Секция приборов СВЧ
ов/^оо = /(/) ; в/аоо = /(I) , показанные на рисунке 1, из которых следует, что учитываемое влияние становится заметным (до 20 %) при частотах, таких что ЮТ0 < 1.
Ж ^"аод ^ го д
Рис.1
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Супрунова Е.Ф. Влияние параметров внешнего воздействия на электрические свойства объема полупроводника // Известия ТРТУ. Иаганрог, 2000. № 3. С.81-86.
УДК 621.373.52
В.А. Малышев, Н.А. Михайлов
РАСШИРЕНИЕ ДИНАМИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ НА ДИОДЕ ГАННА
Проведение квазилинейного анализа преобразователя частоты на диоде Ганна, вольт-амперная характеристика (ВАХ) которого аппроксимирована полиномом ( 1 ), , зеркальной частоты (2®, —Юс), ответственный за величину динамического диапазона, обращается в ноль, когда постоянное напряжение и0 и амплитуда и гетеродина связаны соотношением
и2 = 26,35 и2 - 7,38 И02, (1)
где и - напряжение максимума ВАХ, а ток разностной частоты (^ч) обращается в ноль при
и2 = 9,45 и2 - 3,15 и02 . (2)
Так как ^ч~ и0 и, т0 используя (1) можно получить, что при и0=1,35 и и иг=3,65 и 1ПЧ будут иметь наибольшее значение из всех возможных, при которых (1),
частоты на диоде Г анна.