CC BY
11СПЕЦИФИКА СПЕКТРОВ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ZnSO С ДЕФЕКТАМИ УПАКОВКИ
Морозова Н.К.
Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт
SPECIFICITY OF CATHODOLUMINESCENCE SPECTRA ZnS • O WITH STACKING FAULTS
Morozova N.
National Research University "Moscow Power Engineering Institute " Moscow, Russia
АННОТАЦИЯ
Исследованы оптические свойства ZnS-O c целью получения данных о природе экситонных полос, которые связаны с сегрегациями кислорода в объеме кристаллов. Приведены результаты изучения спектров катодо люминесценции (КЛ), поглощения (отражения), импульсной КЛ при 80-300К и разных интен-сивностях возбуждения от фото возбуждения до 1026 см-3 • с-1. На основании представленных анализов по определению концентрации кислорода в исследуемых образцах и c позиций теории антипересекающихся зон (bandanticrossingtheory) установлена зависимость экситонных спектров от структурных особенностей ZnS-O. Данные могут быть интересны для создания квантовых структур, использующих нелинейные оптические явления при комнатной температуре и высокой интенсивности возбуждения.
ABSTRACT
The optical properties of ZnS • O were researched with the aim of obtaining data on the nature of the exciton bands which are connected with oxygen segregation in the bulk of the crystals. The results of studying the spectra of cathodoluminescence (CL), absorption (reflection), pulsed CL at 80-300 K and various excitation intensities from photo excitation to 1026 cm - 3 s - 1 are presented. Based on the presented analyzes to determine the oxygen concentration in the studied samples and in the context of the bandanticrossing theory, the dependence of the exciton spectra on the structural features of ZnS • O is established. The data may be of interest for creating quantum structures using nonlinear optical phenomena at room temperature and high excitation intensity.
Ключевые слова: сфалерит, дефекты упаковки, свободный А-экситон (FE), зонная модель ZnS-O, теория антипересекающихся зон.
Keywords: sphalerite, stacking faults, free A-exciton (FE), band model ZnS • O, bandanticrossing theory.
1. Введение
Оптические свойства ZnS, содержащего растворенный кислород, рассмотрены в свете современных воззрений. Вопрос о присутствии и роли кислорода дискутировался десятки лет [1-28]. Это обусловлено сложностью выявления кислорода в кристаллах, а также отсутствия до последнего десятилетия теории, описывающей роль этой изоэлек-тронной примеси в соединениях А2В6. Недостаточно надежна и противоречива в литературе интерпретация отдельных полос спектров как экситонных, так и самоактивированного свечения.
В работе на основании многоплановых исследований дается обобщение имеющихся и новых данных по спектрам катодолюминесценции (КЛ), поглощения (отражения), импульсной КЛ и структурным особенностям этих кристаллов.
Анализ результатов проведен на основании теории антипересекающихся зон (ВАС) с привлечением уточненной зонной модели ZnS•O. В общем контексте рассмотрены экситонные спектры импульсной катодолюминесценции (ИКЛ), которые представляются перспективными для изучения реальных свойств материалов в объеме кристаллов.
2. Методика эксперимента
Методика исследования спектров катодолюминесценции (КЛ) при 77-400 К, интенсивности возбуждения 1022 см-3 • с-1 и глубине проникновения пучка ~ (0.5-1) мкм описана в работах [2-4,
28], как и методика съемки спектров поглощения, отражения при 77-300К. Исследование импульсной катодолюминесценции (ИКЛ) осуществлялось в Томском политехническом университете по методике [27]. Использованы разработки методики газо-хроматографического (ХГХ) и рентгеноструктур-ного анализов для определения концентрации растворенного кислорода в ZnS [23, 2], Кроме того, для сравнения концентрация кислорода [0]общ оценивалась по результатам нейтронно-активаци-онного анализа [22].
Исследование влияния эффективного легирования кислородом проводилось на поликристаллических мелкодисперсных образцах, отожже-ных в ампулах при избытке цинка с закалкой и обработке для удаления оксида [28,2]. Использовались также поликристаллические осо-бочистые конденсаты, полученные химическим газофазным осаждением -СУЭ-конденсаты [4,16] и мнокристаллы, выращенные гидротермальным методом и из расплава [2,14].
3. Результаты эксперимента и их обсуждение
Расмотрим наиболее нетривиальные результаты.
Эксперимент проводился на образцах сульфида цинка ZnS•Zn кубической и гексагональной модификаций. Спектры катодолюминесценции
подтверждены измерениями фотоотражения и поглощения 2^, сильно легированного кислородом [2]. Аналогичные данные в 60-е годы послужили основанием для дискуссии о величине ширины запрещенной зоны и природе полос оптических спек-
тров самоактивированного 2^, а отсутствие теоретических разработок не позволило в свое время понять результаты
На рис. 1 приведены спектры катодолюминес-ценции (КЛ) 2^, соответствующие образцам сфалерита (5) и вюрцита (\у).
Рис.1. Экситонные спектры КЛ-М1 порошков ZnS(O) вюрцита (я) и сфалерита (•). Температурная зависимость при постоянной концентрации кислорода: 0,8^) и 1,0 (••) мол % и концентрационная зависимость при 300 К - кривые 2 - 5. Содержание кислорода: (1) - 0,1(•), 0,06(w); (2) -0,3^), 0,4 (w); (3) - 0,5•), 0^); (4) - 0,8^), 1^); (5) - 1,0^), 1,25(w) мол % О]. Указаны длины волн максимумов полос в нм.
Спектры КЛ получены при глубине информационного слоя ~ 0.3 мкм по методике М1[28]. Показана динамика изменения спектров с температурой. При низких температурах (80 К) наблюдается наложение краевого свечения на область экситон-ного спектра. После загасания интенсивного краевого свечения с повышением температуры >200 К выделяются две полосы: коротковолновая (КВ) и длинноволновая (ДВ), положение и относительная интенсивность которых зависят от концентрации кислорода [Оз]. Это видно из представленной на рис.1 зависимости интенсивности и спектрального положения этих полос от концентрации кислорода при 300 К. Судя по спектрам, спектральное поло-
жение КВ полосы незначительно отличается от известного положения полосы свободного Л-экси-тона (РЕ наиболее чистого по кислороду 2^^).
Аналогичные результаты получены и на порошках вюрцита (рис. 1).
Так, при увеличении концентрации кислорода [Оэ] > 0.15 мол% в КЛ в обоих случаях усиливается вторая ДВ полоса. смещенная от КВ примерно на 60 и 80 мэВ для сфалерита и вюрцита соответственно (рис 1). При [Оз] <0.1 мол% эта ДВ полоса ослабляется в большей степени, чем КВ, и не регистрируется.
В видимой области спектра при низком уровне фотовозбуждения преобладает синяя 8Л -полоса при ~ 440-445 нм, а экситонные полосы не регистрируются.
На рис. 2 приведены энергии максимумов обеих полос сфалерита и вюрцита в зависимости от концентрации кислорода. Наблюдается практически линейное длинноволновое смещение КВ и ДВ полос, определяющее уменьшение ширины запрещенной зоны. Диапазон [Оэ], как видно, ограничен предельной растворимостью кислорода в 2^, которая для сфалерита при избытке цинка и температуре фазового перехода ~ (1020-1040) С составляет ~ 1.3 мол% [2,24]. Величина смещения для сфалерита определена как 75 мэВ на 1 мол% [СЬ|.
ЕлВ
3,70 3,68 3,66 3-64 3,62 3,60 л 58 3,56
г,54
3,52
"ЗЗбнм О)
» КВ
1340нм
j 00К(з} 350 нм"
..... ■ ■ .....
При [Оэ] ^ 0 КВ полоса сфалерита смещается в известное положение полосы свободного ^4-экситона (ЕЕ) 2п8(?) - 336.18 нм (3.688 эВ) при 300 К [8,2].
Для вюрцита величина смещения экситонной КВ полосы с концентрацией кислорода, т.е. уменьшение ширины запрещенной зоны составляет 90 мэВ на 1 мол% [Ов]. Смещение ДВ полосы КЛ мы наблюдали до 356 нм (300 К), т.е [Оэ] ~ 1.8 мол%. Это согласуется с большей предельной растворимостью кислорода в вюрците ~2 мол% [2].
0 0.2
!.0 12
рд \2 1.5
1051. мол%
0.4 0,6 0.«
Рис. 2. Смещение КВ и ДВ экситонных полос КЛ сфалерита (а) и вюрцита (Ь) в зависимости от концентрации кислорода [Оз] при температуре 300 Е
При [Оэ] ^ 0 КВ полоса вюрцита занимает положение полосы ^4-экситона вюрцита т. е. 330 нм (3.757 эВ) при 300 [2,5]. Расстояние между КВ и ДВ полосами составляет ~ 80мэВ, причем это расстояние может несколько увеличиваться при введении максимальных концентраций кислорода в образцы.
Присутствие второй ДВ экситонной полосы в спектре 2пЭ нетривиально. Между тем такой ДВ сателлит А-экситона отмечается во многих работах, посвященных люминесценции 2^. В работах, в частности [10,11,17,19,28], эта полоса приписывалась 11 - связанному ВЕ (локализованному) экси-тону [5] на акцепторных центрах ЭА свечения. При этом было известно, что наблюдаемая 11 полоса присутствует при 300К, имеет ширину такую же, как ЕЕ, и не насыщается при увеличении уровня возбуждения до 1026 см-3с-1, а нелинейно возрас-
тает по интенсивности [2,19,28]. Интерпретация такой особенности спектра 2^ не дана до настоящего времени.
Изменения ширины запрещенной зоны и возникновение второго ДВ края поглощения, которые описаны в КЛ, проявляются также в поглощении и отражении 2пЭ. Так, нетривиальное значительное ДВ смещение края абсорбции с [Оэ] мы наблюдали при изучении экситонных спектров монокристаллов сфалерита при 77 К. Спектрограммы, снятые фотографической методикой для гидротермальных монокристаллов 2пЭ(О), приведены ниже. Как видно из (рис.3), можно наблюдать в спектрах одновременно два края абсорбции. Один из них - КВ определяется положением свободного экситона ЕЕ чистого 2пЭ 327 нм на рис. 3, д. Второй край наблюдается как дополнительное поглощение, простирающееся в ДВ сторону, например, в отражении (д) до 333-335 нм. В спектрах поглощения длинноволновый край тех же образцов ярче выражен (б, а).
325 327 330 335 340350
РЕщ Л'
Рис. 3. Спектрограммы (фото) гидротермальных монокристаллов 2пЩ0) при 77 К, характеризующие смещение края абсорбции в поглощении (а - в) и отражении (г, д). Реперы нанесены по спектру Ев.
С увеличением [Оэ] полоса ББ также первоначально испытывает небольшое ДВ смещение (рис. 3, г). Когда смещение значительно до 350нм (а), то экситон, определяющий КВ край, в спектре размыт.
Назовем край, возникающий на спектрограммах при растворении кислорода в сульфиде цинка, "краем дополнительного поглощения" (КДП) по сравнению с краем фундаментального поглощения вблизи 2пЭ. Присутствие в спектрах отражения одновременно ЕEzns и КДПтшю подобно присутствию двух полос КЛ, описанных ранее для порошков 2пЭ(О) (см. рис.1). Величина поглощения тонких полированных пластин монокристаллического 2пЭ(О) в области КДП, измеренная фотометрической методикой, порядка собственного.
Из сравнения спектров поглощения и отражения одного и того же кристалла на спектрограмме,
например, "г" и "а" рис. 3, можно заметить более длинноволновое смещение КДП в поглощении, чем в отражении. Это свидетельствует о неоднородности образцов и повышенной концентрации [Оэ] в объеме. ДВ полоса КЛ порошков аналогична длинноволновому КДП, и, надо полагать, что в обоих случаях выявляются области с повышенной [Оэ] в глубинных слоях.
Существенные длинноволновые сдвиги экси-тонных спектров, как и ширины запрещенной зоны 2пЭЮ на сотни мэВ при увеличении концентрации кислорода, не имевшие ранее объяснения, в настоящее время могут быть рассчитаны на основе теории антипересекающихся зон ВАС [21,28,26].
Рассмотрим наши результаты с привлечением построенной в соответствии с теорией ВАС зонной моделью 2пЭО, уточненной в настоящее время [26] (рис.4).
Рис. 4. Зонная модель ZnS(O) сфалерита при 80 К и [0^ ~1 мол% в свете теории антипересекающихся зон. Смещение краев зон 75 мэВ на 1 мол% 0S. Локализованные кислородные состояния ЕО расположены на 0.16 эВ выше дна зоны проводимости ЕС бескислородного ZnS [26].
Смещение краев подзон ЕС ^ Е- и Е0 ^ Е+ , линейное согласно [28], рассчитано при величине смещения 75 мэВ на 1 мол% кислорода (рис. 2). Ширина запрещенной зоны для "бескислородного" сфалерита при 80 К принята равной 3,833эВ [2,26,28]. Положение кислородного уровня Е0 = 0,16 эВ от Ее известно, как и рекомбинационные уровни кислородных комплексов для 8Л свечения 2п8 по данным [2,8,28].
Согласно приведенной зонной модели 2п8(0), рассмотренное выше существенное ДВ смещение с концентрацией кислорода полос экситонного излучения порошков твердых растворов 2п8Ю (рис. 1) связано с резким опусканием возникающей при введении кислорода 08 подзоны Е-. Экситонные полосы КВ и ДВ, наблюдавшиеся в спектрах, описанных выше (рис.1 и 3) соответствуют переходам из этой подзоны Е- —> Еу 1.
Рассмотрим явления, подобные описанным на рис 1 и обнаруженные также на СУи-2п8 стехио-метрического состава с небольшим избытком 2п. При газостатировании их наблюдалось увеличение концентрации растворенного кислорода [4,16]. Спектры КЛ таких образцов представлены на рис. 5.
При глубине информационного слоя ~ 0.3 мкм [28] они соответствуют приповерхностным слоям зерен, которые по данным многочисленных исследований теряют кислород вследствие эффекта резкого несоответствия свойств 88 и 08 - НМАб эффекта [21.19, 28], Превалирующие в поверхностном слое экситонные полосы 12 2 незначительно смещены в ДВ область от ЕЕ 2п8. Увеличение концентрации кислорода в процессе интенсификации ГС приводит к длинноволновому смещению этих экси-тонных полос на ~ 20 мэВ по сравнению с исходным образцом (кривая 1).
Рис. 5. Спектры КЛ(М1) при 80К, в=1022 см-3 с-1 СУО-2пБ: 1 - исходного, (2 ^ 4) - газостатированых при 1500 атм и температурах 940 ^ 1060°С[104].
Содержание кислорода [0]общ в см-3 дано на рисунке. На вставках: кривой 1 приведен экситонный спектр исходного кристалла при 300 К, а кривая 5 на верхней вставке соответствует экситонному спектру импульсной КЛ при 300 К и в=1024 см-3-с-
1, снятому из объема того же ГС кристалла. На нижней вставке - микрофото участка кристалла после ГС в режиме С0МР0 РЭМ, показаны выделения
1 Они не получают объяснения как переходы из двух под-
зон расщепленной при введении кислорода зоны проводимости, поскольку расстояние между полосами, в частности КЛ ~60 мэВ(з) и 80 мэВ^). Это значительно меньше зазора (Е+ - Е-), который к тому же изменяется для 7п8(0) с концентрацией растворенного кислорода и при [08] = 1мол% превышает 300 мэВ.
2 Обозначение полос 12 и 11 взяты в соответствии первоначальным предположением, что они относятся к связанным ВЕ экситонам на донорных и акцепторных центрах [2], которые наблюдаются при низких температурах. Однако для исследуемых образцов эти полосы с шириной линий такой же, как полосы ЕЕ, присутствуют в КЛ и при 300К (рис.5, вставка к кривой 1).
(1), очищенные участки кристалла, из которых примесь вышла в выделения (2), области нераспавше-гося твердого раствора 2пЭ-О (3).
Зависимость спектрального положения полосы ЕЕ для сфалерита, приведенная на рис. 2, позволяет оценить [Оэ] по величине смещения экси-тонных полос. Величина сдвига экситонных полос на 20 мэВ соответствует концентрации растворенного кислорода в образцах ~5 1019 см-3, что ниже предела растворимости кислорода в сфалерите при температуре газостатирования, но соответствует растворимости его при температуре роста СУС-2пЭ [16]. Примерно такое же общее содержание кислорода [О] общ в образцах дает анализ ХГХ (рис.5).
При этом содержание кислорода по спектру ИКЛ (рис.5, кривая 5), снятому из глубины 150-200 мкм этого же образца на порядок выше и соответствует 2-102°см-3 (смещение полосы от 326,6нм до 341,3нм).
Однако о количестве растворенного кислорода [Оэ] в том же образце можно судить и по ЭА свечению [26]. Действительно, длина волны ЭА свечения определяется зонной структурой кристалла 2пЭ^О (рис. 4), так как положение уровней Е- и Е+ непосредственно связаны с концентрацией [Оэ].
Из рис. 5 видно, что газостатирование дает разное спектральное положение ЗА полосы в зависимости от [Оэ]. Максимум полосы 445нм при минимальной концентрации растворенного кислорода в исходном образце смещается в коротковолновую сторону с увеличением [Оэ]. Возникает ее КВ составляющая (рис. 5, кривая 3). Положение последней в пределах составов, исследуемых нами, достигает 395 нм (рис. 5, кривая 4). Согласно ВАС [21], с увеличением [Оэ] подзона (Е-) опускается, а подзона (Е+) поднимается относительно валентной зоны Ес (рис. 4).
Это объясняет высокоэнергетическое смещение КВ составляющей эА(И) от 410 до 395нм с [Оэ]. Если обратиться к работам [13,26], то можно полагать, что возможно и более высокоэнергетическое положение этой полосы.
Основной причиной усиления эА(И) является увеличение [Оэ]
гда как при большем избытке цинка возрастает вероятность конкурируюших переходов из (E-) на акцепторный уровень кислородных комплексов ESA , что соответствует SA(L) свечению.
Положение полосы SA-Н 400 нм (рис.5) определяет концентрацию [OS] ~2-Ш20см-3 или 1мол % [25,26]. Это согласуется с данными, полученными по спектру ИКЛ, и на порядок выше, чем на поверхности. Экситонная полоса КЛ ZnS-O для такой [OS] и 80 К должна наблюдаться при ~335 нм. Именно это мы и имеем на рис. 5 (кривая 4). Две экситонные полосы, соответствующие разным [OS]— 327,5 нм и 335нм, которые раньше приписывались связанным экситонам ВЕ I1 и I2 , можно рассматривать как соответствующие ДВ и КВ составляющим КЛ порошков.
Разницу в концентрации OS, полученную из одного и того же спектра, следует отнести к неоднородному распределению кислорода, в частности, к образованию скоплений в объеме кристаллов. Изучение состава кристалла в РЭМ не выявляет выделений каких-либо фаз. Очень мелкие единичные выделения наблюдаются (рис. 5), но сравнительно редко в отдельных местах, что не отражает однородность объема кристалла. Тем не менее, видимо, объем определяет повышенное содержание кислорода и такие полосы спектра, как: I1~ 335 нм, SA (H) ~ 400-396 нм, ИКЛ ~ 341,3 нм.
Можно полагать, что в объеме содержание кислорода выше на дефектах упаковки (ДУ) вследствие взаимодействия Os центров, сильно деформирующих решетку, с ДУ. Действительно, в работах [2, 26] показано, что столь же неотъемлемой особенностью сфалерита, как присутствие кислорода, является образование в решетке дефектов упаковки (ДУ). Слоистая неоднородность, наблюдаемая в РЭМ, типична для этих кристаллов [2,26,9,13]. Для растворенного кислорода Os система ДУ в объеме является поддерживающей и распределяющей основой. Чистые слои (на рисунке они светлые в режиме ОЭ) находятся в равновесии с сегрегирующими кислород (темными на фото) слоями. При этом в целом сохраняется единая система монокристалла (рис.6).
при выходе Zni в процессе ГС, то-
Рис.6. Фотографии в РЭМ кристалла сфалерита в режиме СЬ РЭМ - (а) и в режиме сотро РЭМ - (Ь).
При изменении общей [0]общ в ZnS-O система ДУ может гибко реагировать, изменяя количество 0S центров в слоях (в пределах насыщения), а также концентрацию самих ДУ в объеме. При этом следует отметить, что в сфалерит дефекты упаковки вносят элементы гексагональной структуры, в которой растворимость кислорода выше. Характерная для кристаллов полосчатость выявляет в РЭМ неоднородности - два типа слоев, которые, которые и определяют КВ и ДВ составляющие экситонного спектра КЛ.
4. Заключение
В качестве заключения отметим следующее.
1). Дана интерпретация аномалиям в области экситонного спектра ZnS при введении кислорода -это возникновение ДВ края фундаментального поглощения (как и ДВ полосы КЛ) ZnS-O, в частности ~335нм, одновременно со вторым КВ краем, незначительно смещенным по отношению к FE бескислородного ZnS (и КВ полосы КЛ).
2). Показано, что два типа экситонных полос КЛ (или КДП) соответствуют двум типам слоев с разной концентрацией кислорода, находящихся в равновесии в объеме кристалла. Выяснена роль дефектов упаковки в сфалерите, которые в объеме поддерживают равновесие обогащенных кислородом слоев и относительно чистых.
3). Аномальные экситонные полосы не являются ВЕ. Их изменение с интенсивностью возбуждения, температурой, смещение с увеличением концентрации кислорода, как и уменьшение ширины запрещенной зоны ZnS •О, находятся в согласии с теорией антипересекающихся зон (ВАС).
4). Полученные зависимости Eex от [0S] могут быть использованы для прямого определения концентрации растворенного кислорода в сфалерите и вюрците и подтверждают спектральное положение полос экситона FE в бескислородном ZnS.
5). Рассмотрено влияние концентрации растворенного кислорода на структуру SA спектра самоактивированного SA свечения ZnS 445-395нм.
6). Раскрыта перспективность использования методов ИКЛ при высокой интенсивноти возбуждения для выявления реальных объемных свойств материалов с изоэлектронными примесями.
Литература
1. F.A. Kroeger, J.A.M. Dikhoff. J. Electrochem. Soc., 99(4), 144 (1952).
2. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, (1987).
3. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35(1), 25 (2001).
4. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.М. Плотниченко, Э.В. Яшина, Е.М. Гаврищук. ФТП, 38(1), 39 (2004).
5. Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. М. Авена и Д.С. Пренера(М., Мир, 1970).
6. K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, 39(5), 3138 (1989).
7. Н.К Морозова, A.B. Морозов, ИА. Третников, Л.Д. Назарова. ФТП, 28(10), 1699 (1994).
8. Nam Sungun, Rhee Jongkwang, O. Byungsung, Ki-Seon Lee. J. Korean Phys. Soc., 32(2), 156 (1998).
9. Л.Д. Назарова. Aвтореф. канд. дис. (М., МЭИ, 1995).
10. Н.К Морозова, ИА. фрегатов, B.B. Блинов, B.K. Тмарь, BX. Галстян, B^. Зимогорский. ФТП, 33(5), 569 (1999).
11. Н.К Морозова, A.B. Морозов, ИА. Третников. Неорг. матер., 30(6), 731 (1994).
12. МЗ. Фок, Н.П. Голубева. ЖПС, 17(2), 261 (1972).
13. Н.К Морозова, B^. Черный, Т.П. Долуха-нян, ЮА. Пащенко. Изв. вузов. Физика, № 2, 60 (1987).
14. BX. Галстян, Н.К Морозова, B.A. ^зне-цов, A.A Штернберг, B^. Муратова. ^^талло^а-фия. 1979. Т. 25 (4). С. 829 - 835.
15. Н.К Морозова, B^. Зимогорский, A.B. Морозов. Неорг. матер., 29(7), 1014 (1993).
16. Н.К Морозова, ИА. Третников, ЭЛ. Яшина, Е.М. Гаврищук, BX. Плотниченко, BX. Галстян. Неорг.матер., 40(11), 1138 (2004).
17. B.B. Блинов. Aвтореф. канд. дис. (М., МЭИ, 2003).
18. Н.К Морозова, B.B. Блинов, BM. Лисицын, BÄ Олешко, С.Н. Путинцева. Матер. докл. Межд. науч.-техн. сем. „Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2004) с. 223.
19. Мидерос ДА. Дис. канд. физ.-мат. наук. М.: МЭИ, (2008).
20. M. Yoneta, K. Ishino, K. Yoshino. J. Cryst. Crowth., 237-239, 1731 (2002).
21. W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, J.F. Geisz, D.J. Friedman, J.M. Olson, S.R. Kurtz. Phys. Rev. Lett., 82(6), 1221 (1999).
22. E.A. Захаров, KB. Толкачев, Д.Я. Тва-ленко. Неорг. матер., 14(8), 1389 (1978).
23. НА. Яштулов, B^. Зимогорский. Матер. докл. XXX Межд. науч.-техн. сем. „Шумовые и де-градационные процессы в полупроводниковых приборах" (М., МЭИ, 2000) с. 211.
24. E.A. Чечеткина, С.С. Галактионов, A.A. Бундель. Неорг. матер., 14(8), 1393 (1978).
25. Н.К Морозова, B.K Олешко, Н.Д. Даниле-вич, С.С. Bильчинская. Изв Bузов Электроника 93 (1) С.14 (2012).
26. Н.К Морозова, И.Н. Мирошникова, BX. Галстян. ФТП. 53(6). С. 793-798 (2019).
27. BM. Лисицын, B.R Трепанов, B.R Олешко, B.^^ Яковлев. Изв. вузов. Физика, № 11, 5 (1996).
28. Н.К Морозова, ДА.Мидерос, Н.Д. Даниле-вич. Тслород в оптике соединений II-VI в свете теории антипересекающихся зон. (Saarbrücken, Germany, LAP, 2013). http://earchive.tpu.ru/handle/11683/56199
