CC BY
4
Для пленок Б^Ы, сформированных имплантацией ионами азота 5-200 кэВ, найдено, что образование фазы 81зМ4 происходит даже при комнатной температуре. Последующий отжиг при 1100°С не влияет на образование фазы в облученных пленках.
На основе исследования систем БЮг^ и пористого кремния установлено, что тип 51-подложки критичен для формирования оксидного слоя, подложки окисляются, а />81 — устойчивы к окислению. Имплантация В" блокирует процесс окисления. Исследован процесс аморфизации кремния, подвергнутого облучению ионами водорода. Найдено, что степень аморфизации уменьшается с глубиной.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 99-03-32503 и 00-15-96575).
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СИСТЕМ РЕ-Х (Х=С, Б!, Се, А1. Р)
И.Н.ШАБАНОВА. В.И.КОРМИЛЕЦ. Н.С.ТЕРЕБОВА Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
Для стехиометрических соединений РеБк РеОе. РеБп, РеА1. РеР. а также Ре^С. Ре-^ сняты рентгеноэлектронные спектры валентных полос и выполнены расчеты их электронной структуры первопринципным полнопотенциальным методом линейных тийп-йп орбиталей.(ТВ-ЬМТО, ТВ-ЬМТО-АБА) Получено хорошее согласие рассчитанной кривой плотности состояний с РЭС спектром по тонкой структуре спектров. Сравнение экспериментальных спектров с расчетом показывает, что при изменении второго элемента по группе гибридизация с!(Ре) и р(Х) максимальна для сплава РеЯ1 и уменьшается как с ростом радиуса атома второго компонента, так и с его уменьшением. В случае изменения второго компонента по ряду, уменьшение гибридизации с1(Ре) и р(Х)-
' ) 1 * I .' '
плотности состояний связано с увеличением числа /»-электронов второго компонента.
РАСЧЕТ ПОЛНЫХ ПЛОТНОСТЕЙ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ И ОЦЕНКА ПО НИМ ШИРИН ЗАПРЕЩЕННЫХ ПОЛОС В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ СиСА(8Х5Е1-Х)2
А.А.ЛАВРЕНТЬЕВ, Б.В. ГАБРЕЛЬЯН, В.А. ДУБЕЙКО, И.Я. НИКИФОРОВ
ДГТУ, Ростов-на-Дону
Используя кластерную версию метода локального когерентного потенциала, в рамках теории полного многократного рассеяния рассчитаны локальные парциальные плотности электронных состояний и по ним полные плотности состояний для халькопиритной модификации твердых растворов СиСа(5х8е|.х)2 (х=0.0; 0,17; 0.33; 0.50; 0.67; 0.83; 1.0) в приближении виртуального кристалла. Параметры кристаллической решетки исследованных халькопиритных твердых растворов рассчитывались по теории Джэфа и Зангера [1] с использованием тетраэдрических радиусов Полинга.
ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ ТОМ 2, № 2
229
