CC BY
5
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА
тонкой структуры практически совпадают с соответствующими им экспериментальными кривыми. В целом это позволило надежно определить в исследуемых соединениях энергетическое положение электронных состояний в верхней части валентной полосы. Отметим, что никакой узкой подполосы (~leV), отделенной от основной части валентной полосы щелью шириной ~0.5eV (как это получено в расчете по методу эмпирического псевдопотенциала для родственного по кристаллической структуре соединения - дефектного сфалерита CdIn2Se4 [1]) в настоящем исследовании для "дефектного" халькопирита CdGa2S4 и "дважды дефектного" халькопирита InPS4 не наблюдается Лишь небольшую особенность на плотности Sp-состояний в InPS4 с энергией -О 7eV от вершины валентной полосы можно проинтерпретировать как повышение плотности состояний, обусловленное влиянием псевдовакансий.
По результатам экспериментальных рентгеновских эмиссионных спектров и литературного рентгеноэлектронного спектра для AgGaS2, а также проведенных теоретических расчетов были найдены максимумы парциальных энергетических полос в AgGaSi, CdGa2S4 и InPS4, которые сравнивались с соответствующими энергетическими уровнями в свободном атоме [2]. Отсчет энергий проводился от вакуумного нуля, который отделен от вершины валентной полосы в твердотельных соединениях величиной работы выхода и половиной ширины запрещенной полосы для исследуемого соединения. Проведенное сравнение максимумов энергетических полос и энергий уровней свободного атома, соответствующих им по генезису, показывает, что уровни атома серы (Sp- и Ss-состояния) симбатно уменьшают свою энергию связи, а уровни катионов (в том числе и Р в InPS4) - наоборот, 1 симбатно увеличивают свою энергию связи.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Baldereshi A, Meloni F., Aymerich F., Mula G. Electronic properties of the defect-zincblende semiconductor Cdln2Se4. // Solid State Commun. - 1977. - 21.1-p.l 13-116.
2. Lötz W. Electron Binding Energies in Free Atoms. // JOptical Soc. Amer. - 1970-60,2,-p.206-210.
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ XANES ИССЛЕДОВАНИЕ Fe-K-KPAEB ПОГЛОЩЕНИЯ В ФЕРРИТАХ CO СТРУКТУРОЙ ШПИНЕЛИ Me(Mg,Mn,Ni,Zn)Fe204
Н.Ю. САФОНЦЕВА, И.Я. НИКИФОРОВ
Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону
С использованием программы FEFF8 [I], произведен расчет электронной энергетической структуры и XANES FeAT-краев поглощения в моноферритах
ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ. Том 3, № 1
95
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА
Me(Mg,Mn,Ni,Zn)Fe204. Показано, что формирование вершины валентной полосы происходит одинаково в нормальных шпинелях Mn(Zn)Fe204 и обращенных шпинелях Mg(Ni)Fe2Ü4 и связано с гибридизацией р -состояний кислорода и Зс1-состояний ионов переходных металлов. Установлено, что немагнитные ионы магния и цинка принимают незначительное участие в химической связи, в отличие от магнитоактивных ионов никеля и марганца. Показано, что расположение Мп и Fe в одних координационных сферах поглощающего атома железа приводит к расщеплению 3d -состояний и изменению формы кривых плотностей р-состояний ионов переходных элементов с различной ориентацией спина. Подтверждено изменение энергетического положения Fe K-краев при переходе от чистого железа к моноферритам, обнаруженное в эксперименте [2]. Показано, что тенденции такого смещения одинаковы в ферритах со структурой нормальной шпинели и обращенной шпинели.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Ankudinov A.L., Ravel В., Rehr J.J., Conradson S.D. // Phys.Rev В. -1998.- 58, № 2. -P.7565 - 7576.
2. Жураковский Е.А., Киричок П.П. Электронные состояния в ферримагнетиках -Киев: Наукова думка, 1985.- 280 с.
ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ S К -СПЕКТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ В ХРОМОВЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ШПИНЕЛЯХ CdCr2S4 И CuCr2S4
Н.Ю. САФОНЦЕВА, И.Я. НИКИФОРОВ, O.A. ЛЕЩЕВА
Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия
С использованием FEFF8 - кода [I], рассчитана электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры поглощения серы в нормальных ферромагнитных шпинелях CdCr2S4 и CuCr2S4- Расчет изоструктурных соединений показал, что лучшее согласие теоретических и экспериментальных спектров эмиссии и поглощения достигается, если при построении самосогласованного кристаллического потенциала используется частично нелокальная модель обменно-корреляционного потенциала , основанная на приближении Дирака-Фока для остовных и Хедина - Лунквиста для валентных электронов. XANES -расчет, а также расчет локальных парциальных плотностей для всех атомов, входящих в исследуемые соединения, проводился в приближении полного многократного рассеяния на 27 - атомном кластере. Сверх этого, учитывались также 1, 2* и 3х сторонние пути рассеяния на кластерах, включающих 981 атомов для CdCr2S4 и CuCf2S4. Показано хорошее соответствие формы и энергетического расположения основных особенностей теоретических и экспериментальных SL2.3 и
96 ХИМИЧЕСКАЯ ФИЗИКА И МЕЗОСКОПИЯ. Том 3, № 1
>
