CC BY
7
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА
использовать их для идентификации состояний «пустых» атомов. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.T.A. Carlson and М О. Krause, Phys. Rev 137. AI655 (1965).
2. A.G. Kochur. V.L. Sukhorukov. ID. Petrov and Ph.V Demekhm. J. Phys B: At Mol. Opt. Phys, 28, 387 (1995).
РЕНТГЕНОВСКИЕ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ СПЕКТРЫ НОВЫХ ОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
Э.З. КУРМАЕВ
Институт физики металлов УрО РАН. Екатеринбург
Представлены результаты измерений рентгеновских флуоресцентных спектров новых органических материалов (облученных полимеров, органических полупроводников, проводников и сверхпроводников, органических магнетиков и биоматериалов), выполненных на источнике синхротронного излучения (AI S) в Берклневской Национальной Лаборатории (LBNL, Berkeley) Получены следующие результаты:
1 Обнаружена деградация полиамидных (PI) пленок, облученных ионами аргона и азота, начиная с дозы 1x1014 ион/см2, с образованием проводящего C:N:0 амофного состояния
[I].
2 Установлено, что усиление адгезии в пленочной многослойной структу ре типа Cu/Al/PI.
вызванное ионно-пучковым воздействием, обусловлено образованием буферного C11AI2O4 слоя [2].
3. Рентгеновские флуоресцетные спектры молекуляргных сверхпроволпиков (ЕТ)4ре(С204)з*СбН5СЫ«Нз0+ (Тс=8.5 К) и (ЕТ)4Сг(С204)з-СбН5С\'-Нз0> (Тс~6 К) и молекулярного проводника (ET)4Fe(C204)3,CsH5N*H30" содержащих парамагнитные Зё-ионы показывают аномально высокое отношение интенсивностей I(L2)/1(L3). которое в 2.8-3.1 раз выше, чем в чистых металлах [3].
4. Рентгеновские С Ка-эмиссионные спектры органических полупроводников poly[3-hexylthiophene (РЗНТ) и a.co-dihexylquaterthiophene (DHa4T)] обнаружены идентичными, что свидетельствует о том, что электронная структура л-систем не подвержена влиянию алкилных (alkyl) групп. Установлено, что отношение пиков Си L2/C11 L3 во фталоцианинах [copper phtalocyanine (CuPc) и copper hexadecafluorophtalocyanine (Fi6CuPc)J в 2 раза меньше, чем в чистом металле, что указывает на сильную ковалентность [4].
5. Сопоставление рентгеновских эмиссионных и фотоэлектронных спектров органического магнетика [2,4,6-triphenylverdazyl (TPV)] показывает, что межцепочечные взаимодействия слабые и электронная структура этого соединения имеет квази-одномерный характер [5].
ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ ТОМ 2, № 2
227
KPAIKUt иииЬЩЬНИИ IIU ДиКЛАДАМ AVIII ПНУЧпии mrvu/iDi-^tmKinnrn
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. R.P. Winarski, D.L. Ederer, J.-C. Pivin, E.Z. Kurmaev. S.N. Shamin. A. Moewes, G.S Chang. C.N. Whang, K. Endo. Т. Ida. Nucl. Instrum. Methods. В 145 (1998) 401.
2. G.S. Chang, K.H. Chae. С N. Whang, E.Z Kurmaev, DA Zatsepin, R.P Winarski, D.L. Ederer, A. Moewes, Y.P. Lee, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 522.
3. E.Z Kurmaev and V.R. Galakhov, A.Moewes, S. Shimada and K. Endo' S.S. Turner, P. Day. R.N. Lyubovskaya, D.L. Ederer. M. Iwami (submitted to Phys. Rev B).
4. E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin. V.R. Galakhov, A. Moewes, S. Shimada, K. Endo, H.E, Katz, M. Bach and M. Neumann, D.L. Ederer, M. Iwami (to be published).
E.Z Kurmaev, V R. Cralakhov , S Shimada, K. Endo, S. Stadler, D.L. Ederer. A. Moewes. H. Schuerman, M. Neumann, S. Tomiyoshi, N.Azuma, M. Iwami (submitted to Phys. Rev, B).
РЕНТГЕНОВСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА ТВЕРДЫХ ТЕЛ
В. Р. ГАЛАХОВ. С. Н. ШАМИН, Э. 3. КУРМАЕВ Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
Интерфейсы на основе кремния являются основой современной микроэлектроники. Трудность исследования границ раздела фаз находятся внутри материала и, следовательно, недоступны для исследования прямыми структурными методами. Вариация энергии возбуждающих электронов в сочетании с высоким энергетическим и пространственным разрешением делают рентгеновскую спектроскопию перспективным методом исследования химической связи, электронной структуры и фазовых реакций в так называемых «скрытых слоях».
В данной работе представлены результаты исследования гетерофазных систем на основе кремния — Hf/Si, Ir/Si, Fe/Si, C0/SÍO2/SÍ, (Fe,Co)/Si, SÍO2/SÍ, а также медных интерфейсов Cu/CuO, подвергнутых облучению электронами и ионами высоких энергий, нагреванию.
Для систем Hf/Si установлены температуры образования фаз HfSi и HfSi2: при 700°С формируется фаза HfSi, а при 780°С — HfSi2 Для пленок Ir/Si, отожженных при 675°С, определен профиль распределения фаз по глубине.
Исследовано влияние толщины скрытого слоя SÍO2 и температуры отжига на формирование фазы CoSi2 в системе Co/Si02/Si. Фаза CoSi2 образуется при температуре, превышающей 900°С Толщина барьерного слоя Si02 критична для образования CoSi2: более толстый слой Si02 препятствует образованию фазы CoSi2.Увеличение времени нагрева от 10 до 45 с способствует образованию фазы CoSi2 в случае толстого барьерного слоя Si02 (10 нм).
Установлено, что формирование фаз в системе (Fe,Co)/Si зависит от порядка имплантации Fe+ и Со+: если первым имплантирован кобальт, то формируется фаза CoSi2, если железо — то FeSi2. Рассмотрено влияние отжига при температурах до 1000°С на фазовый состав слоев.
МЕЭОСКОПИЯ ТОМ 2, Hi 2
