CC BY
1
ЕЛЕКТРОШКА
УДК 539.51;
53.088.22:539.1.074.6:006.915+621.397.46 ОСОБЛИВОСТ1 РЕеСТРАЦП ГАММА-ВИПРОМ1НЮВАННЯ КОМБ1НОВАНИМИ СЦИНТИЛЯЦ1ЙНИМИ ДЕТЕКТОРАМИ
НЕПОКУПНА Т.А., КОЛЕСН1КОВ О.В., БОЯРИНЦЕВА.Ю., ТАРАСОВВ.О.,
ТАВРОВСЬКИЙ 1.1._
Розробляються ефективш комбшоваш детектори raмма-випромiнювання, що працюють в лiчильному та спектрометричному режимах реестраци.
Пропонуеться новий метод роздiлення сцинтиляцiйного сигналу за формою iмпульсу. Ключовi слова: комбшований детектор, сцинтилятор, гамма-випромiнювання, роздшення за формою iмпульсу, спектрометрiя.
Key words: combined detector, scintillator, gamma-radiation, pulse shape discrimination, spectrometry. 1. Вступ
Радiацiйний контроль об'екпв, що пе-ремiщуються, здiйснюeться за допомогою радiацiйних портальних монiторiв (РПМ), як доз-воляють дистанцiйно виявляти pi3Hi радiонуклiди [1]. Основною характеристикою РПМ е чут-ливiсть реестраци, яка показуе !хню можливiсть швидко та надiйно виявляти джерела радiацiйного забруднення. Математично чут-ливiсть обчислюеться як вiдношення кiлькостi iM-пульав, що були зареестрованi приладом, до ак-тивностi джерела та мае розмiрнiсть iмп/с•кБк. В РПМ найчастше використовують сцинтиляцiйнi детектори на основi сцинтиляцiйного полiстиролу (ПС) або йодиду натрiю, активованого талiем (NaI:Tl) [2, 3]. Вимоги до детекторiв - це висока ефективнють реестраци та чутливють, велика пло-щина активно! поверхш та економiчна ефективнють. Перевагою детекторiв на основi ПС е висока чутливють реестраци фотошв гамма-квантiв, що обумовлено площиною сцинтилятора. Але суттевим недолiком таких детекторiв е вщ-сутнiсть в ампл^удному спектрi пiку повного по-глинання. Детектори на основi NaI:Tl мають хорошi спектрометричнi характеристики, але тех-нологiчнi обмеження росту кристашв не дозволя-ють виробляти детектори велико! площь Тому зараз е актуальним розробка технологi! вироб-ництва комбiнованих детекторiв на основi ор-ганiчних та неорганiчних сцинтиляторiв (напри-клад NaI:Tl або CsI:Tl), що об'еднуе в одному приладi переваги рiзних детекторiв. Залежно вщ типу матерiалу неорганiчного сцинтилятора
(монокристалiчнi пластини або кристалiчнi гра-нули) комбшоваш детектори рееструють фотони гамма-кванпв як в лiчильному, так i спектромет-ричному режимах.
При розробцi комбiнованих детекторiв також необхiдний метод роздiлення iмпульсiв вiд неор-ганiчного сцинтилятора, для якого характерна спектрометрiя, та оргашчного сцинтилятора, що працюе в лiчильному режимi реестрацiй. Викори-стання методу роздшення сцинтиляцшного сигналу за формою iмпульсу пiдвищить ефективнють реестрацi! комбiнованих детекторiв та дозволить визначати радюнуклщи за !х енерпею. 2. Метод роздiлення сцинтиляцiйного сигналу за формою iмпульсу
Метод роздшення сцинтиляцшного сигналу вщ детектора складаеться з системи збору даних, алгоритму вщновлення базово! лiнi! та алгоритму роздшення сигналiв за формою iмпульсу.
1) Система збору даних.
Включае таю функцюнальш блоки та модуле ви-соковольтний перетворювач, дiльник напруги, аналого-цифровий перетворювач (АЦП) та про-грамовану лопчну iнтегральну схему (ПЛ1С). Схема живлення фотоелектронного помножувача (ФЕП) складаеться з високовольтного перетво-рювача та дшьника напруги. Високовольтний пе-ретворювач являе собою регульований двохтакт-ний нашвмостовий DC-DC перетворювач з галь-ванiчною розв'язкою. Дiапазон вихщних напруг складае 0,2-2,0 кВ. Рекомендований в технiчнiй документацi! розподiл потенцiалiв на динодах ФЕП створюеться резистивним дшьником напруги. Тип ФЕП, що був використаний -Hamamatsu R1306 [4].
Для обробки сигналу використана плата ADC-SoC виробництва Terasic [5]. Сигнал з аноду ФЕП через симетричний трансформатор подаеться на вхщ АЦП AD9254. Параметри оцифрування: частота дискретизаци 100 МГц, розряднють 14 бiт. Управлiння АЦП та попередня обробка даних проводиться в ПЛ1С Cyclone V SE5CSEMA4U23C6N (Altera). Особливютю Cyclone V е наявнють на кристалi фiзичного про-цесора Hard Processor System (HPS) в складi двох ядер ARM Cortex-A9, що працюють на частой 925 МГц. Зв'язок з персональним комп'ютером здiйснюеться по iнтерфейсу 1 Gigabit Ethernet за допомогою протоколу UDP.
2) Алгоритм вщновлення базово! лши. Вiдновлення базово! лши е одним з найваж-ливших етапiв обробки сигналу сцинтиляцшних
детекторiв. Вщ точностi, що досягаеться на цьому еташ, залежить точнiсть щентифшаци iзотопiв. Саме точнiсть визначення базово! лши головним чином визначае точшсть вимiрювання амплiтуди та енерги iмпульсу. Серед дослiджених варiантiв найкращий результат показав алгоритм, який е комбшащею медiанного фiльтру та фiльтру се-реднього арифметичного. На першому еташ фшь-траци провидиться сортування перших 45 вщлшв (450 нс), тсля чого вiдкидаеться 15 мiнiмальних та 15 максимальних значень. Залишеш 15 значень усереднюють. Результат усереднення прий-маеться за значення базово! лши. 3. Алгоритм роздiлення сигналiв за формою iм-пульсу
Згiдно з фiзикою процесу реестраци фотонiв гамма-кванпв комбiнованим детектором, ми очiкуемо появлення на виходi детектору iмпуль-ив трьох рiзних типiв.
1мпульси першого типу (1уре1) виникають вна-слщок взаемоди гамма-квантiв тiльки з ма-терiалом ПС, при цьому взаемоди гамма-квантiв з NaI:Tl не вщбуваегься. Такi iмпульси мають ха-рактерний час наростання 10 нс та час загасання близько 30 нс (рис. 1).
1200
1000 800
« 600 -§ ■
и
§ 400 -&
о Я
200 0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Час, нс
Рис. 1. Форма сцинтиляцшного ÍMnynbcy ввд ПС
1мпульси другого типу (type2) виникають вна-слщок взаемоди гамма-кваипв тшьки з ма-терiалом NaI:Tl, при цьому взаемоди гамма-квантiв з ПС не вiдбуваеться. Таю iмпульси мають характерний час загасання близько 250 нс (рис. 2).
1200
1000
5 800
>| 600 и
5 400
6
о
te
200
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Час, нс
Рис. 2. Форма сцинтиляцшного iмпyльсy вщ NaI:Tl
1мпульси третього типу (type3) виникають тод^ коли один гамма-квант взаемодiе i з NaI:Tl, i з ПС. Такi iмпульси е суперпозицiею вщгуку ПС та NaI:Tl (рис. 3, 4). Залежно вiд спiввiдношення вкладiв ПС та NaI:Tl в сумарний сигнал iмпульси третього типу роздшяються на п'ять пiдтипiв (type31 - type35).
1200 1000
о м
§ 800 к
и К
« 600 к к м
Ü 400 &
о
К
200
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Час, нс
Рис. 3. Форма сцинтиляцшного iмпyльсy вщ ПС та NaI:Tl одночасно, з переважним вкладом ввд ПС
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Час, нс
Рис. 4. Форма сцинтиляцшного iмпyльсy ввд ПС та NaI:Tl одночасно, з переважним вкладом вщ NaI:Tl
0
0
Як бачимо з рис. 1-4, iмпульси першого типу сут-тево вiдрiзняються за формою вiд iмпульсiв другого типу. 1х роздiлення не е занадто складним. 1нша ситуащя виникае при дискримшаци iмпуль-шв другого та третього типiв. Рiзниця мiж даними iмпульсами менш помина, але вона спо-стерiгаегься як на фронт iмпульсу (швидкiсть наростання ближча до iмпульсiв першого типу), так i на його спадi (час загасання ближче до iм-пульсiв другого типу). Зазначимо, що викори-стання подiбних часових характеристик не дозволило з достатньою надшнютю розрiзняти iм-пульси рiзних типiв.
Для дискримшаци iмпульсiв за формою був вико-ристаний на!вний баесiв класифiкатор:
с(Црв]) = а^тахсеС Р(с | ах,а2...ап) =
" N
1п(р(с )) + X 1п(Р(а(|с ))
= arg тахс
(1)
де Р(с\а1,а2,...ац) - ймовiрнiсть того, що пред'яв-лений класифiкатору iмпульс а(0 належить класу с; С - множина типiв iмпульсiв С=(1уре1, 1уре2, type31-type35}; Р(с) - апрюрна вiрогiднiсть появ-лення iмпульсу класу с; Р(а\с) - розподш вiрогiдностi того, що вщлш сигналу в момент часу t приймае значення а для класу с. На етат навчання класифiкатора було вiдiбрано по 500 iмпульсiв кожного типу. За цими навчаль-ними вибiрками були отримаш розподiли Р(а\с). Для усунення впливу ампл^уди iмпульсу на розподiл Р(а\с) вс iмпульси були нормованi за амплпудою. Було також застосовано адитивне згладжування для усунення нульових частот зустрiчальностi вiдлiкiв.
at = (а, + а)/(Н + а) , (2)
де а - згладжена оцшка частоти зустрiчальностi вiдлiку а в момент часу ^ а - „псевдовщлш" а = 1; N - кшьюсть iмпульсiв у виборщ. 3. Розроблення технологiчного процесу вироб-ництва комбiнованих гама-детекторiв Технолопчний процес виробництва комбшова-них детекторiв гама-випромiнювання, що скла-даеться з ПС марки UPS-923A та кристалiчних пластин NaI:Tl, включае такi етапи:
1. Виготовлення заготовки ПС з розмiрами 50х100х1000 мм на с^чкопильному верстатi.
2. Фiнiшна обробка поверхш ПС на фрезерному верстатi шляхом одночасного використання твердосплавного та алмазного рiзцiв.
3. Мехашчне полiрування усiх поверхонь заготовки ПС за допомогою дрiбнодисперсних абра-зивiв на основi оксиду алюмiнiю. Заготовка мала фшальш розмiри 50х100х1000 мм.
4. Виготовлення заготовок №1:Т1 товщиною 10 мм на нитянiй пиль
5. Шлiфовка усiх поверхонь заготовок №1:Т1 на пласкошлiфувальному верстатi з використанням водного розчинника.
6. Хiмiчне полiрування усiх поверхонь заготовок №1:Т1 за допомогою сумiшей на основi одноатом-них алiфатичних спиртiв.
7. Оптичне склеювання заготовок ПС та №1:Т1.
8. Формування шару дифузного вщбивача свiтла на усiх поверхнях комбiнованого сцинтилятора ПС-NaI:T1, окрiм дшянок на двох сторонах ПС з розмiрами 50х100 мм, на яю будуть монтованi два фотоприймача.
9. Упаковка комбшованого сцинтилятора ПС-№1:Т1 з вiдбивачем в свiло- та вологозахисний корпус.
10. Монтаж двох фотоприймачiв R1306 Hamamatsu у св^лозахисному корпусi на вiдкритi дiлянки ПС з розмiрами 50х100 мм.
11. Вимiрювання сцинтиляцiйних характеристик комбiнованого детектора.
Технолопчний процес виробництва комбшова-них детекторiв гама-випромiнювання, що скла-даеться з ПС марки UPS-923A та композицшного сцинтилятора йодистого цезiю, активованого талiем (СsI:T1), включае такi етапи:
1. Виготовлення та обробка поверхонь заготовки ПС за технолопею, що описана у пунктах 1-3 для комбшованих детекторiв гама-випромiнювання на основi сцинтиляцшного ПС та кристалiчних пластин №1:Т1. Заготовка ПС мала розмiри 50х500х1000 мм.
2. Отримання та роздiлення кристалiчних гранул CsI:T1 з розмiром 100-500 мiкрон, необхiдних для виготовлення композицшного сцинтилятора Cs:T1 за методикою, описаною в робот [6].
3. Двохразове промивання гранул CsI:T1 з роз-мiром 100-500 мiкрон в двохатомному алiфатич-ному спиртi та висушування гранул при темпера-турi +600С i вiдноснiй вологостi пов^ря 0-3% на протязi 6 годин.
4. Вщдшення кристалiчних гранул CsI:T1 з роз-мiром 63-300 мшрон.
5. Виготовлення заготовок композицiйного сцинтилятора CsI:T1 товщиною 0,5 мм за методикою, описаною в роботах [6, 7].
6. Оптичне склеювання заготовки ПС та компо-зицiйних сцинтиляторiв CsI:Tl, формування шару з дифузного вiдбивача св™а та упаковка комбiнованого сцинтилятора ПС-NaLTl з вщбива-чем в свшо- та вологозахисний корпус за техно-логieю, що описана у пунктах 7-9 для комбшова-них детекторiв гамма-випромiнювання на основi сцинтиляцiйного ПС та кристатчних пластин NaI:Tl.
7. Монтаж двох фотоприймачiв R1306 Hamamatsu у свiтлозахисному корпусi на вщкрит дiлянки ПС з розмiрами 50х500 мм.
8. Вимiрювання сцинтиляцiйних характеристик комбшованого детектора.
4. Сцинтиляцiйнi характеристики комбшова-них гамма-детекторiв
Для дослщження сцинтиляцiйних характеристик комбiнованих сцинтиляторiв були використаш такi еталоннi детектори: на основi сцинти-ляцiйного ПС з розмiрами 50х100х1000 мм, 50х500х1000 мм та на основi кристалiчного сцинтилятора NaI:Tl з розмiрами 50х100х400. Швидкiсть лiчення комбiнованих та еталонних детекторiв вимiрювали на аналiзаторi iмпульсiв CANBERA з використанням суматора iмпульсiв вiд двох ФЕП. Джерела випромшювання: 241 Am (активнiсть 4600 кБк), 137Cs (активнiсть 140 кБк) та 232Th (активнiсть 2800 кБк) були розташоваш в центрi сцинтилятора NaI:Tl або СsI:Tl на вiдстанi 100 см вщ детектора. Порiг реeстрацiï складав 20 кеВ для детектора ПС-СsI:Tl та 0,5 кеВ для детек-торiв ПС-NaI:Tl i NaI:Tl.
Чутливють детекторiв п визначалася за формулою:
1,2E+04
h =
Net - Nfon
(3)
N
e = -
N
(4)
ПС (50х500х1000 мм) ■ ПС з композитом CsI:Tl (50,5х500х1000 мм)
0 100 200 300 400 500 600 700 Номер каналу
Рис. 5. Амплиудш спектри детекторiв на ochobî ПС та nC-CsI:Tl при опромшенш джерелом 137 Cs
ПС (50x500x1000 мм)
ПС з композитом CsI:Tl (50,5х500х1000 мм)
0 50 100 150 200
Номер каналу
Рис. 6. Амплиудш спектри детекторiв на ochobî ПС та nC-CsI:Tl при опромшенш джерелом 241 Am
Таблиця 1
Чутливють детекторiв на ochobî ПС та ПС-CsLTl
Тип детектору Чутливють, iмп/с•кБк
137 Cs 241 Am
ПС (50x500x1000 мм) 28,59 7,64
ПС з композитом CsI:Tl (50,5x100x1000 мм) 35,03 13,65
де Ndet - швидкють лiчення детектора, Nfon -фонова швидкiсть лiчення, А - активнють дже-рела.
Вiдносна ефективнiсть реестраци s визначалась за рiвнянням:
Тут Net - швидкють лiчення комбшованого детектора, Net - швидкють лiчення еталонного детектора.
Амплiтуднi спектри комбшованого детектора ПС-СsI:Tl в порiвняннi з детектором на основi ПС представлеш на рис. 5 та 6. Розраховаш значення чутливостi представлеш в табл. 1.
Форма ампл^удних спекав комбiнованих детек-торiв ПС-CsLTl свiдчить про те, що детектори да-ного типу можуть рееструвати фотони гамма-кваштв виключно в лiчильному режимi. При
232
опромiненнi джерелом In рiзниця в швидкостi лiчення детекторiв на основi ПС та комбшованого детектора ПС-CsLTl склала не бшьше 2% через те, що товщина композицiйного шару була зама-лою для реестрацiï частинок з великою енерпею. Як свщчать данi табл. 1, чутливють комбшованого детектора ПС^1:1! на 22% вища при опромшенш джерелом 137Cs та на 78% вища при опромшенш джерелом 241Am, якщо порiвняти з вщповщними значенням для детектора на основi
ПС. Дaнi резyльтaти e крaщими, шж тi, що отри-мaнi в попереднix дослiдженняx [7]. Амплiтyднi спектри комбiновaного детекторa ПС-NaI:Tl тa етaлонниx детекторiв ПС i NaI:Tl, отримaнi з використaнням методy роздiлення ^ингаляц^н^ iмпyльсiв зa формою, представлен нa рис. 7-9. Розрaxовaнi зтачення чутливо-стей покaзaнi в тaбл. 2.
Як можнa побaчити з рисунюв 7-9, нaявнiсть кри-стaлiчного шaрy NaI:Tl в комбiновaномy детек-торi приводить до появи в aмплiтyдниx спектрax пiкiв повного поглитання.
2,0E+03 1,8E+03 -Ï 1,6E+03
G
■ 3 1,4E+03
4
œ 1,2E+03
и
■ Ei 1,0E+03
■3 8,0E+02 и
! 6,0E+02
5 4,0E+02 2,0E+02 0,0E+00
- Пол1стирол (50х100х1000 мм)
- Полютирол з NaI:Tl (60х100х1000 мм) ■ 'NaITl (50х100х400 мм)
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Номер каналу
Рис. 7. Амплггудш спектри детекторiв на основi ПС, ПС-NaI:Tl та NaI:Tl при опромiненнi джерелом 137Cs
4,0E+04 3,5E+04
О
1 3,0E+04
§ 2,5E+04
к '
ю
■ в 2,0E+04
л
| 1,5E+04 g 1,0E+04 5,0E+03 0,0E+00
-Полютирол (50к100к1000 мм)
-Полютирол з NaI:Tl (60х100х1000 мм)
----NaITl (50х100х400 мм)
0 50 100 150 200
Номер каналу
Рис. 8. Амплггудш спектри детекторiв на основi ПС, ПС-NaLTl та NaI:Tl при опромшенш джерелом 241 Am
-Полiстирол (50x100x1000 мм)
-Полютирол з NaI:Tl (60x100x1000 мм)
----NaI:Tl (50x100x400 мм)
''kl ■
—..........
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 Номер каналу
Рис. 9. Амплггудш спектри детекторiв на основi ПС, ПС-NaLTl та NaI:Tl при опромiненнi джерелом 232Th
Таблиця 2
Чутливкть детекторiв на основi ПС, ПС-NaLTl та
NaI:Tl
Тип детектору Чyтливiсть, iмп/с•кБк
137 Cs 241 Am 232Th
ПС (50x100x1000 мм) 2,50 0,15 0,12
ПС з NaI:Tl (60x100x1000 мм) 4,22 0,90 0,21
NaI:Tl (50x100x400 мм) 3,23 0,54 0,14
Згiдно з дaними тaбл. 2, нaйкрaщy чyтливiсть мae комбiновaний детектор ПС-NaI:Tl: нa 68% вищу порiвняно з ПС тa нa 30% вищу порiвняно з NaI:Tl при опромiненнi джерелом 137Cs; y 6 рaзiв вищу порiвняно з ПС тa нa 67% вищу порiвняно з NaI:Tl при опромшенш джерелом 241 Am; та 75% вищу порiвняно з ПС тa нa 50% вищу порiвняно з NaI:Tl при опромiненнi джерелом 232Th. Розрaxовaнi знaчення вiдносноï ефективностi реeстрaцiï детекторiв покaзaнi в тaбл. 3. Як 6a-чимо, комбiновaний детектор ПС-NaLTl мae ефективнiсть реeстрaцiï вищу, шж y NaI:Tl aбо ПС.
Таблиця 3
Вщносна ефективнiсть реeстрацiï детекторiв на основi
ПС, ПС-NaI:Tl та NaI:Tl
Тип детектору 137 Cs 241 Am 232Th
ПС (50x100x1000 мм) 1,0 1,0 1,0
ПС з NaI:Tl (60x100x1000 мм) 2,2 10,2 2,3
NaI:Tl (50x100x400 мм) 1,3 5,8 1,1
Розрaxовaне тaкож енергетичне роздiлення комбiновaного детекторa ПС-NaI:Tl, яке склaло 12% для енерги 662 кеВ вщ джерелa 137Cs, що e xорошим резyльтaтом для детекторa з площиною 1000 см3. 4. Висновки
Розглянуто теxнологiю виробнищга великогaбa-ритниx комбiновaниx детекторiв гaммa-ви-промiнювaння нa основi з'eднaниx шaрiв з сцин-тиляцiйного полiстиролy тa кристaлiчного сцин-тиляторa NaI:Tl, aктивовaного тaлieм, aбо компо-зицiйного сцинтиляторa CsI:Tl. Зaпропоновaно новий метод роздшення сцинти-ляцiйного сигнaлy вiд комбiновaниx детекторiв зa формою iмпyльсy, що дозволяe спектрометрично iдентифiкyвaти рaдiонyклiди. Встановлено, що нaявнiсть шaрy неоргaнiчного сцинтиляторa нa поверxнi шaрy ПС пiдвищye ефективнiсть тa чyтливiсть реeстрaцiï фотошв гaммa-квaнтiв порiвняно з детекторaми та основi ПС aбо кристaлiчного NaI:Tl.
Комбшований детектор ПС-NaLTl роздiляe радiонуклiди за енерпею: енергетичне роздiлення детектора складае 12% для енерги 662 кеВ вщ джерела 137Cs.
Лiтература: 1. Дубта В.Н., Ковтун В.Е. Концепция радиационного портального монитора нового поколения // Вюник Харшвського ушверситету. 2009. №.845. С.108-121. 2. Гринев Б.В., Гурджян Н.Р., Зеленская
0.В., Любинский В.Р., Мицай Л.И., Молчанова Н.И., Тарасов В.А. Дететоры на основе пластмассовых сцин-тилляторов для портальных мониторов - оценивание неопределенности чувствительности // Ukranian Metrological journal. 2018. № 2. P.46-54. 3. Deyglun C. Testing and performances of Spectroscopic Radiation Portal Monitor for homeland security // EPJ Web of Conferences ANIMMA 2019. 2020. Vol. 225, DOI: 10.1051/epiconf/202022507008.4.https://www.hama matsu.com/resources/pdf/etd/PMT TPMZ0002E.pdf 5. https://www.terasic.com.tw/ 6. Бояринцев А.Ю., Непоку-пна Т.А., Онуфрieв Ю.Д., абшева Т.Г. Комбшований детектор гамма-випромшення // Патент на корисну модель. 2018. № 126169. 7. Nepokupnaya T.A., Ananenko A.A., Boyarintsev A.Yu., Bobovnikov A.A., Gektin A.V., Ko-valcukS.N., Onufriyev Yu.D., Pedash V.Yu. Large area detector of low-energy gamma radiation // Functional materials. 2017. Vol. 24, №.4. P. 678-681. Транслирований список лггератури:
1. Dubina V.N.. Kovtun V.E. The concept of radiation portal monitor of new generation // Visnik Harkivs'kogo universitetu. 2009. №.845. P.108-121.
2. Grinyov B.V., Gurdzhyan N.R., Zelenskaya O.V.. Lyu-bynskiy V.R., Mitsay L.I.,Molchanova N.I., Tarasov V.A., Detectors based on plastic scintillators for portal monitors - the evaluation of sensitivity uncertainty // Ukranian Met-rological journal. 2018. № 2. P.46-54.
3. Deyglun C. Testing and performances of Spectroscopic Radiation Portal Monitor for homeland security // EPJ Web of Conferences ANIMMA 2019. 2020. Vol. 225, DOI: 10.1051/epjconf/202022507008.
4.https://www.hamamatsu.com/resources/pdf/etd/PMT T PMZ0002E.pdf
5. https://www.terasic.com.tw/
6. Boyarintsev A.Yu., Nepokupna T.A., Onufriyev Yu.D., Sibileva T.G. Combined detector of gamma-radiation // Ukraine patent. 2018. № 126169.
7. Nepokupnaya T.A., Ananenko A.A., Boyarintsev A.Yu., Bobovnikov A.A., Gektin A.V., Kovalcuk S.N., Onufriyev Yu.D., Pedash V.Yu. Large area detector of low-energy gamma radiation // Functional materials. 2017. Vol. 24, №.4. P. 678-681.
Надшшла до редколеги 15.06.2020 Рецензент: д-р фiз.-мат. наук, проф. Сл^енко М.1. Непокупна Тетяна Анатолй'вна, науковий сшвробгг-ник вщщлу впровадження науково-техшчних ро-зробок, 1нститут сцинтиляцшних матерiалiв НАН Украши. Науковi штереси: технолопя виробництва де-текторiв юшзуючих випромiнювань. Адреса: Украша,
61072, Харшв, пр. Науки, 60, e-mail: [email protected]
Колесшков Олександр Володимирович, канд. техн. наук, старший науковий сшвробгтник ввддшу впровадження науково-техшчних розробок, 1нститут сцинтиляцшних матерiалiв НАН Украши. Науковi штереси: автоматизоваш системи керування. Адреса: Украша, 61072, Харшв, пр. Науки, 60, e-mail: [email protected]
Бояринцев Андрш Юршович, канд. техн. наук, заступник директора з науково1 роботи, 1нститут сцинтиляцшних матерiалiв НАН Украши. Науковi штереси: технолопя виробництва детекторiв юшзуючих ви-промiнювань. Адреса: Украша, 61072, Харшв, пр. Науки, 60, e-mail: [email protected] Тарасов Володимир Олексшович, д-р фiз.-мат. наук, завщувач вщдшу сцинтиляцшно1 радюметри i радiоxiмiчниx методiв дослвдження, 1нститут сцинти-ляцiйниx матерiалiв НАН Украши. Науковi iнтереси: розробка спецiалiзованиx детекторiв iонiзуючиx ви-промiнювань. Адреса: Украша, 61072, Харшв, пр. Науки, 60, e-mail: [email protected] Тавровський 1гор 1горевич, канд. техн. наук, старший науковий сшвробииик ввддшу впровадження на-уково-теxнiчниx розробок, 1нститут сцинтиляцшних матерiалiв НАН Украши. Науковi штереси: автоматизоваш системи керування. Адреса: Украша, 61072, Харшв, пр. Науки, 60, e-mail: [email protected] Nepokupnaya Tatiana, Researcher, Research-and-Devel-opment Applications Division, Institute for Scintillation Materials of NAS of Ukraine. Scientific interests: production technology of radiation detectors. Adress: Ukraine, 61072, Kharkiv, Nauky ave, 60, e-mail: [email protected]
Kolesnikov Alexandr, PhD (Technology), Senior researcher, Research-and-Development Applications Division, Institute for Scintillation Materials of NAS of Ukraine. Scientific interests: automated control systems. Adress: Ukraine, 61072, Kharkiv, Nauky ave, 60, e-mail: [email protected]
Boyarintsev Andrey, PhD (Technology), Deputy Director of Science, Institute for Scintillation Materials of NAS of Ukraine. Scientific interests: production technology of radiation detectors. Adress: Ukraine, 61072, Kharkiv, Nauky ave, 60, e-mail: [email protected] Tarasov Vladimir, Dr. Sci., Head of department, Scinti-laltion Radiometry and Radiochemical Testing Methods Department, Institute for Scintillation Materials of NAS of Ukraine. Scientific interests: development of specialized radiation detectors. Adress: Ukraine, 61072, Kharkiv, Nauky ave, 60, e-mail: [email protected] Tavrovskiy Ihor, PhD (Technology), Senior researcher, Research-and-Development Applications Division, Institute for Scintillation Materials of NAS of Ukraine. Scientific interests: automated control systems. Adress: Ukraine, 61072, Kharkiv, Nauky ave. 60, e-mail: [email protected]
