Диаграммы плавкости систем из полифосфатов щелочных металлов и оксидов висмута (III) Текст научной статьи по специальности «Химические науки»

УДК 546.185

АЛ. Королева, М.А. Савенкова, И.В. Мардиросова ДИАГРАММЫ ПЛАВКОСТИ СИСТЕМ ИЗ ПОЛИФОСФАТОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ И ОКСИДОВ ВИСМУТА (III)

В данном сообщении рассматриваются результаты систематического исследования фазовых равновесий в ряду систем М:Р03-В1203 (М-П, №, К, ЯЪ, 08). Изучение систем М1Р03-В12О3 проведено методом термического и рентгенофазо-. -ватографе системы “Паулик”. Рентгеновские дифрактограммы получали на установке ДРОН-3 в камере с медным анодом и фильтром.

Взаимодействия компонентов систем М:Р03-В1203 на границе расплав-твердая фаза отличается сложностью и характеризуется образованием новых соединений. В системе ЫР03-В1203 установлено образование соединений П2Р2В1209 и П2Р2В16015. Компоненты системы МаР03-В1203 при кристаллизации из сплавов образуют пять соединений состава: №4Р4В12015, №4Р4В1209, №3Р3В14015, №2Р2В16015 и ШВ1409. Системы (К, ЯЪ, 08)Р03-В1203 близки по химическому воздействию. В системах КР03-В1203 и 08Р03-В1203 взаимодействие компонентов также носит сложный характер. В указанных системах образуются по два химиче-

2:1 1:1. 2:1 (К2Р2В1209 и 082Р2В1209) плавятся конгруэнтно при 8600 С (КРВ1206 и при 9180С -0^В1206). Кривые нагревания составов систем, обогащенных полифосфатом калия и цезия, фиксируют полиморфные превращения компонентов при 450 и 4670С. Во всех системах отмечен полиморфизм оксида висмута. Рентгенографический метод подтвердил образование новых фаз в исследованных системах.

УДК 621.385.833

. . , . .

ВЛИЯНИЕ РАСТВОРИТЕЛЯ НА ПРОЦЕСС АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ашв¥

Качество анодных окисных плёнок (АОП) на полупроводниках, а также кинетические параметры процесса окисления зависят от природы растворителя, используемого в электролите. Органические растворители в отличие от воды позволяют приблизить соотношения между электропроводностью электролита и его травящей способностью к оптимальному.

В настоящей работе изучались особенности анодного окисления арсенида галлия ваАБ а уёаёод1ёитах, содержащих как однокомпонентный органический ( , , ( )),

так и двухкомпонентный растворитель на основе ТГФС, в качестве второго компонента использовался ацетилацетон или глицерин.

Пластины монокристаллического ваАБ п-типа окисляли в электролитах, содержащих 0,05 М раствор органической кислоты в ТГФС в присутствии 60 об.%