РАСЧЕТ ПОЛНЫХ ПЛОТНОСТЕЙ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ И ОЦЕНКА ПО НИМ ШИРИН ЗАПРЕЩЕННЫХ ПОЛОС В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ CUGA(SXSE1-X)2 Текст научной статьи по специальности «Физика»

Для пленок Б^Ы, сформированных имплантацией ионами азота 5-200 кэВ, найдено, что образование фазы 81зМ4 происходит даже при комнатной температуре. Последующий отжиг при 1100°С не влияет на образование фазы в облученных пленках.

На основе исследования систем БЮг^ и пористого кремния установлено, что тип 51-подложки критичен для формирования оксидного слоя, подложки окисляются, а />81 — устойчивы к окислению. Имплантация В" блокирует процесс окисления. Исследован процесс аморфизации кремния, подвергнутого облучению ионами водорода. Найдено, что степень аморфизации уменьшается с глубиной.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 99-03-32503 и 00-15-96575).

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СИСТЕМ РЕ-Х (Х=С, Б!, Се, А1. Р)

И.Н.ШАБАНОВА. В.И.КОРМИЛЕЦ. Н.С.ТЕРЕБОВА Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

Для стехиометрических соединений РеБк РеОе. РеБп, РеА1. РеР. а также Ре^С. Ре-^ сняты рентгеноэлектронные спектры валентных полос и выполнены расчеты их электронной структуры первопринципным полнопотенциальным методом линейных тийп-йп орбиталей.(ТВ-ЬМТО, ТВ-ЬМТО-АБА) Получено хорошее согласие рассчитанной кривой плотности состояний с РЭС спектром по тонкой структуре спектров. Сравнение экспериментальных спектров с расчетом показывает, что при изменении второго элемента по группе гибридизация с!(Ре) и р(Х) максимальна для сплава РеЯ1 и уменьшается как с ростом радиуса атома второго компонента, так и с его уменьшением. В случае изменения второго компонента по ряду, уменьшение гибридизации с1(Ре) и р(Х)-

' ) 1 * I .' '

плотности состояний связано с увеличением числа /»-электронов второго компонента.

РАСЧЕТ ПОЛНЫХ ПЛОТНОСТЕЙ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ И ОЦЕНКА ПО НИМ ШИРИН ЗАПРЕЩЕННЫХ ПОЛОС В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ СиСА(8Х5Е1-Х)2

А.А.ЛАВРЕНТЬЕВ, Б.В. ГАБРЕЛЬЯН, В.А. ДУБЕЙКО, И.Я. НИКИФОРОВ

ДГТУ, Ростов-на-Дону

Используя кластерную версию метода локального когерентного потенциала, в рамках теории полного многократного рассеяния рассчитаны локальные парциальные плотности электронных состояний и по ним полные плотности состояний для халькопиритной модификации твердых растворов СиСа(5х8е|.х)2 (х=0.0; 0,17; 0.33; 0.50; 0.67; 0.83; 1.0) в приближении виртуального кристалла. Параметры кристаллической решетки исследованных халькопиритных твердых растворов рассчитывались по теории Джэфа и Зангера [1] с использованием тетраэдрических радиусов Полинга.

ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ ТОМ 2, № 2

229

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА

Рассчитанные параметры кристаллической решетки в твердых растворах CuGa(S4Se,. х)г примерно на 0.1 À превышают литературные экспериментальные данные Проведенная оценка ширины запрещенных полос Eg по рассчитанным полным плотностям электронных состояний показывает линейную зависимость Eg от концентрации х серы н атомной подрешетке, что соответствует экспериментальной зависимости Eg(x) [2]. но сами величины Eg в расчете получились примерно на 0.5eV меньше экспериментальных. Для объяснения этого результата нами была предпринята попытка в виде теста рассчитать плотности электронных состояний в концевом соединении CuGaS2, но с параметрами кристаллической решетки другого концевого соединения CuGaSei. В результате такою тестового расчета оказалось, что форма рассчитанных локальных парциальных плотностей состояний (а также полной плотности состояний) в тестовом CuGaS2 идентична соответствующим кривым, полученным с обычными параметрами кристаллической решетки для CuGaS2, однако ширина запрещенной полосы Eg в тестовом CuGaS2 практически совпадает с Eg для CuGaSe2. Из данного тестового расчета следует, что помимо резонансного взаимодействия d-состояний Си и р-состояний аниона (S или Se) [3] важную роль в формировании ширины запрещенной полосы в соединениях типа AIBI1IC2VI играют величины параметров кристаллической решетки, а именно, с их увеличением величина Eg уменьшается.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1 Jaffe J.E., Zunger A, Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors.

/^Phys.Rev.B. - 1984. -29. 4. - P. 1822-1906.

2 Боднарь И. В.. Ворошилов Ю.В.. Лукомский А. И. Получение и ширина запрещенной

полосы твердых растворов системы CuGaS2 - CuGaSe2 // Неорганические материалы. -1977. - 13, 5.-С.921-922. 3. Domashevskaya Е.Р , Terekhov V.A. d-s,p Resonance and Electronic Structure of

Compounds. Alloys and Solid Solutions. // Phys.stat.sol.(b). - 1981. - 105, 2. -P. 121-127.

ИСПРАВЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ НА ШИРИНУ ВОЗБУЖДАЮЩЕЙ ЛИНИИ И АППАРАТУРНОЕ РАЗМЫТИЕ

Ю.А. БАБАНОВ1, И.Ю. КАМЕНСКИЙ1, А.В. РЯЖКИН1, В.И. ПОВСТУГАР2. С. С. МИХАЙЛОВА2

'-Институт Физики Металлов. Екатеринбург '-Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

Обсуждается проблема исправления рентгеновских фотоэлектронных спектров на ширину возбуждающей линии и аппаратное уширение. Искажения из-за этих эффектов часто весьма существенны. Предложен метод, который позволяет исправлять экспериментальный спектр на уширяющие линии.

Регистрируемый сигнал с истинным спектром связаны интегральным уравнением Фрейдгольма рода. Требуется решить обратную задачу. Данная задача является плохо

m

т^тшттятш жжттю том гт г