Фотогенерация и транспорт носителей заряда в полигид роксиаминоэфирах Текст научной статьи по специальности «Химические науки»

ВЫСОКОМОЛЕКУЛЯРНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ

1991

Том (А) 33

№ 10

УДК 541(14+64) :537.3

© 1991 г. А. Ю. Крюков, А. А. Пахратдинов, А. В. Ванников, А. В. Аникеев, Л. И. Костенко

ФОТОГЕНЕРАЦИЯ И ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛИГИДРОКСИАМИНОЭФИРАХ

Исследованы механизмы фотогенерации и транспорта носителей заряда в олигомерах на основе К,№-дибензил-4,4'-диаминодифенилметана и диглицидиловых эфиров дикарбоновых кислот электрофотографическим и времяпролетным методами. Исследованы спектральные и полевые зависимости эффективности фотогенерации дырок в слоях олигомера без добавок и с добавкой СВг4. Полевые зависимости интерпретируются в рамках модели Онзагера. Сверхлинейная зависимость времени пролета дырок от толщины образцов указывает на дисперсионный характер транспорта носителей заряда. Дрейфовая подвижность дырок составляет 210~10 м2/В с, а энергия активации подвижности 0,25 эВ при Р=8-Ю7 В/м.

Исследование фотохимических и электрофизических свойств линейных полигидроксиаминоэфиров (АРН), синтезируемых путем взаимодействия диэпоксидов с ди- и моноаминами [1, 2], представляет большой интерес в связи с возможностью разработки на их основе чувствительных к свету и ионизирующему излучению материалов, АРН благодаря фотопроводниковым и прекрасным пленкообразующим свойствам перспективны для применения в электрофотографии [3—5].

Введение в пленки АРН галогенсодержащкх акцепторов, например СВг4, позволяет получить ряд новых свойств и расширить возможности пленочных систем на основе АРН. В спектрах поглощения пленок АРН, содержащих СВг4, появляется новая полоса поглощения в области 300— 480 нм, которая принадлежит комплексу с переносом заряда (КПЗ), формирующемуся между акцептором и электронодонорным аминным фрагментом макромолекул АРН [6]. При действии света в полосе поглощения КПЗ или ионизирующего излучения происходит окисление АРН и образование продуктов поликатионной природы АР+ [6—9], обладающих интенсивным поглощением в видимой области спектра. Пленочные системы на основе АРН благодаря содержанию акцептора и возможности фотохимического или радиационно-химического образования АР+ могут быть использованы в качестве высокочувствительных фото-, электроно-и рентгенорезистов [10, 11], электрофотографических или электрорентгенографических материалов, в которых реализуется эффект памяти [12, 13]. Такие системы позволяют осуществлять фотохимическую сенсибилизацию и получать электрофотографические материалы с регулируемой чувствительностью [6, 7, 14].

В цитированных работах подробно исследованы полигидроксиамино-эфиры, при синтезе которых в качестве аминных компонентов использовали широкий набор соединений, а в качестве диэпоксидных 2,2-бис-(4-[2,3-эпоксипропокси]-фенил)пропан. Вместе с тем представляет практический интерес синтез и исследование свойств таких полигидроксиаминоэфиров, структура макромолекул которых целенаправленно варьируется как по аминному, так и по эфирному фрагменту. Ранее при исследовании фотофизических свойств таких систем основное внимание было уделено транспорту носителей заряда, а механизм генерации не рассматривался. В настоящей работе изучены закономерности фотогенерации и транспор-

2176

та носителей заряда в олигомерах на основе ^^'-дибензил-4,4'-диамино-дифенилметана и диглицидиловых эфиров дикарбоновых кислот.

Реакцию полиприсоединения 1^,№-дибензил-4,4'-диаминодифенилметана к диглп-цидиловому эфиру камфорной или метилтетрагидрофталевой кислоты проводили, выдерживая гомогенный расплав эквимолекулярной смеси реагентов при 110° в течение 16 ч

Н2

-СНо-

<0>-СН2

1V

-О-С-

I!

О

-И—С—О—СН8-

II

о

-СН-ОДЛ ■

V

где

—СН2—СН—СН2—О—С—И—С—О—СН2—СН—

I

он

о

_СН2-1Ч-/^\-СН2-

Н,С-<

СН3 СНз

\ / к = с

\н_

/ \ / Н3С Н2С-СН2

(I)

о

он

-К-)

I /П>

-СН2

-СН-СН—

Н2С

\

с=

СНз

сн2

/ =сн

(И).

Далее расплав охлаждали до 60° и растворяли в хлороформе. Олигомерный продукт высаждали при интенсивном перемешивании путем медленного прибавления полученного раствора к смеси четыреххлористого углерода с гексаном (объемное соотношение 1:1). Затем маточный раствор декантировали и продукт вакуумировали при комнатной температуре в течение 2-3 ч. Полученную губчатую массу измельчали и сушили до постоянного веса при 50-60° в вакууме 1-2 мм рт. ст. Важными условиями для осуществления линейного ступенчатого полиприсоединения диэпокси-дов к бифункциональным нуклеофильным реагентам являются чистота исходных материалов и поддержание одинаковой молекулярной концентрации электрофильного. и нуклеофильного компонентов. Очистку 1У,М'-дибензил-4,4'-диаминодифенилметана проводили последовательной кристаллизацией из этанола и смеси бензола с гексаном при объемном соотношении 1: 1. Очистку диглицидиловых эфиров дикарбоновых кислот осуществляли с помощью кипячения в этаноле в присутствии угля и последующей сушки в вакууме.

Мп синтезированных олигомеров составляла (1,2-2,0)-103, степень полимеризации п=2-3. Несмотря на низкие значения п, слои АРН отличаются высокими физико-механическими характеристиками.

Исследовали слои I и II без добавок и с добавкой различных концентраций СВг4, нанесенные на лавсановую или стеклянную подложку с проводящими слоями N1, БпОз или А1.

Эффективность фотогенерации г] определяли в электрофотографическом режиме, заряжая слой до необходимого потенциала электризатором с управляющей сеткой. Потенциал измеряли динамическим электрометром ТВ-84М. Слой освещали при помощи лампы ДРШ-250-3, монохроматора МСД-1 и фотозатвора. Энергетическую освещенность измеряли измерителем ИМО-2Н. На начальном участке кривой фоторазряжения зависимость величины поверхностного потенциала и от времени облучения близка к линейной. т| вычисляли по формуле

Д Пггоку

П=--• (!)

где го — электрическая постоянная, е — диэлектрическая проницаемость, Ь — толщина слоя, ДV - изменение потенциала при фоторазряжении, Д( — время действия света Р\ — интенсивность падающего света, О — оптическая плотность на длине волны действующего света.

Электрофотографическую чувствительность 5 находили по формуле

1

5 ----(2)

Р>М

При расчете Я не учитывали темновой спад поверхностного потенциала. В фор-

2177

Рис. 1. Спектральные зависимости 5 (1, 2) ш г\ (3) для слоев II с добавкой 32 мас.% СВг4 (1, 3) и без добавок (2). Толщина образцов 6,0-6,5 мкм

мулах (1) и (2) использовали А¿, при котором Д{7 составляет 20% от начального потенциала заряжения и0.

Исследовали кривые переходных токов с помощью времяпролетного метода [15]. При этом образцы типа «сандвич» имели дополнительно полупрозрачный электрод из Аи и генерационный слой Эе, толщиной ~0,2 мкм, расположенный между Ац-элек-тродом и исследуемым слоем АРЫ. Из переходного тока определяли время пролета носителей через образец гПр и по формуле

ц=г,/^пр (3)

(Р — напряженность электрического поля) рассчитывали дрейфовую подвижность носителей заряда ¡д..

Толщину слоев измеряли с помощью интерференционного микроскопа МИИ-4 Диэлектрическую проницаемость е определяли емкостным методом с помощью цифрового измерителя Е7-8.

Фотоэлектрические характеристики слоев I и II с одинаковыми Мп совпадают в пределах точности эксперимента, т. е. наличие ненасыщенных связей в диэфирном фрагменте макромолекул АРН не влияет на протекающие фотофизическне процессы.

На рис. 1 приведены кривые спектральной чувствительности электрофотографических слоев II без добавок и с добавкой СВг4, которые хорошо коррелируют со спектрами поглощения. Спектр поглощения композиции АРН и СВг4 в диапазоне длин волн 300—500 нм состоит из суперпозиции полос поглощения АРН и КПЗ (АРН ... СВг4) [6, 11]. При уменьшении длины волны увеличивается вклад полосы поглощения АРН в суммарный спектр. Из-за появления дополнительной полосы поглощения КПЗ на границе видимой и УФ-областей спектра кривая спектральной чувствительности слоя АРН с добавкой акцептора смещается в область больших длин воли. При /.=380 нм более 90% света поглощается КПЗ. Как видно из рис. 1, значение 1] снижается при уменьшении энергии кванта Ы до 3,1 эВ, т. е. в области смешанного поглощения АРН и КПЗ, а затем начинает расти при дальнейшем снижении Ку от 2,7 эВ, т. е. в области преимущественного поглощения КПЗ. Наблюдаемая зависимость г) от к объясняет-

2178

ся протеканием при действии света конкурирующих процессов образования носителей заряда и фотолиза. Основным продуктом фотолиза АРП является соединение типа гидрола Михлера (АР+), которое образуется после возбуждения КПЗ по схеме

/IV

(АРН ... СВг4) —> (АРН .. • СВг4)* —> (АРН+-... СВг4~) —►

—*- АР+ + Вг" + СНВг3 (4>

При поглощении света КПЗ носители заряда образуются по реакции (АРН ... СВг4)"^АРН+*+СВГ4-' (5)

В работах [16—18] показано, что подвижными в рассматриваемой системе являются дырки, которые представляют собой катион-радикалы АРН+* (заряд локализован на диаминном фрагменте). Вероятна миграция возбужденного состояния КПЗ после релаксации на нижний возбужденный уровень, так как вероятность диссоциации пары в области небольших !г\ невысока. Образование носителей заряда в этом случае происходит при взаимодействии возбужденного состояния с примесью.

По-видимому, энергетический уровень промежуточного состояния (АРН+*... СВг4~"), с которого идет диссоциация КПЗ и образование продуктов фотолиза лежит выше нижнего возбужденного уровня КПЗ. Таким образом, после возбуждения КПЗ процесс перехода в состояние, из которого идет фотолиз, и процесс образования носителей конкурируют между' собой. При увеличении /IV вероятность перехода в состояние (АРН+*... ... СВг4~) увеличивается, что, очевидно, снижает вероятность миграции возбуждения, образования носителей заряда и, следовательно, т).

Эффективность образования носителей заряда при поглощении света АРН выше, чем при возбуждении КПЗ из-за протекания конкурирующего процесса фотолиза. При поглощении света АРН носители заряда образуются по реакции

/IV

АРН —> АРН* —> АРН+- + е (6)>

В таком случае фотолиз, по-видимому, менее вероятен, так как идет после передачи возбуждения на КПЗ

АРН Ч-(АРН ... СВг4)+АРН+(АРН ... СВг4)* (7)

В связи с этим при увеличении энергии кванта или уменьшении X происходит рост г] (рис. 1, кривая 3) вследствие повышения доли поглощенного света молекулами АРН. Похожую зависимость г] от X наблюдали в работе [19] в пленках поливинилкарбазола. Несмотря на увеличение т], при А,>400 нм происходит снижение <5 (рис. 1), значения которой рассчитываются на падающий свет, из-за сильного снижения оптической плотности и, следовательно, доли поглощенного света.

Продукт фотолиза АР+, имеющий полосу поглощения с Хмакс=630 нм, является эффективным электрофотографическим сенсибилизатором, причем кривая зависимости 5 от концентрации АР+ имеет максимум при [АР+] ~ (3—5) Ю-2 моль/л, что соответствует оптической плотности в максимуме полосы поглощения 0,6—1,0 (рис. 2) [5, 7, 17]. Присутствие в слое акцептора до концентрации 32 мас.% не влияет на форму кривой: экспериментальные точки для слоев I, содержащих 8 и 32 мас.% СВг4, аппроксимируются одной кривой. Снижение чувствительности при больших концентрациях АР+ связано со снижением г| в результате резкого возрастания концентрации электрон-дырочных пар [18] и увеличения вклада процесса объемной рекомбинации носителей заряда.

Наряду с процессом сенсибилизации при повышении концентрации АР+ происходит увеличение темновой электропроводности о слоев. Значение о рассчитывали по выражению

1 ¿и

а=-ее°тг^г (8)

2179

Рис. 2. Зависимость 5 (1, 2) и ст (5, 4) от оптической плотности в максимуме полосы поглощения АР+ для слоев I, содержащих 8 (1, 3) и 32 мас.% СВг4 (2, 4). Толщина образцов 1,5-2,0 мкм

ь97

Рис. 3. Зависимости г| от напряженности электрического поля при фотогенерации дырок светом с ¿,=380 (1, 2, 4) и 630 нм (3) в слоях АРН, без добавок (1); в слоях АРН, содержащих 32 мас.% СВг4 (2-4); в слоях АРН, содержащих 32 мас.% СВг4 и АР+ (Д=0,85 при /.=630 нм) (3, 4)

из кривых темнового разряжения в электрофотографическом режиме. Увеличение а в этом случае происходит вследствие генерации дырок по реакции

АРН+АР+^АРН+'+АР' (9)

При увеличении концентрации АР+, очевидно, растет равновесная концентрация АРН+*. В работе [6] показано, что АРН реагирует с катионом феррициния или неорганическими катионами (Ге3+) с образованием АРН+\

На рис. 3 приведены зависимости т] от Р при действии света с Л=630 и 380 нм. В первом случае свет поглощается АР+, а во втором — в основном КПЗ и в малой степени АРН.

2180

Процесс фотогенерации носителей заряда в фотопроводниковых системах обычно рассматривается в рамках теории Онзагера [19—21]. По этой теории после поглощения света с квантовым выходом г)0, не зависящим от Р, образуются связанные термолизованные пары, которые затем диссоциируют на свободные носители заряда, причем на этот процесс влияет электрическое поле. Полевая зависимость т] описывается выражением

т]о — квантовый выход образования термолизованных пар; г0 — расстояния разделения термолизованных пар.

Чем меньшего, тем сильнее зависимость 14 от Р. Используя значения8= =3,0 и Г=296 К и подбирая параметры г„ и г|0, по уравнению (10) строили расчетные кривые, которые даны сплошными линиями на рис. 3. Экспериментальные точки, полученные для слоев с СВг4 без АР+ и содержащих АР+ при фотогенерации излучением с А,=380 нм ложатся на одну кривую. Значения г0 составляют 35, 25 и 20 А для слоев АРН без добавок, слоев АРН с СВг4 (1=380 нм) и слоев АРН с СВг4 и с АР+ (1=630 нм) соответственно. Значения г)0 равны 0,025; 0,05 и 1,0 соответственно. Полученные данные показывают, что присутствие сенсибилизатора АР+ не влияет на процесс фотогенерации при освещении в коротковолновой области спектра (380 нм) в полосе поглощения КПЗ или собственной полосе поглощения АРН. В то же время т) возрастает при переходе от освещения в полосе поглощения КПЗ (380 нм) к освещению в полосе поглощения АР+ (630 нм). Особенно сильно это проявляется в области сильных полей (^>2 107 В/м). При этом значение т)0 увеличивается в 40 раз, достигая единицы. Для слоев без добавок кривая зависимости т) от Т? смещена в область больших значений т] (рис. 3), что находится в соответствии с данными, представленными на рис. 1 (кривая 3). При поглощении света АРН эффективность фотогенерации выше, чем при поглощении света

Облучение сильнопоглощающимся импульсом Ыз-лазера (т=10 не, Я=337 нм) образцов АРН, помещенных между двумя электродами, к которым приложена разность потенциалов, приводит к появлению переходного тока. Кривая переходного тока представлена на рис. 4. Экспериментальные точки на рис. 4 получены в шести опытах при различных интервалах времени. После быстрого спада тока в генерационном слое Эе при ¿<£пр наблюдается участок, где ток I мало меняется во времени. В то же время при ¿<£„р кривую переходного тока в значительном временном интервале удается аппроксимировать выражением (рис. 4). При £>£пр следует затянутый спад, где зависимость / от £ меняется по закону /■~£_(,+а) (а — дисперсионный параметр, равный 0,5±0,2); tпp, как и для других, рассмотренных ранее АРН [16], сверхлинейно зависит от Ь (£~.£Л7), что однозначно указывает на дисперсионный характер транспорта дырок (рис. 5, кривая 4). Физическая природа дисперсионного транспорта заключается в том, что статистические величины (в первую очередь расстояние между транспортными центрами), определяющие транспорт, имеют широкое распределение. Зависимости £пр от напряженности электрического ноля для слоев АРН различной толщины линеаризуются в координатах ^ £пр—^ при больших Р (>3-107 В/м) (рис. 5, кривые 1—3). Наблюдается хорошее согласие экспериментальных полевых и толщинных зависимостей £пр с известным для прыжкового транспорта [22] выражением

где р — расстояние между транспортными центрами; Д0 — энергия акти-

КПЗ.

(И)

2181

г,л

Рис. 4. Кривая переходного тока в слое I (М„=1900, 1=3,5 мкм, 18°, /;,=6107 В/и). Данные осциллограмм при временной развертке 0,02 (1); 0,05 (2); 0,1 (3); 0,2 (4); 0,5 (5) и 1,0 мс/делений (6)

Рис. 5. Зависимости <пр от напряженности электрического поля для слоев I при ¿=8,1 (1); 6,5 (2) и 3,0 мкм (3). Показана также зависимость ¿Пр от Ь для слоев I при ^=6107 В/м (4). Температура 24° Значение Ь составляет 2,5-9 мкм

вации при ^=0, Т — температура. Из формулы (И) следует выражение для энергии активации подвижности А

А=А0-ер^/2а (12)

Зависимость р. от температуры линеаризуется в координатах Аррениу-са, а значения А линейно уменьшаются при увеличении Р (таблица). Ис-рользуя экспериментальное значение а=0,5 (рис. 4), из зависимости Л от Р по данным таблицы и уравнению (12) определили значение р, которое составляет 8 А для слоев I (М„=1900) и хорошо сочетается со значением р=8,3 А, рассчитанным из концентрации транспортных центров: р=(ЛГ)-,/>, где N — объемная концентрация аминогрупп. В расчетах принимали, что <¿=1 г/см3. Близкое значение р=9,2 дает расчет из полевых зависимостей £пр по выражению (11). Следует отметить, что в работе [22^

2182

Характеристики слоев I и II

(£=4 мкм, Г=23°)

Слой Добавка Ma ÎMO-7, B/m (i-10", m2/B'c Л, ЭВ

I 1900±400 3 4,4 0,66

4 8,0 0,61

5 9,4 0,57

6 12,8 0,45

7 14,3 0,33

8 20,0 0,25

I 1400±2'00 8 20,0 0,45

II — 1200±200 8 18,0 0,46

I 1+5% о-ДНБ * 1400±200 8 10,0 0,76

* Динитробензол.

выражение (11) получено для модели транспорта, в которой зависимость / от Ь при £<(пр должна иметь вид /~г-(1-а). В таблице приведены значения р. и А в слоях, содержащих о-ДНБ. Введение полярного о-ДНБ приводит к увеличению диэлектрической проницаемости е среды. Для слоев I и II без дабавки е=3,0—3,3. При введении 5 мас.% о-ДНБ значение е увеличивается до 4,4. Повышение А и снижение р, (таблица) при возрастании е связано с увеличением энергии реорганизации в соответствии с теорией Маркуса [23] и согласуется с ранее опубликованными данными [16, 18].

Таким образом, показано, что продукт фотоокисления АРН (АР+) является эффективным электрофотографическим сенсибилизатором. Сравнение полученных результатов и данных опубликованных работ показывает, что структура диэфирного фрагмента заметно не влияет на фотоэлектрические характеристики АРН. По таким характеристикам, как 5, г|, р, электрофотографические материалы на основе АРН не уступают широко известным материалам на основе полиэпоксипропилкарбазола или поли-винилкарбазола. В то же время новые АРН имеют лучшие пленкообразующие свойства, а в сочетании с галогенсодержащими акцепторами обладают комплексом новых уникальных свойств.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Horhold Н.-Н., Klee J., Bellstedt К. // Z. Chemie. 1982. В. 22. № 5. S. 166.

2. Хёрхолъд Г.-Г., Опферманн И., Раабе Д., Рэте X., Клее И. // Изв. АН КазССР. Сер. хим. 1981. № 6. С. 23.

3. Opferman J., Horhold Н.-Н., Markiewitz N., Pietsch ff.//J. Inform. Ree. Mater. 1987. V. 15. № 4. P. 277.

4. Stolle Th., Pietsch H., Ebert I. // Acta Polymerica. 1987. B. 38. № 6. S. 340.

5. Vannikov A. V., Kryukov A. Yu.//J. Inform. Ree. Mater. 1990. V. 18. № 5. P. 345.

6. Крюков А. Ю., Ванников А. В., Маркевич H» H., Пост M. //Жури. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1989. Т. 34. № 5. С. 361.

7. Markiewitz N., Pietsch Н„ Büke W.-D., Post M., Wannikow A. W., Krjukow A. Ju. // Acta Polymerica. 1987. B. 38. № 6. S. 347.

8. Ткачев В. А., Мальцев E. И., Ванников А. В., Крюков А. Ю. // Высокомолек. соед. Б. 1989. Т. 31. № И. С. 837.

9. Колотилкин А. С., Ткачев В. А., Мальцев Е. И., Ванников А. В., Крюков А. Ю.Ц Химия высоких энергий. 1991. Т. 25. № 4.

10. Markiewitz N„ Post M., Abraham H. W., Mheliss G., Rabe С., Horhold H.-H., Kryu-kow A., Vannikov A. V., Tkachev V. Pat. 277537 DDR. 1990.

11. Крюков А. Ю., Ткачев В. А., Ванников А. В., Маркевич H. H., Пост M., Хёрхолъд Х.-Х. //Высокомолек. соед. Б. 1990. Т. 32. № 7. С. 548.

12. Тамеев А. Р., Крюков А. Ю., Карасев А. Л., Ванников А. В. //Тез. докл. II Всесоюз. конф. по теоретической и прикладной радиационной химии. Обнинск, 1990. С. 274.

13. Крюков А. Ю., Тамеев А. Р., Карасев А. Л., Ванников А. В. // Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1991. Т. 36. № 1. С. 60.

14. Markiewitz N., Post M., Kampfrat G., Wannikow A. W., Kryukow A. Yu., Turin A. G., Hörhold H.-H., Opfermann /.,// Pat. 262293 DDR. 1988.

2183

15. Голъданский В. И., Трахтенберг Л. И., Флеров В. И. // Тунельные явления в химической физике. М., 1984. 295 с.

16. Крюков А. Ю., Пахратдинов А. А., Хайлова Е. В., Ванников А. В., Хёрхольд Х.-Х., Штолле Т. // Высокомолек. соед. А. 1991. Т. 33, № 2. С. 399.

17. Тюрин А. Г., Крюков А. Ю., Журавлева Т. С., Ванников А. В. //Журн. науч. и прикл. фото- и кинематографии. 1988. Т. 33. № 6. С. 418.

18. Крюков А. Ю., Ванников А. В. // Успехи науч. фотографии. 1991. Т. 26. С. 102.

19. Мыльников В. С. // Фотопроводимость полимеров. JL, 1990. 240 с.

20. Melz P. J. II J. Chem. Phys. 1972. V. 57. № 4. P. 1694.

21. Borsenberger P. M., Ateya A. /.//J. Appl. Phys. 1978. V. 49. № 7. P. 4035.

22. Pfister G„ Scher H. // Advances Phys. 1978. V. 27. № 5. P. 747.

23. Marcus В. А. // Ann. Rev. Phys. Chem. 1964. V. 15. P. 155.

Институт электрохимии им. А. Н. Фрумкина АН СССР

Институт физико-органической химии и углехимии АН УССР

Поступила в редакцию 18.12.90

A. Yu. Kryukov, A. A. Pakhratdinov, A. V. Vannikov, A. V. Anikeev,

L. I. Kostenko

PHOTOGENERATION AND TRANSPORT OF CHARGE CARRIERS IN POLYHYDROXYAMINOESTERS

Summary

Mechanisms of photogeneration and transport of charge carriers in oligomers on the base of N,N'-dibenzyl-4,4'-diaminodiphenylmethane and diglycidyl esters of dicarbo-xylic acids have been studied by electrophotographic and time-flight methods. Spectral and field dependences of efficiency of photogeneration of holes in oligomer layers with and without CBr4 additive have been studied. Field dependences are discussed in tho framework of the Onzager model. The superlinear dependence of holes flight time on the samples thickness points out the dispersive character of the charge carriers transport. The holes drift mobility is equal to 2-10-10 M2/V s, while the activation energy of mobility is equal to 0.25 eV for F=8-107 V/M.

2184