Влияние рекомбинационных процессов на микроволновую объемную проводимость диода Ганна Текст научной статьи по специальности «Физика»

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

ва (13), а также из условия (12) реализации требуемого значения волнового сопротивления 20 основного тракта при (О = ХтЮж1, причем (Ож1 - верхняя граничная

частота реализации пропускания сигнала цепочкой ФНЧ и ФВЧ.

При этом последовательность проектирования состоит в следующем.

1) Задаемся полосой частот (Оп1 — Юп2), которая дает значение а и (при х=1).

2) Задаваясь величиной хт, по (11) находится С= 11 /12 .

3) Подставляя С и хт в (10) и задаваясь ^Ът , находится 12/В , а зная С определяется 1Х В.

4) Подставляя в (12) О / Оп1 = хт и зная 20, находится Ьи / Сн , а зная ЬНСН, определяется Ьн и С. Затем из (13) и формулы (10) для а, определяется Св и Ьв.

Если выбранное значение Оп1 — Оп2 оказалось неудачным, выбирается дру, .

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Кар пов В.М., Малышев В А., Перевощиков КВ. Широкополосные устройства СВЧ на элементах с сосредоточенными параметрами. М.: Радио и связь, 1984, 108 с.

УДК 621.382.2.029.64

Е.Ф. Супрунова, Г.Г. Червяков

ВЛИЯНИЕ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ НА МИКРОВОЛНОВУЮ ОБЪЕМНУЮ ПРОВОДИМОСТЬ ДИОДА ГАННА

В работе [1] было в общем виде проанализировано упомянутое влияние. Ниже приводятся результаты более конкретных расчетов изменения активной и реактивной объемных проводимостей ваАБ, полученные по материалам работы [1].

Расчеты проводились для параметров: концентрация носителей П0 = 5 • 1020 м 3;

средняя скорость движения У00 = 6,1 • 105 — в поле Е0 = 4 • 105 — ; при попе-

с м

речном сечении квадратичной рекомбинации

— т —2 о 1 1 г\—17 2

0 = 00 У0 =00 У0 = 8,1 • 10 м ; времена релаксации квазиимпульса и

энергии Т = 3,6 • 10 13 С и Т = 3 • 10 1 2 с ; эффективная масса на дне зоны про-

водимости т 0 = 0,07т 0е = 6,1 • 10 32 кг , ПОДВИЖНОСТЬ при нулевом поле

2

м „ ,

Ц0 = 0,9-----; параметр разогрева обратной то равен рт = 0,1. При этом время

В • с

жизни носителей получилось Т0 = 2 -10 10 с. Получены выражения, определяющие добавку к объемной малосигнальной проводимости на круговой частоте Ю = 2лГ. По этим формулам были построены графики зависимостей

Секция приборов СВЧ

0а0&!О00 = /(/) ; 0г0в/°00 = /(/) , показанные на рисунке 1 из которых следует, что учитываемое влияние становится заметным (до 20 %) при частотах, таких что ЮТ0 < 1.

Ж ^"аод ^ го д

Рис.1

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. . .

объема полупроводника // Известия ТРТУ. Иаганрог, 2000. № 3. С.81-86.

УДК 621.373.52

. . , . .

РАСШИРЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ НА ДИОДЕ ГАННА

Проведение квазилинейного анализа преобразователя частоты на диоде Ганна, вольт-амперная характеристика (ВАХ) которого аппроксимирована полиномом ( 1 ), , зеркальной частоты (2ю? — (Ос), ответственный за величину динамического диапазона, обращается в ноль, когда постоянное напряжение и0 и амплитуда и гетеродина связаны соотношением

и2 = 26,35 и2 - 7,38 И02, (1)

где и - напряжение максимума ВАХ, а ток разностной частоты (^ч) обращается в ноль при

и2 = 9,45 и2 - 3,15 и02 . (2)

Так как ^ч~ и0 и, т0 используя (1) можно получить, что при и0=1,35 и и иг=3,65 и будут иметь наибольшее значение из всех возможных, при которых (1),

частоты на диоде Г анна.