ИСПРАВЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ НА ШИРИНУ ВОЗБУЖДАЮЩЕЙ ЛИНИИ И АППАРАТУРНОЕ РАЗМЫТИЕ Текст научной статьи по специальности «Физика»

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА

Рассчитанные параметры кристаллической решетки в твердых растворах CuGa(S4Se,. х)г примерно на 0.1 À превышают литературные экспериментальные данные Проведенная оценка ширины запрещенных полос Eg по рассчитанным полным плотностям электронных состояний показывает линейную зависимость Eg от концентрации х серы н атомной подрешетке, что соответствует экспериментальной зависимости Eg(x) [2]. но сами величины Eg в расчете получились примерно на 0.5eV меньше экспериментальных. Для объяснения этого результата нами была предпринята попытка в виде теста рассчитать плотности электронных состояний в концевом соединении CuGaS2, но с параметрами кристаллической решетки другого концевого соединения CuGaSei. В результате такою тестового расчета оказалось, что форма рассчитанных локальных парциальных плотностей состояний (а также полной плотности состояний) в тестовом CuGaS2 идентична соответствующим кривым, полученным с обычными параметрами кристаллической решетки для CuGaS2, однако ширина запрещенной полосы Eg в тестовом CuGaS2 практически совпадает с Eg для CuGaSe2. Из данного тестового расчета следует, что помимо резонансного взаимодействия d-состояний Си и р-состояний аниона (S или Se) [3] важную роль в формировании ширины запрещенной полосы в соединениях типа AIBI1IC2VI играют величины параметров кристаллической решетки, а именно, с их увеличением величина Eg уменьшается.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1 Jaffe J.E., Zunger A, Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors.

/^Phys.Rev.B. - 1984. -29. 4. - P. 1822-1906.

2 Боднарь И. В.. Ворошилов Ю.В.. Лукомский А. И. Получение и ширина запрещенной

полосы твердых растворов системы CuGaS2 - CuGaSe2 // Неорганические материалы. -1977. - 13, 5.-С.921-922. 3. Domashevskaya Е.Р , Terekhov V.A. d-s,p Resonance and Electronic Structure of

Compounds. Alloys and Solid Solutions. // Phys.stat.sol.(b). - 1981. - 105, 2. -P. 121-127.

ИСПРАВЛЕНИЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ НА ШИРИНУ ВОЗБУЖДАЮЩЕЙ ЛИНИИ И АППАРАТУРНОЕ РАЗМЫТИЕ

Ю.А. БАБАНОВ1, И.Ю. КАМЕНСКИЙ1, А.В. РЯЖКИН1, В.И. ПОВСТУГАР2. С. С. МИХАЙЛОВА2

'-Институт Физики Металлов. Екатеринбург '-Физико-технический институт УрО РАН, Ижевск

Обсуждается проблема исправления рентгеновских фотоэлектронных спектров на ширину возбуждающей линии и аппаратное уширение. Искажения из-за этих эффектов часто весьма существенны. Предложен метод, который позволяет исправлять экспериментальный спектр на уширяющие линии.

Регистрируемый сигнал с истинным спектром связаны интегральным уравнением Фрейдгольма рода. Требуется решить обратную задачу. Данная задача является плохо

m

т^тшттятш жжттю том гт г

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЬМИНАРА

обусловленной. Решение в результате этого неустойчиво и существует бесконечное множество решении. Г1ре;шагается специальный алгоритм, основанный на регуляри-зационном методе.

Так как аппаратурное уширение. как правило, не известно, для его определения решается обратная задача для эталонного спектра. В данной работе использовапся К-сиектр фтора. Составляющие эталонного спектра, кроме аппаратурной кривой, известны. Спектры эталонного и исследуемого вещества снимаются в одинаковых условиях. Определив параметры функции Гаусса, описывающей аппаратурное уширение. можно решить задачу по исправлению на ширину возбуждающей Kai 2- линии, параметры которой берутся из таблиц, и аппаратурное уширение. чго делает спектр более контрастным Приведены результаты обработки экспериментальных данных.

РЕНТГЕНОВСКАЯ ЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ С РАЗРЕШЕНИЕМ ПО ГЛУБИНЕ

А. С. ШУЛАКОВ

НИИ физики Санкт-Петербургского государственного университета.

Санкт-Петербург

В докладе рассмотрены вопросы, езязанные с глубиной генерации и выхода характеристического рентгеновского излучения, возбуждаемого электронным ударом. Найдены способы теоретического описания зависимости глубины формирования излучения от энергии первичных электронов для двухслойных и многослойных структур, позволяющие организовать количественное изучение распределений химического и фазового состава по глубине. Приводятся результаты теоретического и экспериментального исследований ряда модельных и натуральных систем. Показано, что с помощью

\ i

простых приемов можно обеспечить высокую поверхностную чувствительность рентгеновской эмиссионной спектроскопии, сравнимую с поверхностной чувствительностью фотоэмиссионной спектроскопии.

РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ДИФРАКЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ РАЗДЕЛА ТИТАН-ГАЗ: эксперимент и теория

М.В. КУЗНЕЦОВ, Е.В. ШАЛАЕВА. H.H. МЕДВЕДЕВА, А.Л. ИВАНОВСКИЙ

Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) является сегодня одним из наиболее универсальных методов изучения поверхности и процессов, протекающих на поверхности твердых тел. К достоинствам РФЭС относят, в частности, чувствительность данного метода к поверхности, возможность качественного и количественного анализа практически всех элементов периодической таблицы, информативность в установлении

ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ ТОМ 2, № 2

23!