Моделирование формы потенциала в нанометрических гетероструктурах кремний (100) титан кремний (100) Текст научной статьи по специальности «Физика»

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

дN д , дN дN .. .

----= —к7--------------+ / (?, 7), (1)

дХ д7 7 д7 д7 ^

где N - среднее значение концентрации примеси, /(^, 7) - функция источника,

- вертикальная составляющая скорости, к2 - составляющая коэффициента турбулентной диффузии по высоте.

, -вает до нуля, а средний турбулентный поток примеси у поверхности пренебрежимо

I , дN

мал, граничные и начальные условия имеют вид: N 7—м = 0, к

= 0,

7 —— 0

д7

=0 = М ■ д(7 — Н1), к < 7, где М- мощность источника в точке кг.

Исследования характерных пространственно-временных масштабов процесса диффузии аэрозолей в приземном слое атмосферы позволит определить границы применимости различных приближений при моделировании антропогенного воздействия на его электрическую структуру.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Куповых Г.В., Морозов В.Н., Шварц Я.М. Теория электродного эффекта в атмосфере. -Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1998. - 123 с.

2. Берлянд М.Е. Современные проблемы атмосферной диффузии и загрязнения атмосферы.

- Л.: Гидрометеоиздат, 1975. - 448 с.

УДК: 621.315; 539.2

Г.В. Арзуманян, А.Б. Колпачев МОДЕЛИРОВАНИЕ ФОРМЫ ПОТЕНЦИАЛА В НАНОМЕТРИЧЕСКИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ (100) - ТИТАН - КРЕМНИЙ (100)

С использованием «кристадлического» шиЕйп-йп (МТ) потенциала исследовано распределение потенциала в гетероструктурах, представляющих собой кристаллический кремний, в котором одна (Г1), две (Г2) или три (Г3) атомные плоскости (100) кремния замещены атомами титана. Кристаллический потенциал определялся как суперпозиция кулоновского, маделунговского, электростатического и обменного потенциалов.

На рис. 1 приведены аппроксимированные гладкой кривой изменения потенциала АУ, обусловленные его скачками на МТ-границах, возникающих на атомах различных типов (на рисунках обозначены соответствующими символами) в гетероструктурах Г1, Г2 и Г3 [1]. По горизонтальной оси X, совпадающей с кристаллографическим направлением (100) монокристалла кремния, отложены координаты различаемых атомных плоскостей в постоянных решетках (0,543 нм).

Секция физики

Рис.1. Скачки потенциала на границах МТ-сфер, в гетероструктурах П, Г2 и Г3. О- Si(0), ±- Si(1), &- Si(2), Ж- Si(3), ®- Si(4), •- Ti(1), +- Ti(2)

Эти результаты могут быть использованы для расчета электронного энергетического строения соответствующих гетероструктур, а также для квантовомеханического описания процесса переноса носителей заряда (определения коэффициентов переноса (D)) через такие структуры.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Захаров АТ., Колпачев АТ., Арзуманян Г.В., Виноградов ВТ. Электронное строение гетероструктуры кремний-титан-кремний с различной толщиной металлического слоя (111).// Известия ТРТУ.- Таганрог: ТРТУ. - 2000, № 3(17). - С. 58-63.

УДК 620.179.16

МЛ. Сластен АКУСТИЧЕСКАЯ ДИАГНОСТИКА НАПРЯЖЕННОГО СОСТОЯНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛИТКОВ ГАЛЛИЙ-ГАДОЛИНИЕВОГО ГРАНАТА УЛЬТРАЗВУКОВЫМ ЭХОИМПУЛЬСНЫМ МЕТОДОМ

Основная трудность, которая возникает при практическом использовании явления акустоупругости для диагностики напряженного состояния монокристалли-, -

стояния [1].

Согласно классификации Я.Ю. Фридмана и Д. Мейза [2], различают:

1. Линейное одноосное растяжение (о > 0) или сжатие (о < 0).

2. Плоское одноименное двухосное растяжение (оуу > 0; агг > 0) или сжатие (оуу < 0; агг < 0).

3. Плоское разноименное двухосное состояние (оуу < 0; агг > 0).

4. Объемное одноименное трехосное растяжение или сжатие.

Идентификация напряженного состояния осуществляется по закономерному

изменению огибающей серии эхо-импульсов при повороте сдвигового УЗ-преобразователя вокруг его центра [3]. Импульсы УЗ-колебаний излучаются в МК

, . -преобразователей использовались кварцевые пластины УХ-среза с керамическим демпфером в виде пирамиды.

Диаметр слитка 76 мм, размеры УЗ-преобразователя 10*15 мм, Я!, Я2 и Я3 в этом случае соответственно равны 10, 20 и 30 мм.