CC BY
83
УДК 537.9
В.В. Борисов
ведущий программист, отдел микроэлектроники, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына, ФГБОУ ВПО « Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»,
г. Москва
Н.И. Сушенцов
канд. техн. наук, доцент, заведующий кафедрой «Конструирование и производство радиоаппаратуры», ФГБОУ ВПО «Поволжский государственный технологический университет», г. Йошкар-Ола
С.А. Степанов
аспирант, кафедра «Конструирование и производство радиоаппаратуры», ФГБОУ ВПО «Поволжский государственный технологический университет», г. Йошкар-Ола
СТРОЕНИЕ И ЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА НЕНАКАЛИВАЕМЫХ КАТОДОВ НА СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ НИТРИДОВ И УГЛЕРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Аннотация. На подложках из Si сформированы и исследованы слоистые структуры на основе наност-руктурированных пленок нитридов металлов (AlN, TiN и ZrN), а также углеродных пленок, перспективных для создания автоэмиссионных катодов. Пленки нитридов формировали методами дугового разряда и магнетронно-го распыления, а углеродный слой - методом тлеющего разряда. Исследованы эмиссионные свойства слоистых структур Si/TiN/С, Si/ZrN/С, Sirc/AlN, Sirc/TiN и зависимость указанных свойств от толщины и строения пленок нитридов.
Ключевые слова: нитридные и углеродные пленки, автоэмиссионные катоды.
V.V. Borisov, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics of Lomonosov Moscow State University, Moscow
N.I. Sushentsov, Volga State University of Technology, Yoshkar-Ola
S.A. Stepanov, Volga State University of Technology, Yoshkar-Ola
STRUCTURE AND EMISSION PROPERTIES OF COLD-CATHODE ON LAYERED STRUCTURES OF
NITRIDES AND CARBON MATERIALS
Abstract. The layered structures were formed and investigated on the Si substrates from nanostructured films of metal nitrides (AlN, TiN and ZrN), as well as the carbon films, which are promising for the creation of field-emission cathodes. Nitride films formed by arc discharge and magnetron sputtering, and the carbon layer - by glow discharge. The emission properties of layered structures Si/TiN/C, Si/ZrN/C, Si/C/AlN, Si/C/TiN and the dependence of these properties on thickness of nitride films deposited, were investigated.
Keywords: films of nitrides and carbon materials, field emission cathodes.
Введение. Улучшение характеристик устройств эмиссионной электроники связывают с разработкой ненакаливаемых (автоэмиссионных) катодов, содержащих эмитирующий слой на основе углерода (нанотрубки, наностенки и другие) [1-3]. Наиболее перспективными для создания автоэмиссионных катодов считаются углеродные наностенки, сформированные преимущественно пластинчатыми формами кристаллитов графита [1; 2]. Проблемы применения в автоэмиссионных катодах подобных углеродных наностенок связаны с изменениями их морфологии в процессе эксплуатации и, как следствие, деградацией параметров катодов на их основе. Использование слоев электропроводящих нитридов, нанесенных на подложку, позволяет увеличить адгезионную прочность углеродных пленок, а также влиять на их морфологические осо-
бенности. При нанесении пленок нитридов на углеродные наностенки, реализующих защиту эмитирующих графитовых пластин от окисления, возможна стабилизация эмиссионных параметров катодов и снижение скорости их старения [4; 5].
Цель настоящей работы - изучение влияния строения слоистых структур на основе пленок нитридов и углеродных материалов на свойства автоэмиссионных катодов, изготовленных на их основе.
Формирование слоистых структур. Слоистые структуры, содержащие углеродные пленки и пленки нитридов (TiN, ZrN и AIN), создавали на подложках из Si (КДБ-10), которые предварительно очищали в тлеющем разряде: давление Ar в вакуумной камере P=1-5 Па; напряжение на подложке - 600-1000 В; температура подложки ТП=350°С; длительность обработки 5-10 минут. Пленки TiN и ZrN, используемые при создании слоистых структур вида Si/TiN и Si/ZrN, формировали методом дугового разряда при следующих условиях: ТП=330-430оС; ток испарителей из Ti, Zr - 100120 А; напряжение на подложке 200-220 В; давление N2 Р=0,5 Па.
Пленки на основе углеродных материалов получали методом тлеющего разряда. Предварительно на сформированных дуговым разрядом слоистых структурах вида Si/TiN и Si/ZrN создавали затравочные частицы (СЗ) бомбардировкой ионами H и CxHy в ВЧ-разряде. Углеродные пленки (создание структур Si/TiN/СЗ/С и Si/ZrN/C3/C) формировали в газовой смеси (1,5-4) об.% СН4+Н2 при следующих параметрах: P>104 Па; мощность разряда - 1-5 кВт; ТП=570-1030оС. Перед началом процесса формирования углеродных пленок структуры Si/TiN/C3 и Si/ZrN/Сз обрабатывали в плазме H2.
При создании слоистых структур Si/C/AIN:Mo и Si/C/TiN пленки нитридов на слое углерода формировали методом магнетронного распыления. Пленки AIN, легированного Mo (AIN:Mo), получали распылением составных мишеней Al+Mo [5-7] при следующих условиях: состав газовой смеси Ar+50 об.% N2; Р=1 Па; расстояние между мишенью и подложкой 30-60 мм; напряжение ВЧ разряда 200-350 В; мощность разряда 700 Вт; величина электрического смещения па подложко-держателе 20-45 В; ток анода 1-1,4 А; ТП=500оС. Пленки TiN получали при следующих условиях: состав газовой смеси Ar+10 об.% N2; напряжение 220 В; ток 1,5 А; Р=1 Па; ТП=500оС.
Таблица 1 - Состав (в весовых %) поверхностей слоистых структур: Б^ИЫ, Б^гЫ и Б^А1Ы:Мо (в скобках показан метод получения нитридной пленки)
Образец Ti Zr Al Mo N О Si
Б1/^Ы (дуговой разряд) 64,7-78,5 - - - 9,9-33,3 - -
Б1/^Ы (магне-тронное распыление) 18,6-19,4 - - - 16,7-17,2 - 62,8-63,1
Б^гЫ (дуговой разряд) - 12,5-92,6 - - 4,8-23,0 1,6-3,9 -
Б|/А1Ы:Мо (магнетронное распыление) - - 5,8-6,8 14,4-17,6 10,8-11,3 8,6-8,8 55,5-60,4
Строение пленок. Пленки TiN, ZrN и AlN, по данным растровой электронной микроскопии (РЭМ), характеризуются волокнистым (столбчатым) строением, при этом волокна кристаллических фаз TiN и ZrN, имеющие кубическую решетку (пространственная группа Fm3m), ориентируются по кристаллографическим направлениям <111>, <100> и <110>, а гексагонального AlN (P63mc) - <0001 > [5, 8]. Методом ЭДС (РЭМ Carl Zeiss Leo 1430 VP, оснащенный энергетическим дисперсионным спектрометром (ЭДС)) проведен анализ поверхностей пленок TiN, ZrN и AlN:Mo, полученных на подложках из Si (табл. 1). Наличие в пленках ZrN и AlN кислорода указывает на образование оксинитридов.
1000 1400
Волновое число, см-1
Рисунок 1 - Спектры КР, полученные от слоистых структур:
Si/TiN (1); Si/ZrN (2); Si/TiN/C3 (3) и Si/ZrN/C3 (4)
Состав пленок исследовали также с использованием лазерного (линия 632,8 нм He-Ne лазера) спектрометра комбинационного рассеяния (КР) света Lab Ram HR 800 (HORIBA Jobin-Yvon). На спектрах КР, полученных от слоистых структур Si/TiN и Si/ZrN, наблюдались размытые полосы на частотах 226; 317, 426, 559, 606, 832 и 1134 см-1 для TiN, а также 178, 231, 343, 495 и 717 см-1 для ZrN (рис. 1). Отсутствие узких полос на спектрах КР может быть связано со структурным разупорядочением полученных пленок, обусловленным высокой концентрацией вакансий азота, которые вызывают искажение ближайших координационных сфер [9].
Затравочные частицы (ВЧ-обработка пленок TiN и ZrN ионами H+ и CxHy+) представляют
10 2
зародыши в виде конусов высотой ~20 нм и плотностью размещения на подложке ~2'10 см ,
изменяют состав и строение поверхности слоистой структуры, что отражается на спектрах КР, в
-1 -1 частности, появление полос графита при 1330-1335 см (уширение полос Av1/2~150 см ) и
-1 -1
1614-1618 см- (Av1/2~57-73 см-) (рис. 1, кривые 3, 4). После формирования затравочных частиц анализ состава поверхностей слоистых структур Si/TiN/C3 и Si/ZrN/C3 показал перераспределение элементов по поверхности подложки (табл. 1). Азота в поверхностном слое структуры Si/ZrN/C3 не обнаружено.
На рисунке 1 показаны особенности спектров КР поверхностного слоя при изменении состава пленок от ZrN до ZrO2. Спектр ZrO2 состоит из полос, характерных для моноклинной фазы м-ZrO2. У исследованных образцов наблюдаются 11 колебательных мод КР м-ZrO^ 189 см-1 (Ag),
200 см-1 (Ag), 232 см-1 (Bg), 342 см-1 (Bg), 397 см-1 (Bg), 486 см-1 (Ag), 512 см-1 (Bg), 546 см-1 (Bg), 568 см-1
-1 -1
(Ag), 628 см- (Bg), 651 см- (Ag) (рис. 1, кривая 4). Фаза ZrO2 занимает тонкий слой поверхности. Электрическое сопротивление слоистых структур Si/TiN и Si/ZrN по нормали к поверхности слоистых структур остается низким и составляет ~109,3 и ~63,5 Ом, соответственно.
100 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 Волновое число, см-1
б) Волновое число, см1
Рисунок 2 - Спектры КР, полученные от структур: а) 81/ТИ\1/СЗ/С (1); Б^гЫ/СЗ/С (2); б) 81/С/А!1\1:Мо (1); 81/С/Т1Ы (2)
Состав и строение углеродных пленок отражается в их спектрах КР [10; 11]. Углеродные пленки структур типа 81/Т1Ы/СЗ/С и 81/2гЫ/СЗ/С имеют одинаковое строение, что подтверждает результаты спектроскопии КР (рис. 2а), и состоят из изогнутых пластинчатых форм уплощенных по {0001} кристаллитов графита. Рентгеновской дифрактометрией показано, что синтезированные углеродные пленки представляют смесь рентгеноаморфных и кристаллических фаз углеродных материалов [3; 12; 13]. Концентрация графитовой фазы в многофазных углеродных
пленках составляет до 95%. На спектрах КР углеродных пленок наблюдались интенсивные О, в
111 и 2О-полосы, расположенные на частотах 1340-1343 см- ^1/2=40-50 см-); 1590-1591 см-
^1/2=30-45 см-1) и 2668-2673 см-1 ^1/2=60-70 см-1) (рис. 2а). Одновременно, имеются слабые
полосы на частотах 241,879;1179-1181;1623-1625;2337-2339; 2474-2480; 2926-2934 и 3242-1
3248 см- . Интенсивность полос на спектрах КР, полученных от структур 81/Т1Ы/СЗ/С, 81/2гЫ/СЗ/0 и 81/0З/0, зависела от условий осаждения [13; 14].
Размер кристаллитов графита в базисной плоскости (толщина пластин графита), рассчитанный по соотношению интенсивностей /с//е полос на спектрах КР углеродных пленок в соответствии с формулой £а=С(/о//е)-1, где С - коэффициент, зависящий от длины волны возбуждающего света (для 1=632,8 нм С=4,4), дает значения £а»6,8-8,1 нм для углеродных пленок слоистых структур 81/Т1Ы/СЗ/0 и 81/2гЫ/СЗ/0, что близко к размеру областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения ^ОКР), рассчитываемых по рентгеновским дифрактограммам: £ОКР=8,5-9,5 нм. С учетом межплоскостного расстояния графита в направлении <0001 > равного 0,335 нм, можно утверждать о наличие в пластинах графита ~20-25 слоев графена.
Рентгеноаморфность приводит к уширению и смещению полос, характерных для кри-
сталлического строения, и появлению дополнительных полос. Спектры КР рентгеноаморфных пленок AIN характеризуются размытыми слабыми полосами, положение и ширина которых зависят от метода и условий формирования [5; 15]. Продольное сопротивление пленок AIN:Mo при комнатной температуре составляет 104-106 Ом.
На спектрах КР, полученных для слоистых структур Si/C/AIN:Mo и Si/C/TiN, наблюдали 1 11 размытые (Äv1/2>100 см-) полосы на частотах 263 см- и 238, 294, 485, 803 см- , соответственно
(рис. 2б). На снимках образцов Si/C/TiN наблюдалось изменение морфологии эмитирующей поверхности в зависимости от толщины пленки TiN (рис. 3, РЭМ Carl Zeiss Supra 40-30-87). ЭДС-анализ показал следующий состав поверхности структуры Si/C/TiN при толщине пленки TiN равной 69 нм: 21,0% C; 13,5% O; 52,3% Ti; 6,2% Si. Плотность острий (края графитовых пластин) углеродных наностенок (рис. 3) превосходит плотность острий катодов, полученных с использованием опаловых матриц [4; 5; 16].
Рисунок 3 - Строение (РЭМ) поверхностей слоистых структур 81/0/Т1М при различной толщине пленки Т1Ы: а) 14 нм; б) 28 нм; в) 69 нм
Эмиссионные характеристики ненакаливаемых катодов на слоистых структурах.
Характеристики катодов измеряли при давлении 10-5 Па в импульсном режиме (частота /=50 Гц, длительность т=100 мкс) в диодной ячейке. Использовались импульсные источники, работающие в режимах стабилизации напряжения или тока. В качестве анода применялись: полированный металлический цилиндр диаметром 1-2 мм, высотой 2 мм, расположенный вертикально над центральной частью катода на расстоянии Д=125 мкм, а также полированная металлическая пластина, полностью накрывающая поверхность автоэмиссионного катода и находящаяся
на расстоянии Д=250 мкм. Строились вольт-амперные характеристики (ВАХ) в координатах
1 2
(Е=и/А, а также в виде диаграмм Фаулера-Нордгейма (ФН) в координатах (Е , 1п(1/Е),
где Е - напряженность электрического поля (В/мкм) в зазоре катод-анод, / - ток, и - напряжение, J - плотность тока, - рабочая площадь поверхности анода.
Испытания проводились на образцах, поверхность которых имела собственную проводимость. Чтобы не вносить существенных изменений в автоэмиссионные характеристики, като-
ды испытывались в течение короткого периода времени (1-2 мин) при незначительных плотностях тока Л=70-140 мА/см . После формирования наноструктурированных пленок из кристаллитов графита пластинчатой морфологии, образцы были подвергнуты ресурсным испытаниям в течение одного часа с постоянной плотностью тока А/см2 и с регистрацией напряжения и (кривые старения). После проведения испытаний были сняты ВАХ, которые в сравнении с характеристиками образцов до испытания представлено на рисунке 4. Для катодов с пленками, сформированными на углеродных затравках, за скорость старения (Vа) принималось значение производной кривой старения в точке 60 мин.
250 450 650 850 1050
в) и, В
Рисунок 4 - Вольт-амперные характеристики (а) и диаграмма ФН (б) катодов на слоистых структурах: 81/Т1Ы/СЗ/0 (1), Э^гЫ/СЗ/С (2), 81/03/0 (3). в) Вольт-амперные характеристики катодов на слоистых структурах: 81/Т1Ы/СЗ/С (4), Э^гЫ/СЗ/С (5), 81/СЗ/С (6) -до ресурсных испытаний; 81/Т1Ы/СЗ/С (7), Э^гЫ/СЗ/С (8), 81/СЗ/С (9) - после испытаний.
На вставке - кривые старения катодов при испытаниях в режиме стабилизации тока: 81/Т1Ы/СЗ/С (10), 81/7гЫ/СЗ/С (11), 81/СЗ/С (12)
По диаграммам ФН видно, что углеродные пленки, сформированные на Т1Ы, имеют лучшие характеристики, чем пленки, полученные на 7гЫ (рис. 4б). Углеродная пленка образца 81/СЗ/С (рис. 4а, кривая 3), хотя и имеет незначительно возросший эмиссионный порог, но обладает большей скоростью увеличения J, чем аналогичные пленки, полученные на структурах вида 81/Т1Ы/СЗ/С и 81/7гЫ/СЗ/С (рис. 4а, кривые 1 и 2). Наименьшую скорость старения (Уа) показал катод на слоистой структуре 81/7гЫ/СЗ/С (кривая 11 на вставке к рис. 4в, Уа=12,29 В/ч), по сравнению как с 81/СЗ/С (кривая 12 на вставке к рис. 4в, Va=15 В/ч), так и 81/Т1Ы/СЗ/С (кривая 10 на вставке к рис. 4в, ^=17,3 В/ч).
Вокруг острого проводника электрическое поле может быть представлено как ЬЕ0, где Ь - коэффициент усиления, приблизительно равный аспектному числу (высота/поперечный размер) проводника, а Е0 - напряженность стандартного электрического поля равная и/А. В предположении о том, что все центры эмиссии имеют одинаковый размер, зависимости на диаграммах ФН представляют собой прямые у=В х+С, где х=1/Е, у=!п(1/Е2), В - тангенс угла наклона прямой, пропорциональный Ь, а Э0 (площадь или число всех автоэмиттеров) пропорциональна
ехр(С), где С - отрезок отсекаемый прямой по оси ординат.
Для рассматриваемых пленок кривые на диаграммах ФН представляют собой кусочно-линейные функции, на линейных отрезках которых закон ФН выполняется с большой точностью. Последнее объясняется большим разбросом высот наноэмиттеров (графитовые пластины) в диапазоне (500 нм - 5 мкм) при малом разбросе толщин (6,8-9,5 нм). На линейных интервалах Е, электроны туннелируются только через эмиссионные центры с одинаковыми высотами, а вклад остальных в результирующий ток незначителен.
0,013
г
и <
0,01
0,005
б)
Т-Г
5 6 7 8 Е, В/мкм
Рисунок 5 - а) Сдвиги вольт-амперных характеристик автоэмиссионных катодов 81/0 после нанесения пленок нитридов (1 - структура 81/0/Л!М:Мо; 2-10 - структуры 81/0/ТИЧ), б), в) Вольт-амперные характеристики (б) (кривые 1-4) и диаграммы ФН (в) отрезки прямых 1'-4') автоэмиссионных катодов: 81/0 (1, 1'); 81/0 (2, 2'); 81/0/Л!Ы:Мо (3, 3'); 81/0/Т1Ы (4, 4')
Сравнение величин р и 80 проводилось по зависимостям на диаграммах ФН, которые аппроксимировались прямыми. Подобная схема позволила выявить тенденции в изменении величин р и 80 на качественном уровне, не прибегая к трудоемким математическим расчетам. Поскольку при автоэмиссионных испытаниях использовались аноды и катоды различных площадей, вместо параметра 80 использовалась плотность эмиссионных центров ^0=80/81. Как отмечено на рисунке 5а, с увеличением длительности нанесения нитридов, ВАХ для катодов (кроме образца 2) сдвинулись вправо по сравнению с катодами без нитридов. Диаграммы ФН и ВАХ автоэмиссионных катодов 81/0; 81/0/Л!Ы:Мо и 81/0/Т1Ы представлены на рисунке 5б,в. Автоэмиссионные характеристики планарных катодов 81/0/Л!Ы:Мо и 81/0/Т1Ы измеряли на образцах, поверхность которых имела собственную проводимость, в импульсном режиме ^=50 Гц, т=50 мкс).
Таблица 2 - Параметры эмиссии р, ив0 до и после осаждения на пластинчатые углеродные пленки пленок Л!Ы:Мо и Т1Ы; изменение плотности эмиссионных центров Ля^^'
после нанесения пленок нитридов
№ образца Cтруктуры Толщина пленок нитридов, нм Параметры эмиссии до и после нанесения пленок нитридов
Структура Si/C ^руктуры Si/C/AlN:Mo и Si/C/TiN JSq/JSQ, %
b JS0 b' Js0
1 Si/C/AlN:Mo 78 60,82 722,33 43,41 7,98 1,105
2 S /C/TiN 21 37,70 32,54 20,00 4,23 13,003
3 S /C/TiN 14 21,90 29,44 65,59 2,47 8,399
4 S /C/TiN 42 28,97 11,55 66,93 4,62 40,002
5 S /C/TiN 14 28,06 140,97 114,69 7,59 5,381
6 S /C/TiN 21 33,52 43,07 115,04 33,31 77,331
7 S /C/TiN 35 26,00 145,80 102,76 70,00 48,011
8 S /C/TiN 49 79,35 3105 104,45 23,35 0,008
9 S /C/TiN 56 25,29 47,34 71,25 0,32 0,676
10 S /C/TiN 69 62,61 151,42 178,78 27,58 18,211
В таблице 2 приведены параметры эмиссии b, Js0 до и после осаждения на слои пластинчатого графита пленок AlN:Mo и TiN. Различные значения параметров эмиссии образцов Si/C/TiN (табл. 2, строки 2 и 6; 3 и 5) обусловлены особенностями строения графитовой пленки пластинчатого строения. Как видно из таблицы 2, при увеличении толщины слоя нитридов плотность эмиссионных центров (кроме образца 1) уменьшается. Одновременно, зависимость относительного изменения коэффициента усиления b' от толщины слоя нитридов не показала присутствия закономерностей. При малой длительности процессы нанесения (образцы 2-4) на начальных токах (30-50 и 150 мкА) при регистрации ВАХ и полях около 10 В/мкм наблюдалось скачкообразное увеличение тока на 100 мкА, что можно объяснить отслоением пленок нитридов.
Заключение. Структуры вида Si/TiN/C3/C и Si/ZrN/C3/C изготавливали нанесением на подложки из Si слоев нитридов (методом дугового разряда) и углеродных пленок (методом тлеющего разряда). При создании структур Si/C/AlN:Mo и Si/C/TiN пленки нитридов формировали методом магнетронного распыления. Графитовая фаза в углеродных пленках имеет концентрацию до 95% и представлена в виде изогнутых (уплощенных по {0001}) кристаллитов графита.
Представленные в настоящей работе результаты исследования эмиссионных свойства слоистых структур Si/TiN/C3/C, Si/ZrN/C3/C, Si/C/AlN:Mo и Si/C/TiN показали, что для катодов Si/C/TiN при толщине пленки TiN ~14 нм порог эмиссии снизился с 3,2 до 2 В/мкм по сравнению с Si/C. Наряду с уменьшением порога автоэмиссии, важным параметром при эксплуатации электронных приборов является скорость деградации автокатодов во времени (скорость уменьшения автоэмиссионного тока при фиксированном напряжении или - увеличения напряжения при заданном токе). Автоэмиссионные катоды вида Si/C/TiN, при определенных соотношениях толщин слоев в многослойной структуре, показали результаты по скорости деградации идентичные катодам вида Si/C.
Список литературы:
1. Wang H-X., Jiang N., Zhang H., Hiraki A. Growth of a three dimensional complex carbon nanoneedle electron emitter for fabrication of field emission device // Carbon. 2010. V. 48. P.4483-4488.
2. Tzeng Y., Chen C-L., Chen Y-Y., Liu C-Y. Carbon nanowalls on graphite for cold cathode applications // Diamond and Related Materials. 2010. V. 19 (2-3). P. 201-204.
3. Самойлович М.И., Белянин А.Ф., Житковский В.Д., Багдасарян А.С. Наноструктурные углеродные материалы в тонкопленочной технологии // Инженерная физика. 2004. № 1. С. 33-39.
4. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Житковский В.Д., Пащенко П.В., Тимофеев М.А., Ковальский К.А., Клещева С.М., Борисов В.В., Петухов К.Ю. Слоистые ненакаливаемые катоды // Нано- и микросистемная техника. 2005. № 8. С. 39-47.
5. Белянин А.Ф., Самойлович М.И. Наноматериалы. IV. Тонкие пленки как нанострукту-рированные системы. М.: Техномаш. 2008. 254 с.
6. Самойлович М.И., Белянин А.Ф. Наноструктурированные пленки AlN: получение, строение и применение в электронной технике // Инженерная физика. 2006. № 5. С. 51-56.
7. Белянин А.Ф., Гуляев Ю.В., Самойлович М.И., Багдасарян А.С. Оборудование для формирования пленок алмаза и алмазоподобных материалов для акустоэлектроники // Наука и технологии в промышленности. 2006. № 4. С. 19-38.
8. Tcherniega N.V., Samoilovich M.I., Kudryavtseva A.D., Belyanin A.F., Pashchenko P.V., Dzbanovski N.N. Stimulated scattering caused by the interaction of light with morphology-dependent acoustic resonance // Optics letters. 2010. V. 35, № 3. P. 300-302.
9. Cheng C.C., Liang X.T., Tse W.S., Chen I.Y., Duh J.G. Raman spectra of titanium nitride thin films // Chinese Journal of Physics. 1994. V. 32, № 2. P. 205-210.
10. Ferrari A.C. Raman spectroscopy of grapheme and graphite: Disorder, electron-phonon coupling, doping and nanodiabatic effects // Solid state communications. 2007. V. 143. P. 47-57.
11. Pimenta M.A., Dresselhaus G., Dresselhaus M.S., Cancado L.G., Jorio A., Saito R. Studying disorder in graphite-based systems by Raman spectroscopy // Physical chemistry chemical physics. 2007. V.9. P.1276-1291.
12. Самойлович М.И., Белянин А.Ф. Формирование наноструктурированных пленок ал-мазоподобных материалов: часть 1, 2 // Нано- и микросистемная техника. 2006. № 7. С. 21-34; № 8. -С. 14-25.
13. Белянин А.Ф., Самойлович М.И., Пащенко П.В., Борисов В.В., Дзбановский Н.Н., Тимофеев М.А., Дворкин В.В., Пилевский А.А., Евлашин С.А. Получение и строение поликластерных пленок алмаза и алмазоподобных углеродных пленок // Наноинженерия. 2013. № 7. С. 16-26.
14. Белянин А.Ф., Борисов В.В., Самойлович М.И., Киреева Е.Д. Пленки углеродных материалов в автоэмиссионных катодах // Наноинженерия. 2014. № 4. С. 20-25.
15. Jagannadham K., Sharma A.K., Wei Q., Kalyanraman R., Narayan J. Structural characteristics of AlN films deposited by pulsed laser deposition and reactive magnetron sputtering: A comparative study // Journal of vacuum science & technology A. 1998. V. 16, № 5. P. 2804-2815.
16. Самойлович М.И., Бовтун В., Ринкевич А.Б., Белянин А.Ф., Клещева С.М., Кемпа M., Нужный Д. Пространственно-неоднородные материалы на основе решетчатых упаковок нано-сфер SiO2 // Инженерная физика. 2010. № 6. С. 29-38.
