материаловедения полупроводников и наноразмерных функциональных пленок на их основе, распространением их в область новых вызовов и научных тенденций сегодняшнего дня.
Заявленный вклад авторов
Все авторы сделали эквивалентный вклад в подготовку публикации.
Конфликт интересов
Авторы заявляют, что у них нет известных финансовых конфликтов интересов или личных
И. Я. Миттова и др. Обзор
отношений, которые могли бы повлиять на работу, представленную в этой статье.
Список литературы
1. Сидоркин А. С. Ведущие научные школы. Воронеж: Воронежский государственный университет; 2001. 172 с.
2. Mikhailova M. P., Moiseev K. D., Yakovlev Y. P. Discovery of III-V semiconductors: Physical properties and application semiconductors. Semiconductors. 2019;53(3): 273-290. https://doi.org/10.1134/ S1063782619030126
3. Wilmsen C. W. Oxide layers on III—V compound semiconductors. Thin Solid Films. 1976;39(1-2-3): 105-117. https://doi.org/10.1016/0040-6090(76) 90628-3
4. Oktyabrsky S., Ye P. Fundamentals of III-V SemiconductorMOSFETs. Springer Science LCC; 2013. 447 p.
5. Moorthy S. B. K. Thin film structures in energy applications. Springer; 2015. 292 p.
6. Болховитянов Ю. Б., Пчеляков О. П. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок. Успехи физических наук. 2008;178(5): 459-480. https://doi. org/10.3367/UFNr.0178.200805b.0459
7. Engstrom O. The MOS System. Cambridge University Press: 2014. 216 p.
8. Aderstedt E., Medugorac I., Lundgren P. High-gain MOS tunnel emitter transistors. Solid-State Electronics. 2002;46(4): 497-500. https://doi. org/10.1016/S0038-1101(01)00298-2
9. Чистохин И. Б., Журавлев К. С. СВЧ-фотоде-текторы для аналоговой оптоволоконной связи. Успехи прикладной физики. 2015;3(1): 85-94. https:// advance.orion-ir.ru/UPF-15/1/UPF-3-1-85.pdf
10. Li Sheng S. Semiconductor Physical Electronics. Second Edition. Springer-Verlag New York; 2006. 708 p.
11. Arbiol J., Xiong O. Semiconductor Nanowires: Materials, Synthesis, Characterization and Applications. Elsevier Ltd.; 2015. 554 p.
12. Bachhofer H., Reisinger H., Bertagnolli E., Philipsborn von H. Transient conduction in multidielectric silicon-oxide-nitride-oxide semiconductor structures. Journal of Applied Physics. 2011;89(5): 2791 -2800. https://doi. org/10.1063/1.1343892
13. Ahmad S. R., Cartwright M. Laser Ignition of Energetic Materials. John Wiley & Sons Ltd.; 2015. 425 p.
14. Unlu H., Horing N. J. M., Dabowski J. Low-Dimensional and Nanostructured Materials and Devices. Springer Science LCC; 2015. 674 p.
15. Биксей М. П., Добровольский Ю. Г., Шабаш-кевич Б. Г. Фотоприемник ультрафиолетового излучения на основе фосфида галлия. Прикладная
физика. 2005;4: 97-100. https://applphys.orion-ir.ru/ appl-05/05-4/PF-05-4-97.pdf
16. Добровольский Ю. Г. Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра. Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2012;5: 31-34. http://dspace.nbuv.gov.ua/bitstream/ handle/123456789/51709/07-Dobrovolskii. pdf?sequence=1
17. Соболев М. М., Никитин В. Г. Высокотемпературный диод на основе эпитаксиальных слоев GaP. Письма в ЖТФ. 1998;24(9): 1-7. http://elibrary. lt/resursai/Uzsienio%20leidiniai/ioffe/pztf/1998/09/ pztf_t24v09_01.pdf
18. Алешкин В. Я., Афоненко А. А., Дубинов А. А. Генерация излучения на разностной частоте среднего и дальнего инфракрасных диапазонов в полупроводниковых волноводах на основе фосфида галлия. Журнал технической физики. 2006;76(9): 98-100. https ://www.elibrary.ru/item. asp?id=20337292
19. Purica M., Budianu E., Rusu E. Heterojunction with ZnO polycrystalline thin films for optoelectronic devices applications. Microelectronic Engineering. 2000;51-52: 425-431. https://doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00492-X
20. Bang K. H., Hwang D. K., Park M. C., Ko Y. D., Yun I., Myoung J. M. Formation of p-type ZnO film on InP substrate by phosphor doping. Applied Surface Science. 2003;210(3-4): 177-182. https://doi. org/10.1016/S0169-4332(03)00151-X
21. . Thilakan P., Kumar J. Reactive thermal deposition of indium oxide and tin-doped indium oxide thin films on InP substrates. Thin Solid Films. 1997;292(1-2): 50-54. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(96)08943-2
22. Kim T. W., Lee D. U., Yoon Y. S. Microstructural, electrical, and optical properties of SnO2 nanocrystalline thin films grown on InP (100) substrates for applications as gas sensor devices. Journal of Applied Physics. 2000;88: 3759. https://doi.org/10.1063/1.1288021
23. Lee D. J., Park C. S., Lee C. J., Song J. D., Koo H. C., Yoon C. S., Yoon I. T., Kim H. S., Kang T. W., Shon Y. Enhanced ferromagnetism by preventing antiferromagnetic MnO2 in InP:Be/Mn/InP:Be triple layers fabricated using molecular beam epitaxy. Current Applied Physics. 2014;14(4): 558-562. https:// doi.org/10.1016/j.cap.2014.01.017
24. Белышева Т. В, Боговцева Л. П., Гутман Э. Е. Применение металлооксидных полупроводниковых гетеросистем для газового анализа. Международный научный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2003;S1: 128. https://www.elibrary.ru/ item.asp?id=12879078
25. Румянцева М. Н., Сафонова О. В., Було-ва М. Н., Рябова Л. И., Гаськов A. M. Газочувстви-
И. Я. Миттова и др. Обзор
тельные материалы на основе диоксидов олова. Сенсор. 2003;2: 8-33.
26. Рембеза С. И., Свистова Т. В., Рембеза Е. С. Борсякова О. И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnO2. Физика и техника полупроводников. 2001;35(7): 796-800. https://www. elibrary.ru/item.asp?id=21321639
27. Lekshmy S. S., Joy K. Structural and optoelectronic properties of indium doped SnO2 thin films deposited by sol gel technique. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2014;25(4): 1664-1672. https://doi.org/10.1007/s10854-014-1781-x
28. Лугин Г., Жарский И. М. Использование термоэлектрических эффектов тонких пленок оксидов индия и олова для создания газовых сенсоров. Микросистемная техника. 2001;10: 10-14. https://www.elibrary.ru/item.asp?id=8970862
29. Ivanovskaya M., Bogdanov P., Faglia G., Sberveglieri G. Properties of thin film and ceramic sensors fot the detection of CO and N02. Proc. of Int. Metting "Eurosensors XIII". 1999. p. 145-148.
30. Белышева Т. В., Боговцева Л. П., Гутман Э. Е. Модифицированные золотом пленки In2O3 как селективные сенсоры СО в воздухе. Журнал прикладной химии. 2000;73(12): 1983-1986.
31. Miyata T., Hikosaka T., Minami T. High sensitivity chlorine gas sensors using multicomponent transparent conducting oxide thin films. Sensors and Actuators. 2000;69(1-2): 16-21. https://doi. org/10.1016/S0925-4005(00)00301-4
32. Miyata T., Minami T., Shimokawa K., Kakumu T., Ishii M. New materials consisting of multicomponent oxides for thin film gas sensors. Journal of the Electrochemical Society. 1997;144(7): 2432-2436. https://doi.org/10.1117/12.352810
33. Петров В. В., Назарова Т. Н., Копылова Н. Ф., Заблуда О. В., Киселев И., Брунс М. Исследование физико-химических и электрофизических свойств, газочувствительных характеристик нанокомпо-зитных пленок состава SiO-SnO -CuO . Нано- и
2 x y
микросистемная техника. 2010;8(121): 15-21. https://www.elibrary.ru/item.asp?id=15260225
34. Mingqing Y., Junhui H., Xiaochun H., Chunxiao Y., Zhenxing C., Yingqiang Z., Guomin Z. Copper oxide nanoparticle sensors for hydrogen cyanide detection: Unprecedented selectivity and sensitivity. Sensors and Actuators B. 2011;155(2): 692-698. https://doi.org/10.1016/j.snb.2011.01.031
35. Satyendra S., Yadava B. C., Rajiv P., Bharat B., Jae R. Synthesis of nanorod sand mixed shaped copper ferrite and their applications as liquefied petroleum gas sensor. Applied Surface Science. 2011;257(24): 10763-10770. http://dx.doi.org/10.1016/j. apsusc.2011.07.094
36. Миттова И. Я. Влияние физико-химической природы хемостимулятора, способа и метода его
введения в систему на механизм термооксидирования GaAs и InP. Неорганические материалы. 2014;50(9): 948-955. https://doi.org/10.7868/ S0002337X14090097
37. Томина Е. В., Миттова И. Я., Зеленина Л. С. Термическое оксидирование как способ создания наноразмерных функциональных пленок на полупроводниках AinBV: воздействие нанесенных слоев металлов: обзор. Конденсированные среды и межфазные границы. 2018;20(1): 6-24. https://doi. org/10.17308/kcmf.2018.20/472
38. Томина Е. В., Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Кострюков В. Ф., Самсонов А. А., Третьяков Н. Н. Термическое оксидирование как способ создания наноразмерных функциональных пленок на полупроводниках AIIIBV: хемостимулирую-щее воздействие оксидов металлов: обзор. Конденсированные среды и межфазные границы. 2018;20(2): 184-203. https://doi.org/10.17308/ kcmf.2018.20/522
39. Кострюков В. Ф., Миттова И. Я., Томина Е. В., Сладкопевцев Б. В., Паршина А. С., Балашева Д. С. Нелинейные эффекты совместного воздействия оксидов р- и d-элементов при создании тонких пленок на поверхности GaAs и InP. Конденсированные среды и межфазные границы. 2018;20(4): 506536. https://doi.org/10.17308/kcmf.2018.20/625
40. Миттова И. Я., Томина Е. В., Головенко Н. А., Агапов Б. Л. Формирование термических оксидных слоев на InP в присутствии SbCl3 в газовой фазе. Неорганические материалы. 1993;29(5): 603-606. https://elibrary.ru/item.asp?id=27640857
41. Миттова И. Я., Пухова В. В., Клементьева И. Ф., Семенов В. Н., Кашкаров В. М. Получение термическим окислением структур GaAs/Bi2S3 и свойства диэлектрических пленок на GaAs. Известия Академии наук СССР. Неорганические материалы. 1988;24(9): 1431-1434. https://www.elibrary.ru/ item.asp?id=27454116
42. Кострюков В. Ф., Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Паршина А. С., Балашева Д. С. Роль BiPO4, вводимого через газовую фазу, в процессе создания тонких пленок на поверхности InP. Конденсированные среды и межфазные границы. 2019;21(2): 215224. https://doi.org/10.17308/kcmf.2019.21/759
43. Сладкопевцев Б. В., Томина Е. В., Миттова И. Я., Донцов А. И., Пелипенко Д. И. Термооксидирование гетероструктур VxO y/InP, сформированных центрифугированием геля оксида ванадия(У). Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016;3: 76-81. https://doi. org/10.7868/S0207352816030185
44. Sladkopevtsev B. V., Mittova I. Ya., Tomina E. V., Burtseva N. A. Growth of vanadium oxide films on InP under mild conditions and thermal oxidation of the resultant structures. Inorganic Materials.
И. Я. Миттова и др. Обзор
2012;48(2): 161-168. https://doi.org/10.1134/ S0020168512020173
45. Миттова И. Я., Третьяков Н. Н., Кострю-ков В. Ф., Сладкопевцев Б. В. Термооксидирование GaAs под воздействием композиций оксидов-хе-мостимуляторов У2О5-МпО2 с размером частиц в диапазоне 50-150 мкм. Журнал общей химии. 2016;86(5): 729-735 https://doi.org/10.1134/ S1070363216050017
46. Третьяков Н. Н., Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Самсонов А. А., Андреенко С. Ю. Влияние магнетронно напыленного слоя Мп02 на кинетику термооксидирования 1пР, состав и морфологию синтезированных пленок. Неорганические материалы. 2017;53(1): 41-48. https://doi.org/10.7868/ S0002337X17010171
47. Тарасова О. С., Донцов А. И., Сладкопевцев Б. В., Миттова И. Я. Влияние обработки в парах серы на скорость термооксидирования 1пР, состав, морфологию поверхности и свойства плёнок. Конденсированные среды и межфазные границы. 2019;21(2): 296-305. https://doi.org/10.17308/ kcmf.2019.21/767
48. Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Донцов А. И., Сыров Ю. В., Ковалева А. С., Тарасова О. С. Термическое оксидирование поверхности монокристаллического GaAs, обработанной в парах серы. Неорганические материалы. 2021;57(7): 693-699. https://doi.org/10.3 1 85 7/ S0002337X21070137
49. Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Илясо-ва Н. А., Томина Е. В., Донцов А. И., Тарасова О. С. Воздействие некоторых сложных хемостимулято-ров и модификаторов на термооксидирование 1пР. Конденсированные среды и межфазные границы. 2020;22(2): 245-256. https://doi.org/10.17308/ kcmf.2020.22/2851
50. Томина Е. В., Сладкопевцев Б. В., Донцов А. И., Перфильева Л. И., Миттова И. Я. Влияние наноразмерных слоев хемостимулятора-модифи-катора Мп3(Р01У09О4)2 на процесс термического оксидирования GaAs, состав и морфологию формируемых плёнок. Конденсированные среды и межфазные границы. 2020;22(1): 116-123 https://doi. org/10.17308/kcmf.2020.22/2535
51. Миттова И. Я., Томина Е. В., Сладкопевцев Б. В., Донцов А. И. Влияние различных видов отжига на термооксидирование структур УхО уЛпР, сформированных осаждением геля оксида ванадия(У), фазовый состав и морфологию пленок. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014;9: 91-100. https://doi. org/10.7868/S0207352814090145
52. Миттова И. Я., Томина Е. В., Лапенко А. А., Хорохордина А. О. Твердофазные процессы при термическом окислении GaAs с поверхностью,
модифицированной ванадием. Неорганические материалы. 2004;40(5): 519-523. https://www. elibrary.ru/item.asp?id=17656919
53. Миттова И. Я., Томина Е. В., Лапенко А. А., Сладкопевцев Б. В. Каталитическое действие ванадия и его оксида (У) в процессах оксидирования полупроводников АШВУ. Наносистемы: физика, химия, математика. 2012;3(2): 116-138. https:// www.elibrary.ru/item.asp?id=17881315
54. Иевлев В. М., Миттова И. Я., Самсонов А. А., Томина Е. В., Кашкаров В. М. Каталитический эффект нанослоя композита (У205 + РЬО) в процессе термооксидирования кристалла 1пР. Доклады Академии наук. 2007;417(4): 497-501. https://www. elibrary.ru/item.asp?id=9568583
55. Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Самсонов А. А., Томина Е. В., Андреенко С. Ю., Костенко П. В. Синтез и свойства наноразмерных пленок, сформированных термооксидированием Мп02/1пР под воздействием Мп3(Р04)2. Неорганические материалы. 2019;55(9): 969-974 https://doi.org/10.1134/ S0002337X19090070
56. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Кострю-ков В. Ф. Нелинейный эффект совместного воздействия активаторов на процесс термооксидирования арсенида галлия. Доклады Академии наук. 1996;349(5): 641-643. https://www.elibrary.ru/item. asp?id=27650813
57. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Кострю-ков В. Ф. Знакопеременная нелинейность совместного активирующего воздействия бинарных композиций оксидов р-элементов при хемостимули-рованном термическом окислении GаAs. Доклады Академии наук. 2001;378(6): 775-777. https://www. elibrary.ru/item.asp?id=44438448
58. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Пиняе-ва О. А., Кострюков В. Ф., Скороходова С. М. Неаддитивное влияние оксидов в композициях Сг03-РЬО и Сг03-У205 как активаторов термического окисления арсенида галлия. Доклады Академии наук. 2002;385(5): 634-637. https://www.elibrary.ru/ item.asp?id=44463075
59. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Кострюков В. Ф., Донкарева И. А., Саратова А. Ю. Хемостимулированное термическое окисление GaAs при совместном воздействии оксида марганца (IV) с оксидами свинца (II) и ванадия (У). Журнал неорганической химии. 2004;49(7): 1085-1088. https:// elibrary.ru/item.asp?id=17394549
60. Миттова И. Я., Кострюков В. Ф., Лопатин С. И., Донкарева И. А., Пшестанчик В. Р., Саратова А. Ю. Нелинейные эффекты воздействия композиций МпО + РЬО и МпО + У2О5 на термическое окисление GaAs. Журнал неорганической химии. 2005;50(6): 948-952. https://elibrary.ru/item. asp?id=17330913
И. Я. Миттова и др. Обзор
61. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Кузнецова И. В., Кострюков В. Ф., Скороходова С. М., Медведева К. М. Влияние размера частиц активаторов на процесс термооксидирования GaAs под воздействием композиций РЬО + V205. Журнал неорганической химии. 2005;50(10): 1603-1606. https:// elibrary.ru/item.asp?id=9153646
62. Mittova I. Ya., Kostryukov V. F. GaAs thermal oxidation activated by the coaction of p-block oxides. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. 2014;5(3): 417-426. http://www.mathnet.ru/links/83 64620026a0f40f5d8a284be0ba04bf/nano872.pdf
63. Третьяков Н. Н., Миттова И. Я., Козик В. В., Сладкопевцев Б. В., Кострюков В. Ф., Студеники-на Ю. И. Определение толщины и фазового состава пленок, синтезированных хемостимулированным термооксидированием InP под воздействием композиции оксидов V2O5+MnO2 разного состава. Известия высших учебных заведений. Физика. 2014;57(7-2): 186-191. https://elibrary.ru/item.asp?id=23184836
64. Третьяков Н. Н., Миттова И. Я., Кострюков В. Ф., Сладкопевцев Б. В. Взаимное влияние оксидов-хемостимуляторов V2O5 и MnO2, вводимых через газовую фазу, при их совместном воздействии на термооксидирование InP. Журнал общей химии. 2015;85(4): 547-553. https://elibrary.ru/item. asp?id=23139937
65. Миттова И. Я., Кострюков В. Ф., Донкаре-ва И. А., Пенской П. К., Пиняева О. А., Пшестанчик В. Р. Композиция оксидов МпО + МпО2 как неаддитивный хемостимулятор процесса термооксидирования GaAs. Журнал неорганической химии. 2005;50(1): 19-23. https://elibrary.ru/item. asp?id=9141020
66. Лосев В. Н., Кудрина Ю. В., Трофимчук А. К., Комозин П. Н. Сорбция рутения (III) и рутения (IV) силикагелями, химически модифицированными меркапто- и дисульфидными группами. Журнал неорганической химии. 2005;50(4): 640-644. https:// elibrary.ru/item.asp?id=9139080
67. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Кострюков В. Ф., Донкарева И. А. Пространственная локализация взаимодействий между соединениями-активаторами при хемостимулированном термооксидировании GaAs. Доклады Академии наук. 2002;386(4): 499-501. https://elibrary.ru/item. asp?id=44462420
68. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Кострюков В. Ф., Донкарева И. А. Взаимное влияние активаторов при хемостимулированном термооксидировании GaAs с пространственным разделением связывающих стадий. Журнал неорганической химии. 2003;48(4): 559-562. https://elibrary.ru/item. asp?id=17278739
69. Кострюков В. Ф., Пшестанчик В. Р., Донка-рева И. А., Агапов Б. Л., Лопатин С. И., Миттова И. Я.
Роль твердофазных и газофазных взаимодействий между активаторами в композициях MnO2 + PbO и MnO2 + V2O5 при их совместном воздействии на термооксидирование GaAs Журнал неорганической химии. 2007;52(10): 1600-1604 https://elibrary.ru/ item.asp?id=9552513
70. Миттова И. Я., Кострюков В. Ф., Пшестанчик В. Р., Донкарева И. А., Агапов Б. Л. Вклад твердофазных взаимодействий между оксидами-активаторами в нелинейный эффект их совместного воздействия на процесс термооксидирования GaAs. Журнал неорганической химии. 2008;53(7): 10991104. https://elibrary.ru/item.asp?id=10345125
71. Кострюков В. Ф., Донкарева И. А., Пшестанчик В. Р., Агапов Б. Л., Лопатин С. И., Миттова И. Я. Термическое окисление GaAs с участием оксидов-активаторов (MnO + PbO и MnO + V2O5) при их пространственном разделении. Журнал неорганической химии. 2008;53(8): 1273-1277. https://elibrary. ru/item.asp?id=11032324
72. Миттова И. Я., Лопатин С. И., Пшестан-чик В. Р., Кострюков В. Ф., Сергеева А. В., Пенской П. К. Роль инертного компонента Ga^3 в композиции с оксидом-активатором Sb^3 в процессе хемостимулированного окисления GaAs. Журнал неорганической химии. 2005;50(10): 15991602. https://elibrary.ru/item.asp?id=9153645
73. Пенской П. К., Кострюков В. Ф., Пшестанчик В. Р., Миттова И. Я. Эффект совместного воздействия композиций хемостимуляторов (Sb2O3, Bi2O3, MnO2) с инертным компонентом (Al2O3) в процессе термооксидирования арсенида галлия. Доклады Академии наук. 2007;414(6): 765-767. https://elibrary.ru/item.asp?id=9533571
74. Пенской П. К., Пшестанчик В. Р., Кострюков В. Ф., Кузнецова И. В., Агапов Б. В., Миттова И. Я. Неаддитивная линейность при хемостиму-лирующем воздействии оксидов-активаторов в композициях с инертным компонентом на процесс термического окисления GaAs. Журнал неорганической химии. 2008;53(2): 227-232. https://elibrary. ru/item.asp?id=9603940
75. Пенской П. К., Миттова И. Я., Кострюков В. Ф., Кононова Е. Ю., Реутова Е. А. Влияние инертного компонента А12О3 в композициях с оксидами-активаторами (Sb2O3, Bi2O3, MnO2) на процесс термооксидирования GaAs. Конденсированные среды и межфазные границы. 2008;10(3): 236-243. https://elibrary.ru/item.asp?id=11688570
76. Пенской П. К., Кострюков В. Ф., Куцев С. В., Кузнецова И. В., Пшестанчик В. Р., Миттова И. Я. Характер влияния инертных компонентов (Y2O3, Al2O3, Ga2O3) на хемостимулирующее действие активатора (Sb2O3) термического окисления GaAs. Журнал неорганической химии. 2009;54(10): 16391645. https://elibrary.ru/item.asp?id=12902175
И. Я. Миттова и др. Обзор
77. Кожевникова Т. В., Пенской П. К., Кострюков В. Ф., Кузнецова И. В., Куцев С. В., Миттова И. Я. Выявление роли инертного компонента в композициях с оксидами марганца (II) и марганца (IV) при исследовании нелинейных эффектов в процессе термического окисления GaAs. Журнал неорганической химии. 2010;55(12): 1970-1975. https:// eHbrary.ru/item.asp?id=15538516
78. Кожевникова Т. В., Пенской П. К., Кострюков В. Ф., Миттова И. Я., Агапов Б. Л., Кузнецова И. В., Куцев С. В. Термическое окисление GaAs под воздействием композиций Sb2O3, Bi2O3, MnO, MnO2 и V2O5 с оксидами алюминия и иттрия. Конденсированные среды и межфазные границы. 2010;12(3): 212-225. https://elibrary.ru/item. asp?id=15574165
79. Пенской П. К., Салиева Е. К., Кострюков В. Ф., Рембеза С. И., Миттова И. Я. Газочувствительность слаболегированных слоев, полученных окислением GaAs в присутствии PbO и Bi2O3. Вестник ВГУ Серия Химия. Биология. Фармация. 2008;1: 26-31. https://elibrary.ru/item.asp?id=11615172
80. Кострюков В. Ф., Миттова И. Я. Газочувствительность к аммиаку тонких пленок на поверхности GaAs, выращенных под воздействием композиций PbO+Bi2O3. Неорганические материалы. 2015;51(5): 479-484. https://doi.org/10.7868/ S0002337X15040053
81. Кострюков В.Ф., Миттова И. Я., Димитрен-ко А. А. Хемостимулированный синтез тонких га-зочувствитель-ных пленок на поверхности GaAs. Неорганические материалы. 2017;53(5): 451-456. https://doi.org/10.7868/S0002337X1705013X
82. Кострюков В. Ф., Миттова И. Я., Али Сауд Газочувствительные свойства тонких пленок, полученных методом термооксидирования поверхности монокристаллов InP. Неорганические материалы. 2020;56(1): 69-75. https://doi.org/10.31857/ S0002337X20010078
83. Кострюков В. Ф., Миттова И. Я. Способ прецизионного легирования тонких плёнок на поверхности арсенида галлия: Патент № 2538415 РФ. Заявл. 17.07.2013. Опубл. 10.01.2015. Бюл. №2013133382/28 1.
84. Миттова И. Я., Кострюков В. Ф., Сладкопевцев Б. В. Способ прецизионного легирования тонких пленок на поверхности InP: Патент № 2632261 РФ. Заявл. 17.12.2015. Опубл. 03.10.2017. Бюл. №28.
85. Сладкопевцев Б. В., Томина Е. В., Миттова И. Я., Третьяков Н. Н. Способ создания нанораз-мерных наноструктурированных оксидных плёнок на InP с использованием геля пентаоксида ванадия: Патент № 2550316 РФ. Заявл. 30.12.2013. Опубл. 10.05.2015. Бюл. № 13
86. Томина Е. В., Сладкопевцев Б. В., Миттова И. Я., Зеленина Л. С., Донцов А. И., Третья-
ков Н. Н., Гудкова Ю. Н., Белашкова Ю. А. Воздействие поверхностных наноразмерных слоев V2O5 на кинетику термооксидирования GaAs, состав и морфологию выращенных пленок. Неорганические материалы. 2015;51(11): 1228-1232. https://doi. org/10.7868/S0002337X15110123
87. Миттова И. Я., Томина Е. В., Лапенко А. А., Сладкопевцев Б. В. Синтез и каталитические свойства наноостровков V2O5, полученных электровзрывным методом на поверхности кристаллов InP. Неорганические материалы. 2010;46(4): 441-446. https://www.elibrary.ru/item.asp?id=13724729
88. Миттова И. Я., Томина Е. В., Третьяков Н. Н., Сладкопевцев Б. В. Зависимость механизма хемо-стимулирующего действия V2O5 от способа введения его в систему при термооксидировании InP. Конденсированные среды и межфазные границы. 2013;15(3): 305-311. https://www.elibrary.ru/item. asp?id=20296106
89. Третьяков Н. Н., Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Агапов Б. Л., Пелипенко Д. И., Мироненко С. В. Морфология поверхности, состав и структура наноразмерных пленок, выращенных на InP под воздействием V2O5. Неорганические материалы. 2015;51(7): 719-725. https://doi.org/10.7868/ S0002337X15070167
90. Миттова И. Я., Сладкопевцев Б. В., Томи-на Е. В., Самсонов А. А., Третьяков Н. Н., Понома-ренко С. В. Синтез диэлектрических пленок термооксидированием MnO2/GaAs. Неорганические материалы. 2018;54(11): 1149-1156. https://doi. org/10.1134/S0002337X18110106
91. Швец В. А., Рыхлицкий С. В., Миттова И. Я., Томина Е. В. Исследование оптических и структурных свойств оксидных пленок на InP методом спектральной эллипсометрии. Журнал технической физики. 2013;83(11): 92-99. https://www.elibrary.ru/ item.asp?id=20326045
92. Миттова И. Я., Швец В. А., Томина Е. В., Сладкопевцев Б. В., Третьяков Н. Н., Лапенко А. А. Экспресс-контроль толщины и спектрально-эллип-сометрическое исследование пленок, полученных термооксидированием InP и структур VxO /InP. Неорганические материалы. 2013;49(2): 173-179. https://doi.org/10.7868/S0002337X13020140
93. Миттова И. Я., Швец В. А., Томина Е. В., Самсонов А. А., Сладкопевцев Б. В., Третьяков Н. Н. Определение толщины и оптических постоянных наноразмерных пленок, выращенных термооксидированием InP с магнетронно нанесенными слоями хемостимуляторов V2O5, V2O5 + PbO, NiO + PbO. Неорганические материалы. 2013;49(10): 103 7-1044. https://doi.org/10.7868/ S0002337X13100072
94. Кострюков В. Ф., Миттова И. Я., Швец В. А., Томина Е. В., Сладкопевцев Б. В., Третьяков Н. Н.
И. Я. Миттова и др. Обзор
Спектрально-эллипсометрическое исследование тонких пленок на поверхности GaAs, выращенных методом хемостимулированного термооксидирования. Неорганические материалы. 2014;50(9): 956-962. https://doi.org/10.7868/S0002337X1409005X
95. Сладкопевцев Б. В., Миттова И. Я., Томи-на Е. В., Заболотская А. В., Самсонов А. А., Донцов А. И. Особенности кинетики и механизма формирования пленок при оксидировании гете-роструктур V2O5/InP, сформированных методами реактивного магнетронного распыления и электрического взрыва проводника. Известия высших учебных заведений. Физика. 2014;57(7-2): 148-153. https://www.elibrary.ru/item.asp?id=23184829
96. Угай Я. А., Самойлов А. М., Сыноров Ю. В., Яценко О. Б., Зуев Д. В. Получение тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках. Неорганические материалы. 1994;30(7): 898-902. https://elibrary.ru/item.asp?id=35103015
97. Ugai Y. A., Samoylov A. M., Sharov M. K., Tadeev A. V. Crystal microstructure of PbTe/Si and PbTe/SiO/Si thin films. Thin Solid Films. 1998;336(1-2): 196-200. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01278-4
98. Угай Я. А., Самойлов А. М., Сыноров Ю. В., Яценко О. Б. Электрофизические свойства тонких пленок PbTe, выращенных на Si-подложках. Неорганические материалы. 2000;36(5): 550-555. https:// elibrary.ru/item.asp?id=35113170
99. Угай Я. А., Самойлов А. М., Шаров М. К., Арсенов А. В., Бучнев С. А. Выращивание пленок PbTe, легированных галлием в процессе их роста, на Si-подложках при помощи модифицированного метода «горячей стенки». Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002;3: 28-34.
100. Ugai Ya. A., Samoylov A. M., Buchnev S. A., Synorov Yu. V., Sharov M. K. Ga doping of thin PbTe films on Si substrates during growth. Inorganic Materials. 2002;38(5): 450-456. https://doi. org/10.1023/A:1015410703238
101. Ugai Ya. A., Samoylov A. M., Sharov M. K., Yatsenko O. B., Akimov B. A. Transport properties of Ga-doped PbTe thin films on Si substrates. Inorganic Materials. 2002;38(1): 12-16. https://doi. org/10.1023/A:1013687024227
102. Samoylov A. M., Buchnev S. A., Khoviv A. M., Dolgopolova E. A., Zlomanov V. P. Comparative study of point defects induced in PbTe thin films doped with Ga by different techniques. Materials Science in Semiconductor Processing. 2003;6(5-6): 481-485. https://doi.org/10.1016Zj.mssp.2003.07.014
103. Samoylov A. M., Khoviv A. M., Buchnev S. A., Synorov Yu. V., Dolgopolova E. A. Crystal structure and electrical parameters of In-doped PbTe/Si films prepared by modified HWE technique. Journal of
Crystal Growth. 2003;254(1-2): 55-64. https://doi. org/10.1016/S0022-0248(03)01022-4
104. Самойлов А. М., Бучнев С. А., Сыноров Ю. В., Агапов Б. Л., Ховив А. М. Выращивание модифицированным методом «горячей стенки» пленок PbTе, легированных In непосредственно в процессе синтеза. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004;1: 86-94. https://elibrary.ru/item.asp?id=17662304
105. Самойлов А. М., Бучнев С. А., Долгополо-ва Э. А., Сыноров Ю. В., Ховив А. М. Кристаллическая структура пленок РbТе на Si, легированных индием в процессе роста. Неорганические материалы. 2004;40(4): 414-420. https://elibrary.ru/item. asp?id=17659146
106. Долгополова Э. А., Самойлов А. М., Сыно-ров Ю. В., Ховив А. М. Синтез легированных In пленок PbTe с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008;10: 17-22. https:// elibrary.ru/item.asp?id=11533187
107. Беленко С. В., Долгополова Э. А., Самойлов А. М., Сыноров Ю. В., Шаров М. К. Область растворимости галлия в пленках теллурида свинца, выращенных на кремниевых подложках. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010;2: 99-108. https://elibrary.ru/ item.asp?id=13044799
108. Шаров М. К, Яценко О. Б., Самойлов А. М.. Электрофизические свойства монокристаллов теллурида свинца, легированного бромом. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010;7: 77-79. https://elibrary.ru/item. asp?id=15142184
109. Samoylov A. M., Agapov B. L., Belenko S. V., Dolgopolova E. A., Khoviv A. M. Electrical properties and mechanisms of the point defect formation in PbTe(ln) films prepared by modified "Hot Wall" technique. Functional Materials. 2011;18(1): 29-36. https://elibrary.ru/item.asp?id=18002406
110. SamoylovA. M., Belenko S. V., Dolgopolova E. A., Khoviv A. M., Synorov Y. V. The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "Hot Wall" technique. Functional Materials. 2011;18(2): 181-188. https://www.elibrary.ru/item. asp?id=18002278
111. Samoylov A. M., Belenko S. V., Sharov M. K., Dolgopolova E. A., Zlomanov V. P. The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films. Journal of Crystal Growth. 2012;351(1): 149-154. https ://doi.org/10. 101 6/j. jcrysgro.2012.01.042
112. Наумов А. В., Самойлов А. М., Лопатин С. И. Термодинамические функции смешения жидкой фазы системы Ga - Pb. Журнал общей химии.
И. Я. Миттова и др. Обзор
2013;83(1): 29-34. https://elibrary.ru/item. asp?id=18651409
113. Самойлов А. М., Беленко С. В., Сирад-зе Б. А., Тореев А. С., Донцов А. И., Филонова И. В. Плотности дислокаций в пленках PbTe, выращенных на подложках Si (100) и BaF2 (100) модифицированным методом «горячей стенки». Конденсированные среды и межфазные границы. 2013;15(3): 322-331. https://elibrary.ru/item.asp?id=20296109
114. Акимов А. Н., Климов А. Э., Самойлов А. М., Шумский В. Н., Эпов В. С. Зависимость кинетики фототока в пленках Pbx-1SnxTe от уровня освещения и времени экспозиции. Конденсированные среды и межфазные границы. 2013;15(4): 378-381. https:// elibrary.ru/item.asp?id=20931228
115. Самойлов А. М., Беленко С. В., Шаров М. К., Лопатин С. И., Сыноров Ю. В. Синтез пленок в системе Ga - Pb с прецизионным контролем количественного состава. Журнал общей химии. 2015;85(10): 1609-1619. https://elibrary.ru/item.asp?id=24226946
116. Marikutsa A. V., Rumyantseva M. N., Gaskov A. M., Samoylov A. M. Nanocrystalline tin dioxide: Basics in relation with gas sensing phenomena. Part I. Physical and chemical properties and sensor signal formation. Inorganic Materials. 2015;51(13): 1329-1347. https://doi.org/10.1134/S002016851513004X
117. Иевлев В. М., Кущев С. Б., Синельников А. А., Солдатенко С. А., Рябцев С. В., Босых М. А., Самойлов А. М. Структура гетеросистем пленка SnO2 - островковый конденсат металла (Ag, Au, Pd). Неорганические материалы. 2016;52(7): 757-764. https://doi.org/10.7868/S0002337X1607006X
118. Рябцев С. В., Шапошник А.В., Самойлов А.М., Синельников А.А., Солдатенко С.А., Кущев С.Б., Иевлев В.М. Тонкие пленки оксида палладия для газовых сенсоров. Доклады Академии наук, серия Физическая химия. 2016;470(5): 550-553. https://doi.org/10.7868/s0869565216290168
119. Marikutsa A. V., Rumyantseva M. N., Gaskov A. M., Samoylov A. M. Nanocrystalline tin dioxide: Basics in relation with gas sensing phenomena. Part II. Active centers and sensor behavior. Inorganic Materials. 2016;52(13): 1311-1338. https://doi. org/10.1134/S0020168516130045
120. Ievlev V. M., Ryabtsev S. V., Shaposhnik A. V., Samoylov A. M., Kuschev S. B., Sinelnikov A. A. Ultrathin films of palladium oxide for oxidizing gases detecting. Procedia Engineering. 2016;168: 1106-1109. https://doi.org/10.1016/j.proeng.2016.11.357
121. Ryabtsev S. V., Ievlev V. M., Samoylov A. M., Kuschev S. B., Soldatenko S. A. Microstructure and electrical properties of palladium oxide thin films for oxidizing gases detection. Thin Solid Films. 2017;636: 751-759. https://doi.org/10.1016Zj.tsf.2017.04.009
122. Samoylov, A. M., Gvarishvili, L. J., Ivkov, S. A., Pelipenko, D. I., Badica, P. Two-stage synthesis of
palladium (II) oxide nanocrystalline powders for gas sensor. Research & Development in Material Sciences. 2018;8(2): 1-7. https://doi.org/10.31031/ RDMS.2018.08.000682
123. Ievlev V. M., Ryabtsev S. V., Samoylov A. M., Shaposhnik A. V., Kuschev S. B., Sinelnikov A. A. Thin and ultrathin films of palladium oxide for oxidizing gases detection. Sensors and Actuators B: Chemical. 2018;255(2): 1335-1342. https://doi.org/10.10Wj. snb.2017.08.121
124. Самойлов А. М., Кузьминых О. Г., Сыно-ров Ю. В., Ивков С. А., Агапов Б. Л., Белоногов Е. К. Морфология поверхности пленок PbTe/Si (100), синтезированных модифицированным методом «горячей стенки». Конденсированные среды и межфазные границы. 2018;20(1): 102-114. https://doi. org/10.17308/kcmf.2018.20/483
125. Самойлов А. М., Кузьминых О. Г., Сыно-ров Ю. В., Белоногов Е. К., Беленко С. В., Агапов Б. Л. Кинетика роста и микроструктура пленок PbTe, синтезированных на подложках Si и BaF2 модифицированным методом «горячей стенки». Неорганические материалы. 2018;54(4): 359-369. https:// doi.org/10.7868/S0002337X18040048
126. Samoylov A. M., Ryabtsev S. V., Popov V. N., Badica P. Palladium (II) oxide nanostructures as promising materials for gas sensors. In book: Novel Nanomaterials Synthesis and Applications. Edited by George Kyzas. UK, London: IntechOpen Publishing House; 2018. 211-229 p. https://doi.org/10.5772/ intechopen.72323
127. Samoylov A. M., Ryabtsev S. V., Chuven-kova O. A, Ivkov S. S., Sharov M. К., Turishchev S. Yu. Crystal structure and surface phase composition of palladium oxides thin films for gas sensors. In book: SATF 2018. Science and Applications of Thin Films, Conference & Exhibition. Proceeding Book.: 17 to 21 September 2018. Turkey: Izmir, Izmir Institute of Technology; 2018. р. 43-56.
128. Самойлов А. М., Ивков С. А., Пелипен-ко Д. И., Шаров М. К., Цыганова В. О., Агапов Б. Л., Тутов Е. А., Petre Badica. Трансформация кристаллической структуры наноразмерных пленок палладия в процессе термического оксидирования. Неорганические материалы. 2020;56(10): 1074-1080. https://doi.org/10.31857/S0002337X20100139
129. Самойлов А. М., Пелипенко Д. И., Курален-ко Н. С. Расчет области нестехиометрии нанокри-сталлических пленок оксида палладия (II). Конденсированные среды и межфазные границы. 2021;23(1): 62-72. https://doi.org/10.17308/kcmf.2021.23/3305
130. Пономарева Н. И. Попрыгина Т. Д., Лесо-вой М. В., Карпов С. И. Влияние ализаринового красного С на рост кристаллов гидроксиапатита. Журнал общей химии. 2008;78(4): 538-543. https:// elibrary.ru/item.asp?id=11517706
131. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д., Карпов С. И., Лесовой М. В., Агапов Б. Л. Микроэмульсионный способ получения гидроксиапатита. Журнал общей химии. 2010;80(5): 735-738.
132. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д., Лесовой М. В., Карпов С. И., Агапов Б. Л. Исследование композитов гидроксиапатита с биополимерами. Конденсированные среды и межфазные границы. 2009;11(3): 239-243. https://elibrary.ru/item. asp?id=12971539
133. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д., Лесо-вой М. В., Соколов Ю. В., Агапов Б. Л. Кристаллическая структура и состав биокомпозитов гидрокси-апатита, полученных при избытке иона кальция. Журнал общей химии. 2009;79(2): 198-202. https:// elibrary.ru/item.asp?id=17824980
134. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д., Карпов С. И., Соколов Ю. В. Исследование микротвердости композитов гидроксиапатита с биополимерами. Вестник ВГУ, Серия «Химия. Биология. Фармация». 2012;2: 45-50.
135. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д., Лесо-вой М. В., Соколов Ю. В. Влияние примесей железа на получение и характеристики апатитовых покрытий титановых имплантантов. Системный анализ и управление в биомедицинских системах. 2010;9(2) 448-451. https://elibrary.ru/item. asp?id=14749925
136. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д. Получение кальцитных и апатитовых покрытий на титане. Журнал неорганической химии. 2011;56(11): 1-4. https://elibrary.ru/item.asp?id=17057414
137. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д. Способ нанесения покрытий на изделия из титана: Патент № 2453630 РФ. Заявл. 11.01.2011. Опубл. 20.06.2012. Бюл. №17.
138. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д., Солда-тенко С. А. Исследование резорбируемости гидрок-сиапатита в составе импрегнированных углеродистых имплантатов. Журнал общей химии. 2012;82(9): 1412-1416. https://elibrary.ru/item.asp?id=17951874
139. Пономарева Н. И., Попрыгина Т. Д., Карпов С. И., Самодай В. Г. Влияние ионов марганца на синтез и характеристики гидроксиапатита в составе импрегнированных углеродистых имплантатов. Апробация. 2013;5(8): 21-23. https://elibrary. ru/item.asp?id=23216891
140. Xu C., Yang Y., Wang S., Duan W., Gu B., Bellaiche L. Anomalous properties of hexagonal rare-earth ferrites from first principles. Physical Review B. 2014;89(20): 205122. https://doi.org/10.1103/ PhysRevB.89.205122
141. Mahalakshmi S., SrinivasaManja K., Nithiyanantham S. Electrical properties of nanophase ferrites doped with Rare Earth Ions. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2014;27(9):
2083-2088. https://doi.org/10.1007/s10948-014-2551-y
142. Фахльман Б. Химия новых материалов и нанотехнологии. Долгопрудный: Издательский дом «Интеллект»; 2011. 463 с.
143. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М.: Физматлит; 2005. 416 с.
144. Maiti R. Basu S., Chakravorty D. Synthesis of nanocrystalline YFeO3 and its magnetic properties. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2009;321(19): 3274-3277. https://doi.org/10.10Wj. jmmm.2009.05.061
145. Kolb E. D. The hydrothermal growth of rare earth orthoferrites. Journal of Applied Physics. 1968;39(2): 1362- 1364. https://doi. org/10.1063/1.1656305
146. Cheng Z. X., Shen H., Xu J., Liu P., Zhang S. J., Wang J. L., Wang X. L., Dou S. X. Magnetocapacitance effect in nonmultiferroic YFeO3 single crystal. Journal of Applied Physics. 2012;111(3): 34103.1-5. https://doi. org/10.1063/1.3681294
147. Racu A. V., Ursu D. H., Kuliukova O. V., Logofatu C., Leca A., Miclau M. Direct low temperature hydrothermal synthesis of YFeO3 microcrystals. Materials Letters. 2015;140(1): 107-110. https://doi. org/10.1016/j.matlet.2014.10.129
148. Duan L., Jiang G.-J., Peng W., Cheng M., Wang X.-J. Influence of reaction conditions on the phase composition, particle size and magnetic properties of YFeO3 microcrystals synthesized by hydrothermal method. Journal of Synthetic Crystals. 2015;44(8): 2144-2149.
149. Popkov V. I., Almjasheva O. V. Formation mechanism of YFeO3 nanoparticles under the hydrothermal condition. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2014;5(5): 703-708. https:// www.elibrary.ru/item.asp?id=22415667
150. Tang P., Sun H., Chen H., Cao F. Hydrothermal processing-assisted synthesis of nanocrystalline YFeO3 and its visible-light photocatalytic activity. Current Nanoscience. 2012;8(1): 64-67. https://doi. org/10.2174/1573413711208010064
151. Попков В. И., Альмяшева О. В., Гусаров В. В. Исследование возможностей управления структурой нанокристаллического ортоферрита иттрия при его получении из аморфных порошков. Журнал прикладной химии. 2014;87(10): 1416-1420. https:// elibrary.ru/item.asp?id=43059374
152. Попков В. И., Альмяшева О. В. Формирование нанопорошков ортоферрита иттрия YFeO3 в условиях глицин-нитратного горения. Журнал прикладной химии. 2014;87(2): 185-189. https:// elibrary.ru/item.asp?id=42837771
153. Mathur S., Veith M., Rapalaviciute R., Shen H., Goya G. F., Martins Filho W. L., Berquo T. S. Berquo Molecule derived synthesis of nanocrystalline YFeO3
И. Я. Миттова и др. Обзор
and investigations on its weak ferromagnetic behavior. Chemistry of Materials. 2004;16(10): 1906-1913. https://doi.org/10.1021/cm0311729
154. Tretyakov Yu. D. Development of inorganic chemistry as a fundamental for the design of new generations of functional materials. Russian Chemical Reviews. 2004;73(9): 831-846. https://doi.org/10.1070/ RC2004v073n09ABEH000914
155. Niepce C. J., Stuerga D., Caillot T., Clerk J.P., Granovsky A., Inoue M., Perov N., Pourroy G. The magnetic properties of magnetic nanoparticles produced by microwave flash synthesis of ferrous alcoholic solutions. IEEE Transactions on Magnetics. 2002;38(51): 2622-2624. https://doi.org/10.1109/ TMAG.2002.801963
156. Zou J., Gong W., Ma J., Li L., Jiang J. Efficient catalytic activity BiFeO3 nanoparticles prepared by novel microwave-assisted aynthesis. Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2015;15(2): 13041311. https://doi.org/10.1166/jnn.2015.9074
157. Томина Е.В., Перов Н. С., Миттова И. Я., Алехина Ю. А., Стекленева О. В., Куркин Н. А. Микроволновый синтез и магнитные свойства нано-порошка феррита висмута, допированного кобальтом. Известия Академии наук. Серия химическая. 2020;5: 941-946. https://doi.org/10.1007/s11172-020-2852-1
158. Томина Е. В., Даринский Б. М., Миттова И. Я., Чуркин В. Д., Бойков Н. И., Иванова О. В. Синтез нанокристаллов Yfo^e^^ под воздействием микроволнового излучения. Неорганические материалы. 2019;55(4): 421-425. https://doi. org/10.1134/S0002337X19040158
159. Динь В. Т., Миттова В. О., Миттова И. Я. Влияние содержания лантана и температуры отжига на размер и магнитные свойства нанокристаллов Y1-xLaxFeO3, полученных золь - гель методом. Неорганические материалы. 2011;47(5): 590-595. https://www.elibrary.ru/item. asp?id=16339649
160. Нгуен А. Т., Миттова И. Я., Солодухин Д. О., Альмяшева О. В., Миттова В. О., Демидова С. Ю. Золь-гель формирование и свойства нанокристаллов твердых растворов Y1-xCaxFeO3. Журнал неорганической химии. 2014;59(2): 166-171. https://doi. org/10.7868/S0044457X14020159
161. Динь В. Т., Миттова В. О., Альмяшева О. В., Миттова И. Я. ^нтез и магнитные свойства нано-кристаллического Y1-xCdxFeO3S (0 ^ x ^ 0.2). Неорганические материалы. 2011;47(10): 1251-1256. https://www.elibrary.ru/item.asp?id=16893013
162. Нгуен А. Т. Синтез, структура и свойства нанопорошков La(Y)1-xSr(Ca)xFeO3 (x = 0.0; 0.1; 0.2; 0.3). Дисс.... канд.хим. наук/ Воронеж: Воронежский государственный университет; 2009. 153 с. Режим доступа: https://www.dissercat.com/content/sintez-
struktura-i-svoistva-nanoporoshkov-lay1-xsrcaxfeo3-x-00-01-02-03
163. Полежаева О. С., Долгополова Е. А., Баранчиков А. Е., Иванов В. К., Третьяков Ю. Д. Синтез нанокристаллических твердых растворовна основе диоксида церия, допированного РЗЭ. Конденсированные среды и межфазные границы. 2010;12(2): 154-159. https://www.elibrary.ru/item. asp?id=15176050
164. Бацанов С. С. Структурная химия. Факты и зависимости. М.: Диалог - МГУ; 2000. 292 с.
165. Бережная М. В., Альмяшева О. В., Миттова В. О., Нгуен А. Т., Миттова И. Я. Синтез золь-гель методом и свойства нанокристаллов Y1-xBaxFeO3. Журнал общей химии. 2018;88(4): 539-544. https:// doi.org/10.1134/S1070363218060464
166. Бережная М. В., Миттова И. Я., Перов Н. С., Альмяшева О. В., Нгуен А. Т., Миттова В. О., Бесса-лова В. В., Вирютина Е. Л. Формирование нанопо-рошков феррита иттрия, допированного цинком, золь-гель методом. Журнал неорганической химии. 2018;63(6): 706-711. https://doi.org/10.1134/ S0036023618060049
167. Миттова И. Я., Солодухин Д. О., Митто-ва В. О., Демидова С. Ю., Кнурова М. В. Способ получения нанокристаллического магнитного порошка допированного ортоферрита иттрия: Патент №2574558 РФ. Заявл. 04.12.2013. Опубл. 10.02.2016. Бюл. №4.
168. Нгуен А. Т., Миттова В. О., Миттова И. Я., Динь В. Т. Синтез нанопорошков La1-xSr(Са)xFeO3 (х = 0; 0.1; 0.2; 0.3) золь-гель методом. Конденсированные среды и межфазные границы. 2010;12(1): 56-60. https://www.elibrary.ru/item. asp?id=15164382
169. Бережная М. В., Перов Н. С., Альмяшева О. В., Миттова В. О., Нгуен А. Т., Миттова И. Я., Дружинина Л. В., Алехина Ю. А. Синтез и магнитные свойства нанокристаллического ортоферрита лантана допированного барием. Журнал общей химии. 2019;89(3): 458-463. https://doi.org/10.1134/ S0044460X19030193
170. Кнурова М. В., Миттова И. Я., Перов Н. С., Альмяшева О. В., Нгуен А. Т., Миттова В. О., Бесса-лова В. В., Вирютина Е. Л. Влияние степени допирования на размер и магнитные свойства нано-кристаллов La1-XZnXFeO3, синтезированных золь-гель методом. Журнал неорганической химии. 2017;62(3): 275-282. https://doi.org/10.7868/ S0044457X17030084
171. Lin О., Xu J., Yang F., Yang X., He Y. The influence of Ca substitution on LaFeO3 nanoparticles in terms of structural and magnetic properties. Journal of Applied Biomaterials & Functional Materials. 2018;16(1S): 17-25. https://doi. org/10.1177/2280800017753948
И. Я. Миттова и др. Обзор
172. Белов К. П. Магнитострикционные явления и их технические приложения. М.: Наука; 1987. 160 с.
173. Mukhopadhyay K., Mahapatra A. S., Chakrabarti P. K. Multiferroic behavior, enhanced magnetization and exchange bias effect of Zn substituted nanocrystalline LaFeO3 (La ZnxFeO3, x=0.10, and 0.30). Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2013;329: 133-141. https://doi.org/10.10Wj. jmmm.2012.09.063
174. Mukhopadhyay K., Mahapatra A. S., Chakrabarti P. K. Enhanced magneto-electric property and exchange bias effect of Zn substituted LaFeO3 (La0 50Zn0 50FeO3). Materials Letters. 2015;159: 9-11. https://doi.org/10.10Wj.matlet.2015.06.059
175. Bhat I., Husain S., Khan W. Structural and Dielectric Properties of LaFe1-xZnxO3 (0^0.3). AIP Conference Proceedings. 2013;Ш2:Х 968-969. https:// doi.org/10.1063/1.4791364
176. Bhat I., Husain S., Khan W., Patil S. I. Effect of Zn doping on structural, magnetic and dielectric properties of LaFeO3 synthesized through sol-gel auto-combustion process. Materials Research Bulletin. 2013;48(11): 4506-4512. https://doi.org/10.10Wj. materresbull.2013.07.028
177. Альмяшева О. В., Смирнов А. В., Федоров Б. А., Томкович М. В., Гусаров В. В. Особенности строения наночастиц переменного состава со структурой типа флюорита, сформированных в гидротермальных условиях на основе систем Zr02-Y2O3 и Zr02-Gd203. Журнал общей химии. 2014;84(5): 711-716. https ://www.elibrary.ru/item. asp?id=21456359
178. Тugova Е. А., Gusarov V. V. Structure peculiarities of nanocrystalline solid solutions in GdAlO3 — GdFeO3 system. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2013;4(3): 352-356. https:// www.elibrary.ru/item.asp?id=19412861
179. Маренкин С. Ф., Изотов А. Д., Федорчен-ко И. В., Новоторцев В. М. Синтез магнитограну-лированных структур в системах полупроводник-ферромагнетик. Журнал неорганической химии. 2015;60(3): 343-348. https://doi.org/10.7868/ S0044457X15030149
180. Gupta A. K., Gupta M. Synthesis and surface engineering of iron oxide nanoparticles for biomedical applications. Biomaterials. 2005;26(18): 3995-4021. https://doi.org/10.1016/j.biomaterials.2004.10.012
181. Shen H., Xu J., Jin M., Jiang G. Influence of manganese on the structure and magnetic properties of YFeO3 nanocrystal. Ceramics International. 2012;38(2): 1473-1477. https://doi.org/10.1016/j. ceramint.2011.09.030
182. Ma Y., Wu Y. J., Lin Y. 0., Chen X. M. Microstructures and multiferroic properties of YFe1-xMnxO3 ceramics prepared by spark plasma sintering. Journal of Materials Science: Materials in
Electronics. 2010;21(8): 838-843. https://doi. org/10.1007/s10854-009-0004-3
183. Nguyen T. A., Pham V. N. T., Le H. T., Chau D. H., Mittova V. O. Tr Nguyen L. T., Dinh D.A., Hao T.V. N., Mittova I. Ya. Crystal structure and magnetic properties of LaFe1-xNixO3 nanomaterials prepared via a simple co-precipitation method. Ceramics International. 2019;45(17): 21768-21772. https://doi.org/10.10Wj.ceramint.2019.07.178
184. Nguyen A. T., Pham V., Chau D. H., Mittova V. O., Mittova I. Ya., Kopeychenko E. I., Nguyen L. T. Tr., Bui V. X., Nguyen A. T. P. Effect of Ni substitution on phase transition, crystal structure and magnetic properties of nanostructured YFeO3 perovskite. Journal of Molecular Structure. 2020;1215: 12829. https://doi.org/10.10Wj.molstruc.2020.128293
185. Nguyen A. T., Pham V. N. T., Nguyen T. T. L., Mittova V. O., Vo 0. M., Berezhnaya M. V., Mittova I. Ya, Do Tr. H., Chau H. D. Crystal structure and magnetic properties of perovskite YFe1-xMnxO3 nanopowders synthesized by co-precipitation method. Solid State Sciences. 2019;96: 105922. https://doi.org/10.10Wj. solidstatesciences.2019.06.011
186. Копейченко Е. И., Миттова И. Я., Пе-ров Н. C., Нгуен А. Т., Миттова В. О., Алехина Ю. А., Фам В. Синтез, состав и магнитные свойства нано-порошков феррита лантана, допированного кадмием. Неорганические материалы. 2021;57(4): 388-392. https://doi.org/1 0.3 1 85 7/ S0002337X21040072
187. Нгуен А. Т., Бережная М. В., Фам Л. Т., Миттова В. О., Во К. М., Нгуен Т. Ч. Л., До Ч. Х., Миттова И. Я., Вирютина Е. Л. Синтез и магнитные характеристики нанопорошков феррита неодима со структурой перовскита. Журнал прикладной химии. 2019;92(4): 458-464. https://doi.org/10.1134/ S0044461819040054
188. Nguyen T. A., Pham V., Pham T. L., Nguyen L. T. T., Mittova I. Ya., Mittova V. O., Lan N. V., Nguyen B. T. T., Bui V. X., Viryutina E. L. Simple synthesis of NdFeO3 nanoparticles by the co-precipitation method based on a study of thermal behaviors of Fe (III) and Nd (III) hydroxides. Crystals. 2020;10(3): 219. https://doi.org/10.3390/ cryst10030219
189. Nguyen A. T., Nguyen V. Y., Mittova I. Ya., Mittova V. O., Viryutina E. L., Hoang C. Ch. T., Nguyen Tr. L. T., Bui X.V., Do T. H. Synthesis and magnetic properties of PrFeO3 nanopowders by the co-precipitation method using ethanol. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2020;11(4): 463-473. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2020-11-4-468-473
190. Nguyen A. T., Tran H. L. T., Nguyen Ph. U. T., Mittova I. Ya., Mittova V. O., Viryutina E. L., Nguyen V. H., Bui X. V., Nguyen T. L. Sol-gel synthesis
and the investigation of the properties of nanocrystalline holmium orthoferrite. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2020;11(6): 698-704. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2020-11-6-698-704
191. Nguyen A. T., Nguyen T. D., Mittova V. O., Berezhnaya M. V., Mittova I. Ya. Phase composition and magnetic properties of Ni1-XCoXFe2O4 nanocrystals with spinel structure, synthesized by co-precipiation. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics. 2017;8(3): 371-377. https://doi.org/10.17586/2220-8054-2017-8-3-371-377
192. Nguyen T. A., Nguyen L. T. Tr., Bui V. X., Nguyen D. H. T., Lieu H. D., Le L. M. T., Pham V. Optical and magnetic properties of HoFeO3 nanocrystals prepared by a simple co-precipitation method using ethanol. Journal of Alloys and Compounds. 2020;834: 155098. https://doi.org/10.10167j.jallcom.2020.155098
Информация об авторах
Миттова Ирина Яковлевна, д. х. н., профессор, профессор кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; email: [email protected]. ORCID iD: https://orcid. org/0000-0001-6919-1683.
Сладкопевцев Борис Владимирович, к. х. н., доцент кафедры материаловедения и индустрии наносистем, Воронежский государственный университет, Воронеж, Российская Федерация; e-mail: [email protected]. ORCID iD: https://orcid. org/0000-0002-0372-1941.
Миттова Валентина Олеговна, к. б. н., доцент кафедры биохимии Воронежского государственного медицинского университета имени Н. Н. Бурденко Министерства здравоохранения Российской Федерации, Воронеж, Российская Федерация; email: [email protected]. ORCID iD: https://orcid. org/0000-0002-9844-8684.
Поступила в редакцию 22.06.2021; одобрена после рецензирования 15.07.2021; принята к публикации 15.08.2021; опубликована онлайн 25.09.2021.
