Научная статья на тему 'Точное решение уравнений пластичности плоского напряженного состояния'

Точное решение уравнений пластичности плоского напряженного состояния Текст научной статьи по специальности «Математика»

CC BY
99
29
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
ПЛАСТИЧНОСТЬ / ПЛОСКОЕ НАПРЯЖЕННОЕ СОСТОЯНИЕ / ТОЧНОЕ РЕШЕНИЕ / PLASTICITY / PLASTICITY OF PLANE STRESS CONDITION / EXACT SOLUTION

Аннотация научной статьи по математике, автор научной работы — Сенашов С. И., Бурмак В. И.

Построено новое точное решение уравнений плоского напряженного состояния, описывающее сжатие пластического слоя жесткими плитами, которые сближаются с постоянным ускорением.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по математике , автор научной работы — Сенашов С. И., Бурмак В. И.

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

EXACT SOLUTIONS OF EQUATION OF PLASTICITY OF PLANE STRESS CONDITION

The article presents a new exact solution of equation of plane stress state, which describes compression of plastic layer with rigid sheet, which come close to constant acceleration.

Текст научной работы на тему «Точное решение уравнений пластичности плоского напряженного состояния»

Математика, механика, информатика

УДК 539.374

С. И. Сенашов, В. И. Бурмак

ТОЧНОЕ РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЙ ПЛАСТИЧНОСТИ ПЛОСКОГО НАПРЯЖЕННОГО СОСТОЯНИЯ*

Построено новое точное решение уравнений плоского напряженного состояния, описывающее сжатие пластического слоя жесткими плитами, которые сближаются с постоянным ускорением.

Ключевые слова: пластичность, плоское напряженное состояние, точное решение.

Рассмотрим уравнения, описывающие плоское напряженное состояние в случае медленных нестационарных течений. Уравнения имеют вид

дu да дг ду да y

і^ = О, — і — і—- = О, дt дx дУ St дx дУ

ах +аy - sxаy і Зг = 3k

дu

дx

ду

Sy

ду дu

---------1--------

дx дУ

= 1-1,

(1)

(2)

(3)

д1! 2дм іду

дм ЗІ дx дУ

дt дx

_ 1Г ду дu д —І —і — ду б ^Sx дy

дt дx

. 1 [ ду дм д —І —і — б ^Sx дУ

^ дУ

д1^ 12 дУ

ЗІ ^x дy

= О,

= О,

3Vm-1 =

Sy

2 д™ і ду YSu 2 дул2 Sx SyJ ^Sx Sy

2 Su і ду j| Su 12 оу|і 3 [ ду + oM Sx Sy^Sx SyJ 4 ^Sx Sy

и = Ги(у), V = МУ). (6)

Подставим (6) в (5), в результате получим систему обыкновенных дифференциальных уравнений для определения и, V:

u+

d

ku'

dy 4у

■ = О, у і

d

Ь’

dyV4Tw

= О. (7)

2стх -ст 2сту -стх 6т

где стх, ст , т - компоненты тензора напряжений; к - постоянная пластичности; и,V - компоненты вектора ско-рости; 1 - некоторая положительная функция, определяемая по условию пластичности (2). Уравнения (1) - это условия равновесия, (3) - закон течения. Из (1).. .(3) получаем

.(„ди ду^ ду ди

3ст — 1І 2-----I---1, 3ст — 1І 2------I---

" [ дх ду 0 у [ ду дх

. ( дv ди ^

6 [дХ + ?У ) (4)

С учетом (4) уравнения (1) .(3) запишутся в виде

Здесь штрих означает производную по переменной у. Пусть 2v' = w sin 9, 2u' = w cos 9, тогда система (7) запишется в виде

u + kd cos 9 = 0, v + 2kd sin 9 = 0. (8)

dy dy

Продифференцируем (8) по у и с учетом введенных выше обозначений получим

wcos 9 + к cos 9=0, wsin 9+ 4ksin 9 = 0. (9)

dy2 dy2 V '

Умножим первое уравнение (9) на - sin 9, а второе -на cos 9 и сложим:

9''(4cos2 9 + sin2 9)- 39'2 sin9 cos 9 = 0. (10)

Пусть 9' = p(9), тогда 9" = p'p и уравнение (10) запишется в виде

p'( 4cos2 9 + sin2 9)-3 p sin 9 cos 9 = 0. Интегрируя его, получим

p = 9'= I c 2 ,

V1 + 3cos 9

где с - произвольная постоянная. Следовательно,

9

cy = JV1 + 3cos2 9d 9 =

(5)

Можно показать, что уравнения (5) допускают оператор

д д д

X — ґ + и-------+ V —

дґ ди ду

в смысле Ли. Поэтому решение уравнений (5) можно искать в виде

и — ґи(х,у), V — ^(х,у).

Решения такого вида могут быть использованы для описания движений с постоянным ускорением. В данной статье мы ограничимся решениями вида

sin2 0d 0 =1E

S л

2

(її)

где Е 9, — - эллиптический интеграл второго рода.

V 2 0

Из формулы (11) следует, что 9 = 9(у) - монотонно возрастающая функция при с > 0. Поскольку

с

1

13cos

то из формул (8) получаем

, d ck sin 0

u = -k—cos 0 = . =

dy V1

13cos

* Работа выполнена в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 гг.», проект № 1121.

Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета имени академика М. Ф. Решетнева

у = -2k d sin 0 = -dy

ck cos 0

Л

13cos

(ї2)

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

дут

Компоненты тензора напряжений в этом случае буг = k cos 0,

а y = 2k sin 0, а x = k sin 0. (їЗ)

Дадим одну из возможных интерпретаций построен-

ного решения (її) .. .(їЗ). Пусть

Г p S л

(

Уї = E

4 2

У 2 = E

3p л/з 4 , 2

тогда

г( Уї )=4

У (Уї) = 4lk, u( Уї) = ckf, у(Уї) =-c^^55,

^( У2)=-^^22, сту(у2) = -Т2к, и(у2) = -с^^^5, ^) = ^. (14)

Это означает, что верхняя шероховатая жесткая плита, заданная уравнением у = у движется вниз и вправо с постоянными ускорениями. На плите задано постоянное нормальное и касательные напряжения. Вторая плита (ее уравнение у = у2), движется вверх и влево с постоянными ускорениями. На этой плите также заданы нормальное и касательное напряжения.

Замечание. Подобные решения можно построить и для описания сжатия трубы, стенки которой движутся с постоянным ускорением.

S. I. Senashov, V I. Burmak

EXACT SOLUTIONS OF EQUATION OF PLASTICITY OF PLANE STRESS CONDITION

The article presents a new exact solution of equation of plane stress state, which describes compression of plastic layer with rigid sheet, which come close to constant acceleration.

Keywords: plasticity, plasticity of plane stress condition, exact solution.

© Сенатов С. И., Бурмак В. И., 2010

УДК 538.911; 539.21

В. М. Ленченко, Ю. Ю. Логинов, А. В. Мозжерин

ЛАВИННОЕ УМНОЖЕНИЕ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ

Определены условия ускорения носителей тока в полупроводниках до ударно-ионизационных энергий в сильных электрических полях ограниченной протяженности. Описаны генерационно-рекомбинационные процессы лавинного умножения и излучательной рекомбинации в виде микроплазм, возникающих в обратно смещенных р-п-переходах солнечных элементов. Представлено физическое обоснование диагностики микродефектов в полупроводниках с помощью микроплазм.

Ключевые слова: микроплазмы, солнечные элементы, р-п-переход.

Солнечные элементы широко используются в каче- плазм возрастают при увеличении прикладываемого к стве источников энергии, в том числе на энергетичес- р-п-переходу напряжения.

ких платформах космических аппаратов. В обратно сме- Локализация микроплазм может быть вызвана рез-

щенных р-п-переходах, расположенных у поверхности ким возрастанием электрического поля в области свече-полупроводника (как, например, в светодиодах и сол- ния и увеличением коэффициентов лавинного умноже-нечных элементах), в предпробойных электрических ния. Вероятнее всего это происходит в местах, где имеют-полях наблюдаются светящиеся точки и пятна, назван- ся неоднородности р-п-перехода. Такие неоднороднос-ные в [1] микроплазмами. Микроплазменный пробой, ти могут быть связаны с микродефектами, флуктуация-происходящий в обратно смещенных р-п-переходах, ми фронта легирования, дислокациями и др. В этих ло-сильно локализован, не превышает 1 мкм в диаметре и кальных областях может происходить уплотнение элект-сопровождается свечением невысокой интенсивности рического поля Е > Еп, где Еп - пороговое поле для лавин-[2]. Интенсивность этого свечения и количество микро- ного умножения носителей тока. Предполагается, что

її

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.