ДВУХСЛОЙНЫЙ НЕОТРАЖАЮЩИЙ ПОГЛОТИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С МАГНЕТИКОМ И ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВОЙ НЕПОГЛОЩАЮЩЕЙ ПОДЛОЖКОЙ Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

ДВУХСЛОЙНЫЙ НЕОТРАЖАЮЩИЙ ПОГЛОТИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С МАГНЕТИКОМ И ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВОЙ НЕПОГЛОЩАЮЩЕЙ ПОДЛОЖКОЙ

Касимовa С.Р.

Касимовa Севда Расим гызы - кандидат физико-математических наук, доцент, кафедра инженерной физики и электроники, Азербайджанский технический университет, г. Баку, Азербайджанская Республика

Аннотация: в качестве полной двухслойной системы можно использовать слой поглощающего магнетика, нанесенного на четверть-волновую непоглощающую диэлектрическую подложку.

Ключевые слова: магнитная проницаемость, магнитная потеря, толщина слоя покрытия, толщина слоя подложки.

TWO-LAYER NON-REFLECTIVE ELECTROMAGNETIC RADIATION ABSORBER

WITH MAGNET AND A QUARTER-WAVE NON-ABSORBING SUBSTRATE Kasimova S.R.

Kasimova Sevda Rasim - PhD in physico-mathematics Sciences, Associate Professor, ENGINEERING PHYSICS AND ELECTRONICS DEPARTMENT, АZERBAIJAN TECHNICAL UNIVERSITY, BAKU, REPUBLIC OF AZERBAIJAN

Abstract: а layer of an absorbing magnet deposited on a quarter-wave non-absorbing dielectric substrate can be used as a complete two-layer system.

Keywords: magnetic permeability, magnetic loss, coating layer thickness, substrate layer thickness.

УДК 621:3.035.222.7.:621.317.335.3

Из условия просветления такой непоглощающей системы следует, что в реальной поглощающей системе условию полного гашения волны реализуемы при рассмотрении обратной задачи, а именно, когда слой поглощающего магнетика нанесен на переднюю поверхность подложки. В этом случае комплексная величина коэффициента отражения волны такой системы будет равна:

р = ттг; (D

zd+zо

где: z = Z Z 1 Z0 + Zth'1 - входное сопротивление системы; y = i(2 я/ft)/Ят, Z + ZII Z0thjl

Xm - постоянная распространения волны и значение длины волны в материале покрытия, Z0, Z = Z 0/fjl и Z = Z0^ -волновые сопротивления воздушной среды, веществ покрытия и подложки; l - толщина слоя

поглощающего покрытия с комплексным значением магнитной проницаемости; Ц =д'- i^", д', д"- магнитная

проницаемость и магнитные потери вещества покрытия; ej - диэлектрическая проницаемость вещества подложки.

При существовании магнитных потерь в веществе покрытия зависимость модуля коэффициента волны р от l представляет собой осциллирующую кривую, которая с увеличением l асимптотически приближается к своему предельному значению р„. Строгий анализ этой зависимости показывает, что при определенных значениях магнитных свойств вещества покрытия и при заданной величине ej подложки один из минимумов этой зависимости может достигать своего нулевого значения. Для N-го нулевого минимума функции p(l) связь между магнитными и диэлектрическими параметрами веществ системы определяется уравнением следующего вида:

1 ( \

2%N + (ф2-ф1) = -ln ^ ; (2)

У

V ri у

где:(» - о; +М; ;, (» -1 ' » ' Г +М' ; ^ = агсщ-^*, ; Фг = arctg-^L

!(я + 1)2 + (пу)2 '' Цп- 1 /п■ )= + (пу)' '4 1 -п(1 + у)' 4,2 "1 -пп'(1 + у2)

соответственно модули и фазы коэффициента отражения волны от границ раздела воздух-покрытие и покрытие-подложка; п, у и п - коэффициенты преломления и фактор магнитных потерь веществ подложки и покрытия. Входящие в уравнение (2) оптические параметры веществ покрытия и подложки связаны с их

магнитными и диэлектрическими параметрами д', д" и 61 известными соотношениям. При заданной величине длины волны X падающего электромагнитного излучения толщина слоя подложки, при которой создаются условия для полного прохождения волны через рассматриваемую двухслойную систему, определяется уравнением:

Уравнения (1) - (3) устанавливают функциональную связь между оптическими параметрами веществ подложки и покрытия, при которых выполняются условия полного прохождения волны через составленную из них двухслойную систему. При этом получаемые из уравнения (3) соответствующие этим значениям величина толщины I слоя покрытия позволяет осуществить одновременный выбор толщины его слоя. При полном прохождении волны через двухслойную систему важным показателем является относительная величина энергии Ж волны, поглощенной в поглощающей подложке. При известных избирательных значениях толщины слоя и оптических параметров покрытия и подложки она определяется из выражения:

При толщине слоя подложки соответствующей N>3 величина W может достигать 0.7. Для последующего увеличения степени гашения волны необходимо использовать вторую аналогичную по своим характеристикам двухслойную систему.

1. Kasimov R.M., Kasimova S.R. Two-layer nonreflective absorber of electro-magnetic radiation // Journal of Engineering Physics and Thermophysics. New-York, USA. Vol. 82. № 3, 2009. P. 604-607.

2. Kasimova S.R. Dataware of the measuring methods of the dielectric properties of absorbing liquid // Science, technology and education, 2021. № 4 (79).

3. Kasimova S.R. Method of measurement of strongly absorbing dielectrics with application of the consenting nonpolar liquid // Science, technology and education, 2018. № 8 (49).

l 1

2nN + ^^ (3)

X 2 nn

2

(4)

References / Список литературы