МЕМРИСТИВНОСТЬ ЛЕГИРОВАННЫХ ОКСИДНЫХ ПЕРОВСКИТОВ Текст научной статьи по специальности «Физика»

МЕМРИСТИВНОСТЬ ЛЕГИРОВАННЫХ ОКСИДНЫХ ПЕРОВСКИТОВ

Тулина Н. А.1, Россоленко А. Н.1, Шмытько И. М.1, Иванов А. А.2, Борисенко И. Ю.3, Сироткин В. В.3

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки"Институт физики

твердого тела Российской академии наук", Черноголовка, Россия 2Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки"Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии

наук",Черноголовка, Россия *E-mail: tulina@issp.ac. Мемристивные устройства (мемристоры) представляют собой структуру металл-изолятор-металл (МИМ), сопротивление которой изменяется в зависимости от приложенного электрического поля и обладает эффектом памяти. На примере исследования биполярного эффекта резистивных переключений в гетеропереходах на основе четырех классах высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП): BÍ2Sr2CaCu2Ü8+y, YBa2Cu3Ü7-d, Вао.бКо.4ВЮз-х , Ndi.86Ceo.i4CuÜ4 показано, как, используя функциональные свойства ВТСП, формировать мемристивные структуры на их основе. Свойства: претерпевать переход металл- диэлектрик при кислородном допировании, анизотропия электронного транспорта, существование резервуаров заряда, через которые осуществлется допирование проводящих медь- кислородных областей - главные функциональные свойства ВТСП, которые позволяют формировать мемристоры на их основе [1, ссылки там]. На основании этих исследований показано, что макроскопичесое фазовое расслоение на поверхности кислород содержащих эпитаксиальных пленок ВТСП и легированных манганитов является определяющим фактором в формировании мемристивных свойств структур на их основе [2,3]. Мемристивные свойства ВТСП проявляются в области фазовой диаграммы ВТСП с фазовым расслоением, характерным для сильнокоррелированных систем [4,5,6].

Рис.1.Фазовая диаграмма YBCÜ в зависимости от содержания кислорода [4], серым обозначена двухфазная обл. Резистивное переключение это переход из коррелированного диэлектрика в коррелированный металл. Это подтверждается доменным характером переходов между метастабильными фазами в электрическом поле и низкотемпературные свойства переколяци-онных каналов в мемристивных структурах на основе ВТСП и легированных манганитов [3]. Литература

1. Tulina N.A. // arXiv.org > cond-mat > arXiv: - 2018.-1801.09428.

2. Jorgancen J.D, B.W. Veal et all // Phys. Rev.B. - 1990.- V.- 41.-P.1863.

3. Tulina, N.A. I.Yu. Borisenko, I.M. Shmytko, А.А. Ivanov, A.N. Rossolenko, et all //Jour. Superconductivity and Novel Magnetism. - 2020. - V.33- P.-3695.

4. Pickett W. E et al. // Science. - 1992.-V.- 255.- P.-46.

5. Moreo, A., Yunoki, S., Dagotto, E. // Science. - 1999.- V.- 28.-P.- 2034.

6. Oka T and Nagaosa N. // Phys.Rev.Let. -2005.-V.- 95.- P.- 26640.