CC BY
47
УДК 535.217: 535.417: 621.793.164
РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ МИКРО- И НАНОСТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ МЕТОДОМ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО LCVD
Дмитрий Владимирович Чесноков
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, кандидат технических наук, доцент, заведующий кафедрой наносистем и оптотехники, тел. (383)343-29-29, e-mail: phys003@list.ru
Владимир Владимирович Чесноков
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, доктор технических наук, профессор, профессор кафедры физики, тел. (383)361-08-36, e-mail: garlic@ngs.ru
Максим Викторович Кузнецов
Сибирский государственный университет геосистем и технологий, 630108, Россия, г. Новосибирск, ул. Плахотного, 10, инженер кафедры физики, тел. (383)361-08-36, e-mail: say1945@mail.ru
Представлены результаты разработки принципов формирования топологических микро- и наноструктур методом интерференционного LCVD (лазерно-индуцированного паро-фазного химического осаждения (ЛПФХО), в котором на поверхности подложки формируется световая (тепловая) картина в результате двухлучевой интерференции.
Ключевые слова: двухлучевая интерференция, ЛПФХО, микроструктуры, наноструктуры.
THE DEVELOPMENT PRINCIPLES OF FORMATION MICRO- AND NANOSTRUCTURES ON SUBSTRATES BY THE INTERFERENCE LCVD TECHNIQUE
Dmitry V. Chesnokov
Siberian State University of Geosystems and Technologies, 630108, Russia, Novosibirsk, 10 Plakhotnogo St., Candidate of Technical Sciences, Associated Professor, Chair of Nanosystems and Optical Engineering Department, tel. (383)343-29-29, e-mail: phys003@list.ru
Vladimir V. Chesnokov
Siberian State University of Geosystems and Technologies, 630108, Russia, Novosibirsk, 10 Plakhotnogo St., Doctor of Technical Sciences, Professor, Professor of Physics Department, tel. (383)361-08-36, e-mail: garlic@ngs.ru
Maxim V. Kuznetsov
Siberian State University of Geosystems and Technologies, 630108, Russia, Novosibirsk, 10 Plakhotnogo St., engineer of department of physics, tel. (383)361-08-36, e-mail: say1945@mail.ru
The results of development basics of formation of micro- and nanostructures by the method of interference laser-induced chemical vapor deposition (LCVD), in which on a surface of a substrate the light (hot) pattern is formed as result of a two-beam interference.
Key words: two-beam interference, LCVD, microstructures, nanostructures.
Использование двухлучевой интерференционной фотолитографии при создании массивов периодических одно- и двумерных фоторезистивных структур исследуется в работах 1974-75 гг. [1-3], в которых представлены результаты теоретического анализа и экспериментов по получению одно- и двумерных периодических структур типа решеток с периодом до 240 нм. В работах [4,5] представлены результаты разработки интерференционной оптической фотолитографии, позволяющей на поле подложки размером порядка 1 см формировать периодические структуры в виде никелевых конусов с характерным размером элементов 25 нм и шагом структуры до 100 нм. Среди областей применения интерференционной литографии перечисляются наномасштабное выращивание гетероэпитаксиальных структур, создание нанофлюидных структур для биологической сепарации, наномагнитов для структур памяти, нанофотоника, включая распределённую обратную связь в лазерах и распределённые брегговские зеркала, получение двух- и трёхмерных фотонных кристаллов, метаматериалов, материалов с отрицательным показателем преломления.
Вопросы лазерного CVD (Laser-induced chemical vapor deposition - LCVD, в русскоязычной литературе - инициированное лазерным излучением парофаз-ное химическое осаждение - ЛПФХО) обсуждаются в литературе, начиная с работы [6], в [7] приведены данные о разработке лазерной пантографической технологии изготовления интегральных схем с минимальными размерами элементов до 1 мкм на основе лазерно-пиролитических процессов, проводимых в вакуумной установке. В наших работах [8-24], включая обзор зарубежных и отечественных исследований, проведённых к 2003 году [14], в рамках изучения методов прямого лазерного формирования металлических рисунков на подложках с использованием импульсного наносекундного лазерного воздействия в парах летучих металлоорганических соединений, исследовались эффекты, вызванные химическими превращениями во время лазерного импульса на поверхности и в газовой фазе, влияние теплопроводности подложки на разрешение, особенности газодинамических процессов, проходящих при пиролизе в приповерхностном слое реакционной парофазной среды с давлением 105 Па. Показано, что при диссоциации паров МОС во время импульса облучения подложки (длина волны излучения 0,337 мкм, длительность импульса 6 нс, плотность
7 2
мощности в импульсе порядка (1-5)-10 Вт/см , в фокальном пятне могут возникать скачки давления газа величиной более десяти атмосфер, вызванные выделением газообразного продукта реакции; достижимо разрешение порядка одного микрона при формировании рисунков в этих условиях.
В настоящей работе рассматривается одностадийный метод интерференционного LCVD металлических периодических структур типа дифракционных решеток на подложках без использования фоторезистивных слоёв; метод позволяет на порядки увеличить производительность лазерной технологии в связи с одновременным формированием топологического рисунка на большой площади подложки, и улучшить оптическое разрешение при экспонировании в связи с отсутствием объективов [23].
В экспериментальной установке интерференционного ЬСУО применена классическая схема двухлучевой интерференции с делением фронта интерферирующей световой волны (рис. 1, а).
1
Рис. 1. Оптическая схема блока установки, формирующего двухлучевую интерференционную картину на подложке:
а) вариант с реагентами на облучаемой стороне подложки; б) вариант с реагентами на тыльной стороне
Излучение лазера подвергается пространственной фильтрации с помощью телескопа - расширителя, в области общего фокуса линз 1 и 2 расширителя устанавливается диафрагма с отверстием диаметром 50...100 мкм; далее пучок попадает на катетные грани двух оптических призм 3 и 4, делится по фронту, затем сводится на поверхность подложки 5 в общее пятно с помощью зеркал 6 и 7. Угол 0 падения излучения на подложку определяет периодичность А интерференционной картины на подложке:
А = ———, (1)
2«8Ш0
где ^о ~ длина волны излучения в вакууме, п - показатель преломления среды.
Подложка помещена в герметичную камеру с прозрачными окнами 8 и 9, в которой создается контролируемая по составу и давлению атмосфера или вакуум, откачка производится через штуцер 10. В камере находится испаритель 11 с
навеской порошка металлоорганического соединения. В ряде экспериментов исследовалось формирование осадков на тыльной, противоположной облучаемой стороне подложки (рис. 1, б).
Механизм образования плёночного металлического осадка на подложке в процессе LCVD с наносекундной длительностью импульсов включает этапы образования за время между импульсами на поверхности подложки адсорбированного слоя молекул МОС (использовался декакарбонил дирения), нагревание поверхности за длительность импульса и диссоциацию молекул за время импульса с образованием свободных атомов металла и газообразного продукта в соответствии с реакцией:
Яе2 СО =2Яе+ЮСО.
2 10
(2)
При интерференционном формировании световой картины на подложке имеют определяющее значение поляризация падающего излучения и степень его когерентности. Для случая интерференции двух плоских когерентных волн с ТЕ поляризацией, имеющих интенсивности ^ и симметрично падающих на подложку с углами падения ±0, пространственная картина распределения интенсивности даётся формулой (3):
I х,у =2/^1 + 008 2ЬсБт® ] = 41х со82 Ьс8т© ,
(3)
где х,у - координаты поперёк и вдоль интерференционных полос, к = 2%п / Х{) -волновое число.
Для получения аналитического выражения распределения температуры по поверхности подложки, индуцируемой интерференционной картиной, воспользуемся формулой для распределения приращения температуры полубесконечной подложки, поглощающей излучение, для случая импульсного нагревания симметричной по времени формы лазерного импульса и гауссовского распределения интенсивности по сечению лазерного пятна, справедливой при условии [25]:
1-Я Р0т1/2Г| г
Т =
21/4 ктрс
1/2
ехр
Г 2 N
Г
V го у
; г| / = ехр
-0,707
X
\
--0,55
У
(4)
2
где / - время, т - длительность импульса излучения, Я - коэффициент отражения света поверхностью, р - плотность мощности падающего излучения, г0 - радиус светового пятна, г - радиальная компонента точки в пятне, ц ? - функция зависимости температуры от времени в диапазоне значений ? / т < 0,55, кт -
коэффициент теплопроводности, р - плотность, с - удельная теплоёмкость вещества подложки.
Формула получена для случая полного поглощения света поверхностью, без учёта его проникновения в подложку. При t / т = 0,55 температура в пятне максимальна, затем с течением времени уменьшается, что обусловлено колоко-лообразной временной формой импульса.
Оценочное выражение для вычисления температуры подложки при интерференционном формировании световой картины может быть получено из формулы (4) путём замены сомножителя, характеризующего гауссовское распределение в пятне, на сомножитель, характеризующий распределение в интерференционной картине:
4L 1-Я т1/2т) t 2 , .
Т=-^—cos bcsm© . (5)
х 21/4 ктРс 1/2 V 7
Считая, что лазерный импульс во времени имеет колоколообразную симметричную форму, примем, что как и при гауссовом распределении, в момент времени ¿ = 0,55т температура на поверхности в области максимума интерференции максимальна (г| ? = 1), затем с течением времени уменьшается; для
момента времени с максимальной температурой из (5) для малых значений аргумента косинуса можно найти координату точки, в которой увеличение температуры за импульс равно Т:
х^ЕШ, (6)
где Тк - максимальное за импульс увеличение температуры в точке поверхности на расстоянии х от максимума интерференции, где увеличение температуры в этот же момент равно Т0. Отметим, что полученное выражение не содержит явно зависимости от теплофизических параметров подложки.
Используя уравнение Аррениуса для зависимости скорости химической реакции от температуры, можно по аналогии с [14] найти значение соотноше-
Т0-Тх кх ния —-- для точек в пятне, при которых отношение — констант скоростей
т0 К
реакций в точке с координатой х и в центре равно заданному значению:
Т0-Тх _ Я, Т0 + 273
Т0 + 273 Е k0'
где Е - энергия активации пиролиза, Дж/моль. Константа скорости определяется формулой:
h-rS (7)
( Е Л
кс =у ехр —— . (8)
\ К1 )
Скорость химической реакции первого порядка связана с константой скорости уравнением;
- = <*, (9)
(к с
где с - концентрация реагирующего вещества. В нашем случае за импульс излучения диссоциирует часть монослоя молекул карбонила, монослой имеет такую концентрацию молекул, при полном разложении которых образовался бы слой металла толщиной = 0,1 нм [14]. Исходя из этого, представим формулу
скорости роста металлической плёнки в виде:
у = аикс. (Ю)
Формула справедлива при условии, что за импульс разлагается малая доля монослоя молекул карбоннла, то есть приращение толщины осадка за импульс излучения Ай <с1м.
Для обеспечения высокого контраста получаемого металлического рисунка
к V
на подложке примем — = — =0,2. По данным [14] энергия лазерной активации
К Ч)
пиролиза декакарбонила дирения в вакууме равна 25 кДж/моль. В случае приращения температуры в момент импульса на Т0 = 500 К, угле падения интерферирующих лучей © = 50°, можно найти, л* = 0,17/Ч), при этом ширина полоски рения на поверхности подложки равна 2х = 0,34/чь при этом толщина полоски на краю меньше, чем в средней части, в 5 раз.
Результат справедлив при облучении подложки в режиме наносекундных импульсов, не зависит от теплофизических характеристик подложек. Анализ уравнений показывает, что улучшению разрешения способствует использование пиролитических реакций с большим значением энергии активации пиролиза; при данном значении энергии активации - при меньших температурах облучаемой поверхности.
Таким образом, нелинейная зависимость скорости химической реакции от температуры приводит к возможности получать разрешение лазерного пироли-тического процесса лучшее, чем разрешение оптических картин на облучаемой подложке. Разрешение улучшается, если уменьшать индуцируемую лазерным излучением температуру поверхности.
Процессы LCVD происходят с образованием твёрдого осадка и газообразных продуктов реакции, поэтому скорость образования плёнки металла должна зависеть не только от температуры подложки, но и от условий удаления про-
дуктов реакции. В работе [14] показано, что давление CO во время импульса облучения у поверхности не должно превышать 30 кПа при температуре подложки 800 К. Обратная бомбардировка молекулами CO адсорбированного слоя молекул карбонила ограничит степень пиролитического разложения адсорбированного слоя. При проведении процесса в вакууме, как показано в работе [26] на примере процесса лазерного импульсного испарения металлов, 18 % молекул CO возвращаются к поверхности испарения, что создаёт у поверхности атмосферу с некоторым давлением. Массовая скорость потока в вакууме должна быть порядка тепловой скорости молекул СО:
8-8,31-800 _??g м тг-0,028 с'
за время 1.. .2 нс молекулы газа создадут приповерхностный слой атмосферы толщиной d около 1 мкм. Концентрация молекул в этом слое равна:
Щ 0,1-10 24 з
псо = — =-—Го-г = 1,7-10 м\
со s0d 5,85-10 -10
где q - количество групп СО в молекуле декакарбонила, л0 - площадь, занимаемая молекулой на поверхности, а « 0,1 - степень диссоциации мономолекулярного слоя, что создаёт давление рсо газа у поверхности:
рсо = 0,18псокБ ■ Т = 0,18 • 1,7 • 1025 • 1,38 • 10 23 • 800 = 3,4 • 104 Па.
Полученное значение много меньше, чем при проведении процессов при атмосферном давлении [14], это означает, что скорость удаления продуктов диссоциации не ограничивает, в отличие от процессов в условиях атмосферного давления, скорость диссоциации декакарбонила на поверхности. В режимах, когда значение а приближается к единице, скорость образования плёнки металла может быть отграничена давлением CO.
В работе [14] проведена оценка равновесной степени диссоциации в газовой фазе десорбированного во время лазерного импульса с поверхности дека-карбонила дирения, показано, что диссоциация в газовой фазе увеличивается с ростом температуры в газе и на поверхности, и её доля в получении осадка металла в верхнем диапазоне индуцируемых лазером рабочих температур может быть сравнимой с результатами диссоциации на поверхности.
В экспериментах также наблюдаются лазерно-химические превращения адсорбированных молекул и осаждение металлических плёнок на поверхностях прозрачных для изучения подложек, т.е. не нагревающихся излучением. В известной литературе нет однозначного объяснения этому эффекту. Можно предположить, что подложка имеет поверхностные поглощающие свет загрязнения,
или, если при воздействии первого из последовательности лазерных импульсов на поверхности нет поглощающего слоя, он появляется в результате диссоциации молекул химического соединения, имеющихся на поверхности, под действием излучения, и накапливается с каждым следующим импульсом, приводя к резкому росту поглощательной способности поверхности и нагреванию до температур пиролитического процесса; причина первоначальной диссоциации не ясна.
Причиной могут быть не тепловые эффекты резонансного фотовозбуждения адсорбированной молекулы непосредственно фотонами лазерного излучения, или фотовозбуждёнными состояниями электронной системы адсорбента. В работе [25] эти эффекты рассматриваются в связи с анализом процессов лазерной десорбции. В качестве условия фотодесорбции молекул, индуцированной фотовозбуждёнными состояниями электронной системы полупроводникового адсорбента, в этой работе принимается выполнение соотношения:
/?>1013 — «105 Вт/см2, (11)
т
справедливое в видимой области спектра, где Ну - энергия фотона, т - время внутризонной релаксации избыточной энергии в подложке, Р - плотность мощности падающего излучения, величина 1013 характеризует собой количест-
Л
во фотодесорбированных с 1 см поверхности подложки молекул. Приведённая величина плотности мощности излучения совпадает с литературными данными мощности при фотолитическом получении плёночных осадков на подложке, что косвенно подтверждает возможность подобного механизма при лазерном фотолизе.
Скорость роста металлической плёнки на подложке в местах облучения зависит от концентрации молекул прекурсора на поверхности и эффективности реакции диссоциации под действием облучения. За время каждого импульса облучаемая поверхность освобождается от всех летучих при возникающей температуре веществ, в том числе, от молекул прекурсора, которые или диссоциируют, или десорбируются с поверхности излучением, и новый слой молекул должен образовываться за время между импульсами.
Скорость образования поверхностного слоя молекул определяется условиями в герметичной камере. В равновесных условиях, когда температуры всех элементов камеры одинаковы, и скорость откачки камеры насосами мала, максимальная концентрация молекул на поверхности определится изотермой адсорбции молекул на поверхности. Нами ранее показано, что в равновесных условиях толщина слоя может составлять не более двух - трех мономолекулярных слоёв, причём концентрация молекул в слое определяется концентрацией активных адсорбционных центров на поверхности, в случае поверхности стекла - точечных дефектов стеклянной поверхности, поверхностная
плотность которых [27] п5-1011 см"2 (среднее расстояние между точечными дефектами равно 10 нм).
Примеры полученных данным способом структур показаны на фотографиях. На рис. 2 приведены электронные снимки периодических структур из плёнки металла рения на поверхности стеклянной подложки, изготовленных методом интерференционного LCVD процесса, полученные с различным увеличением с одного участка подложки.
Процессы LCVD велись на длине волны излучения 0,53 мкм при длительности импульса 6 нс. На снимках периодичность структур составляет 0,7 мкм, ширина полосок металла (светлые полосы) равна примерно 0,4 мкм. Приведённые результаты получены при облучении поверхности подложки площадью 1-2 мм2 в течение 10 с, подтверждают реализуемость высокопроизводительной одностадийной лазерной технологии получения периодических субмикронных структур на подложках. После доработок ожидаемая разрешающая способность метода (достижимая ширина полосок) не хуже 50 нм.
Рис. 2. РЭМ снимки периодической структуры из полосок плёнки рения, изготовленной методом лазерного интерференционного пиролиза
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Won-Tien Tsang, Shyh Wang. Simultaneous exposure and development technique for making grating on positive photoresist // Applied Physics Letters, Vol.24, №4, 1974.
2. Won-Tien Tsang, Shyh Wang. Grating masks suitable for ion-beam machining and chemical etching // Applied Physics Letters, Vol.25, №7, 1974.
3. Won-Tien Tsang, Shyh Wang. Microfabrication of two-dimensional periodic arrays by laser beam interferometric technique // Applied Physics Letters, Vol.27, №2, 1975.
4. Smith, H.I. Low cost nanolithography with nanoaccuracy // Physica E. - 2001. - V.11. -P.104-109.
5. Brueck, S.R.J. Optical and interferometric lithography - nanotechnology enablers / S.R.J. Brueck // Proceedings of the IEEE. - 2005. - V.93, No.10. - p. 1704-1721.
6. Allen S.D., Bass M. Laser chemical vapor deposition of metals and insulators // J. Vac. Sci. Tech. - 1979. - Vol.16, no. 2. - p.431-432.
7. B. M. McWilliams, I.P. Herman, F. Mitlitsky et al. Wafer-scale laser pantography: Fabrication on n-metal-oxide-semiconductor transistors and small-scale integrated circuits by direct-write laser-induced pyrolytic reactions // Appl. Phys. Lett. - 1983. - Vol. 43, no.10. - Pp. 946 - 948.
8. Чесноков В. В., Земсков С. В., Игуменов И. Г. Лазерно-химическое осаждение пленок металлов // Тез. докл. 5 отрасл. научно-техн. конф. "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем". - Нальчик, 1983.
9. Чесноков В. В., Земсков С. В., Игуменов И. К. Способ локального нанесения покрытия на подложку // А.с. 1331369 СССР, МКИ H 01 L 21/312, G 03 F 1/00. - № 3936434; Заяв. 6.06.85; опубл. Бюл. № 30 // Открытия. Изобретения. - 1987. - С. 260
10. Чесноков В. В., Резникова Е. Ф. Прямое рисование на подложках металлических структур с использованием азотного лазера // Тезисы Всесоюзн. конф. ВУФ-91, 28-30 мая 1991 г., Томск. - М., 1991. - С. 137-138.
11. Резникова Е. Ф. Химическое осаждение металлических плёночных микроструктур из паров летучих соединений металлов с помощью мощного высокочастотного наносекундного импульсного УФ лазера: автореф. дис. к. х. н., ИНХ СО РАН. -Новосибирск, 1998.
12. Чесноков Д. В. Разработка и исследование наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук / СГГА. - Новосибирск, 2000.
13. Chesnokov D. V., Chesnokov V. V. Pyrolytic deposition of metal films on substrates in conditions of the open atmosphere initiated by nanosecond laser irradiation // "5th Int. Conf. on Actual Problems of Electron. Instrum. Eng. "APEIE-2000 (Russia, Novosibirsk, 26-29 sept. 2000): Proc., V.1. - Novosibirsk: NSTU, 2000. - P. 42-46.
14. Чесноков В. В., Резникова Е. Ф., Чесноков Д. В. Лазерные наносекундные микротехнологии; под общ. ред. Д. В. Чеснокова. - Новосибирск: СГГА, 2003.
15. Chesnokov D. V., Chesnokov V. V., Reznikova E. F. Problems of nanosecond laser technologies of film microstructures deposition // "7th Int. Conf. on Actual Problems of Electron. Instrum. Eng." APEIE-2004 (Russia, Novosibirsk, 20-23 sept. 2004): Proc., V.1. - Novosibirsk: NSTU, 2004. - P. 216-226.
16. Чесноков Д. В. Лазерное пиролитическое осаждение плёнок металлов на прозрачных подложках // «Прикладная оптика-2006» Т. 2. Оптические материалы и технологии: сб. трудов VII междунар. конф. «Прикладная оптика - 2006», 16-20 октября 2006 г., Санкт-Петербург. - СПб: Оптическое общество им. Д. С. Рождественского, 2006. -С.125-129.
17. Mikhailova D. S., Chesnokov V. V., Chesnokov D. V. Principle of absorption spectrum measurement of the layers adsorbed on transparent substrates // Key Engineering Materials. -2010. - Vol. 437. - P.594-597.
18. Чесноков Д. В., Чесноков В. В. Гетерофазный процесс лазерно-пиролитического формирования тонких плёнок в условиях адсорбционного ограничения поступления реагентов // ГЕО-Сибирь-2011. VII Междунар. науч. конгр. : сб. материалов в 6 т. (Новосибирск, 19-29 апреля 2011 г.). - Новосибирск: СГГА, 2011. Т. 5, ч. 2. - С. 3-11.
19. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Шергин С. Л. Исследование процессов формирования моноатомных слоев углерода методом LCVD // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2012. VIII Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника, нанотехнологии» сб. материалов в 2 т. (Новосибирск, 10-20 апреля 2012 г.). - Новосибирск: СГТА, 2012. Т. 2. -С. 92-99.
20. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Кочкарев Д. В. Исследование влияния сил поверхностного натяжения на процессы формирования микроструктур методом LCVD //
Интерэкспо ГЕ0-Сибирь-2012. VIII Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Специализированное приборостроение, метрология, теплофизика, микротехника, нанотехнологии» : сб. материалов в 2 т. (Новосибирск, 10-20 апреля 2012 г.). - Новосибирск: СГГА, 2012. Т. 2. - С. 100-109.
21. Роль нестационарных тепловых процессов при осаждении тонких плёнок методом наносекундного LCVD / Д. В. Чесноков, В. В. Чесноков, В. Н. Москвин, Д. С. Михайлова // Доклады АН ВШ РФ. - 2013. - № 1 (20). - С. 119-128.
22. Формирование барьеров Шоттки на кремнии и-типа методом LCVD /
B. В. Чесноков, Д. В. Чесноков, М. В. Кузнецов, В. А. Райхерт, Д. М. Никулин // Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2014. X Междунар. науч. конгр. : Междунар. науч. конф. «Сиб0птика-2014» : сб. материалов в 2 т. (Новосибирск, 8-18 апреля 2014 г.). - Новосибирск: СГТА, 2014. Т. 1. -
C. 86-92.
23. Чесноков В. В., Чесноков Д. В Лазерный интерференционный метод термохимического формирования регулярных наноструктур на подложках // Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники «Фотоника-2011» (Россия, Новосибирск, 22-26 августа 2011 г.): тез. докл. - Новосибирск: ИФП СО РАН, 2011. - С. 80.
24. Чесноков В. В., Чесноков Д. В., Михайлова Д. С. Пат. 2472870 РФ, МПК С23С 16/48. Способ атомнослоевого выращивания тонких пленок химических соединений на подложках. - № 2011121208/02; заявл. 25.05.2011; опубл. 20.01.2013, Бюл. № 2.
25. Лазнева Э. Ф. Лазерная десорбция. - Л.: ЛГУ, 1990.
26. Действие излучения большой мощности на металлы / С. И. Анисимов и др. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1970. - 272 с.
27. Палатник А. С., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. - М.: Энергия, 1973.
© Д. В. Чесноков, В. В. Чесноков, М. В. Кузнецов, 2015
