CC BY
25
Секция приборов СВЧ
I =
Ъепу0и б4б5
54 +12
In
a
+
U2
'54 / E2nß +52) 1 + U' ЕЦЦ +54)
(8)
где и = и и -^4 •
Решая трансцендентное уравнение (8) методом половинного деления, получим ии =ф5 =04 + и •
2
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Т.В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Радио и связь, 1981. 129с.
2. Малышев В.А., Осадчий Е.Н. Алгоритм расчета выходных характеристик полевого транзистора с двумя затворами Шоттки (ДЗПТШ) с учетом нелинейности объема полупроводника // Твердотельная электроника СВЧ: Межведомственный тематический научный сб. Таганрог 1990. Вып.3.
УДК 621.374.5
Ю.В. Вахтин, В.А. Малышев
СПОСОБ КОРРЕКЦИИ АЧХ ВХОДНЫХ МИКРОВОЛНОВЫХ ЧАСТОТНЫХ ИЗБИРАТЕЛЬНЫХ ТРАКТОВ
Обычно частотно-избирательные устройства (полосно-пропускающие фильтры) проектируют и настраивают в расчете на согласованный выход. Согласование в последующих трактах в полосе фильтра в той или иной степени нарушается, что требует такой коррекции результирующей АЧХ системы, методика наиболее простого способа которой рассмотрена ниже и сводится к согласованию линии передачи (фильтра) и этих трактов. Допустим, что рассогласование в полосе ш2 -ш1 фильтра носит плавный характер и что относительная входная проводимость системы, стоящей на выходе фильтра, будет 7и0 (ш) = Ои0 (ш) + ]Вн0 (ш). Согласование строится системой из реактивного элемента jВ с0 (ш) и последующего отрезка линии, вносящего сдвиг фазы т(ш). Для согласования необходимо чтобы проводимости, стоящие на выходе фильтра на частотах ш1 и ш2, определялись соотношениями: ^ = Охо + jВет0 = + ^ = 1 + jВcQ (ш). Из равенства актив-
1 + j(Он0 + jВн0 )' №
ных компонент этого уравнения найдем для частот ш1 и ш2, равенство реактивных компонент даст необходимые значения Вс0 (ш) и Вс0 (ш). Дальнейшая задача состоит в выборе подходящего эквивалента отрезка линии, дающего найденные ^(ш) и ^(ш2), и двухкомпонентного элемента Вс0, позволяющего определить его компоненты по известным Вс0 (ш) и Вс0 (ш). Первую часть этой задачи
Известия ТРТУ_Специальный выпуск
можно решить приближённо, взяв ¥ =--—- и используя Т-образные и
2
П-образные эквиваленты отрезков линии типа ФНЧ и ФВЧ, подробно описанные в [1]. Затем, взяв принятое ¥, нужно найти и реализовать для него Бс0 (ю^ и
Во (ю) с помощью вышеупомянутого двухкомпонентного элемента. Если
Т(ю2) > Т(ю) при ю > Ю, то для цепи, реализующей ¥, надо взять элемент ФНЧ, а если наоборот, то элемент ФВЧ.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Карпов В.М., Малышев В.А., Перевощиков И.В. Широкополосные устройства СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами. М.: Радио и связь, 1984. 106с.
УДК 621.382.2
Г.Е. Ерещенко, В.А. Малышев
АНОМАЛЬНЫЙ МИКРОВОЛНОВЫЙ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ПЕРЕМЕННОЙ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССОЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ПОПЕРЕЧНЫМ ПОСТОЯННЫМ
ПОЛЕМ
Аномальность эффекта состоит в том, что, как теоретически доказано в данной работе, если в образце упомянутого полупроводника (например, ваАБ) по оси «х» приложить постоянное поле Ео, а по оси «у» - постоянное магнитное поле В и переменное поле Е1со^ю(, то по оси «7» кроме постоянной ЭДС Холла Его будет наблюдаться также и переменная ЭДС Холла Ег~, вызванная разогревными эффектами, приводящими к наличию переменного тока по оси «х». Для анализа происходящих процессов использовался метод гармонического баланса в решении известных [1] четырех уравнений - уравнения разогрева носителей заряда и трех уравнений, определяющих проекции квазиимпульса носителей заряда на координатные оси. В результате определения компонент последних (постоянных составляющих рхо, ро и амплитуд косинусных рх1, ру1, р21 и синусных рх2, ру2, р?2 составляющих), а также соответствующих компонент (е0, е1, е2) энергии разогрева были проанализированы зависимости постоянной Холла и параметров магниторези-стивного эффекта по постоянному и переменному токам, а также всех этих компонент от параметров Е0, Е1 и В и характерных констант полупроводника, который полагался изотропным.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Малышев В.А. Метод анализа микроволновых нелинейных процессов в объеме полупроводников с переменной эффективной массой носителей заряда в сверхрешётках и в приборах на их основе // Известия вузов. Электроника. 1999. №4. С.3-10.
