Научная статья на тему 'Моделирование процесса окисления SiC под действием световых потоков'

Моделирование процесса окисления SiC под действием световых потоков Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
75
24
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Моделирование процесса окисления SiC под действием световых потоков»

УДК 621.382.132

А.М. Светличный, П.В. Серба, А.Н. Кочеров, В.В. Поляков.

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОКИСЛЕНИЯ SIC ПОД ДЕЙСТВИЕМ

СВЕТОВЫХ ПОТОКОВ

Карбид кремния (SiC) в настоящее время получает все большее распространение в микроэлектронике, благодаря сочетанию таких свойств как широкая запрещенная зона, химическая и механическая стабильность. Также SiC используется для построения микросистем экстремальной электроники, т.к. устройства на его основе могут работать при высокой температуре, а также обладают радиационной стойкостью.

Изотермический процесс окисления карбида кремния в диффузионной печи занимает длительное время. Поэтому представляет интерес использовать ускоренные методы окисления карбида кремния. Одним из таких методов является быстрый термический отжиг (БТО). Поскольку окисление карбида кремния достаточно трудоемкий и сложный процесс, то моделирование процесса окисления с использованием БТО является актуальной задачей.

За основу при формировании модели окисления SiC была взята модель Дила-Гроува [2] в которой были учтены дополнительные факторы, связанные с геометрией реакционной камеры, возбуждением газовой фазы и поверхности карбида кремния, особенности кинетики окисления SiC, а также возникновение внутреннего электрического поля.

Основные составляющие модели включают в себя соответствующие модули: для расчета облученности пластины с учетом геометрических размеров реактора и спектра поглощения материала, для расчета концентрации активных частиц атомарного, молекулярного кислорода, а также озона у поверхности SiC и внутренних электрических полей.

1. Jorgensen P.J., Wadsworth M.E., Cutler J.B. Silicon carbide - a high temperature semiconductor. Pergamon Press. London, 1960. p.241

2. Колобов Н.А., Самохвалов М.М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975. 456 с.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.