таким образом, взаимодействием этих факторов, и в работе получены условия, когда второй из них оказывается решающим.
Численные расчеты подтверждают полученный результат.
ЛИТЕРАТУРА
1. Красюк ИМ., Погорелое ЕМ. Взаимодействие релятивистской заряженной частицы с
,
направлении силовой линии поля магнитного // Изв. ТРТУ. 1999. №2. С.170.
УДК 621.315; 539:2
АХ. Захаров, А.Б. Колпачев, Г.В. Арзуманян
АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР С РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ
Отсутствие надежных данных об электронном энергетическом строении (ЭЭС) и распределении потенциала в гетероструктурах, содержащих тонкие слои , , сформированных на основе таких структур, а следовательно, выбирать оптимальные режимы их формирования и прогнозировать их электрофизические свойства.
В настоящей работе проведен сравнительный теоретический анализ ЭЭС и распределения потенциала в следующих гетероструктурах: кре мний-моноатомный слой вольфрама (100)-кремний, кремний-моноатомный слой титана
(110)-кремний и кремний-дв а, четыре или шесть монослев титана (111)-кремн ий.
,
двух-трех прилежащих к границе раздела кремний-металл, атомных плоскостей кремния претерпевает существенные изменения, в частности зона проводимости и валентная зона перекрываются. В то же время ЭЭС атомов кремния, находящихся на расстоянии >1,2а (а=0,543 нм постоянная решетки кремния) от границы раздела
- , .
,
достаточно сложный вид. Атомы металла, находящиеся вблизи границы раздела
-,
. -
атомов двух-трех прилежащих к границе раздела атомных плоскостей кремния возникает тонкий переходной слой с повышенным значением потенциала. В гетероструктурах кремний-четыре (шесть) монослоя титана (111)-кремний внутри потенциальной ямы возникает потенциальный барьер высотой приблизительно 0.15 эВ и 0.32 эВ соответственно.