CC BY
30DOI: 10.6060/ivkkt.20206310.6211
УДК: 546(571+681+22); 546(571+86+22)
КВАЗИБИНАРНЫЙ РАЗРЕЗ AgGaS2-AgSbS2
Р.А. Исмаилова, С.Г. Алиев, Г.Н. Абдуллаева, А.Г. Гурбанова, М.Ю. Садыгова, Ш.Г. Мамедов
Рана Авазага Исмаилова, Солтан Гашам Алиев, Гульнара Наил Абдуллаева, Алмаз Гурбан Гурбанова, Мехпара Юнис Садыгова
Кафедра химии и технологии неорганических веществ, Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, пр. Азадлыг, 20, Баку, AZ1010
E-mail: renaismailova-10@mail.ru, soltan.aliyev@asoi.edu.az, gulnare-abdullayeva@rambler.ru Шарафат Гаджиага Мамедов*
Отдел неорганических функциональных материалов, Институт катализа и неорганической химии им. М. Нагиева НАН Азербайджана, пр. Г. Джавида, 113, Баку, Азербайджан, AZ1143 E-mail: azxim@mail.ru*
Цель настоящей работы - изучение фазового равновесия и построение диаграммы состояния системы AgGaS2-AgSbS2. Для исследования были синтезированы исходные сульфиды (AgGaS2 и AgSbS2) из элементов высокой степени чистоты в вакуумированных до 0,133 Па кварцевых ампулах. Четверные сплавы системы AgGaS2-AgSbS2 синтезировали из лигатур при температуре 800-1300 К в зависимости от состава. Для гомогенизации сплавов проводили отжиг на 50-60 К ниже солидуса в течение 300 ч. Отожженные образцы закаляли в холодной воде. Комплексными методами физико-химического анализа (дифференциально-термический, рентгенофазовый, микроструктурный, измерение микротвердости и определение плотности) изучены фазовые равновесия в системе AgGaS2-AgSbS2. Установлено, что система AgGaS2-AgSbS2 является квазибинарным разрезом эвтектического типа, и построена ее диаграмма состояния. Координаты эвтектики соответствуют 65 мол% AgSbS2 и температуре 750 К. На основе исходных компонентов в разрезе были определены области твердых растворов. При комнатной температуре выявлены области твердых растворов на основе AgGaS2 (8 мол% AgSbSJ и на основе AgSbS2 (14 мол% AgGaSJ. При эвтектической температуре растворимость достигает 20 и 25 мол% соответственно. a-Твердые растворы по данным РФА относятся к моноклинной сингонии, и с увеличением концентрации AgGaS2 параметр решетки увеличивается (a=12,861-12,972; b=4,409-4,474; c=13,282-13,324À). Твердые растворы на основе тройного сульфида AgSbS2 кристаллизуются в моноклинной сингонии, и относятся к типу замещения. Для структурных и оптических измерений были разработаны технологические условия роста кристаллов твердых растворов и выращены их монокристаллы. Монокристаллы твердых растворов (AgSbS^^AgGaS^^c были получены методом Бриджман-Стокбаргера.
Ключевые слова: Ga2S3-Ag2S-Sb2S3, эвтектика, квазибинар, AgSbS2, твердые растворы, AgGaS2, тройная система
QUASIBINAR SECTION OF AgGaS2-AgSbS2 R.A. Ismailova, S.G. Aliyev, G.N. Abdullaevа, A.G. Gurbanova, M.Yu. Sadigova, Sh.H. Mammadov
Rana A. Ismailova, Soltan G. Aliyev, Gulnara N. Abdullaeva, Almaz G. Gurbanova, Mehpara Yu. Sadigova
Department of Chemistry and Technology of Inorganic Substances, Azerbaijan State University of Oil and Industry, Azadlig ave., 20, Baku, AZ1010, Azerbaijan
Sharafat H. Mammadov *
Department of Inorganic Functional Materials, Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after M. Nagiyev, NAS of Azerbaijan, G. Javid ave., 113, Baku, Az1143, Azerbaijan E-mail: azxim@mail.ru*
The aim of this work is to study phase equilibrium and build a state diagram of the Ag-GaS2-AgSbS2 system. For research, the initial sulfides (AgGaS2 and AgSbS2) were synthesized from elements of high purity in quartz ampoules evacuated to 0.133 Pa. Quaternary alloys of the AgGaS2 - AgSbS2 systems were synthesized from ligatures at a temperature of 800-1300 K, depending on the composition. To homogenize the alloys, annealing was performed at 50-60 K below solidus for 300 h. Using complex methods of physicochemical analysis (differential thermal, X-ray phase, microstructural, microhardness measurement and density determination), phase equilibria in the AgGaS2-AgSbS2 system were studied. It was established that the AgGaS2-AgSbS2 system is a quasibinary section of the eutectic type and its state diagram is constructed. The coordinates of the eutectic correspond to 65 mol. % AgSbS2 and a temperature of 750 K. Based on the starting components in the section, the regions of solid solutions were determined. At room temperature, the regions of solid solutions based on AgGaS2 (8 mol. % AgSbS2) and based on AgSbS2 (14 mol. % AgGaS2) were revealed. At a eutectic temperature, solubility reaches 20 and 25 mol. %, respectively. According to the XRD data, a-solid solutions belong to monoclinic syngony, and with an increase in the concentration of AgGaS2, the lattice parameter increases (a = 12.861-12.972; b = 4.409-4.474; c = 13.282-13.324A). AgSbS2 triple sulfide solid solutions crystallize in mono-clinic syngony. These solid solutions are of the type of substitution. For structural and optical measurements, technological conditions for the growth of crystals of solid solutions were developed and their single crystals were grown. Single crystals of (AgSbS2)1-x(AgGaS2)x solid solutions were obtained by the Bridgman-Stockbarger method.
Key words: Ga2S3-Ag2S-Sb2S3, eutectic, quasi-binar, AgSbS2, solid solution, AgGaS2, ternary systems
Для цитирования:
Исмаилова Р.А., Алиев С.Г., Абдуллаева Г.Н., Гурбанова А.Г., Садыгова М.Ю., Мамедов Ш.Г. Квазибинарный разрез AgGaS2-AgSbS2. Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2020. Т. 63. Вып. 10. С. 11-16 For citation:
Ismailova R.A., Aliyev S.G., Abdullaeva G.N., Gurbanova A.G., Sadigova M.Yu., Mammadov Sh.H. Quasibinar section of AgGaS2-AgSbS2. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. [Russ. J. Chem. & Chem. Tech.]. 2020. V. 63. N 10. P. 11-16
ВВЕДЕНИЕ
Многокомпонентные халькогениды серебра и меди известны, как перспективные материалы для научных и прикладных целей, обладают разнообразными физическими свойствами - оптическими, электрическими, сегнетоэлектрически-ми, ионной проводимостью и т.д. [1-4]. Поиск новых материалов для микроэлектроники в малоисследованных четырехкомпонентных халькогени-дах серебра и меди является интересной и актуальной задачей для физики полупроводников и физики твердого тела.
Соединение AgGaS2 со структурой халькопирита используется в оптических устройствах, работающих в ИК диапазоне. Спектральная область, в частности благодаря их большим нелинейно-оптическим коэффициентам, и соответствует двойному лучепреломлению [5-8]. Халькоге-ниды сурьмы являются полупроводниковыми материалами, обладающими фоточувствительными свойствами, и поэтому эти соединения широко используются в фоторезисторах, фотоэлементах и электронно-лучевых устройствах [9]. Целью настоящего исследования является изучение фазовой
диаграммы AgGaS2 - AgSbS2 и определение границ твердых растворов на основе обоих компонентов. В данной работе представлены результаты исследования взаимодействия в системе AgGaS2 -AgSbS2 и построена Т-х диаграмма состояния.
Соединение AgSbS2 встречается в природе в виде минерала миаргирит. Это соединение получено в лабораторных условиях при исследовании разреза Ag2S-Sb2Sз авторами [10, 11]. По данным [11], этот разрез квазибинарный и образует два конгруэнтно плавящихся соединения Ag3SbS3 и AgSbS2. AgSbS2 кристаллизуется в моноклинной сингонии с параметрами а = 12,861, Ь = 4,409, с = 13,282 А, в = 98,21° [12]. Система Ga2Sз - Ag2S довольно подробно изучена в [13-15]. AgGaS2, наряду с Ag9GaS6 и Ag2Ga2oS31 установлены при исследовании двойной системы [16-18].
Из них Ag2Ga20S31 образуется по перитек-тической реакции при 1268 К, а AgGaS2 и Ag9GaS6 плавятся конгруэнтно при 1270 и 1063 К соответственно. AgGaS2 кристаллизуется структурным типом халькопирита (а = 5,7544, с = 10,299 А. пр. гр. I42d) [16] и является полупроводником р-типа проводимости, с шириной запрещенной зоны АЕ = 2,75 эВ [19].
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Синтез сплавов системы AgGaS2 - AgSbS2 проводили из лигатур. Лигатуры (AgGaS2 и AgSbS2) были синтезированы с использованием веществ высокой чистоты: серебро - 99,999%, галлий - 99,999%, сурьма - 99,9999% и сера -99,99999%. Для исследования системы AgGaS2 -AgSbS2 синтезировали 12 сплавов. Сплавы системы AgGaS2 - AgSbS2 синтезировались из лигатур ампульным методом. Максимальная температура синтеза сплавов 1300 К. Синтез продолжался 3 ч с применением механического перемешивания, а затем проводили медленное охлаждение. Отжиг сплавов системы AgGaS2 - AgSbS2 проводили в вакуумированных и запаянных кварцевых ампулах 500 и 700 К 300 ч. Отожженные образцы закаляли в холодной воде [20, 22].
Исследование сплавов системы AgGaS2 -AgSbS2 проводили методами рентгенофазового (РФА), дифференциально-термического (ДТА), микроструктурного (МСА) анализов, а также измерением микротвердости и определением плотности. РФА проводили на рентгеновском приборе модели Д 2 PHASER с использованием CuKa-излучении Ni-фильтр [20-22].
ДТА сплавов системы проводили на приборе НТР-73 со скоростью нагревания 10 град/мин. Использовали калибровочные хромель-алюме-левые термопары, эталоном служил Al2O3. Микротвердость сплавов измеряли на микротвердомере ПМТ-3 при нагрузках 0,01 и 0,02Н. МСА сплавов системы исследовали на металлографическом микроскопе МИМ-8 на предварительно протравленных шлифах, полированных пастой. При исследовании микроструктуры сплавов использовали травитель состава NH4NO3 (3-8 масс. %) + K2Cr2O7 (0,02-0,5 масс.%) + конц. H2SO4, время травления -20 с.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЯ
С целью изучения характера взаимодействия в системе AgGaS2 - AgSbS2 было синтезировано 12 сплавов (табл. 1). Результаты ДТА показали, что на термограммах сплавов, содержащих до 30 мол.% AgGaS2, имеется по три эффекта, а на термограммах сплавов, содержащих 30-0 мол.% AgGaS2 наблюдается по четыре эндоэффекта (табл. 1). Эффекты при 635 К соответствуют фазовому переходу a-AgSbS2 ^ P-AgSbS2.
Данные МСА показали, что сплавы, близкие по составу соединениям AgGaS2 и AgSbS2
(100-92 и 100-86 мол% соответственно), состоят из одной фазы, а с увеличением содержания второго компонента отмечены двухфазные области. В субсолидусе системы в интервале концентраций 8-86 мол% AgSbS2 совместно кристаллизуются две фазы (а + Р).
Таблица 1
Состав, результаты ДTA сплавов системы AgGaS2-AgSbS2
Table 1. Composition, results of DTA alloys of the Ag-
Состав моль % AgGaS2 Термические эффекты, К
100 1270
90 1150,1210
80 635,750,1120
70 635,750,1030
60 635,750,975
50 635,750,940
40 635,750,860
35 635,750
30 635,750,770
20 635,650,760,770
10 650,670,765,780
0,0 785
AgGaSj ™ о» ™ AgSbSj
Рис. 1. Фазовая диаграмма системы AgGaS2-AgSbS2 Fig. 1. Phase diagram of the AgGaS2-AgSbS2 system
По результатам исследований построена Т-х фазовая диаграмма системы AgGaS2 - AgSbS2 (рис. 1). Как видно, система является квазибинарным сечением квазитройной системы Ga2S3 - Ag2S -Sb2S3 и относится к эвтектическому типу. Ликвидус системы состоит из двух ветвей первичной
кристаллизации фаз AgGaS2 и AgSbS2, пересекающихся в двойной эвтектической точке. Координаты эвтектической точки: 65 мол% AgSbS2 и Т = 750 К. На основе исходных компонентов образуются ограниченные области твердых растворов. Причина образования ограниченной области твердых растворов в системе AgGaS2 - AgSbS2, по-видимому, связана различием атомных и ионных радиусов трехвалентных атомов галлия и сурьмы, а также не соответствием кристаллической структуры тиогаллата серебра и сульфида 3-сурмы.
Измерение плотности сплавов системы AgGaS2 - AgSbS2 показало, что плотность изменяется в пределах плотности исходных сульфидов (рис. 2).
Рис. 2. р-х Диаграммы системы AgGaS2-AgSbS2 Fig. 2. р-х Diagrams of the AgGaS2-AgSbS2 system
На основании полученных данных измерения микротвердости построена диаграмма состав-микротвердости (Нц-х) (рис. 3). Как видно из рисунка, значения микротвердости сплавов, богатых AgGaS2 и AgSbS2, значительно повышаются от 3700 до 3850 МПа (в) и от 1400 до 1650 МПа (а) при образование твердых растворов.
Результаты рентгенофазового анализа показали, что дифракционная картина сплавов, содержащих 0-14 мол% AgGaS2, идентична с ди-фрактограммой исходного тройного соединения AgSbS2, они являются твердыми растворами замещения на основе AgSbS2 (а-фаза). а-Твердые растворы, по данным РФА, относятся к моноклинной сингонии, и с увеличением концентрации AgGaS2 параметр решетки увеличивается (а = 12,861-12,972; Ь = 4,409-4,474; с = 13,282-13,324 А). РФА хорошо согласуется с данными микроструктурного анализа и подтверждает образование в системе AgGaS2 - AgSbS2 твердых растворов на основе исходных компонентов.
Для выращивания монокристаллов твердых растворов на основе AgSbS2 был выбран метод Бриджмена - Стокбаргера [23]. Для выращивания монокристаллов предварительно синтезировались поликристаллические сплавы в количестве 5 г, которые потом измельчали и переносили в ампулу с суженным концом, последняя эвакуировалась и помещалась в двухтемпературную печь с заранее установленной разницей температур. Движение печи осуществлялось со скоростью 3 мм/ч, тогда как ампула оставалась неподвижной.
AgGaSj
AgSbS2
Рис. 3. Нц-х диаграммы системы AgGaS2-AgSbS2 Fig. 3. Нц-х diagrams of the AgGaS2-AgSbS2 system
Таблица 2
Оптимальный режим выращивания монокристаллов твердых растворов на основе AgSbS2
Состав Ti-T2, К Скорость перемещения печи, мм/ч Размер монокристаллов, мм Масса монокристаллов, г
(AgSbS2)0,998(AgGaS2)0,002 700-820 3,0 7x18 7,3
(AgSbS2)0,996(AgGaS2)0,004 700-820 3,0 7x18 7,5
(AgSbS2)0,994(AgGaS2)0,006 700-820 3,0 7x18 7,6
(AgSbS2)0,992(AgGaS2)0,008 700-820 3,0 7x18 7,8
Такая конструкция позволяет устранить помехи, связанные с сотрясением ампулы. В результате неоднократных опытов уточняли температуры зон печей и скорость движения печи. С помощью разработанного режима выращены качественные монокристаллы. В табл. 2 дается режим получения монокристаллов, установленный на основании многочисленных опытов.
ВЫВОДЫ
Впервые методами физико-химического анализов построена диаграмма состояния системы AgGaS2 - AgSbS2 в широком интервале концен-
ЛИТЕРАТУРА
1. Kushwaha A.K., Khenata R., Bouhemadou A., Binom-ran S., Haddadi K. Lattice dynamical properties and elastic constants of the ternary chalcopyrite compounds CuAlS2, CuGaS2, CuInS2, and AgGaS2. J. Electron. Mater. 2017. V. 46. N 7. P. 4109-4118. DOI: 10.1007/s11664-017-5290-6.
2. Uematsu Taro, Doi Toshihiro, Torimoto Tsukasa, Su-sumu Kuwabata. Preparation of luminescent AgInS2-AgGaS2 solid solution nanoparticles and their optical properties. J. Phys. Chem. Lett. 2010. V. 1. N 22. P. 3283-3287. DOI: 10.1021/jz101295w.
3. Karaagac H., Parlak M. The investigation of structural, electrical, and optical properties of thermal evaporated AgGaS2 thin films. J. Thin Solid Films. 2011. V. 519. N 7. P. 2055-2061. DOI: 10.1016/j.tsf.2010.10.027.
4. Karunagaran N., Ramasamy P. Synthesis, growth and physical properties of silver gallium sulfide single crystals. Mater. Sci. Semicond. Proc. 2016. V. 41. P. 54-58. DOI: 10.1016/j.mssp.2015.08.012.
5. Willer U., Blanke T., Schade W. Difference frequency generation in AgGaS2: Sellmeier and temperaturedispersion equations. Appl. Optics. 2001. V. 40. N 30. P. 5439-5445.
6. Haidar S., Niwa E., Masumoto K., Ito H. Temperature tuning of 5-12 ц by difference frequency mixing of OPO outputs in a AgGaS2 crystal. J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 36. P. 10711074.
7. Wang Tie Jun., Kang Zhi Hui., Zhang Hong Zhi., He Qiong Yi., Qu Yi., Feng Zhi Shu., Jiang Yun., Gao Jin Yue., Andreev Y.M., Lanskii G.V. Wide tunable, high energy AgGaS2 optical parametric of collator. Opt. Express. 2006. V. 14. N 26. P. 13001-13006.
8. Sugita Akihiro., Yokoyama Keiichi., Yamada Hidetaka., Inoue Norihi Ro., Aoyama Makoto.,Yamakawa Koichi. Generation of broadband midinfrared pulses by no collinear difference frequency mi Xing. Japan. J. Appl. Phys. 2007. V. 46. N 1. P. 226-228.
9. Бабанлы М.Б., Юсибов Ю.А., Абишев В.Т. Трехком-понентные халькогениды на основе меди и серебра. Баку: БГУ. 1993. 342 с.
10. Ковалева И.С., Попова Л.Д., Гендлер Ф.М., Нужная Н.П. Области существования прустита и пираргирита в тройных системах. Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1970. T. 6. C. 1345-1346.
11. Keighin C.W., Noneva R.M. The system Ag--Sb--S ~rom 600°C to 200°C. Mineralium Deposita. 1969. V. 4. P. 153-171.
траций и установлено, что она является квазибинарным сечением квазитройной системы Ga2S3 -Ag2S - Sb2S3 и относится к эвтектическому типу, координаты эвтектики соответствуют 65 мол. % AgSbS2 и 750 K.
Определены области твердых растворов в системе AgGaS2 - AgSbS2. Твердые растворы на основе AgGaS2 при комнатной температуре (300 К) составляют 8 мол. % AgSbS2, а на основе AgSbS2, 14 мол% AgGaS2.
Выращены монокристаллы твердых растворов на основе AgSbS2 методом Бриджмена -Стокбаргера.
REFERENCES
1. Kushwaha A.K., Khenata R., Bouhemadou A., Binom-ran S., Haddadi K. Lattice Dynamical dynamical properties and elastic constants of the ternary chalcopyrite compounds CuAlS2, CuGaS2, CuInS2, and AgGaS2. J. Electron. Mater. 2017. V. 46. N 7. P. 4109-4118. DOI: 10.1007/s11664-017-5290-6.
2. Uematsu Taro, Doi Toshihiro, Torimoto Tsukasa, Su-sumu Kuwabata. Preparation of luminescent AgInS2-AgGaS2 solid solution nanoparticles and their optical properties. J. Phys. Chem. Lett. 2010. V. 1. N 22. P. 3283-3287. DOI: 10.1021/jz101295w.
3. Karaagac H., Parlak M. The investigation of structural, electrical, and optical properties of thermal evaporated AgGaS2 thin films. J. Thin Solid Films. 2011. V. 519. N 7. P. 2055-2061. DOI: 10.1016/j.tsf.2010.10.027.
4. Karunagaran N., Ramasamy P. Synthesis, growth and physical properties of silver gallium sulfide single crystals. Mater. Sci. Semicond. Proc. 2016. V. 41. P. 54-58. DOI: 10.1016/j.mssp.2015.08.012.
5. Willer U., Blanke T., Schade W. Difference frequency generation in AgGaS2: Sellmeier and temperaturedispersion equations. Appl. Optics. 2001. V. 40. N 30. P. 5439-5445.
6. Haidar S., Niwa E., Masumoto K., Ito H. Temperature tuning of 5-12 ц by difference frequency mixing of OPO outputs in a AgGaS2 crystal. J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. V. 36. P. 1071-1074.
7. Wang Tie Jun., Kang Zhi Hui., Zhang Hong Zhi., He Qiong Yi., Qu Yi., Feng Zhi Shu., Jiang Yun., Gao Jin Yue., Andreev Y.M., Lanskii G.V. Wide tunable, high energy AgGaS2 optical parametric of collator. Opt. Express. 2006. V. 14. N 26. P. 13001-13006.
8. Sugita Akihiro., Yokoyama Keiichi., Yamada Hidetaka., Inoue Norihi Ro., Aoyama Makoto.,Yamakawa Koichi. Generation of broadband midinfrared pulses by no collinear difference frequency mi Xing. Japan. J. Appl. Phys. 2007. V. 46. N 1. P. 226-228.
9. Babanly M.B., Yusibov Yu.A., Abishev V.T. Threecom-ponent chalcogenides based on copper and silver. Baku: BSU. 1993. 342 p. (in Russian).
10. Kovaleva I.S., Popova L.D., Gendler F.M., Nuzhnaya N.P. Areas of existence of proustite and pyrargyrite in ternary systems. Izv. ANSSSR. Neorgan. Mater. 1970. V. 6. P. 1345-1346 (in Russian).
11. Keighin C.W., Noneva R.M. The system Ag--Sb--S ~rom 600°C to 200°C. Mineralium Deposita. 1969. V. 4. P. 153-171.
12. Miargyrite AgSbS2. P. 2001-2005 Mineral Data Publishing, version 1. handbookof-mineralogy.org/pdfs/miargyrite.pdf.
13. Baojun Chen., Shifu Zhu., Beijun Zhao., Yongbo Lei., Xiaojuan Wu., Zerui Yuan., Zhiyu He. Differential thermal analysis and crystal growth of AgGaS2. J. Crystal Growth. 2008. V. 310. N 3. P. 635-638. DOI: 10.1016/j.jcrysgro. 2007.10.067.
14. Sinyakova E.F., Kosyakov V.I., Kokh K.A. Oriented crystallization of AgGaS2 from the melt system Ag-Ga-S. J. In-org. Mater. 2009. V. 45. N 11. P. 1217-1221. DOI: 10.1134/S0020168509110041.
15. Chykhrij S.L, Parasyuk O.V., Halka, V.O. Crystal structure of the new quaternary phase AgCd2GaS4 and phase diagram of the quasibinary system AgGaS2-CdS. J. Alloys Comp. 2000. V. 312. N 1-2. P. 189-195. DOI: 10.1016/S0925-8388(00)01145-2.
16. Olekseyuk I.D., Parasyuk O. V., Halka V.O., Piskach L.V.F., Pankevych V.Z. Romanyuk Ya.E. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S-CdS-Ga2S3. J. Alloys Comp. 2001. V. 325. N 10. P. 167-179. DOI: 10.1016/ S0925-8388(01)01361-5.
17. Brand G., Kramer V. Phase equilibrium in the quasi-binary system Ag2S-Ga2S3. Mater. Res. Bull. 1976. V. 11. P. 1381-1388.
18. Лазарев В.Б., Киш З.З., Переш Е.Ю., Семрад Е.Е. Сложные халькогениды в системе Аl-Вш-СVI. М.: Металлургия. 1993. 229 с.
19. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высш. шк. 1975. 302 с.
20. Mammadov Sh.H., Mammadov A.N., Kurbanova R.C. Quasi-binary section Ag2SnS3-AgSbS2. Russ. J. Inorg. Chem. 2020. 65. P. 217-221. DOI: 10.1134/S003602362001012X.
21. Вердиева З.Н., Алхасов А.Б., Вердиев Н.Н., Рабаданов Г.А., Арбуханова П.А., Искендеров Э.Г. Фазовые равновесия в системе (LiF)2 - Li2CO3 - Li2SO4. Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2019. Т. 62. Вып. 1. С. 20-25. DOI: 10.6060/ivkkt.20196201.5727.
22. Abdullaeva S.S., Mammadov F.M., Bakhtiyarly LB. Quasi-binary section CuInS2-FeIn2S4. Russ. J. Inorg. Chem. 2020. 65. P. 100-105. DOI: 10.1134/S0036023619110020.
23. Бахтиярлы И.Б., Аждарова Д.С., Мамедов Ш.Г., Курбанов Г.Р. Система SnPbSb4S8-4SnS. Изв. вузов. Химия и хим. технология. 2009. Т. 52. Вып. 4. С. 121123.
12. Miargyrite AgSbS2. P. 2001-2005 Mineral Data Publishing, version 1. handbookof-mineralogy.org/pdfs/miargyrite.pdf.
13. Baojun Chen., Shifu Zhu., Beijun Zhao., Yongbo Lei., Xiaojuan Wu., Zerui Yuan., Zhiyu He. Differential thermal analysis and crystal growth of AgGaS2. J. Crystal Growth. 2008. V. 310. N 3. P. 635-638. DOI: 10.1016/j .jcrysgro.2007.10.067.
14. Sinyakova E.F., Kosyakov V.I., Kokh K.A. Oriented crystallization of AgGaS2 from the melt system Ag-Ga-S. J. In-org. Mater. 2009. V. 45. N 11. P. 1217-1221. DOI: 10.1134/S0020168509110041.
15. Chykhrij S.I., Parasyuk O.V., Halka, V.O. Crystal structure of the new quaternary phase AgCd2GaS4 and phase diagram of the quasibinary system AgGaS2-CdS. J. Alloys Comp. 2000. V. 312. N 1-2. P. 189-195. DOI: 10.1016/S0925-8388(00)01145-2.
16. Olekseyuk I.D., Parasyuk O. V., Halka V.O., Piskach L.V.F., Pankevych V.Z. Romanyuk Ya.E. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S-CdS-Ga2S3. J. Alloys Comp. 2001. V. 325. N 10. P. 167-179. DOI: 10.1016/ S0925-8388(01)01361-5.
17. Brand G., Kramer V. Phase equilibrium in the quasi-binary system Ag2S-Ga2S3. Mater. Res. Bull. 1976. V. 11. P. 1381-1388.
18. Lazarev V.B., Kish Z.Z., Peresh E.Yu., Semrad E.E. Complex chalcogenides in the AI-BIII-CVI system. M.: Metallurgy. 1993. 229 p. (in Russian).
19. Ugay Ya.A. Introduction to the chemistry of semiconductors. M.: Vyssh. shk. 1975. 302 p. (in Russian).
20. Mammadov Sh.H., Mammadov A.N., Kurbanova R.C. Quasi-binary section Ag2SnS3-AgSbS2. Russ. J. Inorg. Chem. 2020. 65. P. 217-221. DOI: 10.1134/S003602362001012X.
21. Verdieva Z.N., Alkhasov A.B., Verdiev N.N., Rabadanov G.A., Arbukhanova P.A., Iskenderov E.G. Phase equilibrium in system (LiF)2 - Li2CO3 - Li2SO4. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2019. V. 62. N 1. P. 20-25 (in Russian).
22. Abdullaeva S.S., Mammadov F.M., Bakhtiyarly LB. Quasi-binary section CuInS2-FeIn2S4. Russ. J. Inorg. Chem. 2020. 65. P. 100-105. DOI: 10.1134/S0036023619110020.
23. Bakhtiyarly LB., Azhdarova D.S., Mamedov Sh.G., Kurbanov G.R. SnPbSb4S8-4SnS system. Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved. Khim. Khim. Tekhnol. 2009.V. 52. N. 4. P. 121-123.
Поступила в редакцию 06.02.2020 Принята к опубликованию 13.05.2020
Received 06.02.2020 Accepted 13.05.2020
