Моделирование процесса окисления SiC под действием световых потоков Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

Секция технологии микроэлектронной и наноэлектронной аппаратуры

УДК 621.382.132

В.М. Мамиконова, О.А. Агеев ИНТЕГРАЛЬНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ SIC

Снижение уровня загрязнения окружающей среды электромагнитным излучением является важной задачей при разработке современных систем, содержащих сложные радиоэлектронные системы управления и контроля. Это требует разработки чувствительных датчиков магнитного поля, которые должны обладать высокой стабильностью параметров, поскольку часто размещаются в непосредственной близости от исполнительных механизмов и двигателей. Кроме того, применение таких датчиков позволит снизить шумность и повысить надежность систем, за счет точного контроля перемещения деталей и механизмов.

Ранее, в работах [1, 2] было предложено конструктивно-технологическое решение и исследовались параметры изготовленного на основе Si гальваномагнито-рекомбинационного преобразователя (ГМРП) в интегральном исполнении. В данной работе рассмотрены возможные конструкции ГМРП с использованием SiC различных политипов, а также структур SiC/Si. Рассчитаны оптимальные размеры и топология ГМРП. Согласно предварительным оценкам магнитная чувствительность различных конструкций ГМРП составляет от 2 до 93,56 mV/mT.

Анализ полученных результатов позволяет заключить, что датчик магнитного поля на основе ГМР-эффекта обладает рядом преимуществ по сравнению с широко используемыми ДХ, а именно: линейностью характеристики в широком диапазоне

,

.

интегральной технологии достигается путем формирования на одном кристалле схемы усиления и преобразования сигнала.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. АС. №1263153 от 8.06.86. Магниторезистивный преобразователь / Касимов Ф.Д., Мамиконова В.М.

2. Касимов Ф.Д., Абдуллаев АТ., Мамиконова В.М. // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1988. Вып.3. С. 71-72.

УДК 621.382.132

А.М. Светличный, П.В. Серба, А.Н. Кочеров, В.В. Поляков

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОКИСЛЕНИЯ SIC ПОД ДЕЙСТВИЕМ

СВЕТОВЫХ ПОТОКОВ

Карбид кремния (SiC) в настоящее время получает все большее распространение в микроэлектронике, благодаря сочетанию таких свойств, как широкая запрещенная зона, химическая и механическая стабильность. Также SiC используется для построения микросистем экстремальной электроники, так как устройства на его основе могут работать при высокой температуре, а также обладают радиационной стойкостью.

Изотермический процесс окисления карбида кремния в диффузионной печи занимает длительное время. Поэтому представляет интерес использовать ускорен-

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

ные методы окисления карбида кремния. Одним из таких методов является быстрый термический отжиг (БТО). Поскольку окисление карбида кремния достаточно трудоемкий и сложный процесс, то моделирование процесса окисления с использованием БТО является актуальной задачей.

За основу при формировании модели окисления SiC была взята модель Дила-Гроува [2], в которой были учтены дополнительные факторы, связанные с геометрией реакционной камеры, возбуждением газовой фазы и поверхности карбида , SiC, -

го электрического поля.

Основные составляющие модели включают в себя соответствующие модули: для расчета облученности пластины с учетом геометрических размеров реактора и спектра поглощения материала, для расчета концентрации активных частиц атомарного, молекулярного кислорода, а также озона у поверхности SiC и внутренних .

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Jorgensen P.J., Wadsworth M.E., Cutler J.B. Silicon carbide - a high temperature semiconductor. Pergamon Press. London, 1960. 241 p.

2. Колобов НА., Самохвалов M.M. Диффузия и окисление полупроводников. - М.: Металлургия, 1975. - 456 с.

УДК 636.083.52:621.373.14

М.Д. Скубилин

О ПРЕОБРАЗОВАНИИ ЭНЕРГИИ ВОЛН МОРЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ

ЭНЕРГИЮ

Энергообеспечение автономных необслуживаемых источников информации

,

, , трудоемко, и экономически невыгодно, и экологически небезопасно. Альтернативой сменным гальваническим элементам электропитания или аккумуляторам, нуждающимся в периодической подзарядке, может стать устройство с пьезоэлектрическими преобразователями волнения поверхности моря в электрическую энергию.

Известна энергетическая установка морского базирования, содержащая заякоренное плавучее средство с противовесом, расположенные в корпусе плавучего средства сквозная шахта и турбоэлектрогенератор постоянного тока. Её недостатки - значительные габаритно-весовые характеристики, сложность аппаратурной реа, , -дежность в работе.

Предлагается устройство преобразования энергии волн моря в электрическую энергию, содержащее плавучее, с противовесом, средство, состоящее из двух и более подвижно сопряженных элементов, способных при волнении моря совершать вращательные или возвратно-пос^пательные колебания друг относительно друга, в элементах плавучего средства - пьезоэлектрические преобразователи, вы, -, , -ство, соединенный с выходами всех выпрямителей тока, и преобразователи механических колебаний сопряженных элементов плавучего средства в дискретные