CC BY
56
УДК 535.217: 535.417: 621.793.164
ВОЗМОЖНОСТИ ДВУХЛУЧЕВОЙ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ LCVD С НАНОСЕКУНДНОЙ ДЛИТЕЛЬНОСТЬЮ ИМПУЛЬСОВ ОБЛУЧЕНИЯ
Дмитрий Владимирович Чесноков
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, кандидат технических наук, доцент, зав. кафедрой наносистем и оптотехники, тел. (383)343-29-29, e-mail: [email protected]
Владимир Владимирович Чесноков
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, доктор технических наук, профессор кафедры физики, тел. (383)361-08-36, e-mail: [email protected]
Максим Викторович Кузнецов
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, инженер кафедры физики, тел. (383)361-08-36, e-mail: [email protected]
Исследованы возможности увеличения разрешающей способности лазерно-индуциро-ванного парофазного химического формирования топологических микро- и наноструктур на подложках за счет проведения процессов в мономолекулярном адсорбированном слое и при интерференционном формировании рисунка на поле экспонирования; в одностадийном на-носекундном лазерном процессе получены структуры типа дифракционных решеток с разрешением до доли длины волны излучения. Показано, что предельное разрешение лазерной-химической технологии получения структур на прозрачных диэлектрических подложках определяется нелинейным характером пиролитического процесса, теплопроводностью наносимого металлического слоя и автокаталитическим характером диссоциации молекул при пиролизе. Приведено подробное описание экспериментально стенда для исследования процессов формирования топологического субмикронного рисунка методом интерференционного LCVD. Описаны результаты проведенных экспериментов по формированию топологических субмикронных структур.
Ключевые слова: двухлучевая интерференция, адсорбированный слой, одностадийная технология, наноструктуры, лазерно-индуцированные процессы, тонкие пленки, карбонилы металлов.
POSSIBILITIES OF THE DUAL-BEAM INTERFERENTIAL LCVD TECHNOLOGY WITH THE NANOSECOND DURATION OF RADIATION IMPULSES
Dmitrij V. Chesnokov
Siberian State University of Geosystems and Technologies, 630108, Russia, Novosibirsk, 10 Plakhotnogo St., Ph. D., Assistant Professor, Head of Department Nanosystems and Optic Technology, tel. (383)343-29-29, e-mail: [email protected]
Vladimir V. Chesnokov
Siberian State University of Geosy stems and Technologies, 630108, Russia, Novosibirsk,
10 Plakhotnogo St., D. Sc., Professor of Department Physics, tel. (383)361-08-36, e-mail: [email protected]
Maksim V. Kuznecov
Siberian State University of Geosystems and Technologies, 630108, Russia, Novosibirsk, 10 Plakhotnogo St., Engineer of Department Physics, tel. (383)361-08-36, e-mail: [email protected]
There investigated the possibilities of increase in resolution of the laser induced vapor-phase chemical formation of topological micro and nanostructures on substrates due to carrying out processes in the monomolecular adsorbed layer and at interferential formation of drawing in the field of exhibiting; in single-stage nanosecond laser process we got the structures like diffraction gratings with the resolution up to a wavelength emission share. It is shown that ultimate resolution of laser-chemical technology of making structures on transparent dielectric substrates is defined by nonlinear nature of pyrolitic process, heat conductivity of the put metal layer and autocatalytic character of dissociation of molecules at pyrolysis. Presented the detailed description of test stand for investigation of formation processes of topological characteristics of submicron image with method of interferential LCDV. There described the results of experiments on topological formation of submicron structures.
Key words: dual beam interferention, adsorbed layer, single-stage technology, nanostructures, laser-induced process, thin films, metal carbonyls.
Введение. Современные научные исследования требуют применения точного измерительного оборудования [1-5], состоящего из большого числа микроэлектронных элементов. Данная статья описывает способ формирования микроструктур, который может применяться в микроэлектронном производстве. Использование двухлучевой интерференционной фотолитографии при создании массивов периодических одно- и двумерных фоторезистивных структур исследуется в работах 1974-75 гг. [6-8], в которых получены одно- и двумерные периодические структуры типа решеток с периодом до 240 нм с использованием технологии фотолитографических масок. В работах [9, 10] получены методом интерференционной оптической фотолитографии на поле подложки размером порядка 1 см периодические структуры в виде никелевых конусов с характерным размером элементов 25 нм и шагом структуры до 100 нм.
Вопросы лазерного CVD (Laser-inducedchemical vapordeposition - LCVD, в русскоязычной литературе - инициированное лазерным излучением парофаз-ное химическое осаждение - ЛПФХО) обсуждаются в литературе, начиная с работы [11], в [12] приведены данные о разработке лазерной пантографиче-ской технологии изготовления интегральных схем с минимальными размерами элементов до 1 мкм на основе лазерно-пиролитических процессов, проводимых в вакуумной установке. В работах [13-29] исследовались методы прямого лазерного формирования металлических рисунков на подложках с использованием наносекундного лазерного воздействия в парах летучих металлоорганиче-ских соединений при атмосферном давлении инертного буферного газа. Стимулом для исследований была возможность одностадийного получения металлических рисунков (прямого рисования металлических линий лазерным лучом) на любых, в том числе, полимерных подложках при атмосферном давлении инертного газа и, в некоторых случаях, в воздушной среде. Однако показано, что по ряду причин, в том числе, в связи с прохождением реакций в газовой фазе
и дифракционными эффектами, разрешение технологии ограничивается уровнем порядка одного микрона. Уровень разрешения уступает достигнутому в фотолитографических процессах. Взаимодействие лазерного излучения с веществом рассматривается в работах [30-32].
В настоящей работе, продолжающей исследования [33-34], рассматриваются возможности улучшения разрешения безмасочной технологии наносе-кундного лазерно-химического осаждения за счет создания условий проведения лазерно-индуцированной диссоциации реагентов преимущественно в мономолекулярном адсорбированном на поверхности слое, а также за счет отказа от получения рисунка сканирующим лазерным лучом и перехода к интерференционным методам; определены условия уменьшения влияния теплового расплы-вания зоны индуцированных реакций при формировании металлических пленок с высокой теплопроводностью. Разрабатываемый одностадийный метод интерференционного LCVD в адсорбированном слое позволяет на порядки увеличить производительность лазерной технологии в связи с одновременным формированием топологического рисунка на большой площади подложки и улучшить оптическое разрешение при экспонировании [28].
Теоретическая модель. Механизм образования пленочного металлического осадка на подложке в процессе LCVD с наносекундной длительностью импульсов включает этапы образования за время между импульсами на поверхности подложки адсорбированного слоя молекул МОС (использовался декакарбонил дирения), нагревание поверхности за длительность импульса и диссоциацию адсорбированных молекул за время импульса с образованием свободных атомов металла и газообразного продукта в соответствии с реакцией:
Re2 (CO )10= 2Re +IOCO. (1)
Содержание молекул карбонила в газовой фазе подбором режимов сводится к минимуму, что практически исключает диссоциацию молекул в газовой фазе. Для случая интерференции двух плоских когерентных волн с ТЕ поляризацией с интенсивностями 11, симметрично падающих на подложку с углами падения ±0, пространственная картина распределения интенсивности дается формулой [8]:
/ (х, y) = 2/ [1 + cos (2kx sin ©)] = 4/ cos2 (kx sin 0), (2)
где x, y - координаты поперек и вдоль интерференционных полос; k = 2ш / -волновое число.
Распределение приращения температуры на поверхности полубесконечной поглощающей подложки при облучении симметричным по времени лазерным импульсом с гауссовским распределением интенсивности по сечению лазерного пятна определяется формулой, справедливой при условии t < т [35]:
T = (((1 - R)Р0х1/2л(t)) / (21/4 (pc f))exp(-r2 / r02); (3)
Л (t) = expГ-0,707(t /1 - 0,55)21
где t - время; т - длительность импульса излучения; R - коэффициент отражения света поверхностью; P0 - плотность мощности падающего излучения;
r0 - радиус светового пятна; r - радиальная компонента точки в пятне; л(t) -
функция зависимости температуры от времени в диапазоне значений t / т< 0,55;
kT - коэффициент теплопроводности; p - плотность; c - удельная теплоемкость
вещества подложки.
При t / т = 0,55 температура в пятне максимальна, затем с течением времени уменьшается. Вид функции л(t)при t >т, найденный в работе [35], свидетельствует о том, что остывание идет медленно и длительность температурного импульса на поверхности больше длительности лазерного импульса.
Оценочное выражение для вычисления температуры подложки при интерференционном формировании световой картины может быть получено из формулы (3) путем замены экспоненциального сомножителя, характеризующего гауссовское распределение в пятне, на сомножитель, характеризующий распределение в интерференционной картине:
Тх = ((4/1 (1 - R )т1/2 л (t)) / (21/4 (kT pc )1/2)) cos2 (kx sin 0). (4)
Как и ранее, в момент времени t = 0,55т температура на поверхности в области максимума интерференции максимальна, ( л(t) = 1), затем с течением
времени уменьшается; для момента времени с максимальной температурой из (4) для малых значений аргумента косинуса можно найти координату точки, в которой увеличение температуры за импульс равно Tx:
х
л/1 - Tx / T, / (ksin 0), (5)
где Тх - максимальное за импульс увеличение температуры в точке поверхности на расстоянии х от максимума интерференции, где увеличение температуры в этот же момент равно Т0. Полученная формула не учитывает тепловое рас-плывание нагретой зоны при остывании подложки после лазерного импульса; величина теплового расплывания зависит от теплофизических параметров подложки и длительности лазерного импульса [19]; анализ показывает, что при получении наноразмерных топологий предпочтительно использовать диэлектрические подложки с низкой температуропроводностью и наносекундные лазерные импульсы.
Используя уравнение Аррениуса для зависимости скорости химической реакции от температуры, можно по аналогии с [19] найти значение соотношения 1 - Tx / Т0 для точек в пятне, при которых отношение kx / к0 констант скоростей реакций в точке с координатой x и в центре равно заданному значению:
(Т - Тх) / ( + 273) = (-(R (Г0 + 273)) / E) 1п(kx / £0) ,(6)
где E - энергия активации пиролиза, Дж/моль; R0 - универсальная газовая постоянная.
Константа скорости определяется формулой:
кс =у ехр(-В / ЯоГ). (7)
Скорость химической реакции первого порядка связана с константой скорости уравнением:
& / Л = скс, (8)
где с - концентрация реагирующего вещества. В нашем случае за импульс излучения диссоциирует часть монослоя молекул карбонила, монослой имеет такую концентрацию молекул, при полном разложении которых образовался бы слой металла толщиной dM = 0,1 нм [19].
Исходя из этого, представим формулу скорости роста металлической пленки в виде:
V = dмкс . (9)
Формула справедлива при условии, что за импульс разлагается малая доля монослоя молекул карбонила, то есть, приращение толщины осадка за импульс излучения Дd < dM.
Для обеспечения высокого контраста получаемого металлического рисунка на подложке примем кх / к0 = vx / V0= 0,2. По литературным данным [19, 36],
энергия лазерной активации пиролиза декакарбонила дирения в зависимости от условий пиролиза может составлять 25-150 кДж/моль. В случае приращения температуры в момент импульса на Т0 = 700 К, угле падения интерферирующих лучей © = 50°, считая В = 150 кДж/моль, можно найти ширину полоски рения на поверхности подложки, равную 2х = 0,15^0, то есть, разрешение процесса много лучше, чем оптическое разрешение.
При формировании в ходе лазерного импульса металлической пленки, имеющей существенно большее, чем у подложки, значение температуропроводности, нагретая лазерным излучением зона расширяется, что может ухудшить возможность формирования малых структурных элементов.
Нами найдено, что при выполнения условия:
b < (с2р21Т2 ) / (cp ) , (10)
где c и р - удельная теплоемкость и плотность плёнки и подложки в соответствии с индексами; £ Т2 = у/а2т - длина тепловой волны в диэлектрической подложке, толщина прогретой за импульс зоны подложки; а2 - температуропроводность подложки; b - толщина металлической пленки; т - длительность импульса, расширение зоны незначительно.
Анализ уравнений показывает, что улучшению разрешения способствует использование пиролитических реакций с большим значением энергии активации пиролиза; при данном значении энергии активации - при меньших температурах облучаемой поверхности.
Таким образом, нелинейная зависимость скорости химической реакции от температуры приводит к возможности получать разрешение лазерного пироли-тического процесса лучше, чем разрешение оптических картин на облучаемой подложке.
Скорость образования пленки металла зависит не только от температуры подложки, но и от условий удаления газообразных продуктов реакции. В работе [14] показано, что если давление CO во время импульса облучения у поверхности превышает 30 кПа при температуре подложки 800 К, то степень пиролити-ческого разложения адсорбированного слоя за импульс падает. Приповерхностная атмосфера во время лазерного импульса создается даже в вакууме за счет возвращения испарившихся молекул (18 % в соответствии с данными [37]). Массовая скорость газового потока в вакууме должна быть порядка тепловой скорости молекул СО [31]:
» = y¡(8RT) / (Ш), (11)
где M = 0,028 кг/моль - молярная масса СО. Расчет показывает, что при Т = 800 К за время 1... 2 нс молекулы газа создадут приповерхностный слой атмосферы толщиной d ~ 1мкм. Концентрация молекул в этом слое равна:
nCO =(щ) / (s0d) , (12)
где q = 10 - количество групп СО в молекуле декакарбонила; s0 = 5,85 • 10~19 м2 -площадь, занимаемая молекулой на поверхности; а~ 0,1 - степень диссоциации мономолекулярного слоя. Получим nCO = 1,7 -1024 м_3, что создает давление pCO газа у поверхности:
PCO = 0,18псокБТ , (13)
где кБ - постоянная Больцмана, равная рсо = 3,4 -104 Па, близкая к предельно-допустимому. Таким образом, темп удаления продуктов диссоциации сказывается на полноте диссоциации адсорбированного слоя даже в вакуумных условиях; при атмосферном давлении ситуация существенно хуже, процессы диссоциации переносятся в газовую среду, что ухудшает разрешение процесса.
В работе [19] показано, что диссоциация в газовой фазе увеличивается с ростом температуры в газе и на поверхности, и ее доля в получении осадка металла в верхнем диапазоне индуцируемых лазером рабочих температур может быть сравнимой с результатами диссоциации на поверхности.
Факт осаждения металлических пленок на поверхностях, прозрачных для излучения подложек, т. е. не нагревающихся излучением, не может быть объяснен только механизмом термической диссоциации молекул. Известно, что переход молекул из газовой фазы в адсорбированное состояние изменяет энергии их электронных состояний, тем самым изменяя их спектр оптического поглощения. Поглощение молекулами фотонов может приводить к переходу молекулы на колебательный уровень возбужденного состояния [38], что позволяет проводить пиролиз при меньшей температуре подложки, уменьшается энергия активации пиролиза. В работе [39] обнаружено, что при нагревании до температуры 50-90 °С стеклянной подложки с мономолекулярным адсорбированным на поверхности слоем декакарбонила дирения вследствие перехода молекул в хемосорбированное состояние резко - до десятков процентов - увеличивается оптическое поглощение слоя в диапазоне спектра 200-340 нм, и на единицы процентов - в видимом диапазоне длиннее 350 нм. Таким образом, можно принять, что механизм осаждения пленок металла на диэлектрические прозрачные подложки комбинированный, имеет место фотолиз и пиролиз.
Скорость роста металлической пленки на подложке в местах облучения зависит от концентрации адсорбированных молекул прекурсора на поверхности и эффективности реакции диссоциации под действием облучения. Новый слой адсорбированных молекул образуется за время между импульсами. В равновесных условиях в камере осаждения, когда температуры всех элементов камеры одинаковы, и скорость откачки камеры насосами мала, максимальная концентрация молекул на поверхности определится изотермой адсорбции молекул на поверхности. В работе [19] показано, что в равновесных условиях толщина слоя может составлять не более двух-трех мономолекулярных слоев, причем число «посадочных мест» молекул на поверхности определяется концентрацией, в случае поверхности стекла, точечных дефектов стеклянной поверхности (щ^ ~ 5 • 1011 см-2 [40]).
Большинство реакций распада металлоорганических соединений носит автокаталитический характер [39], так как выделяющийся металл может сам служить катализатором распада. Так как для некатализируемого элементарного акта распада требуется большая энергия, чем для катализируемого, то, если при облучении диэлектрической подложки образовался в наиболее нагретой точке островок металла, на нем процесс пиролитического роста пленки будет проис-
ходить с увеличившейся скоростью, тогда как рядом с островком на поверхности диэлектрика осаждения металла не должно быть. Явление катализа приводит, подобно нелинейной зависимости скорости химической реакции от температуры, к сужению области осаждения пленки металла в сравнении с облучаемой областью.
Экспериментальные результаты и их обсуждение. В экспериментальном стенде интерференционного ЬСУБ применена классическая схема двухлучевой интерференции с делением фронта интерферирующей световой волны (рис. 1).
Рис. 1. Функциональная схема экспериментального стенда двухлучевого интерференционного получения структур дифракционных решеток:
1 - излучатель лазера; 2 - оптическая скамья; 3 - нейтральный фильтр; 4 - стеклянная пластина; 5 - блок, формирующий два когерентных луча, сходящихся под углом 0, состоящий из четырех прямоугольных призм; 6 - реакционная камера; 7 - форвакуумный насос; 8 - блок питания спирали подогрева корпуса камеры и капсулы; 9 - измеритель тока термопары; 10 - измеритель мощности лазерного излучения
Излучение лазера 1 попадает на катетные грани двух оптических призм, делится по фронту, затем сводится на поверхность подложки. Подложка помещена в реакционную камеру 6 с прозрачными окнами, откачка производится через штуцер форвакуумным насосом 7. В камере находится испаритель с навеской порошка металлоорганического соединения, давление паров карбонила увеличивалось путем нагрева камеры вольфрамовой спиралью, подключенной к блоку питания 8. Температура контролировалась термопарным измерителем 9. В результате пересечения двух когерентных лучей формируется в подложке и после подложки в атмосфере камеры объемная область двухлучевой интерференции. Как следует из механизма формирования двухлучевой интер-
ференционной картины «полос равного наклона», периодичность интерференционной картины внутри прозрачной плоскопараллельной пластины с показателем преломления, большим, чем у окружающей среды, и на поверхности в окружающей среде одинаковы и определяются выражением [6]:
Л = Х/ (2n sin 0), (14)
где Л - период двухлучевой интерференционной картины; X - длина волны излучения в вакууме; n - показатель преломления среды, то есть воздуха; 0 - угол падения излучения на подложку.
При наличии на поверхности плоской прозрачной подложки тонкой полупрозрачной пленки металла, при толщине пленки много меньше толщины скин-слоя в металле, ослабления электрического поля световой волны практически нет [41], поэтому интерференционная картина двухлучевой интерференции существенно не меняется, в том числе, на тыльной, второй по ходу луча, стороне подложки. Однако, при увеличении толщины осадка световая волна не проходит сквозь пленку металла, целиком поглощается, и интерференционное поле остается только внутри прозрачной подложки. Так как реакционно-активная среда граничит с наружной поверхностью металлической пленки, имеет значение ослабление температурного контраста на внешней поверхности пленки вследствие эффектов теплового расплывания.
Исследовалось формирование осадков на тыльной, противоположной облучаемой стороне подложки (рис. 2).
Рис. 2. Оптические микрофотографии периодической структуры металлических полосок, полученных методом двухлучевого интерференционного пиролиза, период полос 700 нм
Примеры полученных данным способом структур приведены на фотографиях. На рис. 2 помещены электронные снимки периодических структур из плёнки металла рения на поверхности стеклянной подложки, изготовленных методом интерференционного ЬСУО процесса, полученные с различным увеличением с одного участка подложки.
Процессы ЬСУО велись на длине волны излучения 0,53 мкм при длительности импульса 6 нс, время облучения порядка 10 с. На снимках периодичность структур составляет 0,7 мкм, ширина полосок металла (светлые полосы) равна примерно 0,4 мкм. Тепловое расплывание нагретой зоны в экспериментах было практически исключено выполнением условия (10) и использованием стеклянной подложки с длиной тепловой волны в ней за время импульса порядка 40 нм.
Предельно достижимые значения разрешающей способности данной технологии можно оценить, считая определяющим фактором нелинейный характер зависимости скорости пиролитической реакции от интенсивности излучения (уравнения (4)-(9)). Используя излучение с длиной волны 265 нм, получим ширину металлической полоски 40 нм, а с учетом каталитических эффектов - еще меньшую ширину.
Заключение. Таким образом, показана возможность существенного улучшения разрешения технологии лазерно-индуцированного парофазного формирования структур на подложках и продемонстрировано увеличение производительности при формировании субмикронных периодических структур за счет одностадийного характера процесса и возможности одномоментного интерференционного экспонирования большой поверхности подложки.
Технология не имеет такого универсального характера, как фотолитографическая, но может конкурировать с ней при создании устройств нанофотони-ки, включая распределенную обратную связь в лазерах и распределенные брег-говские зеркала, получение двух- и трехмерных фотонных кристаллов, метама-териалов, материалов с отрицательным показателем преломления, при создании структур наносенсоров.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Гук А. П., Шляхова М. М.. Некоторые проблемы построения реалистических измерительных 3Б моделей по данным дистанционного зондирования // Вестник СГУГиТ. -2015. - Вып. 4 (32). - С. 51-60.
2. Минин И. В., Минин О. В., Харитошин Н. А. Формирование фотонных тераструй от диэлектрических частиц, не обладающих осевой пространственной симметрией формы // Вестник СГГА. - 2014. - Вып. 4 (28). - С. 102-111.
3. Минин И. В., Минин О. В., Харитошин Н. А. Формирование зеркальных фотонных тераструй // Вестник СГГА. - 2014. - Вып. 4 (28). - С. 87-94.
4. Шевчук С. О., Косарев Н. С. Алгоритм определения пространственных углов аэроразведочной платформы по измерениям трехантенного ГНСС-комплекса // Вестник СГГА. -2013. - Вып. 4 (24). - С. 37-47.
5. Айрапетян В. С., Губин С. Г. Устройства для измерения скорости боеприпасов // Вестник СГГА. - 2013. - Вып. 1 (21). - С. 73-78.
6. Won-TienTsang, ShyhWang. Simultaneous exposure and development technique for making grating on positive photoresist // Applied Physics Letters, Vol. 24, № 4, 1974.
7. Won-Tien Tsang, Shyh Wang. Grating masks suitable for ion-beam machining and chemical etching // Applied Physics Letters, Vol. 25, № 7, 1974.
8. Won-Tien Tsang, Shyh Wang. Microfabrication of two-dimensional periodic arrays by laser beam interferometric technique // Applied Physics Letters, Vol. 27, № 2, 1975.
9. Smith H. I. Low cost nanolithography with nanoaccuracy // Physica E. - 2001. - V. 11. -P.104-109.
10. Brueck S.R.J. Оptical and interferometric lithography - nanotechnology enablers / S.R.J. Brueck // Proceedings of the IEEE. - 2005. - V. 93, No. 10. - p. 1704-1721.
11. Allen S.D., Bass M. Laser chemical vapor deposition of metalsandinsulators // J.Vac.Sci. Tech. - 1979. - Vol. 16, no. 2. - p. 431-432.
12. Wafer-scale laser pantography: Fabrication on n-metal-oxide-semiconductor transistors and small-scale integrated circuits by direct-write laser-induced pyrolytic reactions / B. M. McWilliams, I.P. Herman, F. Mitlitsky et al. // Appl. Phys. Lett. - 1983. - Vol. 43, no. 10. -Pp. 946-948.
13. Чесноков В. В., Земсков С. В., Игуменов И. Г. Лазерно-химическое осаждение пленок металлов // Тез. докл. 5 отрасл. научно-техн. конф. «Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем». - Нальчик, 1983.
14. Чесноков В. В., Земсков С. В., Игуменов И. К. Способ локального нанесения покрытия на подложку // А.с. 1331369 СССР, МКИ H 01 L 21/312, G 03 F 1/00. - № 3936434; Заяв. 6.06.85; опубл. Бюл. № 30 // Открытия. Изобретения. - 1987. - С. 260.
15. Чесноков В. В., Резникова Е. Ф. Прямое рисование на подложках металлических структур с использованием азотного лазера // Тезисы Всесоюзн. конф. ВУФ-91, 28-30 мая 1991 г., Томск. - М., 1991. - С. 137-138.
16. Резникова Е. Ф. Химическое осаждение металлических пленочных микроструктур из паров летучих соединений металлов с помощью мощного высокочастотного наносекунд-ного импульсного УФ лазера : автореф. дис. к.х.н., ИНХ СО РАН. - Новосибирск, 1998.
17. Чесноков Д. В. Разработка и исследование наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук, СГГА. - Новосибирск, 2000.
18. Chesnokov D. V., Chesnokov V. V. Pyrolytic deposition of metal films on substrates in conditions of the open atmosphere initiated by nanosecond laser irradiation // "5th Int. Conf. on Actual Problems of Electron. Instrum. Eng. "APEIE-2000 (Russia, Novosibirsk, 26-29 sept. 2000): Proc., V. 1. - Novosibirsk: NSTU, 2000. - P. 42-46.
19. Чесноков В. В., Резникова Е. Ф., Чесноков Д. В. Лазерные наносекундные микротехнологии ; под общ. ред. Д. В. Чеснокова. - Новосибирск : СГГА, 2003.
20. Chesnokov D. V., Chesnokov V. V., Reznikova E. F. Problems of nanosecond laser technologies of film microstructures deposition // "7th Int. Conf. on Actual Problems of Electron. Instrum. Eng." APEIE-2004 (Russia, Novosibirsk, 20-23 sept. 2004): Proc., V. 1. - Novosibirsk : NSTU, 2004. - P. 216-226.
21. Чесноков Д. В. Лазерное пиролитическое осаждение плёнок металлов на прозрачных подложках // «Прикладная оптика - 2006» Т.2. Оптические материалы и технологии: сб. трудов VII междунар. конф. «Прикладная оптика - 2006», 16-20 октября 2006 г., Санкт-Петербург. - СПб : Оптическое общество им. Д. С. Рождественского, 2006. - С. 125-129.
22. Mikhailova D. S., Chesnokov V. V., Chesnokov D. V. Principle of absorption spectrum measurement of the layers adsorbed on transparent substrates // Key Engineering Materials. -2010. - Vol. 437. - P. 594-597.
23. Чесноков Д. В., Чесноков В. В. Гетерофазный процесс лазерно-пиролитического формирования тонких плШок в условиях адсорбционного ограничения поступления реаген-
тов // ГЕ0-Сибирь-2011. VII Междунар. науч. конгр. : сб. материалов в 6 т. (Новосибирск, 19-29 апреля 2011 г.). - Новосибирск : СГГА, 2011. Т. 5, ч. 2. - С. 3-11.
24. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Шергин С. Л. Исследование процессов формирования моноатомных слоев углерода методом ЬСУБ // Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2012. VIII Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника, нанотехнологии» : сб. материалов в 2 т. (Новосибирск, 10-20 апреля 2012 г.). - Новосибирск : СГГА, 2012. Т. 2. - С. 92-99.
25. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Кочкарев Д. В. Исследование влияния сил поверхностного натяжения на процессы формирования микроструктур методом ЬСУО // Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2012. VIII Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника, нанотехнологии» : сб. материалов в 2 т. (Новосибирск, 10-20 апреля 2012 г.). - Новосибирск : СГГА, 2012. Т. 2. - С. 100-109.
26. Роль нестационарных тепловых процессов при осаждении тонких пл1;нок методом наносекундного ЬСУБ / Д. В. Чесноков, В. В. Чесноков, В. Н. Москвин, Д. С. Михайлова // Доклады АН ВШ РФ. - 2013. - № 1 (20). - С. 119-128.
27. Формирование барьеров Шоттки на кремнии п-типа методом ЬСУБ / В. В. Чесно-ков, Д. В. Чесноков, М. В. Кузнецов, В. А. Райхерт, Д. М. Никулин // Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2014. Х Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Сиб0птика-2014» : сб. материалов в 2 т. (Новосибирск, 8-18 апреля 2014 г.). - Новосибирск : СГГА, 2014. Т. 1. -С. 86-92.
28. Чесноков В. В., Чесноков Д. В. Лазерный интерференционный метод термохимического формирования регулярных наноструктур на подложках. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники «Фотоника-2011» (Россия, Новосибирск, 22-26 августа 2011г.) : тез. докл. - Новосибирск: ИФП С0 РАН, 2011. -С. 80.
29. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Михайлова Д. С. Пат. 2472870 РФ, МПК С23С 16/48. Способ атомнослоевого выращивания тонких пленок химических соединений на подложках / № 2011121208/02 ; заявл. 25.05.2011 ; опубл. 20.01.2013, Бюл. № 2.
30. Кочкарев Д. В., Чесноков Д.В., Чесноков В.В. Тепловая модель повреждения фотоприемников мощным наносекундным облучением // Вестник СГГА. - 2014. - Вып. 3 (23). -С.101-114.
31. Федоров С. Ю., Бояршинов Б. Ф. Аппаратура для измерений в сфокусированных лазерных пучках и ее применение // Вестник СГГА. - 2014. - Вып. 2 (26). - С. 47-60.
32. Айрапетян В. С., Береза П. А. Рассеяние света от поверхности лазерной керамики // Вестник СГГА. - 2014. - Вып. 3 (23). - С. 115-119.
33. Чесноков Д. В., Чесноков В. В., Кузнецов М. В. Разработка принципов формирования топологических микро- и наноструктур наподложках методом интерференционного ЬСУБ // Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Сиб0птика-2015» : сб. материалов в 3 т. (Новосибирск, 13-25 апреля 2015 г.). - Новосибирск : СГУГиТ, 2015. Т. 1. - С. 159-169.
34. Кузнецов М. В. Экспериментальные исследования процессов формирования субмикронных периодических структур методом интерференционного ЛПФХ0 // Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Сиб0птика-2015» : сб. материалов в 3 т. (Новосибирск, 13-25 апреля 2015 г.). - Новосибирск : СГУГиТ, 2015. Т. 1. - С. 154-158.
35. Лазнева Э. Ф. Лазерная десорбция. - Л. : ЛГУ, 1990.
36. Сыркин В. Г. С"УО - метод. Химическая парофазная металлизация. - М. : Наука, 2000. - 496 с.
37. Действие излучения большой мощности на металлы / С. И. Анисимов и др. - М. : Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит.,1970. - 272 с.
38. Уэйн Р. Основы и применения фотохимии. - М. : Мир, 1991. - 304 с.
39. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Михайлова Д. С. Методика и экспериментальное исследование спектров поглощения адсорбированных слоев летучих металлоорганических соединений // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015» : сб. материалов в 3 т. (Новосибирск, 13-25 апреля 2015 г.). - Новосибирск : СГУГиТ, 2015. Т. 1. - С. 148-154.
40. Палатник А. С., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. - М. : Энергия, 1973.
41. Лебедева В. В. Экспериментальная оптика. - М. : Изд-во Моск. ун-та, 1994. - 352 с.
Получено 03.02.3016
© Д. В. Чесноков, В. В. Чесноков, М. В. Кузнецов, 2016
