CC BY
31
УДК 621.38.049.77
СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ЛАЗЕРНЫХ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫХ МЕТОДОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРО- И НАНОРАЗМЕРНЫХ ПОВЕРХНОСТНЫХ БРЭГГОВСКИХ РЕШЕТОК
Ирина Николаевна Калинина
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, магистрант кафедры фотоники и приборостроения, тел. (913)953-860-26-32, e-mail: kalinka04071992@mail.ru
Дмитрий Владимирович Чесноков
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, кандидат технических наук, доцент кафедры физики, тел. (913)701-20-73, e-mail: d.v.chesnokov@ssga.ru
В результате сравнительного анализа лазерных интерференционных методов формирования микро- и наноразмерных поверхностных брэгговских решеток сделан вывод о перспективности комбинирования интерференционного экспонирования поверхности подложки и лазерно-индуцированного парофазного химического осаждения (LCVD). Это позволяет на порядки увеличить производительность лазерной технологии в связи с одновременным экспонированием большой зоны подложки, и улучшить оптическое разрешение при экспонировании в связи с отсутствием объективов.
Ключевые слова: лазер, интерференция, парофазное химическое осаждение, поверхностная брегговская решетка, одностадийная нанотехнология.
COMPARATIVE ANALYSIS OF LASER INTERFERENTIAL METHODS
FOR CREATION OF MICRO- AND NANOSIZE SURFACE BRAGG REFLECTORS
Irina N. Kalinina
Siberian State University of Geosystems and Technologies, 10, Plakhotnogo St., Novosibirsk, 630108, Russia, Graduate, Department of Photonics and Device Engineering, phone: (913)953-860-26-32, e-mail: kalinka04071992@mail.ru
Dmitry V. Chesnokov
Siberian State University of Geosystems and Technologies, 10, Plakhotnogo St., Novosibirsk, 630108, Russia, Ph. D., Associate Professor, Department of Physics, phone: (913)701-20-73, e-mail: d.v.chesnokov@ssga.ru
As result of comparative analysis laser interferential methods of creation micro- and nanosize surface Bragg reflectors to make a conclusion, that combining of interferential exposure substrate surfaces and laser-induced chemical vapor deposition (LCVD) technique is very perspective. In this case productivity of laser technique can be increased on few orders of magnitude, because simultaneously exposed large area of substrates surface. Also, objectives absence increase optical resolving power.
Key words: laser, interference, chemical vapor deposition, surfaces Bragg reflector, one-stage nano-technique.
Актуальность темы
Оптоволоконные линии (ОВЛ) связи, доходящие вплоть до каждой квартиры, в настоящее время являются наиболее активно развивающимися. Полосу пропускания такой связи можно считать бесконечно большой в сравнении с радиосвязью, и требования к полосе пропускания удваиваются каждые три года. Оптические коммутаторы являются неотъемлемой частью волоконных систем.
Проблемой являются большие габариты и энергопотребление современных чисто оптических коммутаторов, что ограничивает их использование только магистральными линиями связи. В остальных случаях коммутаторы ОВЛ выполняют преобразование оптического сигнала в электрический, его обработку микроконтроллерами, последующее преобразование в оптический сигнал. В этом случае теряются преимущества ОВЛ в скорости передачи информации, т.к. возникают неизбежные задержки на преобразования форм носителей.
Таким образом, актуальным является разработка компактных, неэнергоемких быстродействующих коммутаторов ОВЛ, в том числе на принципах микромеханики и интегральной оптики.
Методы и методики
В качестве общенаучных методов исследования использованы анализ и абстрагирование, из методов эмпирического уровня - сравнение. В качестве методики использованы сигнальное и фактографическое обозрение.
Результаты
В настоящее время ведутся активные работы в области создания микроэлектромеханических (МЭМС) полностью оптических кросс-коммутаторов в виде матриц двумерных устройств типа 2Б и трёхмерных - типа 3Б. Чаще всего такие коммутаторы являются микрозеркальными устройствами; в 2Б устройствах микрозеркало имеет два фиксированных положения, управление им цифровое, в 3Б устройствах требуется аналоговое управление положением зеркала. Созданы 2Б устройства размером 32*32 канала, более сложные системы коммутаторов собираются из нескольких простых устройств, в качестве наиболее быстродействующего приводного механизма используется электростатический. Однако достигнутый уровень параметров считается не достаточным, не соответствующим требованиям оптоволоконных систем связи, что обусловлено значительной инерционностью микрозеркальных устройств.
Известен решёточный ответвитель световой волны, представляющий собой планарный оптический волновод, гофрированный с постоянным периодом гофра. Такие волноводы являются компонентами устройств интегральной оптики и служат для ввода оптических электромагнитных волн в планарные волноводы или вывода их оттуда, служат направленными ответвителями. Периодичность гофра приводит к дифракции рассеянного направленными ответвите-
лями света, приходящего к ним по волноводу. Угол дифракции зависит от длины волны света и шага периодичности гофра.
Для получения на поверхности подложек микро- и наноразмерного периодического рельефа применяются разнообразные физические эффекты. Широко применяются и усовершенствуются методы оптической «масочной» проекционной фотолитографии, в которой главным препятствием уменьшения размеров до наноуровня является оптический дифракционный предел, затрудняющий получение размеров, существенно меньших длины волны используемого акти-ничного излучения. Научные исследования в области проекционной фотолитографии на данный момент являются актуальными в связи с универсальностью технологии, отсутствием ограничений на разнообразие узоров воспроизводимых топологий микро- и наноприборов. Технологические проблемы по направлению проекционной фотолитографии при уменьшении топологических норм до десятков нанометров существенно возрастают.
Одним из альтернативных направлений получения наноразмерных топологий является использование двухлучевой и многолучевой интерференционной фотолитографии, которая дает преимущества в разрешающей способности при создании массивов периодических одно- и двумерных фоторезистивных структур.
В работах [1-3] представлены результаты теоретического анализа и экспериментов по разработке методов двухлучевой интерференционной фотолитографии с получением одно- и двумерных периодических структур типа решеток с периодом до 240 нм. В работе [4] представлены результаты разработки интерференционной оптической фотолитографии, позволяющей на поле подложки размером до 1 см формировать фотолитографически периодические структуры в виде никелевых конусов с характерным размером элементов 25 нм и шагом структуры до 100 нм. В статье [5] показано, что увеличение пространственного разрешения в интерференционной литографии достигается применением экспонирования в иммерсионной жидкости, техники нелинейного умножения пространственной частоты, учёте оптической нелинейности фоторезистов, возможном добавлении третьего луча в схему двухлучевой интерференции.
Ряд исследований посвящен вопросам разработки микротехнологий лазер-но-химического осаждения плёнок из паров летучих соединений (LCVD), такое осаждение структур обеспечивает одностадийность технологии, получение топологий без использования фоторезистивных масок. В основе процесса лежит возможность инициировать лазерным облучением химические преобразования адсорбированных на поверхности молекул прекурсора, включая их диссоциацию с образованием нелетучего продукта.
Исследования физико-химических процессов при осаждении металлических плёнок из паровой фазы летучих соединений широко известны [6-12]. В перечисленных работах исследована термодинамика и кинетика реакций термического разложения карбонилов металлов в условиях проведения процессов в контролируемой среде, в том числе, в вакууме, при протекании процессов по гетерогенному механизму, при подводе тепла к месту реакции путём
нагревания подложки и временных промежутках получения осадков до сотен минут, то есть не в импульсных режимах. В работах [13,14] исследована кинетика термораспада декакарбонила дирения в диапазоне температур (217-242).
Исследования не литографического «безмасочного» получения рисунков из плёнок металлов на подложках с использованием лазерно-химического (пи-ролитического) осаждения из парогазовой фазы упомянуты впервые в работе [15], в работе [16] приведены данные о разработке лазерной пантографической технологии изготовления интегральных схем с минимальными размерами элементов до 1 мкм на основе лазерно-пиролитических процессов, проводимых в вакуумной установке. Обзор зарубежных и отечественных исследований, проведённых к 2003 году, представлен в работе [17]. В работах [18-23] в рамках изучения прямого лазерного рисования металлических рисунков на подложках с использованием наносекундного лазерного воздействия в парах летучих ме-таллоорганических соединений исследовались эффекты, вызванные химическими превращениями во время лазерного импульса на поверхности и в газовой фазе, влияние теплопроводности подложки на разрешение, особенности газодинамических процессов, проходящих при пиролизе в приповерхностном слое реакционной парофазной среды с давлением 105 Па.
Можно указать на сложности в достижении нанометрового разрешения в лазерных пантографических пиролитических технологиях микросхем, а также присущую таким технологиям малую производительность.
Как видно, существует довольно ограниченное число литографических процессов для прямого формирования наноструктурных оптических и функциональных элементов, при этом всем из них свойственна низкая скорость записи, требующая высокой механической и электрической стабильности систем.
Предполагается, что лазерная интерференционная литография (ЛИЛ) имеет все возможности стать ключевой технологией в нанолитографии. По сравнению с конкурирующими оптическими методами, ЛИЛ существенно выигрывает в разрешении, а при сравнении с другими методами лучевой литографии - в низкой стоимости и высокой эффективности. Лазерно-интерференционная литография имеет и хороший производственный потенциал, что важно для поддержания высокой скорости прогресса в данной области [24-27].
По характеру формирования наноструктур ЛИЛ можно разделить на два типа:
1) лазерная интерференционная фотолитография. Рисунок в данном виде ЛИЛ получают путем экспонирования фоторезиста в интерференционном поле с дальнейшим получением рельефа;
2) лазерная интерференционная импульсная литография. В ходе литографического процесса происходит термическая модификация подложки или заранее нанесенной на подложку пленки. Для обеспечения высокого разрешения рисунка требуется короткое импульсное воздействие, чтобы предотвратить распространение высокой температуры за пределы экспонируемой зоны.
Лазерная интерференционная фотолитография.
При интерференционной оптической фотолитографии интерференционная картина, экспонирующая слой фоторезиста, формируется при наложении на подложке двух или более когерентных пучков излучений, получаемых делением пучка излучения одного излучателя.
На рис. 1 показана схема экспериментальной установки [4] двухлучевой интерференционной фотолитографии с совмещением экспонирования и проявления.
Рис. 1. Схема установки двухлучевой интерференционной фотолитографии с совмещением экспонирования и проявления [1]
Пластина, покрытая слоем позитивного фоторезиста Л7-13501, погружалась в соответствующий проявитель, находящийся в призмоподобном контейнере со стенками из оптического стекла; экспонирование велось излучением на
длине волны 488 нм аргонового лазера. Жидкость в контейнере играет роль иммерсионной, что приводит к уменьшению времени экспозиции и получению резких краёв в фоторезистивной маске. Резкость краёв объясняется тем, что при проявлении поверхностные слои фоторезиста, подвергшиеся засветке, удаляются, растворяясь в проявителе и обнажая для экспонирования нижележащие слои. Толщина слоя резиста составляет (1-3) мкм; излучение лазера мощностью 200 мВт разделялось на два луча, которые подвергались пространственной фильтрации (отверстие диафрагмы фильтра составляет 25 мкм), частично отражались от стенок контейнера; значительная доля излучения терялась. На подложке освещённая двумя лучами зона составляла круг диметром от 3 см до 6 см. Длительность процесса достигает десятков минут.
В работе [1] авторами было опубликованы результаты по получению дифракционных решеток с периодом 0,5 мкм, изготовленных методом интерференционной фотолитографии с совмещением экспонирования и проявления [2].
Были получены структуры с периодом до 240 нм. Методика исследования предусматривала замену диафрагмы пространственного фильтра (ее отверстие составляло 25 и 10 мкм), уменьшение толщины фоторезиста до 250 нм. Полученные фоторезистивные структуры использовались как химически стойкие маски при вытравливании периодической структуры в стекле.
В работе [4] представлены результаты разработки интерференционной оптической фотолитографии, позволяющей на поле подложки формировать фотолитографически периодические структуры с характерным размером элементов 25 нм и шагом структуры до 100 нм.
Самый простой метод формирования интерференционной картины - использование зеркала Ллойда. При этом картина формируется на подложке, которая является одним из зеркал. Недостатком такой технологии является зависимость качества результатов от качества поверхности зеркал и наличия у них острых краёв, что приводит к возникновению когерентного шума в получающемся периодическом рисунке.
Рис. 2 иллюстрирует высокое разрешение, достигаемое с помощью интерференционной литографии. Показана решетка из никелевых конусов с размером у основания 25 нм, расположенных с шагом 100 нм.
В обзорной статье [5] значительное место уделено описанию принципов, достижений и пределов интерференционной литографии и её роли в развитии нано-технологии. При использовании эксимерного лазерного излучателя с длиной волны 193 нм, иммерсии в воде получают структуры с размером 34 нм (на уровне полувысоты пика распределения интенсивности излучения); с использованием техники нелинейного умножения пространственной частоты эта величина может быть уменьшена в 2-3 раза. Среди областей применения интерференционной литографии перечисляются наномасштабный рост гетероэпитаксиальных структур, нанофлюидику для биологической сепарации, наномагниты для структур памяти, нанофотонику, включая распределённую обратную связь в лазерах и распределённые брегговские зеркала, двух- и трёхмерные фотонные кристаллы, метамате-риалы, материалы с отрицательным показателем преломления.
Рис. 2. Периодическая решётка из никелевых конусов, полученная с помощью интерференционной литографии [3]
Интерференционная двухлучевая литография (ИЛ) использует небольшое число когерентных оптических лучей; может быть двумерной (тонкий слой фоторезиста) и трёхмерной (слой фоторезиста много больше длины волны света); интерференционная картина получается в слое фоторезиста и затем трансформируется с помощью термических и химических процессов. Выбор типа лазерного излучателя зависит от пространственной когерентности излучения, длины волны и ширины спектральной линии излучения.
Эксимерные лазеры имеют большое число поперечных мод и соответственно очень низкую поперечную когерентность, для них рассматриваемое устройство не подходит. Эту проблему решают путём расщепления входящего луча по амплитуде, при этом каждый элементарный луч пучка расщепляется и, сходясь в слое фоторезиста после прохождения всего оптического пути, интерферирует «сам с собой».
При ТЕ-поляризации контраст интерференционной картины на подложке всегда максимален; контраст при ТМ-поляризации ослабляется в результате фазового сдвига между векторами поляризации.
Для ослабления зависимости от поляризации необходимо выбирать углы преломления в фоторезисте. При использовании широкополосных лазеров используются дифракционные расщепители световых пучков.
Современные фоторезисты являются нелинейными, давая приблизительно сигмоидальный отклик на световой сигнал (насыщение с увеличением дозы засветки), так что каждое локальное превышение (понижение) относительно определённого уровня удаляется после проявления, детали картины теряются. Это свойство оказывается полезным при многократном экспонировании фоточувствительного слоя. Для получения 2Б-структур проэкспонированную подложку поворачивают в своей плоскости на 90° и повторно экспонируют той же интерференционной картиной; Простое добавление призмы в установку ИЛ с прослойкой из иммерсионной жидкости (воды) между призмой и слоем фоторези-
ста уменьшает периодичность и размер формируемых структур в число раз, равное показателю преломления жидкости.
Обычная двухлучевая ЛИЛ позволяет получить равномерно на всей засвеченной области расположенные линии решетки. Комбинация многих таких решеток путём нескольких экспозиций разными интерференционными картинами может позволить сконструировать сложные структуры. Фурье-анализ позволяет представить любые сложные структуры как комбинацию гармонических структур. Однако существует и разница между ИЛ и Фурье подходом, обусловленная тем, что интенсивность экспозиции должна быть всегда положительной. В конечном итоге это приводит к потере контраста в результирующей картине при увеличении числа экспонирований.
Добавление дополнительных лучей при ИЛ экспонировании предоставляет новые возможности получения более сложных картин, например двумерных решеток. Необходимо отметить, что пространственная частота в проявленной картине может быть выше оптического предела 2п / X, что обусловлено нелинейными процессами при экспонировании, проявлении и обработках (свойственных современным фоторезистам), то есть, результатом преобразования синусоидального пространственного изображения в П-образную форму в проявленной картине в резисте.
В многочисленных работах (например, [27]) описаны примеры применения лазерной интерференционной литографии для текстурирования поверхности площадью 1,2 х 1,2 квадратных метра, а также для прикладного использования ЛИЛ: увеличение поглощательной способности солнечных батарей [28], продления жизни смазывающей поверхности путем модификации трущихся поверхностей лазерной интерференционной литографией [30, 31].
Импульсная интерференционная литография.
В связи с появлением мощных лазеров с длиной импульса менее 10 нс активно стали развиваться технологии получения микрорисунков путем абляции лишнего материала ранее нанесенной металлической пленки. Существенный плюс данной технологии в ее однастадийности, однако таким способом невозможно формировать микрорисунок на большой площади, а, следовательно, производительность метода будет низкая. Исправить данный недостаток можно применив комбинированную технологию импульсной интерференционной литографии, которая позволяет получать в одностадийном процессе массив упорядоченных субмикронных структур [24].
Из большого числа экспериментов, проведённых с использованием метода импульсной интерференционной литографии наиболее интересные и неожиданные физические результаты получились при воздействии на монокристаллы и эпитаксиальные плёнки. Это прямое лазерное стимулирование самоорганизации пространственно - периодических островков на поверхности монокристаллов и эпитаксиальных плёнок с размерами, которые нельзя объяснить только тепловой нелинейностью.
В ходе эксперимента были реализованы четырехлучевые интерференционные картины регулярных матриц отверстий в подложках из арсенида галлия
(ОяЛб), покрытых пленкой диоксида кремния (БЮ2). Картины записывали на подложки напрямую, затем для получения более глубокого рельефа подложка подвергалась химическому травлению. Самая маленькая деталь была неразличима с помощью атомно-силового микроскопа, имевшего разрешение 5 нм, а это указывает на то, что размер этого элемента изображения был меньше 5 нм. Продолжительность всего процесса изготовления наноструктур в подложке, включая обработку изображения, составляла менее пяти минут [24]. В ходе процесса получают массив отверстий в металлической пленки с толщина 10 нм, а затем подвергают всю подложку химическому травлению чтобы получить отверстия с глубиной 100 нм и более, диаметр такого отверстия около 10 нм.
Так же эксперименты по формированию субмикронных упорядоченных структур проводились на поверхности плёнок 1п и ТЮ2 и описаны в работе [29]. В работах [32, 33] описаны эксперименты по прямой лазерной интерференционной модификации поверхности монокристалла кремния, с помощью импульсного лазера Кё:УЛО. В работе [33] представлены математические модели и результаты экспериментов трехлучевого интерференционного модифицирования поверхности подложки.
Метод лазерно-индуцированного химического осаждения (ЬСУО).
Одно из направлений развития современных лазерных микротехнологий -формирование топологического рисунка из различных тонкопленочных слоистых сред на поверхностях подложек для целей опто- и микроэлектроники. Стимулом для этого является локальность и быстрота концентрации энергии лазерного излучения в заданном месте обрабатываемой области, что может инициировать прохождение химических реакций в облучаемых точках с выделением в качестве продукта реакции необходимых для создаваемого рисунка веществ. Реагенты могут доставляться к подложке в виде пара легколетучих химических соединений [17].
Для обозначения лазерно-индуцированного химического осаждения на подложку различных материалов, в том числе и металлов, из паровой фазы исходных соединений широко используют аббревиатуру ЬСУО [34-37].
В общем случае метод ЬСУО заключается в следующем: летучее соединение осаждаемого элемента переводится в газовую фазу и разлагается на поверхности подложки или в паровой фазе при воздействии лазерного излучения, при этом образуется газообразные продукты и твердый осадок на поверхности подложки [17, 21, 22].
Технология ЬСУО позволяет формировать металлические пленки и структуры в одностадийном не литографическом процессе. Так же широко применяется при формирование точечных омических и барьерных контактов, для соединения и исправления схем, заполнения отверстий и при выращивании перегородок [17, 19, 20, 37-41].
Хорошо изучено ЬСУО алюминия, золота, меди вольфрама и платины, которые используются в микроэлектронной промышленности для металлизации интегральных схем [17]. В работе [36] сообщается о синтезе углеродных нанот-
рубок на поверхности кварцевой подложке из паров этанола и ацетилена под действием излучения лазера на CO2 сдлиной волны 10,6 мкм.
Однако, так как для фокусирования лазерного излучения на поверхности подложки в LCVD методе применяют линзовые объективы, дифракционные явления будут ограничивать разрешающую способность данного метода. Следовательно, таким методом невозможно получить элемент с размером менее половины длины волны лазерного излучения.
Заключение
Для достижения цели - создания высокопроизводительной и дешевой методики литографии поверхностных микро- и наноструктур, необходимо комбинировать лазерную интерференционную литографию (позволяющую получать упорядоченные структуры на больших площадях, с размером отдельного элемента 100 нм и менее, без применения масок и линзовой оптики) и метод LCVD (позволяющий получать микроструктуры из широкого спектра материалов в одностадийном процессе).
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Tsang, Won-Tien. Simultaneous exposure and development technique for making grating on positive photoresist / Won-Tien Tsang, Shyh Wang // Applied Physics Letters. - 1974. - V. 24, № 4.
2. Tsang, Won-Tien. Grating masks suitable for ion-beam machining and chemical etching / Won-Tien Tsang, Shyh Wang // Applied Physics Letters. - 1974. - V.25, № 7.
3. Tsang, Won-Tien. Microfabrication of to-dimensional periodic arrays by laser beam interferometric technique / Won-Tien Tsang, Shyh Wang // Applied Physics Letters. - 1975. -V. 27, № 2.
4. Smith, H.I. Low cost nanolithography with nanoaccuracy / H.I. Smith // Physica E. -2001. - V.11. - p. 104-109.
5. Brueck, S.R.J. Optical and interferometric lithography - nanotechnology enablers / S.R.J. Brueck // Proceedings of the IEEE. - 2005. - V.93, No.10.
6. Игуменов И.К., Чумаченко Ю.В., Земсков С. В. Изучение летучести некоторых Р-дикетонатов меди (II) // Координационная Химия, 1983. - 1978. - Т. 4, № 2. - С. 163-169.
7. Сыркин В.Г. Карбонилы металлов. - М.: Химия, 1983.
8. Разуваев Г. А., Грибов Б. Г., Домрачев Г. А., Саламатин Б. А. Металлоорганические соединения в электронике. // М. : Наука, 1972.
9. Грибов Б. Г., Домрачев Г. А., Жук Б. В. и др. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений. - М. : Наука, 1981. - 322 с.
10. Сыркин В. Г. CVD-метод. Химическая парофазная металлизация. - М. : Наука, 2000. - 496 с.
11. Волков В. Л., Сыркин В. Г., Толмасский И. С. Карбонильное железо. - М. : Металлургия, 1969. - 256 с.
12. Сыркин В. Г. Химия и технология карбонильных металлов. - М. : Химия, 1972.
13. Баев А. К., Гайдым И. Л. // Тез. докл. 1 Всесоюзной конференции по химии и технологии парообразных неорганических соединений. - Минск : Вышей. шк., 1973. - С. 34.
14. Осипов и др. Получение плёнок рения // Известия АН СССР: Неорганические материалы. - 09/1974. - Vol. 10. - С. 9-10.
15. А11еп S. D., Bass M. Abstract: Laser chemical vapor deposition of metals and insulators // J. Vac. Sci. Tech. -1979. - Vol. 16, no. 2. - p.431.
16. B. M. McWilliams, I. P. Herman, F. Mitlitsky et al. Wafer-scale laser pantography: Fabrication on n-metal-oxide-semiconductor transistors and small-scale integrated circuits by direct-write laser-induced pyrolytic reactions // Appl. Phys. Lett. - 1983. - Vol. 43, no.10. - Pp. 946-948.
17. Чесноков В. В. Лазерные наносекундные микротехнологии / В. В. Чесноков, Е.Ф. Резникова, Д. В. Чесноков; под общ. ред. Д. В. Чеснокова. - Новосибирск : СГГА, 2003. - 300 с.
18. Чесноков В. В., Земсков С. В., Игуменов И. Г. Лазерно-химическое осаждение пленок металлов // Тезисы докладов 5 отраслевой научно-технической конференции "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем". - Нальчик, 1983.
19. Чесноков В. В., Земсков С. В., Игуменов И. К. Способ локального нанесения покрытия на подложку // Пат. РФ 1331369, МПК H01L 21/312 (1995.01), G03F 1/00 (1995.01). -№ 3936434; Заяв. 6.06.85; опубл. Бюл. № 30. // Открытия. Изобретения. - 1987. - С. 260.
20. Чесноков В. В., Резникова Е. Ф. Прямое рисование на подложках металлических структур с использованием азотного лазера // Тезисы Всесоюзной конференции ВУФ-91, 28-30 мая 1991 г., Томск. - М., 1991. - С. 137-138.
21. Резникова Е. Ф. Химическое осаждение металлических плёночных микроструктур из паров летучих соединений металлов с помощью мощного высокочастотного наносекунд-ного импульсного УФ лазера: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук, ИНХ СО РАН. - Новосибирск, 1998.
22. Чесноков Д. В. Разработка и исследование наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / СГГА. - Новосибирск, 2000.
23. Роль нестационарных тепловых процессов при осаждении тонких плёнок методом наносекундного LCVD / Д. В. Чесноков, В. В. Чесноков, В. Н. Москвин, Д. С. Михайлова // Доклады АН ВШ РФ. - 2013. - № 1 (20). - С. 119-128.
24. Changsi Peng Nano fabrication by laser interference / Chunlei Tan, Wei Zhang, Xiaoyong Gu and Weiping Liu // Appliednanomanufacturing, 2012. - V. 8, № 3.
25. T. M. Bloomstein, M. F. Marchant, S. Deneault, D. E. Hardy, and M. Rothschild. 22-nm immersion interference lithography // Optics express - 2006 - V. 14, № 14, pp. 6434-6443.
26. Hung-Cheng Lin, Fabrice Stehlin, Olivier Soppera, Hsiao-Wen Zan, Chang-Hung Li, Fernand Wieder, Arnaud Ponche, Dominique Berling, Bo-Hung Yeh, Kuan-Hsun Wang. Deep ultraviolet laser direct write for patterning sol-gel InGaZnO semiconducting micro/nanowires and improving field-effect mobility // Scientific Reports 5 - 2015.
27. Wolf A. J. Origination of nano- and microstructures on large areas by interference lithography / A. J. Wolf et. al. // Microelectronic Engineering. - 2011. - no. 98. - p. 293-296. -doi:10.1016/j.mee.2012.05.018.
28. Lasagni, A. Periodical surface structuring of metals by laser interference metallurgy as a new fabrication method of textured solar selective absorbers / A. Lasagni et. al. // Advanced engineering materials. - 2006. - vol. 6. - no. 6. - p. 580-584. - doi:10.1002/adem.200500261.
29. Lasagni, A. Laser interference metallurgy: A new method for periodic surface microstructure design on multilayered metallic thin films / A. Lasagni et. al. // Applied surface science. -2007. - vol. 253. - no. 19. - p. 8070-8074. - doi:10.1016/j.apsusc.2007.02.092.
30. Lasagni A. Direct patterning of polystyrene-polymethyl methacrylate copolymer by means of laser interference lithography using UV laser irradiation / A. Lasagni et. al. // Polymer engineering and science, 2008, vol. 48, no. 12, p. 2367-2372, doi: 10.1002/pen.21189.
31. Lasagni A. Advanced design of conductive polymeric arrays with controlled electrical resistance using direct laser interference patterning / A. Lasagni et. al. // Applied physics A. - 2008. -vol. 91. - p. 369-373. - doi: 10.1007/s00339-008-4477-3.
32. Наноразмерная интерференционная литография с импульсным УФ лазером / В. И. Бредихин В. Н. Буренина и др. // Журнал технической физики - 2004 - том 74, вып. 9.
33. Lorens M. Micropatterning of Silicon Surface by Direct Laser Interference Lithography / Y. Zabilab , M. Krupinskib, M. Perzanowskib, K. Suchanekb, K. Marszaleka and M. Marszalekb // Acta physica polonica A. - 2012. - V. 121. - №. 2.
34. Woo Kyung Lee, Zhenting Dai, W. P. King, P. E. Sheehan. Maskless Nanoscale Writing of Nanoparticle-Polymer Composites and Nanoparticle Assemblies using Thermal Nanoprobes // Nano Letters. 2010. - 129-133 pp.
35. Kodas T., Hampden-Smith M. The Chemistry OS Metal CVD. -Weinheirn: VCH, 1994. -530 pp.
36. Lehmann O., Stuke M. Laser-CVD 3D rapid phototyping of laser driven moveable micro-object // J. de Physique IV. - 1995. Vol. 5, Part II. - Pp. C5-601-605.
37. Zewail A. Laser selective chemistry: New problem for chemists and physicists // Engineering and Science. - 1980. -Vol. 43, no. 3. - Pp. 8-13.
38. Формирование двумерных периодических наноструктур на поверхности плавленого кварца, полиимида и поликристаллического алмаза с помощью метода импульсной четырех-лучевой интерференционной лазерной модификации / Ю. К. Веревкин, Н. Г. Бронникова, В. В. Королихин, Ю. Ю. Гущина, В. Н. Петряков, Д. О. Филатов, Н. М. Битюрин, А. В. Круглов, В. В. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т. 73, № 6.
39. Кузнецов М. В. Интерференционное формирование по технологии LCVD тонкопленочных микрорисунков на обратной стороне облучаемой подложки // Изв. вузов. Приборостроение. - 2016. - Т. 59. - №1.
40. Кузнецов М. В. Экспериментальные исследования процессов формирования субмикронных периодических структур методом интерференционного ЛПФХО // Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Сиб0птика-2015» : сб. материалов в 3 т. (Новосибирск, 13-25 апреля 2015 г.). - Новосибирск : СГУГиТ, 2015. Т. 1. -154-158 с.
41. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Кузнецов М. В. Разработка принципов формирования топологических микро- и наноструктур на подложках методом интерференционного LCVD // Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Сиб0птика-2015» : сб. материалов в 3 т. (Новосибирск, 13-25 апреля 2015 г.). - Новосибирск : СГУГиТ, 2015. Т. 1. - 159-169 с.
© И. Н. Калинина, Д. В. Чесноков, 2018
