Получение многослойных наноструктур Mg/NbO Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

УДК 538.935

ПОЛУЧЕНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОСТРУКТУР Mg/NbO О.В. Стогней, А.В. Ситников, А.Н. Смирнов, К.И. Семененко, В.В. Черниченко

Методом ионно-лучевого распыления оксидной (Nb-O) и металлической (Mg) мишеней и последующим осаждением материала на подложки, вращающиеся вокруг мишеней, получены тонкие пленки магния, оксида ниобия, а также пленки многослойной наноструктуры (Mg/NbO)82, содержащей 82 бислоя (Mg+NbO). На основе результатов, полученных с помощью малоугловой рентгеновской рефлектометрии, а также рентгеновской дифрактометрии показано, что при напылении пленок магния в них формируется слоистая структура, в которой слои магния разделены оксидом магния, формирующимся за то время, когда подложка находится вне потока конденсирующихся атомов. Структура напыленных пленок магния кристаллическая с явно выраженной текстурой, структура пленок оксида ниобия аморфная и гомогенная. С использованием V-образного экрана получены многослойные наноструктуры (Mg/NbO)82 с изменяющейся толщиной прослойки магния. Исследована зависимость сопротивления многослойной структуры от номинальной толщины бислоя, меняющейся в интервале значений 2.2 - 6.2 нм. Предполагается наличие электрического перколяционного перехода в многослойной системе при увеличении толщины бислоя

Ключевые слова: ионно-лучевое напыление, малоугловая рентгеновская рефлектометрия, многослойная наноструктура, механизм электропереноса

Введение

Хранение водорода в виде твердотельных гидридов считается одним из наиболее удобных и безопасных методов хранения, благодаря способности ряда металлов обратимо поглощать значительные количества водорода. Система «металл-водород» обладает уникальным сочетанием свойств, включая возможность достижения высоких объемных плотностей атомов водорода в металле, широкий диапазон рабочих давлений и температур, селективность процессов поглощения/выделения и ряд других особенностей [1]. В последнее время вырос интерес к наноструктурным и нанокомпозитным материалам в качестве сред для хранения водорода поскольку наноразмерность металлической фазы может обеспечить значительное увеличение площади реакционной поверхности, а также значительно повысить химическую активность поверхности, что способствует ускорению процессов адсорбции водорода [2]. В этом контексте перспективной системой считается наноструктурированный материал на основе магния (в качестве гидридообразующего компонента) и оксида ниобия (в качестве каталитического компонента) [3,4]. Однако эту перспективную систему чрезвычайно сложно получить вследствие высокой химической активности магния и более высокой склонности к окислению по сравнению с ниобием. В данной работе рассмотрена возможность получения наноструктурированной системы, содержащей металлический магний в объёме оксида ниобия.

Стогней Олег Владимирович - ВГТУ, д-р физ.-мат. наук,

профессор, e-mail: sto@sci.vrn.ru

Ситников Александр Викторович - ВГТУ,

д-р физ.-мат. наук, профессор, e-mail: sitnikov04@mail.ru

Смирнов Андрей Николаевич - ВГТУ, магистрант,

e-mail: deadpunk@mail.ru

Семененко Константин Иванович - ВГТУ, аспирант, e-mail: konst1990i@yandex.ru

Черниченко Владимир Викторович - ВГТУ, канд. техн. наук, доцент, e-mail: vlad1427@yandex.ru

Образцы и методика эксперимента

Получение многослойных структур металл-диэлектрик осуществлялось методом ионно-плазменного распыления двух мишеней (металлической и диэлектрической) с последующим осаждением материала на подложки, совершающие круговое движение вокруг мишеней со скоростью 0,18 об./мин. Распыление мишеней проводилось в среде аргона с рабочим давлением 7-10-4 Торр. Схема распылительной камеры представлена на рис. 1.

Рис. 1. Схема распылительной камеры (вид сверху).

1 - вращающееся основание держателей подложек; 2 - подложкодержатели; 3 - мишень из №>205; 4 - мишень

из Mg; 5 - ионные источники распыляющие мишени; 6 - ионный источник для очистки подложек; 7 - поток атомов, конденсирующихся на подложку, 8 - V - образный экран

Напыление осуществлялось на подложки трех типов: монокристаллические пластины кремния, покровное стекло и ситалловые полоски. Образцы на кремниевых подложках использовались для рентгеновской рефлектометрии, образцы, нанесенные на стекло, предназначались для стандартной рентгеновской дифракции, образцы на ситалле служили для резистивных исследований. Структурные исследования проводились на рентгеновском дифракто-метре D2 Phazer в геометрии Брегга-Брентано, в

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект 15-02-05920).

излучении с длиной волны Х=1,541 А. Электрическое сопротивление многослойных образцов измерялось потенциометрическим методом по двухзон-довой схеме при протекании тока вдоль сформированных слоев. Электрические контакты создавались на внешней (верхней) поверхности многослойной структуры.

Результаты экспериментов и их обсуждение

Перед напылением многослойной структуры проводились напыления отдельных компонент (то есть чистого оксида ниобия и чистого магния) на подложки, расположенные на вращающемся под-ложкодержателе (поз. 2, рис. 1). Это делалось для определения номинальной толщины слоя каждого материала, формируемого за один оборот подлож-кодержателя. В дальнейшем это позволяет оценивать толщины бислоев при получении многослойной структуры. Осаждение материала на подложки происходило через V-образный экран (поз.8, рис 1), разделяющий мишень и подложкодержатель, что давало возможность в одном процессе напыления формировать пленки различной толщины. Подложки размещались на поверхности вертикального под-ложкодержателя имеющего высоту 280 мм. В зависимости от местоположения подложки на держателе плотность атомного потока (поз.7 на рис. 1), проходящего через V-образный экран, была различной, поэтому толщина напыляемого конденсата была разной. В верхней части подложки толщина пленки была минимальной, в нижней - максимальной. Оценка толщины полученных пленок магния и оксида ниобия проводилась на основе данных по рентгеновской рефлектометрии образцов, нанесенных на подложки из монокристаллического кремния.

На рис. 2 и 3 показаны результаты для пленок оксида ниобия и магния. Очевидно, что в зависимости от положения на подложкодержателе толщина пленки меняется, что находит свое отражение в изменении шага осцилляции и её амплитуды.

1 2 3 4 5 6 2@, град

1 2 3 4 5 6 2@, град

1 2 3 4 5 6 7 20, град

0" 05 04 0" 02 0'

0" 05 04 0" 02 0'

1 2 3 4 5 6 7 20, град

Рис. 2. Рентгеновская малоугловая рефлектометрия образцов тонкой пленки оксида ниобия, нанесенной на вращающиеся подложки через У-образный экран. Приведены рефлектограммы для пленок различной толщины

Численный расчет толщины пленок оксида ниобия осуществлялся на основе выражения (1), описы-

вающего двойное отражение рентгеновских лучей от двух поверхностей (верхней и нижней) тонкой пленки, находящейся на полубесконечной подложке [5]

h = -

I

2(sin02 - sin0j)

(1)

где h - толщина пленки, X - длина волны рентгеновского излучения, 0! и 62 углы, соответствующие максимумам на осциллирующей зависимости. В данном случае рассматриваются два ближайших максимума. Рассчитанные значения толщин пленок в зависимости от положения на подложкодержателе приведены в таблице 1. Таким образом, за 68 оборотов происходит напыление оксидной пленки толщиной от 16 до 66 нм, в зависимости от положения подложки относительно У-образного экрана.

Полученные данные позволяют рассчитать распределение толщины слоев оксида ниобия при напылении многослойной системы на вращающуюся подложку. Разделив полученное значение толщины пленки на число полных оборотов подложко-держателя вокруг мишени, легко получить номинальную толщину слоя, формируемого в течение одного оборота подложкодержателя (то есть толщину одного слоя в многослойной структуре). Следует подчеркнуть, что это номинальная толщина, которая получена исходя из скорости напыления материала и она не означает, что за один оборот формируется сплошной слой материала оксида. Номинальная толщина одного слоя оксида ниобия в зависимости от положения подложки на подлжкодержателе приведена в последнем столбце табл. 1. Аппроксимация полученных значений на всю длину подложкодер-жателя свидетельствует о том, что толщина одного слоя оксида ниобия варьируется в интервале значений 0,24 - 0,97 нм.

Таблица 1

Рассчитанные значения толщины пленок №>-0 в зависимости от положения на подложкодержателе и толщины слоя, наносимого за один оборот подложкодержателя

Расстояние Рассч. Число Толщ.

Образец от края под- толщ. оборо- слоя,

Nb-O ложко- пленки, тов нм

держателя, h, нм

мм

№ 1 35 24 68 0,35

№ 2 100 45 68 0,66

№ 3 150 66 68 0,97

№ 4 223 65 68 0,96

Малоугловая рефлектометрия пленок магния даёт несколько иной результат. На рис. 3 приведены рентгенограммы трех образцов пленок магния, имеющих разную толщину (первый - наиболее тонкий, третий - наиболее толстый). Рефлектограмма от первого образца не обнаруживает максимумов интенсивности или регулярных осцилляций. Это свидетельствует о том, что в данном случае не произошло формирования сплошной пленки магния и образец представляет собой островковое покрытие. Рефлектограммы от образцов № 2 и № 3 подобны зависимостям, наблюдаемым при малоугловой ди-

фракции на многослойной структуре с толщиной бислоёв, не превышающей нескольких нанометров [5, 6]. Считается, что в таких структурах дифракция происходит на межфазных границах, разделяющих соседние слои.

23456789 10 20, град.

1 23456789 10 20, град.

1 23456789 10 20, град.

Рис. 3. Рентгеновская малоугловая рефлектометрия образцов тонкой пленки магния, нанесенной на вращающиеся подложки через У-образный экран. Приведены рефлекто-граммы для пленок различной толщины.

Полученный результат позволяет предположить, что при напылении магния на вращающиеся подложки происходит образование не гомогенного материала (как это происходило в случае с оксидом ниобия), а многослойной структуры. Обусловлено это тем, что при напылении на вращающиеся подложки фактическое осаждение материала происходит не в течение всего времена напыления, а лишь в течение того момента, когда подложки проходят мимо распыляемой мишени. В течение остального цикла вращения подложки, осаждения материала не происходит, поэтому поверхность пленки магния может окисляться кислородом, содержащимся в остаточном газе камеры, а также постоянно поступающим в неё в результате распыления оксидной мишени (№Ь205). В следующий цикл прохождения подложки мимо мишени формируется слой магния, а за период движения подложки вне мишени поверхность напыленной плёнки вновь окисляется.

С учетом сделанного предположения зависимости, полученные для образцов магния №2 и №3 (рис. 3), использовались для оценки толщины полученных слоев. Расчет проводился на основе закона Вульфа-Брэгга

2d sin в = пХ .

(2)

где й - это толщина бислоя (магний + оксид магния), в - угол, соответствующий максимуму на рефлекто-грамме, п - порядок максимума. Следует подчеркнуть, что выражение (2) корректно использовать для анализа многослойных структур в том случае, когда толщина слоев не превышает нескольких нанометров [5,7], в нашем случае это условие выполняется. В табл. 2 приведены рассчитанные толщины бислоя магния (магний + оксид магния).

Учитывая, что напыление магния осуществлялось на вращающиеся подложки, а также то, что число полных оборотов подложкодержателя было равно 85, суммарная толщина образца магния № 2 составила примерно 393 нм, а образца № 3 - 560 нм, что значительно больше, чем толщина пленки оксида ниобия (45 и 66 нм, соответственно). Это вполне объяснимо, поскольку коэффициент распыления магния в несколько раз больше, чем коэффициент распыления оксида ниобия [8,9]. Аппроксимация полученных значений для всей длины подложко-держателя показывает, что толщина слоя магния, формируемого за один проход подложек мимо распыляемой мишени, составляет от 2 до 7 нм в зависимости от положения подложки на подложкодер-жателе.

Таблица 2

Рассчитанные значения толщины пленок Mg в зависимости от положения на подложкодержателе

Расстояние Поря- Рассч.

Образец от края под- док толщ.

ложко- макси бислоя

№ держателя, м си- мума, п й, нм

1 35 - -

2 100 1 4,5

2 100 2 4,3

2 100 3 4,6

2 100 4 4,7

3 150 1 5,0

3 150 2 5,9

3 150 3 6,7

3 150 4 6,6

Для изучения структурных особенностей чистых пленок, наносимых на вращающиеся подложки, проведена обычная рентгеновская дифракция образцов оксида ниобия и магния, напыленных на стеклянные подложки.

Рентгеновская дифракция пленок оксида ниобия показала, что они имеют аморфную структуру как при напылении на вращающуюся подложку, так и при напылении на неподвижную подложку: на дифрактограммах присутствуют только гало от неупорядоченной структуры.

Рентгеновская дифрактограмма, полученная от пленки магния, нанесенной на вращающуюся подложку, значительно отличается от рентгенограммы массивного образца магния с равновесной структурой (в нашем случае это фрагмент мишени, см. рис. 4). Наблюдаются две особенности. Во-первых, на дифрактограмме от пленки присутствует только два интенсивных максимума, в то время как от равновесной структуры получают значительно большее количество пиков. Идентификация имеющихся пиков не однозначна, тем не менее, можно предположить, что они получены в результате отражения от сильно текстурированного магния, поскольку соответствуют дифракции на семействе плоскостей (002) и (004), хотя и смещенных относительно равновесных положений на пол-градуса. Во-вторых, первый

пик характеризуется наличием, так называемых, сателлитов (вставка на рис. 4), обычно связываемых с многослойностью структуры [6,7]. Наличие сателлитов вокруг главного пика согласуется с предположением о том, что пленка магния, напыляемая на вращение, представляет собой слоистую структуру, состоящую из чередующихся слоев магния и оксида магния.

1500 1000

е

0

1

о

Рис. 4. Рентгеновская дифракция от пленки магния, нанесенной на вращающуюся подложку, а также от материала мишени

Наличие прослоек оксида магния подтверждается двумя экспериментами. Во-первых, после отжига пленки при температуре 450 оС в вакууме в присутствии небольшого количества водорода (РН2 и 1/3 атм.) сателлиты вокруг основного пика пропадают (рис. 5, а). Мы полагаем, что это связано с разрушением слоистой структуры в результате термической активации процессов диффузии, а также возможном частичном восстановлении оксида магния. Во-вторых, структура пленки магния, напыленной на неподвижную подложку, совпадает со структурой отожженной пленки, полученной при периодическом осаждении материала на подложку, то есть - на вращающуюся подложку (рис. 5. б), на ней также отсутствуют сателлитные пики. Следует подчеркнуть, что в случае напыления на неподвижную подложку осаждение материала осуществляется в течение всего процесса напыления и оксидных слоев не возникает.

2©, град 2©, град

Рис. 5. Рентгеновская дифракция (основной максимум) пленок магния, напыленных на вращение в исходном состоянии и после отжига (а), а также отожженной пленки магния полученной на вращающейся подложке и пленке магния, напыленной на неподвижную подложку (б)

Многослойная структура (Mg/NbO)82 (индекс 82 означает количество бислоёв) была получена при осаждении магния на подложку через У-образный

экран, в то время как осаждение оксида ниобия осуществлялось без использования экрана. Поэтому полученные многослойные образцы отличались друг от друга толщиной магниевой прослойки. Толщина слоев оксида ниобия во всех случаях составляла примерно 0,96 нм. На рис. 6 показаны результаты малоугловой рентгеновской рефлектомет-рии многослойных пленок (Mg/NbO)82 для различной толщины магниевых слоев. Характер зависимостей отличается от таковых для чистых пленок магния и оксида ниобия - осцилляции интенсивности практически отсутствуют, а вместо них наблюдаются единичные пики, которые в случае малоуглового рассеяния обычно интерпретируются как результат дифракции на периодической структуре, состоящей из последовательно расположенных бислоев [5]. Полученные кривые пересчитывались в соответствии с выражением (2), результаты представлены в табл. 3.

Рис. 6. Рентгеновская малоугловая рефлектометрия образцов многослойных структур (Mg/NbO)82, отличающихся толщиной одного бислоя

Таблица 3

Рассчитанные значения толщины бислоя Mg/NbO в зависимости от положения многослойной пленки (Mg/NbO)82 на подложкодержателе

Расстояние Рассч.

Образец от края под- толщ.

Mg, № ложко- бислоя

держателя, мм d, нм

1 42 2,9

2 93 3,1

3 150 4,5

4 192 5,0

Качественно полученные результаты хорошо согласуются с толщинами, полученными для отдельных слоёв пленок магния и оксида ниобия. Количественное соответствие (сумма толщин слоев магния и оксида ниобия должна быть равна толщине бислоя Mg/Nb-O в многослойной структуре) не абсолютное, погрешность достигает 30 %. Однако этот результат вполне объясним, поскольку точность расчетов рефлектограмм в значительной степени

зависит от структурного совершенства межфазной границы [6].

Увеличение толщины слоя магния в многослойной структуре (Mg/NbO)82 приводит к значительному уменьшению электрического сопротивления пленок. На рис. 7 приведена зависимость электрического сопротивления образцов (Mg/NbO)82 от номинальной толщины одного бислоя (Mg+NbO). Толщина бислоя получена в результате аппроксимации значений, приведенных в табл. 3, на всю длину подложкодержателя. Следует подчеркнуть, что увеличение толщины бислоя происходит за счет увеличения толщины слоя магния, прослойка из оксида ниобия во всех образцах оставалась постоянной (~0,96 нм).

106 105 104 5 103 9 102 & 101 100 10-1 10-2 10-3

2 3 4 5 6 7

Толщина бислоя, нм

Рис. 7. Зависимость электрического сопротивления многослойной структуры (Mg/NbO)82 от номинальной толщины одного бислоя

Зависимость электрического сопротивления многослойной структуры (Mg/NbO)82 имеет нелинейный, характер. Увеличение толщины одного бислоя в два раза (с 2,2 до 4,4 нм) уменьшает сопротивление структуры на шесть порядков. При дальнейшем росте толщины (от 5 нм) сопротивление меняется слабо. Данная зависимость аналогична зависимостям сопротивления композитов №-№0 от концентрации металлической фазы [10,11]. В композитах подобный вид зависимости связывается с изменением механизма электропереноса при переходе концентрации металлической фазы через порог перколяции [11]. Логично предположить, что в случае многослойной структуры Mg/Nb0 происходит нечто аналогичное. Очевидно, что в том случае, когда толщина бислоёв составляет 5 и более нм сопротивление многослойной структуры определяется переносом электронов вдоль слоев магния. Тонкие слои оксида ниобия, полученного напылением, не вносят определяющий вклад в проводимость - слои магния шунтируют их. При толщинах бислоя менее 4 нм (т.е. при номинальных толщинах магния менее 3 нм) слои магния могут быть не сплошными. Это косвенно подтверждается данными малоугловой рефлек-тометрии (см. рис. 3, образец 1). В этом случае формируемая структура оказывается подобна композиту: металлическая фаза представляет собой не сплошные слои, а нанометровые области, расположенные в объеме диэлектрика. Электроперенос такой структуры определяется прыжковой проводимостью, с соответствующими высокими значениями элеткросопротивления [10,11].

Выводы

При напылении пленки магния в режиме, при котором длительность периодических циклов осаждения материала меньше, чем период нахождения полученного слоя в разряженном аргоне (7^10-4 Торр) без конденсации материала, происходит формирование слоистой структуры. Слои магния оказываются разделенными слоями оксида магния, формирующимися за то время, когда подложка находится вне потока конденсирующихся атомов.

Использование V-образного экрана, размещенного между мишенью и подложкой, позволяет формировать на подложке покрытие с градиентом толщины, направленным вдоль поверхности подложки.

При напылении тонкой пленки магния на аморфные или монокристаллические неметаллические подложки происходит формирование тексту-рированного кристаллического покрытия.

Последовательное осаждение магния и оксида ниобия на вращающиеся подложки позволяет получить многослойную наноструктуру с толщинами бислоёв (Mg+NbO) порядка нескольких нанометров.

Зависимость электрического сопротивления многослойной наноструктуры (Mg/NbO)82 от толщины бислоя аналогична концентрационной зависимости сопротивления в композитах Ni-NbO, что позволяет предполагать наличие смены механизма электропереноса и изменение структуры (переход от композитной к многослойной) при увеличении номинальной толщины слоёв магния.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект 15-02-05920).

Литература

1. Тарасов, Б.П. Методы хранения водорода и возможности использования металлогидридов [Текст] / Б.П. Тарасов // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология». - 2005. - №.12. - С. 14-37.

2. Андриевский, Р.А. Водород в наноструктурах [Текст] / Р.А. Андриевский // УФН. - 2007. - Т.177. -№.7.-С. 721-735.

3. Microscopic Study on Hydrogénation Mechanism of MgH2 Catalyzed by Nb2O5 [Текст] / Shigehito I., Umeda A., Wakasugi T., Ma T., Yamagami R. // Materials transactions. - 2014. - V.55. - P. 1175-1178.

4. Barkhordarian, G. Kinetic investigation of the effect of milling time on the hydrogen sorption reaction of magnesium catalyzed with different Nb2O5 contents [Текст] / Barkhordarian G., Klassen T., Bormann R. // Journal of Alloys and Compounds. - 2006. - V. 407. - P. 249-255

5. Als-Nielsen, J., McMorrow D. Elements of Modern X-ray Physics [Текст] // New York: John Wiley & Sons, 2011. - 434 p.

6. Polarized neutron reflectometry: Recent developments and perspectives [Текст] / G. P. Felcher, S. G. E Te Velthuis, A. Rühm, W. Donner // Physica B. - 201. - V.297. -P.87-93.

7. Федосюк, В.М. Многослойные магнитные структуры [Текст] / В.М. Федосюк - Минск: БГУ, 2000. - 197 с.

8. Чичерская, А.Л. Скорость распыления металлов в тлеющем разряде постоянного тока, используемом в атомно-эмиссионной спектрометрии [Текст] / А.Л. Чи-

■ %

ч

• ч

Ч •>

•л

черская, А.А. Пупышев // Аналитика и контроль - 2015. -Т.19. -№. 3. - С.230-241.

9. Берлин, В.Е. Получение тонких пленок реактивным магнетронным распылением [Текст]/ В.Е. Берлин, Л.А. Сейдман - М.: Техносфера. - 2015. - 256 с.

10. Термическая стабильность, структура и фазовый состав композитов Nix(NbO)100-x [Текст] / К.И. Семененко, М.А. Каширин, О.В. Стогней, А. Д. Аль-Малики // По-

Воронежский государственный технический университет

верхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2016. - №.10. - С.98-103.

11. Влияние типа матрицы на магнитотранспортные свойства композитных систем №-ЛЮ и №-№Ю [Текст] / О.В. Стогней, А.Дж. Аль-Малики, А.А. Гребенников, К.И. Семененко, Е.О. Буловацкая // Физика и техника полупроводников. - 2016. - №.6. - С. 724-730.

CREATION OF Mg/NbO MULTILAYERED NANOSTRUCTURES

O.V. Stognei, Doctor of Science, full Professor, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: sto@sci.vrn.ru

A.V. Sitnikov, Doctor of Science, Professor, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation,e-mail:sitnikov04@mail.ru

A.N. Smirnov, student, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: deadpunk@mail.ru

K.I. Semenenko, Postgraduate, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: konst1990i@yandex.ru

V.V. Chernichenko, Candidate of Engineering Sciences, Docent, Voronezh State Technical University, Voronezh, Russian Federation, e-mail: vlad1427@yandex.ru

The magnesium thin films, niobium oxide thin films, and multilayered (Mg/NbO)82 thin films nanostructures containing 82 bilayer (Mg + NbO) have been prepared by ion beam sputtering of oxide (Nb-O) and metal (Mg) targets with subsequent deposition of the material on the substrate rotating around the targets. Based on the results obtained by small-angle X-ray re-flectometry and x- ray diffractometry it has been shown that a layered structure where Mg layers are separated by the magnesium oxide, formed during the time when the substrate is located outside of the condensable atoms flow, presence in the Mg thin films. The structure of the deposited magnesium films is crystalline with a pronounced texture, structure of niobium oxide films is amorphous and homogeneous. Using the V-shaped shield the (Mg/NbO)82 multilayer nanostructures with varying thickness of the magnesium layer have been obtained. The dependence of the resistance of the multilayer structure on the nominal thickness of the bilayer, varying in the range of 2.2 - 6.2 nm has been investigated. It is assumed the presence of electrical percolation transition in the multilayer system with an increase of the bilayer thickness

Key words: ion beam deposition, small-angle X-ray reflectometry, multilayer nanostructure, electrotransport mechanism

References

1. B.P.Tarasov Metody hraneniya vodoroda i vozmozhnosti ispol'zovaniya metallogidridov [Method of hydrogen storage] // Mezhdunarodnyj nauchnyj zhurnal «Al'ternativnaya ehnergetika i ehkologiya» - 2005. - №.12. - C.14-37.

2. R.A.Andrievskij Vodorod v nanostrukturah [Hydrogen in nanostructures]// UFN. - 2007. - T. 177. -№.7.- C. 721-735.

3. Shigehito I. Microscopic Study on Hydrogenation Mechanism of MgH2 Catalyzed by Nb2O5 / Shigehito I., Umeda A., Wakasugi T., Ma T., Yamagami R. // Materials transactions. - 2014. - V.55. - p. 1175-1178.

4. Barkhordarian G. Kinetic investigation of the effect of milling time on the hydrogen sorption reaction of magnesium catalyzed with different Nb2O5 contents // Barkhordarian G., Klassen T., Bormann R. // Journal of Alloys and Compounds. - 2006. - V. 407. - p. 249-255

5. Als-Nielsen J., McMorrow D. Elements of Modern X-ray Physics // New York: John Wiley & Sons, 2011. - 434 p.

6. Felcher G. P. Polarized neutron reflectometry: Recent developments and perspectives / Felcher G. P., Te Velthuis S. G. E, Rühm A., Donner W. // Physica B. - 201. - V.297. - P.87-93.

7. Fedosyuk V.M. Mnogoslojnye magnitnye struktury [Multilayered magnetic structures]- Minsk: BGU. - 2000. - 197 s.

8. Chicherskaya A.L. Skorost' raspyleniya metallov v tleyushchem razryade postoyannogo toka, ispol'zuemom v atomno-ehmissionnoj spektrometrii [Metal spraying rate in the glow discharge of direct current, used in atomic emission spectrometry] /CHicherskaya A.L., Pupyshev A.A. // Analitika i kontrol' - 2015. - T.19. -№. 3. - S.230-241.

9. Berlin V.E., Sejdman L.A. Poluchenie tonkih plenok reaktivnym magnetronnym raspyleniem [Obtaining thin films by reactive magnetron sputtering ] - M.: Tekhnosfera. - 2015. - 256 s.

10. Semenenko K.I. Termicheskaya stabil'nost', struktura i fazovyj sostav kompozitov Nix(NbO)100-x [Thermal stability, structure and phase composition of composites Nix(NbO)100-x]/ Semenenko K.I., Kashirin M.A., Stognei O.V., Al'-Maliki A. D. // Pover-hnost'. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniya. - 2016. - №.10. - S.98-103.

11. Stognei O.V. Vliyanie tipa matricy na magnitotransportnye svojstva kompozitnyh sistem Ni-AlO i Ni-NbO [Effect of matrix type Magnetotransport properties of composite systems Ni-AlO and Ni-NbO ] / Stognei O.V., Al'-Maliki A.Dzh., Grebennikov A.A., Semenenko K.I., Bulovackaya E.O. // Fizika i tekhnika poluprovodnikov. - 2016. - №.6. - s.724-730.