CC BY
30
Известия ТРТУ
Специальный выпуск
В основу модели положена задача Фишера о диффузии примеси в монокристалле, содержащем структурно-неоднородные области. Полученные авторами [3] решения данной задачи были дополнены учетом составляющей потока атомов , -ласти, и применены для расчета распределения атомов Ь1, выбранных в качестве одних из возможных представителей ЭАД границы раздела 81 - 8102. Результатом моделирования явилось качественное совпадение расчетного распределения атомов Ь1 с экспериментальным распределением плотности поверхностных состояний на границе 81 - 8102 в МДП-структурах, прошедеших планарное геттерирование [2]. -временные и энергетические режимы планарного геттерирования ЭАД с использо-.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Литовченко ВТ., Романюк Б.Н. Эффект анизотропного геттерирования в планарных структурах // Физика и техника полупроводников. 1983. Т.17. Вып.1. С.150-153.
2. . ., . ., . . -структурах / /Известия ТРТУ. 2001. №1. С.27.
3. . ., . ., . ., . .
// .
Физика. 1977. №10. С.12-16.
УДК 538.3
И.И. Красюк, ЕЛ. Погорелов
ФАЗОВЫЙ ПОРТРЕТ ЗАРЯЖЕННОЙ ЧАСТИЦЫ В ЗАМЕДЛЕННОЙ ЦИРКУЛЯРНО ПОЛЯРИЗОВАННОЙ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЕ, РАСПРОСТРАНЯЮЩЕЙСЯ ВДОЛЬ МАГНИТОСТАТИЧЕСКОГО ПОЛЯ
Построенный в [1,2] гамильтонов формализм позволяет рассматривать движение частицы в электромагнитной волне, бегущей вдоль магнитостатического
,
0 <Q <2п, R = (2by+F)1/2 >0, (1)
где b - безразмерная индукция магнитостатического поля, у - релятивистский фактор, F - точный интеграл движения.
(1) , Q, R
.
X = X + r, у = Y , (2)
где
X = R cosQ, Y = R sinQ , (3)
уравнение фазовой траектории, полученное в [1, 2], приводится к виду
(X2 + у2 — 2rx )2 — 12( X2 + у2) — к = 0, (4)
Секция физики
где г, I, К - некоторые постоянные, которые выражаются через параметры системы поле - частица.
Последнее уравнение представляет собой уравнение овалов Декарта [3]. Семейство овалов (4) содержит улитку Паскаля, которая является сепаратрисной петлей, содержащей седло (особая точка улитки). Фазовый портрет частицы, таким образом, содержит три особые точки: два центра и седло.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Давыдовский В.Я.,Погорелов Е.Н.,Филиппов Ю.С. // Изв.вузов. Физика. 1990. №1. С.13-17.
2. Красюк И.И.,Погорелов ЕМ. // Изв.вузов. Физика. 1997. №2. С.29-34.
3. Савелов А.А. Плоские кривые систематика, свойства, применения // Под ред. АЛ. Нор-дена. М.: Физматгиз. 1960. 296с.
УДК 621.382
НА. Мисюра
МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ СИЛИЦИДОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ИОНАМИ МЕТАЛЛОВ
Основным процессом начальной стадии образования химического соединения на поверхности кремния, который определяет состав образующегося силицида в данных условиях, является разрыв связей между атомами кремния и формирование новых связей Ме-81. Чем выше энергия ионов и доза облучения, тем этот процесс протекает более интенсивно, и содержание кремния в конечном продукте уве.
Центром зарождения силицидных фаз являются каскады атомных столкновений (тепловые пики). При этом уже на первом этапе начинается ионно-стимулированная диффузия атомов кремния из подложки по границам зерен плен. , кристаллической решетки кремния и обеспечивающие транспорт реагентов. Оцен-, 109 -никновению солитоноподобных волн с высокой запасенной плотностью энергии, что является основным фактором, инициирующим химические и структурные превращения в объеме кристалла . При этом затухание уединенных волн приводит к расширению зоны фазовых превращений, индуцированных ионной бомбардиров, 103 превышает проекционный пробег. Таким образом, образование силицидных фаз при ионном облучении является результатом процессов разрыва химических связей 81-81 в областях каскадов атомных столкновений и ударных волн под воздействием ионной бомбардировки результатом которых является образование связей -81.
, :
1.
между атомами металлов и кремниевой подложкой с образованием слоев силицидных фаз при интегральной температуре подложки существенно более низкой, чем
, .
