КАСКАДНЫЙ РАСПАД «ПУСТЫХ» АТОМОВ АРГОНА И КРИПТОНА Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА

«Рентгеновские и электронные спектры н химическая связь»

КАСКАДНЫЙ РАСПАД «ПУСТЫХ» АТОМОВ АРГОНА И КРИПТОНА

А. Г. КОЧУР

Ростовский государственный университет путей сообщения, Ростов-на-Дону agk@eo.ru

Создание внутренней вакансии в атоме порождает короткоживущее высоковозбужденное состояние, подверженное распад}'. Каскад последовательных безрадиационных переходов приводит к многократной ионизации атома. Каскады распадов состояний с единственной начальной внутренней вакансией интенсивно изучаются, начиная с шестидесятых годов [1]

Если в начальном состоянии присутствует несколько вакансий в глубоких оболочках, то каскад распадов становится гораздо более сложным, и в результате могут быть достигнуты гораздо большие степени ионизации Так называемые «пустые» атомы с большим количеством внутренних вакансий являются довольно экзотическими объектами, и работы по исследованию динамики их распада очень немногочисленны. Тем не менее, создание источников излучения четвертого поколения дает возможность надеяться на получение таких плотностей потока, которые позволят достичь заметных вероятностей образования подобных состояний.

В настоящей работе рассчитаны выходы ионов аргона и криптона в результате каскадного распада состояний с 2 8 вакансиями в их К- и/или Ь- оболочках.

Расчеты проведены в рамках схемы [2]. Результаты для Кг приведены на рисунке К'2-спектры Аг и Кг имеют двухпиковую структуру, связанную с конкуренцией радиационной и безрадиационной ветвей на первом шаге распада. Распад Ь"п- состояний Аг приводит к образованию почти чистых состояний Агчт с ц = п+4. Ь'п -зарядовые спектры Кг имеют структуру, зависящую от распределения вакансий между У- и Ьгз- оболочками (см рис.). Несмотря на это, перекрывание спектров выхода ионов даже для соседних п незначительно, что, возможно, позволит

0.2

*

X ол

Л

3 •«

о

£ ОЛ

I©

° 0.0

¡5 о.«

о

О 04 X

С 02

О

0.0

04

0.2 ОЛ

--Г—г- К 3 0 ■■ Ы 9 , т —г -Т-«- -Т ' г % ° • " ° о 15 ° 'ь 0 - ° ° о Г ---1-■-1--— о к' : о-к ' - Оч л

- I : V - 1 1 • | • | /°Д !а си 1 • . Л д * /9 , , ,—.— 0 с А--Ц-5

1 — °Л\ ' Т • 1 '—Г-т— —ч,' »-.V : А- 1. 5| ' 1 и

? - 1* 0 -»—Г-' 1 » Т - Т ' 1 ■ 1 Т ■ 1 ' | » -0 I * ОД*' ■ К\ ■ ц V ¿1 \у : Т ' 1 ' 1 --1 « » О ♦ ■ 1 ♦ ■

6 В 10 12 Заряд иона

14 1« 1« 20

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА

использовать их для идентификации состояний «пустых» атомов. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.T.A. Carlson and М О. Krause, Phys. Rev 137. AI655 (1965).

2. A.G. Kochur. V.L. Sukhorukov. ID. Petrov and Ph.V Demekhm. J. Phys B: At Mol. Opt. Phys, 28, 387 (1995).

РЕНТГЕНОВСКИЕ ФЛУОРЕСЦЕНТНЫЕ СПЕКТРЫ НОВЫХ ОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

Э.З. КУРМАЕВ

Институт физики металлов УрО РАН. Екатеринбург

Представлены результаты измерений рентгеновских флуоресцентных спектров новых органических материалов (облученных полимеров, органических полупроводников, проводников и сверхпроводников, органических магнетиков и биоматериалов), выполненных на источнике синхротронного излучения (AI S) в Берклневской Национальной Лаборатории (LBNL, Berkeley) Получены следующие результаты:

1 Обнаружена деградация полиамидных (PI) пленок, облученных ионами аргона и азота, начиная с дозы 1x1014 ион/см2, с образованием проводящего C:N:0 амофного состояния

[I].

2 Установлено, что усиление адгезии в пленочной многослойной структу ре типа Cu/Al/PI.

вызванное ионно-пучковым воздействием, обусловлено образованием буферного C11AI2O4 слоя [2].

3. Рентгеновские флуоресцетные спектры молекуляргных сверхпроволпиков (ЕТ)4ре(С204)з*СбН5СЫ«Нз0+ (Тс=8.5 К) и (ЕТ)4Сг(С204)з-СбН5С\'-Нз0> (Тс~6 К) и молекулярного проводника (ET)4Fe(C204)3,CsH5N*H30" содержащих парамагнитные Зё-ионы показывают аномально высокое отношение интенсивностей I(L2)/1(L3). которое в 2.8-3.1 раз выше, чем в чистых металлах [3].

4. Рентгеновские С Ка-эмиссионные спектры органических полупроводников poly[3-hexylthiophene (РЗНТ) и a.co-dihexylquaterthiophene (DHa4T)] обнаружены идентичными, что свидетельствует о том, что электронная структура л-систем не подвержена влиянию алкилных (alkyl) групп. Установлено, что отношение пиков Си L2/C11 L3 во фталоцианинах [copper phtalocyanine (CuPc) и copper hexadecafluorophtalocyanine (Fi6CuPc)J в 2 раза меньше, чем в чистом металле, что указывает на сильную ковалентность [4].

5. Сопоставление рентгеновских эмиссионных и фотоэлектронных спектров органического магнетика [2,4,6-triphenylverdazyl (TPV)] показывает, что межцепочечные взаимодействия слабые и электронная структура этого соединения имеет квази-одномерный характер [5].

ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ ТОМ 2, № 2

227