CC BY
6
KPAIKUt иииЬЩЬНИИ IIU ДиКЛАДАМ AVIII ПНУЧпии mrvu/iDi-^tmKinnrn
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. R.P. Winarski, D.L. Ederer, J.-C. Pivin, E.Z. Kurmaev. S.N. Shamin. A. Moewes, G.S Chang. C.N. Whang, K. Endo. Т. Ida. Nucl. Instrum. Methods. В 145 (1998) 401.
2. G.S. Chang, K.H. Chae. С N. Whang, E.Z Kurmaev, DA Zatsepin, R.P Winarski, D.L. Ederer, A. Moewes, Y.P. Lee, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 522.
3. E.Z Kurmaev and V.R. Galakhov, A.Moewes, S. Shimada and K. Endo' S.S. Turner, P. Day. R.N. Lyubovskaya, D.L. Ederer. M. Iwami (submitted to Phys. Rev B).
4. E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin. V.R. Galakhov, A. Moewes, S. Shimada, K. Endo, H.E, Katz, M. Bach and M. Neumann, D.L. Ederer, M. Iwami (to be published).
E.Z Kurmaev, V R. Cralakhov , S Shimada, K. Endo, S. Stadler, D.L. Ederer. A. Moewes. H. Schuerman, M. Neumann, S. Tomiyoshi, N.Azuma, M. Iwami (submitted to Phys. Rev, B).
РЕНТГЕНОВСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
В. Р. ГАЛАХОВ. С. Н. ШАМИН, Э. 3. КУРМАЕВ Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
Интерфейсы на основе кремния являются основой современной микроэлектроники. Трудность исследования границ раздела фаз находятся внутри материала и, следовательно, недоступны для исследования прямыми структурными методами. Вариация энергии возбуждающих электронов в сочетании с высоким энергетическим и пространственным разрешением делают рентгеновскую спектроскопию перспективным методом исследования химической связи, электронной структуры и фазовых реакций в так называемых «скрытых слоях».
В данной работе представлены результаты исследования гетерофазных систем на основе кремния — Hf/Si, Ir/Si, Fe/Si, C0/SÍO2/SÍ, (Fe,Co)/Si, SÍO2/SÍ, а также медных интерфейсов Cu/CuO, подвергнутых облучению электронами и ионами высоких энергий, нагреванию.
Для систем Hf/Si установлены температуры образования фаз HfSi и HfSi2: при 700°С формируется фаза HfSi, а при 780°С — HfSi2 Для пленок Ir/Si, отожженных при 675°С, определен профиль распределения фаз по глубине.
Исследовано влияние толщины скрытого слоя SÍO2 и температуры отжига на формирование фазы CoSi2 в системе Co/Si02/Si. Фаза CoSi2 образуется при температуре, превышающей 900°С Толщина барьерного слоя Si02 критична для образования CoSi2: более толстый слой Si02 препятствует образованию фазы CoSi2.Увеличение времени нагрева от 10 до 45 с способствует образованию фазы CoSi2 в случае толстого барьерного слоя Si02 (10 нм).
Установлено, что формирование фаз в системе (Fe,Co)/Si зависит от порядка имплантации Fe+ и Со+: если первым имплантирован кобальт, то формируется фаза CoSi2, если железо — то FeSi2. Рассмотрено влияние отжига при температурах до 1000°С на фазовый состав слоев.
МЕЭОСКОПИЯ ТОМ 2, Hi 2
Для пленок Б^Ы, сформированных имплантацией ионами азота 5-200 кэВ, найдено, что образование фазы 81зМ4 происходит даже при комнатной температуре. Последующий отжиг при 1100°С не влияет на образование фазы в облученных пленках.
На основе исследования систем БЮг^ и пористого кремния установлено, что тип 51-подложки критичен для формирования оксидного слоя, подложки окисляются, а />81 — устойчивы к окислению. Имплантация В" блокирует процесс окисления. Исследован процесс аморфизации кремния, подвергнутого облучению ионами водорода. Найдено, что степень аморфизации уменьшается с глубиной.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 99-03-32503 и 00-15-96575).
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СИСТЕМ РЕ-Х (Х=С, Б!, Се, А1. Р)
И.Н.ШАБАНОВА. В.И.КОРМИЛЕЦ. Н.С.ТЕРЕБОВА Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск
Для стехиометрических соединений РеБк РеОе. РеБп, РеА1. РеР. а также Ре^С. Ре-^ сняты рентгеноэлектронные спектры валентных полос и выполнены расчеты их электронной структуры первопринципным полнопотенциальным методом линейных тийп-йп орбиталей.(ТВ-ЬМТО, ТВ-ЬМТО-АБА) Получено хорошее согласие рассчитанной кривой плотности состояний с РЭС спектром по тонкой структуре спектров. Сравнение экспериментальных спектров с расчетом показывает, что при изменении второго элемента по группе гибридизация с!(Ре) и р(Х) максимальна для сплава РеЯ1 и уменьшается как с ростом радиуса атома второго компонента, так и с его уменьшением. В случае изменения второго компонента по ряду, уменьшение гибридизации с1(Ре) и р(Х)-
' ) 1 * I .' '
плотности состояний связано с увеличением числа /»-электронов второго компонента.
РАСЧЕТ ПОЛНЫХ ПЛОТНОСТЕЙ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ И ОЦЕНКА ПО НИМ ШИРИН ЗАПРЕЩЕННЫХ ПОЛОС В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ СиСА(8Х5Е1-Х)2
А.А.ЛАВРЕНТЬЕВ, Б.В. ГАБРЕЛЬЯН, В.А. ДУБЕЙКО, И.Я. НИКИФОРОВ
ДГТУ, Ростов-на-Дону
Используя кластерную версию метода локального когерентного потенциала, в рамках теории полного многократного рассеяния рассчитаны локальные парциальные плотности электронных состояний и по ним полные плотности состояний для халькопиритной модификации твердых растворов СиСа(5х8е|.х)2 (х=0.0; 0,17; 0.33; 0.50; 0.67; 0.83; 1.0) в приближении виртуального кристалла. Параметры кристаллической решетки исследованных халькопиритных твердых растворов рассчитывались по теории Джэфа и Зангера [1] с использованием тетраэдрических радиусов Полинга.
ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ ТОМ 2, № 2
229
