Научная статья на тему 'Вычисление ЭМ поля, создаваемого элементом тока, ориентированного нормально к полупроводящей плоскости'

Вычисление ЭМ поля, создаваемого элементом тока, ориентированного нормально к полупроводящей плоскости Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
48
13
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ / ДИФРАКЦИЯ / ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ / МЕТОД ЗЕРКАЛЬНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ / ELECTROMAGNETIC FIELD / DIFFRACTION / BOUNDARY CONDITIONS / MIRROR IMAGES METHOD

Аннотация научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям, автор научной работы — Белашов Василий Юрьевич, Дмитриев Иван Алексеевич, Килеев Анвар Исмагилович

Представлено решение задачи вычисления электромагнитного поля, создаваемого элементом тока, ориентированного нормально к полупроводящей плоскости, с помощью модифицированного метода зеркальных изображений.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям , автор научной работы — Белашов Василий Юрьевич, Дмитриев Иван Алексеевич, Килеев Анвар Исмагилович

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Calculation of the EM field created by the current element focused normally to the semiconducting plane

The solution of a problem of calculation of the electromagnetic field created by the current element focused normally to the semiconducting plane by means of special updating of a mirror images method is presented.

Текст научной работы на тему «Вычисление ЭМ поля, создаваемого элементом тока, ориентированного нормально к полупроводящей плоскости»

УДК 621.31

ВЫЧИСЛЕНИЕ ЭМ ПОЛЯ, СОЗДАВАЕМОГО ЭЛЕМЕНТОМ ТОКА, ОРИЕНТИРОВАННОГО НОРМАЛЬНО К ПОЛУПРОВОДЯЩЕЙ

ПЛОСКОСТИ

В.Ю. БЕЛАШОВ*, И.А. ДМИТРИЕВ*, А.И. КИЛЕЕВ**

*Казанский (Приволжский) федеральный университет **Казанский государственный энергетический университет

Представлено решение задачи вычисления электромагнитного поля, создаваемого элементом тока, ориентированного нормально к полупроводящей плоскости, с помощью модифицированного метода зеркальных изображений.

Ключевые слова: электромагнитное поле, дифракция, граничные условия, метод зеркальных изображений.

Постановка задачи

Ранее нами было продемонстрировано решение задачи вычисления поля, созданного отрезком проводника, ориентированного параллельно полупроводящей плоскости [1], [2]. В настоящей работе, на основе идей, представленных впервые в [3], предлагается решение аналогичной задачи для проводника, ориентированного нормально к границе раздела сред с разными электрическими и магнитными свойствами.

Предположим, что около границы раздела сред нормально к ней находится элемент тока II (рис. 1). Примем, что длина I элемента тока существенно меньше

размеров полеобразующей системы и длины волны электромагнитного (ЭМ) поля X, т. е.

I >> И , X >> И.

Требуется найти распределение ЭМ поля, создаваемого данной полеобразующей системой.

Решение задачи

Основная трудность при расчете поля заключается в необходимости удовлетворения решения задачи граничным условиям. В случае переменного ЭМ поля условия для векторов поля на границе раздела реальных сред записываются в следующем виде [4]:

Е т1 = Е т2, еа1Еп1 = еа2 Еп2 , Нт1 = Нт2 , ^а1Нп1 = ^а2Нп2 ■

(1) (2)

(3)

(4)

ц2 е2

Рис. 1. Полеобразующая система

© В.Ю. Белашов, И.А. Дмитриев, А.И. Килеев Проблемы энергетики, 2012, № 11-12

Поле, создаваемое переменным током, протекающим по отрезку провода (см. рис. 2), аналогично полю элементарного электрического вибратора (диполя) [5]:

Iэв-1г1 sin ©( . )

-(1 + ijr), (5)

НФ--- э

4nr

É, -if-!!^( + ),

E©-

__3

/ю sa 2nr Iэ e ~iJrl sin© (1 /ю_а 4nr

(6)

., 2 2

3— + ijr - y r

). (7)

где

комплексный

распространения;

коэффициент r — расстояние до точки наблюдения;

I э -

Рис. 2. Система координат отрезка проводника

сила электрического тока;

еа =еа -г'Уэ/комплексная абсолютная диэлектрическая проницаемость среды; ца - абсолютная магнитная проницаемость среды; у э - удельная электропроводность; га — круговая частота колебаний.

Решим задачу в сферической системе координат (рис. 3). Результирующая напряженность электрического поля в данном случае выражается как

Ф

E - ilеГ + É© -

1э e-lYrl cos©, ч -— (1 + /уг )

V /ю_а2пг

Y Г i -

1Эe~lYrisin©/ 2 2)

1 + ijr-у2r j

y V /rasa4nr

т.е.

& I эе~'г1 sin© Г ^ 272

E = -—-y 4ctg2©(l + iyr) + 1 + ijr - y r f .

/га sa 4nr

Как следствие, отношение электрической компоненты поля к магнитной

J 4 ctg 2 ©(l + iyr )2 +1

W --É--H ф

2 2 . + /yr - Y r

)2

/<B_ar (l + ijr )

(8)

(9)

Из условия равенства тангенциальных составляющих Н на границе раздела сред (3) имеем первое соотношение:

Е(/ 1) _Ё(&2) = Ё(&з) (10)

^ ^

Вторую связь получим из условия равенства тангенциальных составляющих Е на границе раздела:

[- ¿(/1)-¿(/2 )]cos а = -¿(/3 )cos а 3. (11)

Выражения (10), (11) позволяют получить зависимость между электрическими полями заданного тока /1 и фиктивных токов /2, /3 :

E (12 )--

cos a - W2 cos аз W cos а + W2 cos аз

E (l ).

(12)

2

E ()

2W2 cos a

cos a + W2 cos аз

геометрическое | место проводника^

E(4

(13)

E (|¿)

¡3 ¡¿2^2

1Л2 Б 2

б)

Рис. 3. Решение для случая вертикально поляризованной волны: а) верхнее полупространство; б) нижнее полупространство

Из уравнений (12), (13) следует:

• Wi cos a- W2 cos a 3 •

1 2 =-tz--1 i;

I3 =

Wi cos a + W2 cos a 3

2

2W1 cos a Y1 sin 0

Wi cos a + W2 cos a 3 у 2 sin 0 3 Кроме того, из (10) и (11) следует

I i .

Y1

r3 =— r. Y 2

Далее, согласно рис. 3, угол a есть функция от углов 0 и в: a = 0 - в и

sin a = sin(0 - в) = sin 0 cos в - cos 0 sin в,

где

Учитывая, что

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

получим

Er 2ctg 0(1 + jYr) в = arctg E- = arctg-6 v 2f 2

E 0 1 + jYr -y r

• 2 tg2 x sin x = -

1 + tg2 x

2 1 cos x = -

1 + tg2 x

sin a = -

sin 0(1 + jYr + y2 r2 )- cos 0(2ctg 0(1 + jYr))

Д1 + jYr + Y2 r2 ) +(2ctg 0(1 + jYr))2 © Проблемы энергетики, 2012, № 11-12

(14)

(15)

(16)

(17)

Найдем теперь 0 3. Для этого составим уравнение на границе раздела сред для

нормальных компонент вектора E :

~a1E0 (I1)sin 0 - ~a1Er (I1)cos 0 - ~a1E0 (l2 )sin 0 + ~a1Er (l2 )cos 0 =

= ~a2E0(l3)sin03 - ~a2Er(l3)cos03 . После преобразований получим квадратное уравнение

a sin2 03 + b sin 03 + с = 0, (18)

где a = 3 + /3Y1r-Y2r2; b =-(sin2 0(3 + l3Y1r-Y2r2)- 2(1 + i'Y1r))———; с = -2(1 + i'Y1r).

Y2 sin0

Ток проводимости в проводнике

Фиктивный ток I2 в геометрическом местоположении реального отрезка проводника будет создавать ЭМ поле и, как следствие, в проводе должен возникнуть ток проводимости. Электрический ток в проводе I1 определится, таким образом, как сумма заданного стороннего тока I с и неизвестного тока проводимости I п :

I1 = Ic + 4 . (19)

Ток проводимости

^ = {s^,

S

где 5 - плотность тока; S - площадь сечения провода. Плотность тока проводимости, в свою очередь.

5 = yE .

Последняя, в силу (1) и при 0 = 0, r = 2h, определится как

/ \ & -iY12hj

5 = YEr (2 ) = Y —2-Г-^3 (1 + 'Y12h)

/rasa12n(2h)

и, с учетом (12), запишется следующим образом:

W cos a-W2 cos a3 • e~llí12hl , ч

5 =-Y W-W-111—-(1 + lY12h). (20)

W1 cos a + W2 cos a3 iQ Sa12n(2h)3 Далее найдем 03 при 0 = 0. Для этого запишем (18) в следующем виде:

(3 + l3Y1r - Y2r2)sin203 - (sin20(3 + l3Y1r - Y2r2)- 2(1 + lY1r))—sin03 - 2(1 + lY1r) = 0.

Умножив левую и правую части на sin 0 и приняв 0 = 0, получим, что

0 3 =0 = 0. (21) Имея в виду (9) и (17), найдем произведение W • cos a :

i—i- V

W cos a = WV1 - sin a= —

4ctg 20 (1 + iYr)2 + (1 + iYr - y2r2 )

rás ar (1 + lYr)

<

1

(sin 0(1 + j Yr + Y 2r2 )- cos 0(2ctg 0(1 + j Yr)))

(2 2 \2 2

1 + j Yr + Y r ) +(2ctg 0(1 + j Yr))

x

Умножая далее левую и правую части полученного выражения на sin © и принимая © = 0, после преобразований получим

2

sin © W cos а = —~— .

теаг

В результате, зависимость для плотности тока (20) перепишется следующим образом:

5 = -^ WL-W2 h

_iTi 2hi

Wl + W2 /ra~a12n(2h):

-(l + iYi 2h),

где Wi =

MoL.

al '

W =

Ma 2 a 2

Подставляя далее полученное выражение в (19) и принимая плотность тока постоянной по сечению провода, получим

IL = L - I

& WrW Y f^-2*/ (i + „^

Wi + W2 /fflEa12n(2A)

В итоге находим ток в проводнике:

I =

i = i+WL^k JZSL!^ (i+iYi2h)

Wl + W2 /fflBai2n(2h)^

(22)

Методика и результаты расчета

Из выражений (14) - (16), (17), (22) для конкретных точек на границе раздела сред найдем /1 /2,/3,Г3 и ©3. Интенсивность ЭМ поля в любой точке пространства получим, экстраполируя решение для границы раздела сред (как, собственно, и принято в методе зеркальных изображений). Картины поля, полученные в результате расчета, показаны на рис. 4, 5.

Рис.4. Результаты расчета: мгновенные значения E

e

ш

Рис.5. Результаты расчета: мгновенные значения H

Заключение

В работе показано решение задачи вычисления ЭМ поля, создаваемого линейным участком проводника с переменным током, ориентированным нормально к полупроводящей плоскости, с помощью специальной модификации метода зеркальных изображений. Предложенный в работе подход расширяет класс задач электродинамики, для которых могут быть получены точные решения. Полученные результаты могут быть полезными при исследовании структуры и интенсивности, а также практических расчетах ЭМ поля вблизи проводящих и полупроводящих объектов достаточно сложной конфигурации, когда необходимо анализировать и учитывать суммарную картину, представляющую собой суперпозицию поля источника и поля, являющегося результатом дифракции на соответствующем объекте [6].

Summary

The solution of a problem of calculation of the electromagnetic field created by the current element focused normally to the semiconducting plane by means of special updating of a mirror images method is presented.

Key words: electromagnetic field, diffraction, boundary conditions, mirror images method.

Литература

1. Белашов В.Ю., Дмитриев И.А., Килеев А.И. Вычисление ЭМ поля, создаваемого линейным участком проводника с переменным током над полупроводящей плоскостью // Известия вузов. Проблемы энергетики. 2009. № 7-8. C. 82-93.

2. Белашов В.Ю., Дмитриев И.А., Килеев А.И. Точное решение задачи вычисления ЭМ поля линейного переменного тока над полупроводящей плоскостью // Известия вузов. Проблемы энергетики. 2009. № 9-10. С. 71-81.

3. Белашов В.Ю., Дмитриев И.А., Килеев А.И. Вычисление ЭМ поля, создаваемого элементом тока, ориентированного нормально к полупроводящей плоскости // VII Всеросс. научно-техн. конф. с межд. участием «Приборостроение в XXI веке. Интеграция науки, образования и производства», Ижевск 15-17 ноября 2011 г.: Материалы докл. Ижевск: Изд-во ИжГТУ, 2011. 2 с.

4. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. М.: Высшая школа, 1973. 752 с.

5. Никольский В.В. Электродинамика и распространение радиоволн. М.: Наука, 1978. 544 с.

6. Белашов В.Ю. Дифракция низкочастотного электромагнитного поля на симметричных проводящих объектах // Известия вузов. Проблемы энергетики. 2001. № 5-6. С. 66-74.

Поступила в редакцию

© Проблемы энергетики, 2012, № 11-12

02 ноября 2012 г.

Белашов Василий Юрьевич - д-р. физ.-мат. наук, профессор кафедры радиофизики отделения радиофизики и информационных систем Института физики КФУ. Тел.: 8 (843) 5188077. E-mail: [email protected].

Дмитриев Иван Алексеевич - аспирант кафедры радиофизики отделения радиофизики и информационных систем Института физики КФУ. Тел.: 8 (905) 0255597. E-mail: [email protected].

Килеев Анвар Исмагилович - канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры физики Казанского государственного энергетического университета (КГЭУ). Тел.: 8 (843) 519 4282.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.