CC BY
32
ван 5-й бит BUSY для оптимального считывания 10 разрядного слова (по 5 разрядов за 2 цикла). С этой целью выбран мультиплексор с инвертирующим выходом, поскольку указанный бит является инверсным. Для подачи импульсов нулевой линии, смещения, выборки, а также запуска АЦП были применены генераторы на микросхемах серии К555АГ3. Время считывания 10 разрядного слова из АЦП со-10 .
ЛИТЕРАТУРА
1. Дран евич В А., Пятигорский ГА., Суворова ЕА. и др. Устройство обмена информацией с IBM-совместимым персональным компьютером через порт принтера. // Приборы и техника эксперимента. 1996. N5. С. 74-76.
УДК 538.3
И.И. Красюк, ЕЛ. Погорелов
ОСОБЕННОСТИ ДВИЖЕНИЯ ЧАСТИЦЫ, ЗАХВАЧЕННОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНОЙ В ПРИСУТСТВИИ МАГНИТОСТАТИЧЕСКОГО И СИЛЬНОГО ГРАВИТАЦИОННОГО
ПОЛЕЙ
Фазовый портрет заряженной частицы, взаимодействующей с электромаг-
,
в вакууме вдоль поля магнитостатического, содержит, вообще говоря, две области захвата (03) [ 1]. Граница одной из них (030 определяется уравнением
где п - нормированный гамильтониан частицы. Глубина потенциальной ямы рав-
на значению функции Гамильтона в положении устойчивого равновесия
Аналитическое исследование поведения частицы в области захвата ОЗі показало, что ее движение к границе области
может сопровождаться релаксацией фазовых колебаний. Этот парадоксальный результат объясняется тем, что при таком движении частицы глубина потенциаль-
гурации ямы условие (l) означает раскачку колебаний. Наоборот, «обмеление»
(l)
ной ямы
уменьшается: d|no| / dt < 0 . Дело в том, что при фиксированной конфи-
потенциальной ямы
фиксированной функции Гамильтона
приводит к релаксации. Эволюция колебаний частицы определяется,
таким образом, взаимодействием этих факторов, и в работе получены условия, когда второй из них оказывается решающим.
Численные расчеты подтверждают полученный результат.
ЛИТЕРАТУРА
1. Красюк ИМ., Погорелое ЕМ. Взаимодействие релятивистской заряженной частицы с
,
направлении силовой линии поля магнитного // Изв. ТРТУ. 1999. №2. С.170.
УДК 621.315; 539:2
АХ. Захаров, А.Б. Колпачев, Г.В. Арзуманян
АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ
Отсутствие надежных данных об электронном энергетическом строении (ЭЭС) и распределении потенциала в гетероструктурах, содержащих тонкие слои , , сформированных на основе таких структур, а следовательно, выбирать оптимальные режимы их формирования и прогнозировать их электрофизические свойства.
В настоящей работе проведен сравнительный теоретический анализ ЭЭС и распределения потенциала в следующих гетероструктурах: кре мний-моноатомный слой вольфрама (100)-кремний, кремний-моноатомный слой титана
(110)-кремний и кремний-дв а, четыре или шесть монослев титана (111)-кремн ий.
,
двух-трех прилежащих к границе раздела кремний-металл, атомных плоскостей кремния претерпевает существенные изменения, в частности зона проводимости и валентная зона перекрываются. В то же время ЭЭС атомов кремния, находящихся на расстоянии >1,2а (а=0,543 нм постоянная решетки кремния) от границы раздела
- , .
,
достаточно сложный вид. Атомы металла, находящиеся вблизи границы раздела
-,
. -
-
возникает тонкий переходной слой с повышенным значением потенциала. В гетероструктурах кремний-четыре (шесть) монослоя титана (111)-кремний внутри потенциальной ямы возникает потенциальный барьер высотой приблизительно 0.15 эВ и 0.32 эВ соответственно.
