Научная статья на тему 'Теория высокочастотной фотопроводимости полупроводников с линейной варьируемой полем рекомбинацией и с учетом реакции комплексной нагрузки'

Теория высокочастотной фотопроводимости полупроводников с линейной варьируемой полем рекомбинацией и с учетом реакции комплексной нагрузки Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
98
58
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Теория высокочастотной фотопроводимости полупроводников с линейной варьируемой полем рекомбинацией и с учетом реакции комплексной нагрузки»

Секция твердотельной электроники СВЧ

УДК 621.382.2

В.А. Малышев, Г.Г, Червяков, С.С. Шибаев

ТЕОРИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЛИНЕЙНОЙ ВАРЬИРУЕМОЙ ПОЛЕМ РЕКОМБИНАЦИЕЙ И С УЧЕТОМ РЕАКЦИИ КОМПЛЕКСНОЙ

НАГРУЗКИ

Таганрогский государственный радиотехнический университет,

347928, г. Таганрог, ГСП-17А, пер.Некрасовский, 44, тел.: (86344) 61630, e-mail: [email protected]

Известные, достаточно подробные исследования явления фотопроводимости [1,2] относятся к случаям постоянных световых потоков и лишь небольшое число работ [3,4] имеют отношение к переменным световым полям. В данной статье проводится строгий анализ высокочастотной фотопроводимости путем решения уравнения непрерывности для случая сплошного облучения планарного полупроводника. в котором доминируют носители одного типа (электроны) с концентрацией п=п„+п.. (где п0 - темновая концентрация и световая, вызванная постоянной составляющей светового потока, a - переменной составляющей). Уравнение непрерывности имеет вид

*1= ф,+ф.-diving+ 0)

fTt V fey х

где в случае линей ной рекомбинации носителей время релаксации т определяется выражением 1/т = <трУпл = <То<Ап(Ут+|-1Ео)!"п' + стмпл(1- т)(Ут+цЕ0)'тцЕ.=аН-ЬЕ._, причем здесь принята аппроксимация для поперечного сечения рекомбинации ор от скорости V=VT+V0+nE..: сгр=ст0сЛгт ; VT -тепловая скорость электронов; V0= цЕ0; пл -концентрация центров рекомбинации ; ц - подвижность носителей; D-коэффициент диффузии; Ф0 и Ф_. - постоянная и переменная скорости световой и тепловой генерации носителей. Компонента Е0 напряженности поля Е— Е0+ Е_ вызвана внешним источником, за вычетом падения напряжения на активной нагрузке.

Будем полагать Ф0, Ео, Ф~, п0 неизменными вдоль направления тока z в полупроводнике, а также по толщине полупроводника. Тогда, разделяя постоянные составляющие (п0 = т Ф0) и переменные, для случая п_<< п0 можно для переменной объемной плотности заряда р.. = еп. (где е - заряд электрона) свести уравнение (I) к виду

D д2р до е

+(а°+ = v^0' “Л ()

где Д — be Фо/aVf,; а0= е Ф0рУа eV0+a/V0; (Зй= co/V0 причем е - абсолютная диэлектрическая проницаемость полупроводника; оз - круговая частота модуляции света. Отыскивая решение (2) в форме р _ ~ exp(yz), где р = р.- (е Ф7У0 - AE_)/(a0+ip0),

Секция твердотельной электроники СВЧ

можно получить для у квадратное уравнение

(Е)Л/0)у2+у+у0=0 где Уо = Оо+фо, которое дает решение У=У1>2==СС1>2 - 1^1,2 В виде

а

u-(Vd)

-1±

г

U q2+k2 + q

, Pu = ±1

Vn

2D.

/q2+k2

(3)

(4)

q=l-4Doo/V0.

(5)

(6)

к=-4ОР(/У0;

В результате получается

Р-=С, ехр(у, г)+С2ехр(у2г), где С! и С2 - постоянные интефирования. Их можно определить, подставив (6) в формулу для р_ ё ёп'пёифоу выражение для плотности тока

]=а0Е,+УоР-+0(5р752), (7)

где его = ецф0/а - проводимость по постоянному току. Для этого учтем, что на границах полупроводника и двух одинаковых контактов плотность тока равна: j = стк Ек, где ст;. и Е^ - активная проводимость и поле в контакте.

Поле Е_=ЕВН+ Епз, где ЕВн - внешнее поле, которое мы считаем неизменным вдоль т. а ЕПз - поле волн объемного заряда, равное нулю на краях образца и определяемое внутри образца из уравнения Пуассона

(8)

ОХ £ £ Е £

где ф = е Ф./У0(а0 + ¡Ро) ; У = Д/(«о + <Ро, решение которого с учетом условия г = 0; Епз = 0 имеет вид

еу, + ф

'G

-ЧУ

3------яг«1

вн

1-е

(9)

что и дает первое уравнение ъ — Ь; Ет=0 для определения постоянных С, и С2. Второе уравнение получим, подставив на границе г =0 в выражение (7) р,= р _+ ф -Ф Е_, положив затем Е_=ЕВН, причем на основе равенства индукций поля в контакте Ек(£-!оусо) и в объеме Евн(е-1СГс/<в) можно, с учетом того, что а,>>а0 ; сгк » ¡сое найти Ек. Если затем найти наведенный в образце длиной Ь и площадью Б ток

‘н =7 \'№№> <10)

ь о

то в итоге для фотопроводимости образца Ус= ¡Н/ЕВНЬ получается выражение

Ye = Ge+ ¡Вс =

М.

*L+£Mi+f^_1ÏÏ£^f±eA''-.± + L).Dv('1_ е-Я«Л

.. Я We„ Д L U » ! L V 1

Ьпн

С( Э- 1 О О

^вн [ Еу; +ф ’

I £ Ль Б 1 ,

—с + —с с----------------+

У,

D<p

Ф Ф У;

а постоянные С! и С2 определяются как

С| = М/(А.,Аа-1) и С2= (М/((ВД- X,) + Q,

где

еу , + Ф

.»Л

(И)

М =

Q =

^•Q + (8Ti+V)

/ > 1 >< 1 1

Г iE. _ е

11 вн W У „. _y/L е'1 - е ^

Офф/

y ,L -Ч'-еу + 1(/ е -е '5

л, = —J--------------—-,

Sy2+V er.L_ç /<L

v,+Py,-Dl%

V. 1»У ; U'V '

Если no переменному току фотопроводимость соединена с известной комплексной проводимостью Gh + ¡В„ , то из двух уравнений Ge - GH = 0 ; Вс + Вн = О можно найти два неизвестных А и ф0, где Аехр(1<р(,)~Ф7Еен- которые в итоге и определят Уе.

ЛИТЕРАТУРА

1. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз. 1963.494 с.

2. Быоб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ.. Î 962. 558 с.

3. Малышев В. А. К теории частотных характеристик фотосопротивлений и люминофоров// Изв. вузов. Радиотехника. 1959. №5. С. 616 - 618.

4. Малышев В,Л., Сапепкии С.В,, Червяков Г.Г., Юхимец Е.Л. Нелинейные преобразования сигнала модуляции света при квадратичной рекомбинации в фото-приемнике//Физика и техника полупроводников. 1993. Т.27. Вып.1. С. 179 -182.

УДК 621.385.52(03)

Г,Г. Червяков

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗБИРАТЕЛЬНЫЕ ФОТОПРИЕМНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ И УСТРОЙСТВА

Таганрогский государственный радиотехнический университет,

347928, г. Таганрог, ГСП-17 А, и ер. Некрасовский, 44, тел.: (86344) 64447, e-mail; [email protected]

Более чем за двадцатилетний период техника оптической связи стала конкурентоспособной, причем источники и каналы передачи существенно изменились, в то время как приемные устройства не претерпели значительных усовершенствований. Покажем один из возможных путей развития таких устройств.

Рассмотрим воздействие модулированного света и переменного электрического поля на объем полупроводникового материала при ограничении генерационно-рекомбинационными процессами, а для материалов с переменной эффективной массой и зависимостью подвижности от поля.

Модель процесса строим в предположении: - малого сигнала (т.е. Др«р. Дп«п); - линейного либо квадратичного законов рекомбинации; - пропорциональной зависимости скорости генерации носителей от интенсивности облучения в спектре поглощения; - отсутствия поверхностной рекомбинации. При этом уравнение кинетики рекомбинации (для квадратичного закона) принимает вид

dt

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.