Аномальный микроволновый гальваномагнитный эффект в полупроводниках с переменной эффективной массой носителей заряда и поперечным постоянным полем

Ерещенко Г.Е.; Малышев В.А.

УЦиНа,)

можно решить приближённо, взяв ¥ =--—- и используя Т-образные и

2

П-образные эквиваленты отрезков линии типа ФНЧ и ФВЧ, подробно описанные в [1]. Затем, взяв принятое ¥, нужно найти и реализовать для него Бс0 (ю^ и

Во (ю) с помощью вышеупомянутого двухкомпонентного элемента. Если

Т(ю2) > Т(ю) при ю2 > ю, то для цепи, реализующей ¥, надо взять элемент ФНЧ, а если наоборот, то элемент ФВЧ.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Карпов В.М., Малышев В.А., Перевощиков И.В. Широкополосные устройства СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами. М.: Радио и связь, 1984. 106с.

УДК 621.382.2

Г.Е. Ерещенко, В.А. Малышев

АНОМАЛЬНЫЙ МИКРОВОЛНОВЫЙ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ПЕРЕМЕННОЙ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССОЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ПОПЕРЕЧНЫМ ПОСТОЯННЫМ

ПОЛЕМ

Аномальность эффекта состоит в том, что, как теоретически доказано в данной работе, если в образце упомянутого полупроводника (например, ваАБ) по оси «х» приложить постоянное поле Ео, а по оси «у» - постоянное магнитное поле В и переменное поле Е1со^ю(, то по оси «7» кроме постоянной ЭДС Холла Его будет наблюдаться также и переменная ЭДС Холла Ег~, вызванная разогревными эффектами, приводящими к наличию переменного тока по оси «х». Для анализа происходящих процессов использовался метод гармонического баланса в решении известных [1] четырех уравнений - уравнения разогрева носителей заряда и трех уравнений, определяющих проекции квазиимпульса носителей заряда на координатные оси. В результате определения компонент последних (постоянных составляющих рхо, ро и амплитуд косинусных рх1, ру1, р21 и синусных рх2, ру2, р?2 составляющих), а также соответствующих компонент (е0, е1, е2) энергии разогрева были проанализированы зависимости постоянной Холла и параметров магниторезистивного эффекта по постоянному и переменному токам, а также всех этих компонент от параметров Е0, Е1 и В и характерных констант полупроводника, который полагался изотропным.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Малышев В.А. Метод анализа микроволновых нелинейных процессов в объеме полупроводников с переменной эффективной массой носителей заряда в сверхрешётках и в приборах на их основе // Известия вузов. Электроника. 1999. №4. С.3-10.

Похожие темы научных работ по математике , автор научной работы — Ерещенко Г. Е., Малышев В. А.