CC BY
26СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ, ВОЗБУЖДЕНИЯ И ИЗЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ZNS(O) С ДУ В СВЕТЕ ТЕОРИИ АНТИПЕРЕСЕКАЮЩИХСЯ ЗОН
Морозова Н.К.
Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт
ABSORPTION, EXCITATION AND EMISSION SPECTRA OF ZNS (O) CRYSTALS WITH STACKING FAULTS IN THE LIGHT OF BAND ANTICROSSING THEORY
Morozova N.
National Research University "Moscow Power Engineering Institute " Moscow, Russia
АННОТАЦИЯ
Статья завершает цикл работ, посвященных исследованию реальных кристаллов А2В6, на примере ZnS-O, с дефектами упаковки в свете теории антипересекающихся зон (bandanticrossingtheory-ВАС). Статьи опубликованы последовательно в предшествующих номерах 51-54 журнала Sciences of Europe. Настоящая работа дает интерпретацию структуры спектров поглощения, возбуждения и люминесценции самоактивированных кристаллов этих соединений. Определена природа дополнительного поглощения вблизи края фундаментальной абсорбции и узких линий люминесценции в этой области спектра, усиливающихся при больших интенсивностях возбуждения. Описаны переходы, связанные с поглощением и возбуждением SA и SAL центров люминесценции в сложной модели мультизоны кристаллов с дефектами упаковки в свете теории ВАС. Выводы базируются на результатах многосторонних предшествующих исследований автора с сотрудниками и представляют новизну для ряда быстро развивающихся областей материаловедения и физики этих полупроводников.
ABSTRACT
The article concludes a series of works devoted to the study of real crystals А2В6 by the example of ZnS • O and ZnSе • O with stacking faults in the light of bandanticrossingtheory - BAC. The papers have been published sequentially in previous issues 51-54 of Sciences of Europe. The present work provides an interpretation of the structure of the absorption, excitation and luminescence spectra of self-activated crystals of these compounds. The nature of the additional absorption near the edge of fudamental absorption and narrow luminescence lines in this region of the spectrum, amplified at high excitation intensities Transitions associated with the absorption and excitation of SA and SAL luminescence centers in a complex model of the multizone of crystals with stacking faults in the light of the HAC theory are described. The conclusions are based on the results of many-sided previous studies of the author and colleagues and represent novelty in a number of rapidly developing areas of materials science and physics of these semiconductors.
Ключевые слова: мультизона, слои дефектов упаковки, поглощение, кислород содержащие комплексы, связанный экситон, SA и SAL центры.
Keywords: multizone, layers of stacking faults, absorption, oxygen-containing complexes, bond exiton, SA и SAL центры.
1. Введение. С позиций теории антипересекающихся зон неизбежное присутствие изоэлектрон-ной примеси кислорода в решетке ZnS, ZnSе существенно усложняет зонную модель кристалла вблизи к = 0 [1]. Эти эффекты наиболее ярко выражены для ZnS(O), у которого преобладает область гомогенности с избытком цинка и, как следствие, повышенное содержание кислорода. Присутствие ИЭЦ кислорода Os компенсируется возникновением дефектов упаковки (ДУ), энергия образования которых в ZnS уникально мала по сравнению с дру-
гими полупроводниковыми соединениями [2]. Неоднородность состава кристалла, связанная с ДУ, предопределяет описание его с введением мульти-зоны.
2. Анализ зонной модели. На рис. 1 представлена в качестве примера расчетная модель мультизоны для переходов с поглощением на примере сфалерита с дефектами упаковки при содержании кислорода в «чистых» слоях ZnS(O) 0,1 мол% - (а) и в обогащенных кислородом слоях ДУ 1мол% -(б). Центры SAL и SA введены в соответствии с концентрацией растворенного кислорода [Os].
Рис. 1 Оптические переходы с поглощением при 80К для кристаллов 2пБ0 с ДУ в модели мультизоны. Длины волн переходов указаны в нм, энергии уровней в эВ, зазоры Е- ^ Е+ даны в см-1.
Как можно видеть из рисунка 1, положение края поглощения кристалла, содержащего кислород, связано с двумя процессами.
Это, во-первых, фундаментальная абсорбция и экситонное поглощение, которые смещаются в ДВ сторону при введении кислорода в результате уменьшения ширины запрещенной зоны в соответствии с теорией антипересекающихся зон (ВАС). Кроме того, как показано в предшествующих работах [1-6], кислород в ZnS(O) с избытком цинка присутствует в значительной концентрации на ДУ в виде комплексов - SA центров. Процесс возбуждения SA центров свечения обязан переходам ЕЗА^-Е-с поглощением. Наложение его определяет общее увеличение поглощения кристаллом и, в частности, ДВ край дополнительного поглощения (КДП), описанный в работах [1-6], но не получивший интерпретации до настоящего времени.
Присутствие дефектов упаковки приводит к наложению всех видов поглощения в спектрах кристаллов. Возникает широкая спектральная область интенсивного поглощения, простирающегося на сотни мэВ в ДВ сторону по сравнению с краем фундаментальной абсорбции чистого ZnS.
Поскольку величина расщепления зоны проводимости зависит от [Ов], то спектральное положе-
ние соответствующих полос поглощения может меняться. На основе зонных моделей, представленных в [3-8], согласно теории ВАС, и учитывая линейное изменение ширины запрещенной зоны от концентрации растворенного кислорода [Os] [9], можно рассчитать положения всех полос поглощения и излучения, возникающих при возбуждении кристалла.
Это представлено частично в таблице 1 для слоев ДУ, где выделена более ДВ часть спектра. КВ часть спектра чистых слоев, включает при [0s]~0,1 мол% только экситонные полосы сфалерита Аех 327нм и SAL излучение с головной линией 336нм.
При расчете эффектов, представленных в таблице, ширина запрещенной зоны «бескислородного» ZnS (с [0s] <Ы019см-3) принята равной Ес=3,833эВ при 80К, а энергия связи экситона 40мэВ .
В таблице выделены наблюдавшиеся ранее типичные полосы SA свечения, что дополняет результаты эксперимента [4,6] 1. Сопоставление концентрации кислорода, положения полос экситона ВЕду, максимумов типичных SA полос КЛ в пределах насыщаемости кислородом ДУ и соответствующего КДП позволяет отчетливо представить структуру спектра излучения ZnS-0 на ДУ.
1 В таблице приведены также: схема спектра КЛ ZnS-O [4] и фото в РЭМ ДУ (черные), х3000 [3].
Табл. 1.
Детализация спектров поглощения и излучения при 80К на ДУ ZnS•O в зависимости от концентрации
кислорода
мол% ВЕду Изл, нм(эВ) КДП, нм(эВ)
(Е^ Е-) (Е-^-Ем) (Ец*^Е)
Слои дефектов упаковки
(выделены типичные максимумы излучения)
1.0 333 (3.718) 441 (2.808) 343 (3.618)
1.3 335.5 (3.696) 445 (2.786) 344 (3.596)
~2.0 338 (3.665) 450 (2.755) 350 (3.642)
2.5 344 (3.605) 460 (2.695) 354 (3.505)
~3.0 347 (3.568) 466 (2.658) 356 (3.483)
ЙТ" 1| " _ А
I ш
»»»¡»»»пхаши А,ят
Так, расчет положения экситонных полос ВЕду выявил их совпадение с узкими линиями в области «краевого» свечения (см. пример спектра КЛ в твбл.1). При этом отмечалось [4], что линии искаженной серии полос «краевого» свечения с повышением интенсивности возбуждения усиливаются, тогда как серия эквидистантных линий SAL должна загасать. Присутствие в спектрах одновременно различных по положению экситонных полос ВЕду свидетельствует о неоднородности слоев ДУ (см. фото в табл.1). Согласно таблице, минимальная
на ДУ по положению полос ВЕду, соответствует 1мол%. Наблюдавшаяся ранее экситонная полоса 331нм (80К) для 4Н ZnS•O [4] подтверждает это значение2.
Протяженность области поглощения ZnS•O в более ДВ части спектра, чем положение экситонных полос, связано с КДП. Например, типичное для ОУи конденсатов ZnS•O излучение SA с максимумом 445нм соответствует слоям, содержащим кислород в концентрации ^]~1,3 моль %. Поглощение до ~ 340-344нм- КДП определяется структурой SA центра люминесценции [1,2,10,20] и зонными моделями [7-8], построенными в соответствии с теорией ВАС.
Для скоплений Os на ДУ при возникновении характерной полосы КЛ 450нм при концентрации кислорода ~2 моль % КДП сдвигается до 350нм. В
2 Положение Аех для политипа 4Н, чистого ZnS [2], соот-
ветствует 324нм (3.831эВ) при 80К, что при смещении Е, равном 90 мэВ на 1мол% кислорода, определяет Ю8]=1мол% по положению экситонной полосы 331нм.
этом случае возможно полное перекрытие всех компонент спектра поглощения и предпочтительное излучение из наинизшего положения Е- уровня, соответствующего излучению с максимумом 450нм.
Наконец, при распаде твердого раствора ZnSCu(O) значительный избыток кислорода выделяется непосредственно в объеме кристалла [6]. При этом фиксируется повышенная концентрация SA центров на ДУ в смещении КДП и в спектрах КЛ. Действительно, для таких образцов сдвиг КДП достигает 356нм и возникают наиболее ДВ полосы SA свечения, что соответствует [Os] на ДУ 2,5-3 моль %.
КДП поглощения ZnS•O зависит, таким образом, от концентрации SA центров свечения на ДУ. Положение его более ДВ по сравнению с краем фундаментальной абсорбции в слоях ДУ. Это справедливо и для SAL центров в «чистых» слоях, хотя ДВ смещение края поглощения в этом случае незначительно из-за малой
3. Спектры поглощения в области края фундаментальной абсорбции ZnS(О).
Спектры поглощения ZnS(О) приведены на рис. 2-4. На рис. 2 даны спектры поглощения поликристаллических пленок3 толщиной ~0,3 мкм при температуре 300 К. Как видно, при растворении кислорода край фундаментального поглощения
3 На рис. 2 черточками на спектрах отмечены экситонные полосы. Для исследуемого образца они соответствуют (А,В) и С экситонам ZnS гексагональной модификации. Положение А экситона вюрцита: 321нм и ~330нм при 77К и 300К соответственно [10,2].
смещается в ДВ сторону, что прежде всего определяется межзонными переходами Еу^Е- (или Ь).
Увеличение концентрации растворенного кислорода после термообработки в парах цинка по сравнению с исходной пленкой (кривая 1) приводит к резкому росту поглощения (рис. 2, кривая 2) как в области ~300 нм за счет переходов Еу^ Е+ (или Н), так и длинноволновому сдвигу края поглощения, где возникает дополнительная экситонная полоса (или Ь)
331-332 нм (300К).
С позиций теории антипересекающихся зон мы наблюдаем на рис. 2 усиление поглощения, обусловленного Еу^ Е+(-) переходами при увеличении концентрации растворенного кислорода [Оз]. Возникновение этих переходов возможно только в результате инициированного кислородом изменения зонной структуры.
Рис. 2 Спектры поглощения поликристаллических пленок ZnS: напыленной на кварц (1) и прошедшей ам-пульную термообработку в парах Zn для растворения кислорода - (2). Спектры измерены на спектрофотометре Hitachi. Рис.3 Спектры поглощения пластин гидротермальных монокристаллов ZnS-O, измеренные на
СФ-8 при 77К.
Рис. 4 Микрофотограммы спектров поглощения поликристаллических пленок ZnS, отожженных парах Zn (1 и 2). Сняты в жидком азоте на спектрографе ИСП-28.
Аналогичное изменение спектра при 77 К фиксировалось фотографической методикой (рис. 4), которая для пленок, отожженных парах Zn, выявляет максимум в области ~ 300 нм (Е+) и низкоэнергетический сдвиг края (Е-). в области 300-330 нм при 77 К. Увеличение поглощения в слоях с избытком цинка иногда столь резко возрастает, что выделяется в самостоятельную полосу. Последнее позволило предположить в ранних работах его примесную природу [11].
Рис. 3. демонстрирует на различных кристаллах гидротермального сфалерита с интенсивным ЗА свечением смещение края дополнительного поглощения (КДП). Приведены спектры поглощения, полученные на тонких полированных монокристаллических пластинах. Величина поглощения в области края дополнительного поглощения 350нм составляет ~ 102 см-1.
В области смещения края фундаментального поглощения Еу ^ Е-величина поглощения остается ~ 6-104 см-1. Этого следовало ожидать, поскольку число состояний в зоне (подзонах) постоянно [12-14].
Расчет величины коэффициента поглощения в области основных переходов Еу^ Е+ и Еу^ Е- показывает, что даже при учете отражения для разных образцов возможен разброс в пределах порядка. Аналогичные сведения имеются и в литературе [12-
16]. Разброс данных отражает неравномерное распределение кислорода в кристаллах, в частности, в объеме. В данной работе эти особенности получили объяснение с выявлением роли ДУ, которые удерживают повышенное количество кислородосодер-жащих сегрегатов и скоплений в объеме. Помимо этого, на область поглощения Еу^ Е+(-) накладывается поглощение чистых слоев.
4. Спектры возбуждения люминесценции. Селективные полосы поглощения, соответствующие основным переходам Еу^Е+ и Еу^Е-, проявляются при исследовании низкотемпературных спектров фотовозбуждения люминесценции.
На рис. 5 приведены спектры фотовозбуждения люминесценции (ФВЛ) порошков ZnS(О), отожженных при различных давлениях паров цинка [3,1].
В спектрах ФВЛ для свечения ЗА(Ь) ~445 нм, возникающего при переходах из Е- подзоны, на уровень рекомбинации ЗА центра, преобладает интенсивная полоса 335 нм (рис. 5, кривая 3). Согласно таблице 1 она соответствует ВЕду при концентрации кислорода на ДУ ~1,3 мол%, что мы сопоставили переходам Еу^ Е-. Спектральное положение этой полосы ФВЛ зависит от [Оэ]. Типичный сдвиг КДП в спектрах поглощения и отражения этих образцов ~340 нм Еза^Е- подтверждает расчетные данные.
Рис. 5 Спектры возбуждения полос люминесценции порошков ZnS•Zn(О): SA (Ь) 445 нм (кривая 3) и SA(Н) 390 нм (кривые 1,4), а также зеленого свечения ZnSCu(О) 530 нм (кривая 2). Указаны длины волн в нм. Интерпретация уточнена по сравнению с [17].
Для образцов с максимальной [Оз] при незначительном избытке Zn усиливается Н компонента SA свечения 390 нм (Е+^Езл) [4]. В возбуждении Н компоненты ЗА свечения присутствует высокоэнергетический максимум ФВЛ при 300 - 304 нм, сопоставимый с переходами Еу^-Е+. При возбуждении Н компоненты ЗА-свечения он более интенсивный (рис. 5, кривая 1).
В области 320 - 330 нм в спектре ФВЛ регистрируются также слабые минимумы, обусловленные поглощением экситонными состояниями. Кроме того, в возбуждении ЗА(Н) компоненты свечения 390нм выявляются более ДВ максимумы при 333 нм и ~ 353 нм, как, например, на кривой 4 рис. 5.
Они обязаны переходам электронов с уровней Еу и Е за в подзону проводимости Е- и, судя по данным табл.1, соответствуют возбуждению ВЕду и ЗА центров. Эти факты указывают на высокую вероятность заполнения уровней Е+ через Е- .
Следует отметить, что в спектрах отражения таких образцов с повышенной концентрацией растворенного кислорода также наблюдаются эти эффекты: два края "дополнительного поглощения" - первый, при ~333 нм, связанный с ВЕдУ, и второй - более длинноволновый и слабый КДП при -350-353 нм, который в поглощении может полностью перекрывать коротковолновый. Оба края соответствуют полосам ФВЛ (кривая 4, рис. 5).
Спектр возбуждения зеленой люминесценции ~505(530) нм, возникающей в присутствии примеси меди, более сложный. Прежде всего наблюдаются интенсивные полосы ФВЛ, соответствующие переходам Ey^E+, таким же, как в матрице (рис. 5, кривая 2).
Кроме того, всегда обнаруживаются дополнительно две значительно более длинноволновые полосы ФВЛ при ~ 367 и ~ 395 нм. Согласно модели рис. 1 б обе полосы относятся к содержащим медь кислородным скоплениям, в которых присутствуют SAL центры. Так, полоса возбуждения 367 нм определяется переходами в кислородных скоплениях Ey^EcuOs, а полоса 395 нм обязана переходам Esal(cu) ^ EcuOs с участием SALцентров
Уточненная схема ФВЛ зеленого свечения ZnS(Cu) отличается, от интерпретации, предложенной и описанной в [17].
5. Поглощение в полосе прозрачности ZnS и ZnSe.
Полоса прозрачности чистых материалов, в частности A2B6, ограничена с коротковолновой стороны фундаментальным поглощением, а с длинноволновой - многофононным спектром решеточных колебаний, чаще всего 2LO-компонентами [19,20].
Для сфалерита ZnS и ZnSe это диапазоны 0,33 - (14,6 - 15,2) и 0,46 -(20,2 - 22,4) мкм соответственно. При наличии кислорода спектры пропус-
кания обнаруживают не только сдвиг коротковолнового края фундаментального поглощения, но и
общее уменьшение прозрачности в полосе пропускания. Последнее может определяться рассеянием на кислородсодержащих включениях.
3 0,5 1 1,5 2 3 5 9 13 17 19 21 23 25
^ , мкм
Рис. 6 Спектры пропускания ZnSe при 300 К: (а) - СVD ZnSe cразличной концентрацией [O]oбщ, равной 1018-19 (1) и 2-1020 см-3 (2); (б) - конденсат ZnSe, полученный перекристаллизацией через газовую фазу с избытком Zn (1), и теоретическая полоса пропускания ZnSe (2).
На рис.6 показано влияние кислорода (в разных формах его присутствия) на пропускание в полосе прозрачности ZnSe [20, 21]. Видно, что для реальных образцов ZnSe пропускание среднего ИК диапазона спектра заметно ниже теоретического. Очистка образца от кислорода при газостатирова-нии сдвигает край фундаментального поглощения в
КВ сторону почти до "чистого" ZnSe и увеличивает прозрачность в полосе пропускания.
Особый интерес представляет область ИК спектров, где наблюдались селективные полосы поглощения, обязанные растворенному кислороду. Согласно модели антипересекающихся зон, они могут обнаруживать переходы между подзонами зоны проводимости (Е_ —> Е+) (рис. 7 ).
60
ЙК 40
У
5
6
se
£20
с
0
1
0.41 эВ
ЗЗОО см
-1
0000
О 0.1 0.2 О.З
[ОтеЗ 1 мол%
2500 2000 1500 1000 V, см-1
Рис. 7 Спектры пропускания образца ZnTe(О) при 80 К [22] - (а) до и после отжига в парах Zn (1 и 2 соответственно) и схема расщепления с концентрацией [Oтe] зоны проводимости ZnTe(О) - ф). Рис. 8. Спектры пропускания при 300 К образца СVD-ZnS: исходного (1), и газостатированного (2). Толщины образцов ~ 3 мм.
На рис. 7, а представлен спектр пропускания монокристаллического скола ZnTe-О с концентрацией кислорода ~0,04 мол% (1,11019 см-3) по данным [22]. Как видно, проявляется полоса поглощения 0,41 эВ (3300 см-1). Уровень кислорода Оте расположен примерно на 0,4 эВ ниже дна зоны проводимости Ее чистого ZnTe (рис. 7, b), Наблюдаемая полоса поглощения сопоставляется переходам электронов (Е- ^ Е+) (см. рис. 1).
На рис. 8 приведен спектр ИК пропускания для CVD ZnS (кривая 1 ) [20,21]. Наблюдается интенсивная полоса поглощения при 6 мкм. Для перехо-
дов E- — E+ это соответствует величине расщепления зоны проводимости 206 мэВ. В образцах ZnS (сфалерита) такая величина расщепления может определяться присутствием растворенного кислорода в концентрации ~0,3 мол% . Согласно спектральному положению экситонных полос в спектрах катодолюминесценции, концентрация растворенного кислорода в образцах ZnS, действительно, соответствует 0,3 мол%.
После перекристаллизации в процессе газостати-рования селективная полоса поглощения исчезает (рис. 8, кривая 2). В работах [20,23,24] показано, что
газостатирование при 10000С сопровождается перекристаллизацией кристаллов с образованием неоднородных по составу и концентрации кислорода участков, что приводит к размытию полосы.
6. Выводы
1. Обрисован механизм сложной системы поглощения и излучения кристалла А2В6 на примере ZnS-О с учетом взаимодействия Os с дефектами упаковки и собственными точечными дефектами.
2. Неоднородность распределения кислорода в слоях ДУ купируется перекрытием спектров отдельных участков слоев и формированием области сплошного края поглощения и излучения с тенденцией усиления ДВ компонент свечения.
3. Выяснена природа края дополнительного поглощения КДП и возможность проявления полос ВЕду при больших интенсивностях возбуждения в области спектра краевого свечения ZnS.
4. Спектры излучения, поглощения и возбуждения определяют присутствие и количество ИЭЦ, в частности кислорода, в кристаллах.
5. Приведены данные влияния кислорода на ИК пропускание ZnS.
Литература
1. Мидерос Д. А. / Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории антипересекающихся зон: Дис... канд. физ.-мат. наук. М.: МЭИ, 2008.
2. Morozova N.K., Kuznetsov V.A., Fok M.V.// Zinc Sulfide: Preparation and Optical Properties / Moscow: Nauka, 1987
3. Морозова Н.К./ Специфика спектров КЛ ZnS-О с дефектами упаковки // Sciences of Europe. 2020. 1 (51). Р. 37-43.
4. Морозова Н.К. / Собственно-дефектная структура и самоактивированная SA и SAL люминесценции ZnS// Sciences of Europe. 2020. 1 (52). Р. 28-37.
5. Морозова Н.К. / Самоактивированное свечение ZnSе О с дефектами упаковки.// Sciences of Europe. 2020. 1(53). Р. 27-37.
6. Морозова Н.К. / Влияние меди на спектры самоактивированного свечения ZnSe и ZnS.// Sciences of Europe. 2020. 2(54). Р 28-37.
7. N.K. Morozova, I.N. Miroshnikova /Anomalous edge emission from ZnSe heavily doped with oxygen // Semiconductors, 2020. 54 (1). Р.102-104.
8. N.K. Morozova, I.N. Miroshnikova, V.G. Gals-tyan Analysis of the Optical Properties of Plastically Deformed ZnS(O) Using Band-Anticrossing The-ory//Semiconductors, 2019.53 (6).Р. 784-788.
9. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS /
Н. К. Морозова, И. А. Каретников, Н.Д. Дани-левич, В.М. Лисицын, В.И. Олешко // ФТП. 2005. 39 (5). С. 513 - 520.
10. Авен М., Пренер Д.С. Физика и химия соединений А2В6: пер. сангл./ под. ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970.
11. Шалимова К. В. / Фотолюминесценция сублимат-фосфоров: Дис... докт. физ.- мат. наук. М.: ФИАН, 1952.
12. Flesh U., Hoffman R. A. and R. Rass / Exciton luminescence of cubic ZnS crystals // J. Lumines. 1970. № 3. P. 137 - 142.
13. Effect of Native Defects on Optical Properties of InxGa1-xN Alloys / S. X. Li, E. E. Haller, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, J. Wu, W. Shan, Hai Lu and William J. Schaff. // Lawrence Berkeley National Laboratory. 2005. P. LBNL-57562.
14. Universal bandgap bowing in group-III nitride alloys / J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, S. X. Li, E .E. Haller, Hai Lu, William J. Schaff. // Sol. Stat. Comm. 2003. Vol. 127. P. 411 - 414.
15. Wu J., Walukiewicz W., Haller E. E. / Band structure of highly mismatched semiconductor alloys: Coherent potential approximation // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 65. P. 233210.
16. Walukiewicz W. / In Proceedings of the 195th meeting of the electrochemical society (The Electrochemical society, Inc., Pennington NJ) // 1999. Vol. 99. 11. P. 190 - 199.
17. Кислород в оптике соединений II-VI в свете теории антипересекающихся зон / Н.К. Морозова, Д. А. Мидерос, Н. Д. Данилевич // 2013. LAP, Saarbrucken Germany, 205 с. [in Russian].
18. Морозова Н. К. / Спектроскопия различных структурных форм сульфида цинка с изоэлектрон-ными ловушками кислорода: Дис. докт. физ.-мат. наук. М.: МЭИ, 1981.
19. Спектр поглощения ZnO, выделяющегося в ZnSe при насыщении кислородом / Н. К. Морозова,
B. Г. Плотниченко, Е. М. Гаврищук, В. В. Блинов // Неорганические материалы. 2003. 39 (8). С. 920 -925.
20. Блинов В. В. / Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2B6 (на примере ZnSe): Дис. канд. физ.-мат. наук. М.: МЭИ, 2003.
21. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании / Н. К Морозова, И. А Каретников, В. Г. Плотниченко, Е. М. Гаврищук, Э. В. Яшина, В. Б. Иконников // ФТП. 2004. 38 (1).
C. 39 - 43.
22. Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe / А. В. Квит, С. А. Медведев и др. // ФТТ. 1998. 40 (6). С. 1010 - 1017.
23. Specific Features of Luminescence Spectra ZnS(O) and ZnS-Cu(O) Crystals in the Context of the Band Anticrossing Theory/ N. K. Morozova, D. A. Mi-deros, E. M. Gavrishchuk, V. G. Galstyan // Semiconductors. 2008. 42 (9). P.1023 - 1029.
24. Влияние давления и температуры на равновесие точечных дефектов и ширину запрещенной зоны ZnS / Н. К. Морозова, И. А. Каретников, Е. М. Гаврищук, Э. В. Яшина, В. Г. Плотниченко, В. Г. Галстян // Неорганические материалы. 2004. 40 (11). С. 1138 - 1145.
