CC BY
34
УДК 546.811.57:546.86.22
Квазибинарный разрез Ag2SnS3-Sb2S3
Ш. Г. Мамедов
Мамедов Шарафат Гаджиага, доктор PhD по химии, доцент, Институт катализа и неорганической химии имени академика М. Ф. Нагиева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, [email protected]
Тиостаннаты и халькостаннаты серебра широко используются как перспективные функциональные материалы, обладающие полупроводниковыми, термоэлектрическими и фотоэлектрическими свойствами. Цель настоящего исследования - изучение фазовой диаграммы Ag2SnS3-Sb2S3 и определение границ твердых растворов на основе обоих компонентов. Сплавы исследовали методами физико-химического анализа. Построена диаграмма состояния системы Ag2SnS3-Sb2S3. Установлено, что система Ag2SnS3-Sb2S3 является квазибинарным сечением квазитройной системы Ag2S-SnS2-Sb2S3 и относится к эвтектическому типу. Растворимость на основе Sb2S3 при комнатной температуре 10 мол.% Ag2SnS3, а на основе тиостанната серебра Ag2SnS3 - 3 мол.% Sb2S3. Твердые растворы на основе Sb2S3 кристаллизуются в ромбической сингонии, и с увеличением концентрации тиостанната серебра параметры кристаллической решетки увеличиваются.
Ключевые слова: Ag2SnS3-Sb2S3, фазовая диаграмма, система, эвтектика, твердый раствор, рентгенографический анализ.
DOI: https://doi.org/10.18500/1816-9775-2020-20-1-49-54
Введение
Исследование новых функциональных материалов является важнейшим фактором развития современной науки и техники. Тиостаннаты серебра относятся к числу таких материалов. Халькостаннаты серебра широко используются как перспективные функциональные материалы, обладающие полупроводниковыми, термоэлектрическими и фотоэлектрическими свойствами [1-8].
Полупроводники группы V2VI3 привлекают пристальное внимание исследователей своими уникальными свойствами и перспективой прикладного применения [9-14]. В частности, пленки Sb2S3 и Sb2Se3 вызывают интерес с точки зрения их применения в микроволновых, коммутационных и оптикоэлектронных устройствах. Показано, что Sb2S3 может быть перспективным при использовании в фотогальванических ячейках для видимой и ближней инфракрасной области спектра, так как имеет высокий коэффициент поглощения (а > 103 см-1 ) и оптимальную ширину запрещенной зоны 1.78-2.5 эВ. Эти материалы могут также найти применение в термоэлектрических устройствах охлаждения.
Соединение Sb2S3 плавится конгруэнтно при 820 К и кристаллизуется в ромбической сингонии
с параметрами элементарной ячейки: a = 11,20, b = 11,28, с = 3,8ЭА [15-20].
Боковые системы, составляющие квазитройную Ag2S-SnS2-Sb2S3, подробно изучены. Авторы [21-25] установили существование трех соединений серебра составов Ag8SnS6, Ag2SnS3 и Ag2Sn2S5.
Соединение Ag2SnS3 характеризуется конгруэнтным плавлением при 936 К и кристаллизуется в моноклинной сингонии: Пр. г, Pna21, а = 6.27 А, b = 5.793 А, с = 13.719 А, в = 93.27° [21]. Ag2Sn2S5 образуется по перитектической реакции при 955 К [21]. Авторы [25] тоже изучали данную систему. Они опредилили, что в системе образуются соединения составов Ag4Sn3S8, Ag8SnS6 и Ag2SnS3.
Одним из путей поиска и разработки методом направленного синтеза новых многокомпонентных фаз и материалов является изучение фазового равновесия. Цель настоящего исследования - изучение фазовой диаграммы Ag2SnS3-Sb2S3 и определение границ твердых растворов на основе обоих компонентов. В данной работе представлены результаты исследования взаимодействия в системе Ag2SnS3-Sb2S3 и построена Т-х диаграмма состояния.
Экспериментальная часть
Сплавы для исследования системы Ag2SnS3-Sb2S3 синтезировали из лигатур. Лигатуры Ag2SnS3 и Sb2S3 синтезированы из элементарных компонентов чистотой не менее 99,999% в откачанных кварцевых ампулах в однозонной печи при температуре 1000 и 825 К. Поликристаллические образцы сплавов системы Ag2SnS3-Sb2S3 получали расплавлением исходных сульфидов в откачанных кварцевых ампулах при температуре 825-1000 К. После окончания синтеза образцы отжигали в течение 270 ч при температуре 500 К.
Исследование сплавов проводили методами дифференциально-термического (ДТА), рентге-нофазового (РФА), микроструктурного (МСА) анализа, а также измерением микротвердости и определением плотности. РФА проводили на рентгеновском приборе модели Д2 PHASER с CuKa-излучением, Ni-фильтром, ДТА выполняли на низкочастотном термографе НТР-70 в температурном интервале 25-900° С. Скорость нагрева
10°/мин. Термопара хромель-алюмелевая, в качестве стандарта использовали оксид алюминия. МСА проводили на микроскопе МИМ-7, а микротвердость измеряли на микротвердомере ПМТ-3 при нагрузках, выбранных в результате измерения микротвердости каждой фазы. Плотность сплавов измерялась стандартным пикнометрическим методом. В качестве пикнометрической жидкости применялся толуол.
Результаты и их обсуждение
Для исследования системы Л§28п8з-8Ь23з синтезировали 12 сплавов. ДТА проводили на отожженных образцах сплавов системы Л§28пБз-бь23з. Результаты термического анализа свидетельствуют о наличии остановок на кривых нагревания при 820-935 К. Термические эффекты на кривых нагревания эндотермические, обратимые (табл. 1).
Таблица 1 / Table 1
Состав, результаты ДТА, плотности и микроструктура сплавов разреза Ag2SnS3-Sb2S3 Composition, DTA results, density and microstructure of alloys in the Ag2SnS3-Sb2S3 section
Состав, мол.% / Composition, mol.% Термические эффекты, K / Thermal effects, K Плотность, г/см3 / Density, g/cm3 Фазовый состав / Phase Composition
Ag2SnS3 Sb2S3 Солидус / Solidus Ликвидус / Liquidus
100 0,0 - 935 4,580 т (Ag2SnS3)
98 2,0 900 930 4,578 т
95 5,0 870 920 4,575 т+s
90 10 750 885 4,570 т+s
80 20 750 845 4,565 т+s
70 30 750 800 4,560 т+s
60 40 750 (евт) 4,554 т+s
50 50 750 770 4,553 т+s
40 60 750 785 4,552 т+s
30 70 750 800 4,681 т+s
20 80 750 810 4,670 т+s
10 90 775 790 4,660 s
5,0 95 790 800 4,650 s
0,0 100 - 820 4,640 s(Sb2S3)
Результаты рентгенофазового анализа хорошо согласуются с данными микроструктурного анализа и подтверждают образование в системе Л§23п8з-8Ь23з области твердых растворов на основе исходных компонентов. Гомогенность твердых растворов определяли рентгеновским методом. Проведенные исследования показали, что на дифрактограммах твердых растворов на основе Л§28пБз присутствуют рефлексы, характерные для моноклинной структуры. В твердых растворах на основе 8^83 присутствуют рефлексы, характерные для ромбической структуры (рис. 1.)
Для определения границ твердых растворов были синтезированы сплавы 99, 98, 97, 96, 94, 92, 90, 89, 88 мол.% исходных компонентов. Эти сплавы отжигались в течение 300 ч при 600 и 450 К и затем закалялись. После тщательного изучения микроструктуры этих сплавов определялись границы растворимости.
Изучение микроструктуры показало, что сплавы, содержащие 0-10 и 97-100 мол.% Л§28п83. однофазные, 10-97 мол.% Л§28пБ3 - двухфаз-
jI^JjUlLuu. ^jLjXjLU^^^i
juL
и Л
Рис 1 -
. 1. Дифрактограмма сплавов системы Ag2SnS3-Sb2S3: Sb2S3; 2 - 10 мол.% Ag2SnS3; 3 - 11 мол.% Ag2SnS3; 4 - 96 мол.% Ag2SnS3; 5 - 97 мол.% Ag2SnS3; 6 - Ag2SnS3 Fig. 1. Diffraction pattern of alloys of the Ag2SnS3-Sb2S3
system: 1 -of Ag2SnS3
Sb2S3:
2 - 10 mol.% of Ag2SnS3; 3 - 11 mol.% 96 mol.% of Ag2SnS3; 5 - 97 mol.% of Ag2SnS3; 6 - Ag2SnS3
I
1
2
4
ные. С увеличением температуры образование твердых растворов на основе БЦЗз достигает 12 мол.% л§23п8з при эвтектической температуре. Установлено, что сплавы составов 0 -10 мол и 97-100 мол.% л§28пбз являются твердыми рас-
творами. Твердые растворы на основе сульфида сурьмы (БЦЗз) кристаллизуются в ромбической сингонии. С увеличением содержания Л§23п8з параметр ромбической решетки увеличивается для чистого БЦЗз (табл. 2).
Таблица 2 / Table 2
Параметры кристаллической решетки твердых растворов (Sb2S3)1-x(Ag2SnS3)x The crystal lattice parameters of solid solutions (Sb2S3)1-x (Ag2SnS3)x
Состав, мол.% Ag2SnS3 / Composition, mol.% Ag2SnS3 Параметры решетки, Â / Lattice parameter, Â V, Â3
а b с
0,0 11,20 11,28 3,83 483,87
2,0 11,25 11,31 3,90 496,22
4,0 11,29 11,33 3,92 501,48
6,0 11,34 11,36 3,93 506,27
8,0 11,41 11,40 3,95 513,79
10 11,46 11,43 3,97 519,57
На основании полученных результатов физико-химического анализа построена Т-х диаграм-
ма разреза Ag2SnS3-Sb2S3 квазитройной системы Ag2S-SnS2-Sb2S3 (рис. 2).
Рис. 2. Т-х диаграмма системы Ag2SnS3-Sb2S3 Fig. 2. T-х diagram of the Ag2SnS3-Sb2S3 system
Как видно из рис. 2, система Л§28п8з-8Ь23з является квазибинарным сечением тройной системы Л§28-8п82-ЗЬ28з и относится к эвтектическому типу. Координаты эвтектической точки: 60 мол.% Л§28пБз при 750 К. Состав эвтектической смеси
определен построением треугольника Таммана.
Ликвидус системы состоит из двух ветвей первичной кристаллизации е и т. Ветви первичный кристаллизации е и т пересекаются в эвтектической точке.
Монокристаллы твердых растворов (8Ь2В3)1-х(Л§28п83)х были получены методом Бриджмена - Стокбаргера (табл. 3).
Для выращивания монокристаллов (8Ь2Б3)1-х(Л§28п83)х предварительно синтезировали поликристаллические сплавы 3-5 г, затем измельчали и переносили в ампулу. Скорость
перемещения фронта кристаллизации составила 3-5 мм/ч, в зоне кристаллизации градиент температуры 0,1-0,4 мм/ч. Таким образом, были получены однородные монокристаллические образцы длиной 20-30 мм и диаметром 15-20 мм (8Ь283)1-х(Л§28п83)х, пригодные для дальнейших исследований.
Таблица 3 / Table 3
Оптимальный режим выращивания монокристаллов твердых растворов на основе Sb2S3 The optimal mode of growing single crystals of solid solutions based on Sb2S3
Состав / Composition Т1-Т2, К Скорость перемещения в печи, мм/ч / Furnace transfer rate, mm / h Размер монокристаллов, мм / Monocrystal size fishing, mm Масса монокристаллов, г / Single crystal mass fishing, g
(Sb2S3)0,997 -(Ag2SnS3)0,003 700-800 3,0 7x16 6,2
(Sb2S3)0,995 -( Ag2SnS3)0,005 700-800 3,0 7x16 6,4
(Sb2S3)0,993 -( Ag2SnS3)0,007 700-800 3,0 7x18 6,5
Заключение
1. Методами физико-химического анализа (РФА, ДТА, МСА) впервые изучена и построена Т-х фазовая диаграмма системы Ág2SnS3-Sb2S3. Установлено, что система является квазибинарным сечением квазитройной системы Ag2S-SnS2-Sb2S3 и относится к эвтектическому типу.
2. В системе Ag2SnS3-Sb2S3 обнаружили образование твердых растворов на основе исходных компонентов. Растворимость на основе тиостан-ната серебра при комнатной температуре 3 мол.% Sb2S3 , а на основе Sb2S3 10 мол.% Ag2SnS3.
Список литературы
1. AvellanedaD, NairM. T, NairP. K. C^SnS3 and Cu4SnS4 thin films via chemical deposition for photovoltaic application // J. Thermochem. Soc. 2010. Vol. 158, № 6. P. 346-352.
2. Fiechter S., MartinezM., Schmidt G., Henrion W., Tommet Y. Phase relations and optical properties of semiconducting ternary sulfides in the system Cu-Sn-S // J. Phys. Chem. Solids. 2003. Vol. 64. P. 1859-1862. DOI: https:// doi.org/10.1016/S0022-3697(03)00172-0
3. Gurieva G., Levchenko S., Schorr S., León M., Serna R., Nateprov A., ArushanovetE. Characterization of Cu2SnSe3 by spectroscopic ellip sometry // Thin Solid films. 2013. Vol. 535, № 2. P. 384-386. DOI: https://doi. org/10.1016/j.tsf.2012.11.104
4. Kim K. M., TampoH., ShibataH., ShigeruN. Growth and characterization of coevaporated Cu2SnSe3 thin films for photovoltaic applications // Thin Solid Films. 2013. Vol. 536, № 1. P. 111-114. DOI: 10.1016/j.tsf.2013.03.119
5. Delgado G. E., Mora A. Y., Marcano G., Rincon C. Crystal structure refinement of the semiconducting compound Cu2SnSe3 from X-ray powder difraction data // Mater. Res. Bull. 2003. Vol. 38. P. 1949-1955. DOI: https://doi. org/10.1016/j.materresbull.2003.09.017
6. Parasyuk O. V., Gulay L. D., Piskach L. V., Kuman-ska Yu. O. The Ag2Se-HgSe-SnSe2 system and the crystal structure of the Ag2HgSnSe4 // J. Alloys and Compounds. 2002. Vol. 339. P. 140-143. DOI: https://doi.org/10.1016/ S0925-8388(01)01985-5
7. Parasyuk O. V., Chykhrij S. I., Bozhko V. V., Piskach L. V., Bogdanyuk M. S., Olekseyuk I. D., Bulatetska L. V., Pekhnyo V. I. Phase diagrammof the Ag2S-HgS-SnS2 system and single crystal prepartion, crystal structure and properties of Ag2HgSnS4 // J. Alloys and Compounds. 2005. Vol. 399. P. 32-37. DOI: https://doi.org/10.1016/j. jallcom.2005.03.008
8. Parasyuk O. V., FedorchukA. O., Kogut Yu. M., Piska-cha L. V., Olekseyuk I. D. The Ag2S-HgS-GeS2 system : Phase diagram, glass-formation region and crystal structure Ag2ZnGeS4 // J. Alloys and Compounds. 2000. Vol. 500. P. 26-29. DOI: https://doi.org/10.1016/jjall-com.2010.03.198
9. Messina S., Nair M. T. S., Nair P. K. Solar cells with Sb2S3 absorber films. Thin Solid Films. 2009. Vol. 517. P. 2503-2507.
10. Maghraoui-Meherzi H., Ben Nasr T., Kamoun N., Dach-raoui M. Structural, morphology and optical properties of chemically deposited Sb2S3 thin films // Physica B. 2010. Vol. 405. P. 3101-3105. DOI: 10.1016/j.physb. 2010.04.020
11. Maghraoui-Meherzi H., Ben Nasr T., Kamoun N., DachraouiM. Physical properties of chemically deposited Sb2S3 thin films // Comptes Rendus Chimie. 2011. Vol. 14. P. 471-475. DOI: 10.1016/j.crci.2010.10.007
12. ArunP., VedeshwaraA. G. Phase modification by instantaneous heat treatment of Sb2S3 filmsand their potential for photothermal optical recording // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79. P. 4029.
13. PeralesF., Agullo-Rueda F., Lamela J., Heras C. de las. Optical and structural properties of Sb2S3/MgF2 multilayers for laser application s// J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. P. 045-403.
14. PeralesF., Lifante G., Agullo-RuedaF., Heras C. de las. Optical and structural properties in the amorphous to polycrystalline transition in Sb2S3 thin films // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 2440-2444.
15. Самсонов Г. В., Дроздова С. В. Сульфиды. М. : Металлургия, 1972. 304 с.
16. Bayliss P., Nowaski W. Refinement of the structure of stibnite Sb2S3 // Z. Kristallogr. 1972. Vol. 135, № 2. P. 308-3152
17. Popolitov V. I. Hydrothermal crystallization of Sb2S3 // Kristallografiya. 1968. Vol. 14, № 2. P. 545-548.
18. Aliev O. M., Asadov M. M., Azhdarova D. S., Ma-medov Sh. G., Ragimova V. M. Polythermal Section FeSb2S4-FeSm2S4 of the FeS-Sb2S3-Sm2S3 System // Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2018. Vol. 63, iss. 6. P. 833-836.
19. Aliyev O. M., Ajdarova D. S., Agayeva R. M., Maksu-dova T. F., Mamedov Sh. H. Phase Relations along the Cu2S(Sb2S3, PbSb2S4, Pb5Sb4S11)-PbCuSbS3 Joins in the Pseudoternary System Cu2S-PbS-Sb2S3 and
Physical Properties of (Sb2S3)1 -x(PbCuSbS3)x Solid Solutions // Inorganic Materials. 2018. Vol. 54, iss. 12. P. 1199-1204.
20. Bakhtiyarly I. B., Azhdarova D. S., Mamedov Sh. G. Pb-Sb-S ternary system // Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2013. Vol. 58, iss. 6. P. 728-733.
21. Кохан О. П. Взаeмодiя у системах Ag2X-BIVX2 (BIV -Si, Ge, Sn; X - S, Se) i властивост сполук : автореф. дис. ... канд. xiM. наук. Ужгород, 1996. 21 с.
22. Wang N., Fan A. K. An experimental study of the Ag2S-SnS2 pseudobinary join // Neues Jahrb. Mineral, Abh, 1989. Vol. 160. P. 33-36.
23. Wang N. New data for Ag8SnS6 (canfeildite) and Ag8GeS6 (argyrodite) // Neues Jahrb. Mineral. Monatsh. 1978. P. 269-272.
24. Gorochov O. Les composés Ag8MX6 (M=Si, Ge, Sn et X=S, Se, Te) // Bull. Soc. Chim. Fr. 1968. № 6. P. 2263-2275.
25. Kitazawa H., Kitakaze A., Sugaki A. Phase relation on the Ag-Sn-S system // Collected Abstract Mineral. Soc. Japan, 1985. Vol. 19.
Образец для цитирования:
Мамедов Ш. Г. Квазибинарный разрез Ag2SnS3-Sb2S3 // Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Химия. Биология. Экология. 2020. Т. 20, вып. 1. С. 49-54. БО!: https://doi.org/10.18500/1816-9775-2020-20-1-49-54
Quasi-binary Section Ag2SnS3-Sb2S3 Sh. H. Mammadov
Sharafat H. Mammadov, https://orcid.org/0000-0002-1624-7345, Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after academician M. F. Nagiyev of the National Academy of Sciences of Azerbaijan, 113 G. Javid Ave., Az1143 Baku, Republic of Azerbaijan, [email protected]
Silver thiostannates and chalcostannates are widely used as promising functional materials which have semiconductor, thermoelectric, and photoelectric properties. The goal of this research is to study the Ag2SnS3-Sb2S3 phase diagram and determine the boundaries of solid solutions based on both components. Alloys were investigated using methods of physicochemical analysis. Based on the results of the study, a condition diagram of the Ag2SnS3-Sb2S3 system was constructed. It was established that the Ag2SnS3-Sb2S3 system is a quasibinary section of the Ag2SnS3-Sb2S3 quasiternal system and is the one of the eutectic type. The solubility based on Sb2S3 at room temperature is 10 mol% Ag2SnS3, and based on silver thiostannate Ag2SnS3 it is 3 mol% Sb2S3. Solid solutions based on Sb2S3 crystallize in a rhombic system and, with an increase in silver thiostannate concentration, the lattice parameters increase. Keywords: Ag2SnS3-Sb2S3, phase diagram, system, eutectic, solid solution, X-ray analysis.
References
1. Avellaneda D., Nair M. T., Nair P. K. Cu2SnS3 and Cu4SnS4 thin films via chemical deposition for photovoltaic application. J. Thermochem. Soc., 2010, vol. 158, no. 6, pp. 346-352.
2. Fiechter S., Martinez M., Schmidt G., Henrion W., Tommet Y. Phase relations and optical properties of semiconducting ternary sulfides in the system Cu-Sn-S. J. Phys. Chem. Solids, 2003, vol. 64, pp. 1859-1862. DOI: 10.1016/S0022-3697(03)00172-0
3. Gurieva G., Levchenko S., Schorr S., León M., Serna R., Nateprov A., Arushanovet E. Characterization of Cu2SnSe3 by spectroscopic ellip sometry. Thin Solid films, 2013, vol. 535, no. 2, pp. 384-386. DOI: 10.1016/j. tsf.2012.11.104
4. Kim K. M., Tampo H., Shibata H., Shigeru N. Growth and characterization of coevaporated Cu2SnSe3 thin films for photovoltaic applications. Thin Solid Films., 2013, vol. 536, no. 1, pp. 111-114. DOI: 10.1016/j.tsf.2013.03.119
5. Delgado G. E., Mora A. Y., Marcano G., Rincon C. Crystal structure refinement of the semiconducting compound Cu2SnSe3 from X-ray powder difraction data. Mater. Res. Bull., 2003, vol. 38, pp. 1949-1955. DOI: https:// doi.org/10.1016/j.materresbull.2003.09.017
6. Parasyuk O. V., Gulay L. D., Piskach L. V., Kuman-ska Yu. O. The Ag2Se-HgSe-SnSe2 system and the crystal structure of the Ag2HgSnSe4. J. Alloys and impounds, 2002, vol. 339, pp. 140-143. DOI: https:// doi.org/10.1016/S0925-8388(01)01985-5
7. Parasyuk O. V, Chykhrij S. I., Bozhko V V, Piskach L. V, Bogdanyuk M. S., Olekseyuk I. D., Bulatetska L. V., Pekhnyo V. I. Phase diagrammof the Ag2S-HgS-SnS2 system and single crystal prepartion, crystal structure and properties of Ag2HgSnS4. J. Alloys and Compounds, 2005, vol. 399, pp. 32-37. DOI: https://doi.org/10.1016/j. jallcom.2005.03.008
8. Parasyuk O. V., Fedorchuk A. O., Kogut Yu. M., Piskacha L. V., Olekseyuk I. D. The Ag2S-HgS-GeS2
system: Phase diagram, glass-formation region and crystal structure Ag2ZnGeS4. J. Alloys and Compounds, 2000, vol. 500, pp. 26-29. DOI: https://doi.Org/10.1016/j. jallcom.2010.03.198
9. Messina S., Nair M.T. S, Nair P. K. Solar cells with Sb2S3 absorber films. Thin Solid Films, 2009, vol. 517, pp. 2503-2507.
10. Maghraoui-Meherzi H., Ben Nasr T., Kamoun N., Dachraoui M. Structural, morphology and optical properties of chemically deposited Sb2S3 thin films. Physica B, 2010, vol. 405, pp. 3101-3105. DOI: 10.1016/j. physb.2010.04.020
11. Maghraoui-Meherzi H., Ben Nasr T., Kamoun N., Dachraoui M. Physical properties of chemically deposited Sb2S3 thin films. Comptes Rendus Chimie, 2011, vol. 14, pp. 471-475. DOI: 10.1016/j.crci.2010.10.007
12. Arun P., Vedeshwara A. G. Phase modification by instantaneous heat treatment of Sb2S3 filmsand their potential for photothermal optical recording. J. Appl. Phys., 1996, vol. 79, pp. 4029.
13. Perales F., Agullo-Rueda F., Lamela J., Heras C. de las. Optical and structural properties of Sb2S3/MgF2 multilayers for laser applications. J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, vol. 41, pp. 045-403.
14. Perales F., Lifante G., Agullo-Rueda F., Heras C. de las. Optical and structural properties in the amorphous to polycrystalline transition in Sb2S3 thin films. J. Phys. D: Appl. Phys., 2007, vol. 40, pp. 2440-2444.
15. Samsonov G. V., Drozdova S. V. Sulfidy [Sulfides]. Moscow, Metallurgiya Publ., 1972. 304 p. (in Russian).
16. Bayliss P., Nowaski W. Refinement of the structure of stibnite Sb2S3. Z. Kristallogr., 1972, vol. 135, no. 2, pp. 308-315.
17. Popolitov V. I. Hydrothermal crystallization of Sb2S3. Kristallografiya, 1968, vol. 14, no. 2, pp. 545-548.
18. Aliev O. M., Asadov M. M., Azhdarova D. S., Mame-dov Sh. G., Ragimova V. M. Polythermal Section FeSb2S4-FeSm2S4 of the FeS-Sb2S3-Sm2S3 System. Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2018, vol. 63, iss. 6. pp. 833-836 (in Russian).
19. Aliyev O. M., Ajdarova D. S., Agayeva R. M., Mak-sudova T. F., Mamedov Sh. H. Phase Relations along the Cu2S(Sb2S3 PbSb2S4, Pb5Sb4Sn)-PbCuSbS3 Joins in the Pseudoternary System Cu2S-PbS-Sb2S3 and Physical Properties of (Sb2S3)j -x(PbCuSbS3)x Solid Solutions. Inorganic Materials, 2018, vol. 54, iss. 12, pp. 1199-1204.
20. Bakhtiyarly I. B., Azhdarova D. S., Mamedov Sh. G. Pb-Sb-S ternary system. Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2013, vol. 58, iss. 6, pp. 728-733 (in Russian).
21. Kokhan O. P. The Interactions in Ag2X-BIVX2 (BIV - Si, Ge, Sn; X - S, Se) Systems and the Properties of Compounds. Tesis Diss. Dr. Sci. (Chem.). Uzhgorod, 1996. 21 p. (in Ukrainian).
22. Wang N., Fan A. K. An experimental study of the Ag2S-SnS2 pseudobinary join. Neues Jahrb. Mineral. Abh., 1989, vol. 160, pp. 33-36.
23. Wang N. New data for Ag8SnS6 (canfeildite) and Ag8GeS6 (argyrodite). Neues Jahrb. Mineral. Monatsh., 19778, pp. 269-272.
24. Gorochov O. Les composés Ag8MX6 (M=Si, Ge, Sn et X=S, Se, Te). Bull. Soc. Chim. Fr., 1968, no. 6, pp. 2263-2275.
25. Kitazawa H., Kitakaze A., Sugaki A. Phase relation on the Ag-Sn-S system. Collected Abstract Mineral. Soc. Japan, 1985, vol. 19.
Ote this article as:
Mammadov Sh. H. Quasi-binary Section Ag2SnS3-Sb2S3. Izv. Saratov Univ. (N. S.), Ser. Chemistry. Biology. Ecology, 2020, vol. 20, iss. 1, pp. 49-54 (in Russian). DOI: https://doi.org/10.18500/1816-9775-2020-20-1-49-54
