CC BY
123
В.Г. Воеводин, В.А. Чалдышев ИССЛЕДОВАНИЕ ТРОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ A2B4c2
Разработаны фундаментальные физические и материаловедческие основы создания функциональных элементов нелинейно-оптической и магнитной электроники на основе тройных полупроводников A2B4C2, в том числе технологии производства монокристаллов большого размера с малыми оптическими потерями. Проведенные исследования объективно обеспечили приоритет отечественных достижений в области материаловедения и прикладного использования нелинейнооптических полупроводников A2B4C2.
Развитие твердотельной электроники последних десятилетий показало, что ее перспективы в значительной степени определяются успехами в области полупроводникового материаловедения, в области создания новых материалов, позволяющих улучшить параметры известных приборов и создать устройства с принципиально новыми функциональными возможностями [1 - 4].
В нашей стране получение и исследование первых по-
2 4 5
лупроводников AB С2 было выполнено в Ленинградском физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе АН СССР под руководством профессора Н.А. Горюновой [5]. Данные,
именно этих исследований, пробудили огромный интерес к
245
соединениям AB С2.
245
В СФТИ теоретическое изучение халькопиритов AB С2 было начато под руководством к. ф.-м. н., доцента В.А. Чал-дышева в конце 1950-х гг. [6].
щих и взрывчатых веществ и т.д. Область возможных при-
2 4 5
менений кристаллов А В С2 постоянно расширяется [7, 8].
Признание того факта, что наиболее эффективным путем освоения спектрального ИК-диапазона 2,5 - 25 мкм является ППЧ лазерного излучения с использованием нелинейных оптических (НЛО) кристаллов, сделало актуальным вопрос оптимизации элементной базы и схем реализации ППЧ. Успешность применения НЛО-кристаллов связана с решением комплекса физических, физико-химических и технологических задач, направленных на выяснение условий получения крупных оптически однородных монокристаллов с малыми оптическими потерями.
Виктор Александрович Чалдышев
245
Первые полупроводники А В С2 были выращены в конце шестидесятых годов в лаборатории полупроводников, руководимой к. ф.-м. н., доцентом А.П. Вяткиным. Дальнейшее развитие это направление исследований получило в лаборатории полупроводникового материаловедения под руководством д. ф.-м. н. В.Г. Воеводина.
Весьма скоро было установлено, что новые материалы не имеют конкурентов во многих областях твердотельной электроники. Так, являясь анизотропными нецентросим-
245
метричными кристаллами, полупроводники А В С2 характеризуются высокими значениями нелинейной поляризуемости и двулучепреломления, что позволяет эффективно использовать их для параметрического преобразования частоты (ППЧ) лазерного излучения среднего ИК-диапазона. Источники когерентного ИК-излучения, позволяющие варьировать в широких пределах спектральные и энергетические параметры излучения, требуются для решения таких прикладных задач, как оптико-электронное подавление ИК-систем наведения, атмосферный газоанализ, разделение изотопов, медицинская диагностика и лечение, дистанционная идентификация биологических материалов, отравляю-
Анатолий Петрович Вяткин
Валерий Георгиевич Воеводин
Другим перспективным путем развития элементной базы нелинейной оптики является реализация НЛО-элемен-тов в виде интегральных волноводных структур. Основное их достоинство - возможность получения высокой эффективности нелинейных процессов при малых мощностях накачки. Этот путь также связан с необходимостью решения сложных технологических задач и разработкой физических моделей для расчета оптимальных конструктивных решений.
С бурным ростом на рубеже веков новой отрасли электроники, спинтроники, и признанием высокотемпературного ферромагнетизма одной из наиболее важных мировых научных проблем стали актуальными работы по поиску новых материалов - полупроводниковых ферромагнитов.
Таким образом, в целях модернизации элементной базы современной нелинейно-оптической и магнитной электроники в СФТИ были проведены комплексные исследования, включающие теоретический анализ, разработку технологий
А 2^4^5
получения полупроводников A B С2 и волноводных структур на их основе, изучение новых физических эффектов и создание новых прикладных устройств на основе изученных эффектов.
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ
полупроводников a2b4c2
Зонная структура и динамика кристаллической решётки. Работы [6, 9 - 14] содержат результаты качественного анализа общей структуры электронного спектра для кристаллов с решеткой халькопирита. Из анализа следует, что понижение точечной и трансляционной симметрии при переходе от кристаллов А3В5
* 2^4^5
к AB С2 должно приводить к появлению ряда особенностей в энергетическом спектре электронов, существенно влияющих на свойства полупроводников
А 2^4^
AB C2: увеличивается возможное количество типов электронов и дырок, различающихся по величине эффективных масс и их анизотропии, изменяются правила отбора при оптических переходах. Вслед за этим впервые были выполнены расчеты зонного спектра данных полупроводников с помощью метода эмпирического псевдопотенциала. На основе расчетов был проведен анализ собственного оптического поглощения полупроводников A2B4c2 [15 - 28]. Теоретические исследования привлекли внимание экспериментаторов ФТИ им. А.Ф. Иоффе, где в лаборатории Н.А. Горюновой проводились эксперименты по синтезу и кристаллизации этих соединений, а также исследованию их свойств. Теоретики СФТИ (В.А. Чалдышев, Г.Ф. Караваев и А.С. Поплавной) в 1967 г. были приглашены в ФТИ для согласования плана совместных работ. Эти работы были посвящены, в основном, изучению оптических свойств тройных полупроводников в области собственного поглощения [15 - 24]. Наряду с расчетами и анализом зонной структуры, велись работы по динамике кристаллической решетки с учетом ковалентного характера химических связей в данных соединениях. В.Г. Тютеревым была разработана методика и проведен расчет фононного спектра для ряда тройных полупроводников [29 - 31], а также было изучено поглощение света такими кристаллами в ИК-области света [32, 33]. В работах [34 - 38] была рассмотрена кинетика электропереноса в тройных полупроводниках с учетом рассеяния на полярных акусти-
ческих и оптических фононах. Особенности электронного энергетического спектра, связанные с отклонением от стехиометрии и формированием нанокластеров второй фазы, были рассмотрены С.Н. Гри-няевым [39 - 41].
Основой для экспериментальных исследований полупроводников А В С2 послужило теоретическое изучение физико-химических закономерностей процессов их синтеза, кристаллизации и формирования волноводных структур.
Объёмные монокристаллы. На основе термодинамического анализа процессов образования сложных соединений в тройных системах (А2 - В4 - С5) были сделаны выводы о механизмах их синтеза и предложен т.н. «динамический» вариант двухтемпературного синтеза 2пвеР2, на порядки увеличивший производительность процесса [42 - 44].
Термодинамический расчет дал такую технологическую информацию, как величины парциальных давлений летучих компонентов на границах областей гомогенности (ОГ) полупроводников А2В4С2, конфигурации ОГ [45 - 49].
В ходе выполненных теоретических и экспериментальных исследований были определены оптимальные параметры технологических режимов для наклонного и вертикального вариантов метода Бриджмена и получены монокристаллические слитки полупроводников
2 4 5
А В С2 [7, 8, 50 - 51]. Для 2пвеР2 они имели диаметр до 35 мм и длину до 150 мм, для СёвеА82 - диаметр до 20 мм и длину до 60 мм (рис. 1).
1/ 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
Рис. 1. Монокристаллические слитки со- а 2тИ^5
единений А В С2, выращенные методом Бриджмена: а - 7иОеР2, коэффициент поглощения <0,2 см-1 на длине волны X = = 2,1 мкм; < 0,1 см-1 для X = (2,5 - 8) мкм; 0,2 см-1 для X = 10 мкм); б - СёОеАБ2, коэффициент поглощения < 0,2 см-1 для длин волн X = 2,5 - 16 мкм (во всем диапазоне прозрачности)
Методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава [52] получены крупноблочные слитки 2пвеР2 диаметром (10 - 30) мм и длиной (8 - 60) мм, что свидетельствует о перспективности использования данного метода для выращивания полупроводника 2пвеР2
По результатам термодинамического анализа сделан вывод о принципиальной возможности использования применительно к полупроводникам А2В4С2 [53] прогрессивного время-, ресурсо- и энергосберегающего самораспространяющегося высокотемпературного синтеза.
Результаты теоретической проработки возможности выращивания 2пвеР2 [54, 55] и легирования его Мп из газовой фазы методом химических транспорт-
ных реакций (ХТР) позволили осуществить практическую реализацию процесса в печи специально разработанной конструкции, исключающей осаждение материала на стенках ампулы. Полученные объемные монокристаллы весом до 24 г представлены на рис. 2.
Рис. 2. Монокристаллы 2пОеР2, выращенные из газовой фазы методом ХТР [54]
Характеризация выращиваемых монокристаллов осуществлялась путем измерения их оптических, люминесцентных, электрофизических и фотоэлектрических и других параметров [55 - 60]. Полученные результаты, в частности, свидетельствовали о наличии высокой концентрации точечных структурных дефектов (~1018 - 1019 см-3) и высокой степени их компенсации (не менее 0,98).
В СёвеА82 впервые для соединений А В С2 был исследован фотоэлектромагнитный эффект, определены температурные зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и сечений захвата электронов на глубокие рекомбинационные уровни. Сделан вывод о каскадном механизме рекомбинации электронов в высокоомных кристаллах ^-СёвеА82 [61].
Для объяснения характерной особенности соединений А2В4С2 - уменьшения энергии ионизации глубоких дефектов с ростом концентрации носителей заряда -изучено влияние кулоновского взаимодействия глубоких дефектов на электрофизические свойства кристаллов. Установлено [7], что соотношение И1/3а* ~ 1 (а* - эффективный боровский радиус), являющееся критерием образования примесной зоны для мелких уровней с концентрацией N в случае произвольного положения уровня переходит в И1/Зк-1(Е) ~1, где энергия примесного уровня может быть найдена из изотропной двухзонной модели. Выражением
АЕ = к(Е0) (1+ к(Е0)И1/3) е"к(Ео]У/3
определяется ширина примесной зоны, соответствующая концентрации центров N и положению локального уровня Е0. Полученные из решения уравнения электронейтральности при использовании гауссовой аппроксимации для функции распределения уровней по энергиям данные хорошо согласовались и объясняли отмеченные выше особенности эксперимен-
2 4 2
тальных зависимостей р(Т) в полупроводниках А В С2 [7, 62].
Волноводные структуры. На основе результатов выполненных физико-химических исследований процессов получения волноводных слоев [63] путем диффузии изовалентных элементов в полупроводниковые соединения с летучими компонентами и предварительного термодинамического анализа был разработан и реализован технологический процесс, позволяющий при получении волноводного слоя контролировать величину оптических потерь.
ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ УПРАВЛЕНИЯ СВОЙСТВАМИ
2 4 5
ПОЛУПРОВОДНИКОВ A2B4C2
Варьирование условий выращивания. Исследованы зависимости электрофизических и оптических свойств кристаллов ZnGeP2, выращенных методом Бриджмена, от состава расплава, кинетических и температурных параметров технологического процесса [7]. Минимальное оптическое поглощение наблюдалось в слитках, выращенных из расплава конгруэнтного состава. Выполненные исследования (в том числе методами рентгеновской топографии, растровой электронной микроскопии и рентгеновского микроанализа) показали, что доминирующий вклад в рассеяние носителей заряда и их подвижность дают точечные дефекты, а коэффициент поглощения «нестехиометрических» кристаллов определяется, в большинстве случаев, микровключениями и преципитатами второй фазы [7].
Введение легирующих добавок [64]. Получены данные о влиянии на электрофизические свойства модельного полупроводника СёБпА82, а также полупроводника CdGeAs2 примесей Аи, Си, Zn, 1п, Бс, Gd для CdGeAs2 и Аи, Си, 1п для CdSnAs2.
Эксперименты показали, что при концентрации ~10 1 мас. % в расплаве 1п и Gd являются эффективными мелкими донорами; Си, располагаясь в узлах кристалла, проявляет свойства эффективного мелкого акцептора; Аи, Zn, Бс являются малоэффективными глубокими донорами. Максимальные значения удельного сопротивления при комнатной температуре получены для CdGeAs2, легированного Аи и Бс (~9 -14 Ом-см ); при температуре жидкого азота - для CdGeAs2, легированного Zn, а также для ряда нелегированных кристаллов, содержащих только собственные структурные дефекты (до -4-102 Ом-см ). Максимальная растворимость электроактивной примеси наблюдается для Си и 1п (~ 1018 см-3), несколько меньшая для Gd (~ 1017 см-3), растворимость Аи, Zn, Бс имела существенно меньшую величину. Легирование редкоземельными элементами Бс и Gd улучшало структурные характеристики CdGeAs2, возможно, за
счет очистки расплава от неконтролируемых фоновых примесей.
Таким образом, были определены добавки, позволяющие выращивать высокоомный и низкоомный материал п- и ^-типа проводимости, а также еще раз подтверждено мнение о важной роли собственных структурных дефектов.
Высокотемпературный (ВТ) отжиг в парах летучих компонентов [65]. Из термодинамического анализа результатов влияния ВТ-обработки в парах летучих компонентов на электрофизические свойства ZnGeP2 и CdGeAs2 сделан вывод о том, что при ВТ наблюдается проявление конкурирующих процессов, различным образом изменяющих электрофизические параметры кристаллов и протекающих с разной скоростью. ВТ-отжиг практически не влияет на величину оптических потерь в кристаллах ZnGeP2, поскольку не удается обеспечить достижение состава кристалла, соответствующего области гомогенности.
Диффузионный отжиг (ДО) с примесью меди. Помимо легирования из расплава выполнены эксперименты по исследованию влияния диффузионного отжига с примесью Cu на электрофизические свойства
2 4 5
полупроводников AB С2 [66 - 68]. Показано, что ДО с примесью Cu является эффективным способом управления их электрофизическими параметрами. Определены режимы ДО, позволяющие варьировать концентрацию дырок в пределах 1012 - 1016 см-3 в ZnGeP2 и в пределах 1016 - 1018 см-3 в CdGeAs2, изменять n-тип проводимости CdSnAs2 на ^-тип. Можно полагать, что выявленные закономерности - диссоциативный механизм диффузии, ретроградный характер растворимости, акцепторная природа Cu-дефектов
- являются характерными и для других полупровод-
245
ников A B С2.
Низкотемпературный (НТ) отжиг. Исследования показали, что послеростовая низкотемпературная обработка образцов ZnGeP2, как правило, приводит к существенному уменьшению оптических потерь в области примесного поглощения; при этом уменьшается также плотность дислокаций, электрофизические характеристики кристаллов при этом практически не изменяются. Очевидно, что все процессы, связанные с образованием и миграцией точечных дефектов, при НТ-отжиге практически исключены, так как типичные значения коэффициентов диффузии примесей и само-диффузии компонентов в широкозонных соединениях при температурах ~500 °С не превышают 10-16 см2/с, что дает очень малые длины диффузии точечных дефектов. Таким образом, изменение оптических свойств ZnGeP2 при НТ-отжиге определяется дислокационной структурой кристаллов, что позволяет объяснить границы температурного интервала, обеспечивающего заметное улучшение оптического качества кристаллов. При температурах, меньших (400 -450) °С, дислокации практически неподвижны, при температурах, больших (500 - 550) °С, процессы генерации дислокаций превалируют над процессами их аннигиляции. Найдено, что эффективность «просветления» несколько увеличивается с увеличением давления фосфора. По-видимому, при небольшом избыточном давлении паров фосфора (~ 2 атм) состояние
поверхностного слоя обеспечивает наиболее благоприятные условия для движения дислокаций и их аннигиляции [7].
Отсутствие корреляции между значениями а и идшш свидетельствует о том, что дислокации в данном случае играют роль средства, а не причины. Вероятнее всего, движение дислокаций, структурные перестройки атомов воздействуют на микровключения второй фазы очень малых размеров или на кластеры дефектов - например, приводят к упорядочению атомов в катионной подрешетке ZnGeP2, т.е. к уменьшению размеров микровключений кубической Р-фазы ZnGeP2.
Ультразвуковое облучение [7, 69]. Как и НТ-отжиг, ультразвуковое облучение стимулирует процессы генерации и движения дислокаций в кристаллах. С целью изучения прямого воздействия ультразвуковой волны на микровключения второй фазы в рамках нелинейной теории упругости рассмотрено взаимодействие ультразвука с макроскопическими дефектами (преципитатами, кластерами, включениями второй фазы).
Были изучены акустические резонансы в колебательном спектре макродефектов. Для используемой модели колебательные состояния разыскивались из уравнения ю2и, + (1/ро)^иЛУ/ ыт = - (5р (г)/ро) ю2и, , где р0 - плотность; 5р(г) - возмущение плотности на макродефекте; ^¡нт - тензор модулей упругости; ю - частота и и1(г,1) = и,(г,ю) е,а‘ - декартовы компоненты смещений.
Найдено, что из-за резонансного характера колебаний дефекта имеет место заметный ангармонизм даже при слабых интенсивностях ультразвука. При этом происходит трансформация волны во внутренние колебательные состояния макродефекта. Нелинейное поглощение ультразвука микровключениями за счет возбуждения акустических резонансов должно приводить к повышению энергии метастабильного состояния макродефекта и к его возможному распаду
- например, по безактивационному механизму.
Усиление упругих волн за счет ангармонизма можно отнести к числу новых нелинейных эффектов [7, 69]. С использованием металлографических методов получены экспериментальные данные, подтвердившие выводы теоретического расчета о влиянии ультразвукового облучения на плотность дислокаций и микровключений второй фазы в полупроводнике ZnGeP2.
Лазерный отжиг (ЛО). Результаты комплексного исследования кристаллов ZnGeP2 после облучения мощными импульсами излучения М-лазера показали, что электрофизические параметры не изменяются при увеличении числа импульсов облучения и при увеличении мощности вплоть до достижения порога разрушения. Коэффициент поглощения кристаллов претерпевает существенные изменения. При плотности энергии лазерного излучения 30 - 35 Дж/см2 наблюдается эффект «просветления», а при плотности ~ 40 Дж/см2 достигается порог разрушения. Показано [7], что наиболее вероятным механизмом лазерного отжига ZnGeP2 является тепловой, т.е. лазерное излучение, поглощаясь на включениях, расплавляет их и
часть матрицы, а при рекристаллизации размеры включений уменьшаются.
Облучение высокоэнергетическими электронами [70, 71]. Исследования показали: а) облучение 2 МэВ-электронами целенаправленно, плавно и локально меняет электрофизические параметры кристаллов (для ^^^еРг в направлении п-типа проводимости, противоположном реализующемуся при диффузионном легировании медью); б) радиационные дефекты (РД) активно взаимодействуют с собственными и примесными структурными дефектами. Наиболее сильно это проявляется в CdGeAs2, в котором РД проявляются преимущественно как доноры в материале р-типа и как акцепторы в материале п-типа, что позволяет получать высокоомные кристаллы.
Путем анализа результатов комбинированного изохронного и изотермического отжига облученных образцов установлено, что эффект улучшения оптического качества 2^еР2 при облучении электронами зависит не столько от дозы облучения, сколько от его интенсивности. Это согласуется с известной в радиационной физике моделью Нельсона, согласно которой в условиях высокоинтенсивного облучения возможно растворение мелких включений в кристаллах за счет взаимодействия атомов включения с вакансиями, генерируемыми в матрице кристалла.
Таким образом, использование различных после-ростовых воздействий позволяет улучшить оптическое качество кристаллов 2^еР2 (рис. 3), однако решение проблемы т.н. «аномального» поглощения в области (0,8 - 2) мкм все еще остается одной из первоочередных задач современного материаловедения полупроводника 2^еР2.
12
я
я
ЁГ
о
Е
о
и
я
я
я
т
£
10
1 - исходный (после выращивания)
2 - после НТ-отжига (500 - 600°С)
3 - после электронного (2 МэВ) облучения
4 - после лазерного (1,06 мкм) отжига
2
0
а - е-луч - о-луч
0,6 1,0
1,5 2,0 2,5
Длина волны, мкм
3,0
сфалерита; б) анализ особенностей оптических переходов; в) разработка модельных представлений, объясняющих совокупность экспериментальных данных по оптическим потерям в монокристаллах 2^еР2 в ближнем ИК-дипазоне [7, 39 - 41].
Расчет глубоких уровней точечных дефектов и кластеров на их основе в 2^еР2 проведен методами модельного псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки (таблица).
Вычисленные энергии локализованных уровней дефектов в ZnGeP2 относительно потолка валентной зоны Г4у идеального кристалла, эВ
гпое е О £ е О Ргп 2пр
-0,15 2,20 1,85 2,12 0,29
(А,Е) 1,52
2,05
РОе Сер Ур Ухп Угп( !)
1,94 0,10 0,33 0,07(Е) 0,20(Е)
0,62 1,40 0,19(А) 0,35(А)
2,00
Для выяснения особенностей оптического поглощения в 2^еР2 в ближнем ИК-диапазоне проанализированы матричные элементы оператора импульса, характеризующие вероятности переходов в диполь-ном приближении. При понижении симметрии в дефектном кристалле происходят изменения в правилах отбора и поляризации разрешенных оптических переходов, но, за исключением вакансий цинка, не было найдено существенного уменьшения энергий разрешенных переходов, которое могло бы объяснить «аномальное» поглощение в 2^еР2. Расчетный коэффициент поглощения в 2^еР2 с концентрацией N = 1017 см-3 однократно ионизированных вакансий цинка (V ¿) представлен на рис. 4.
Рис. 3. Спектры «аномального» поглощения в полупроводнике 2пОеР2
Для надежной интерпретации данных по оптическому поглощению, связанному с точечными дефектами и кластерами, необходима информация о генезисе и параметрах глубоких уровней. В связи с этим решались следующие задачи: а) расчет локализованных электронных состояний в 2^еР2, создаваемых антиструктурными дефектами, вакансиями, а также когерентными нанокластерами GeP со структурой
X, мкм
Рис. 4. Спектр оптического поглощения на V 2П
Пики поглощения на 2, 1,2 и 0,9 мкм связаны с переходами электронов из валентной зоны на верхний глубокий уровень А. Для реализации переходов необходимо, чтобы глубокий уровень вакансии 2п был пустым (нейтральная вакансия) или частично заполненным (V ¿). Но, согласно экспериментальным данным, кристаллы ZnGeP2 высокоомны и сильно компен-сированны. Уровень Ферми при этом расположен существенно выше уровня А, поэтому он должен быть
8
6
4
полностью заполнен и, следовательно, ИК-поглоще-ние, связанное с вакансиями Zn, подавлено.
Для объяснения «аномального» поглощения в ZnGeP2 был рассчитан энергетический спектр кластеров антиструктурных дефектов, содержащих 7, 13 и 19 ионизованных дефектов GeZn
Существование в ZnGeP2 наноразмерных Р-класте-ров GeP со структурой сфалерита экспериментально подтверждено. Как видно из рис. 5, ионизация одиночного дефекта вегп приводит к сдвигу резонансного уровня в запрещенной зоне до значения (Е„ + 1,8 эВ).
3
я
т
«т
1
13
19
Рис. 5. Энергетический спектр уровней кластеров ОеР в кристаллах 2пОеР2
Ионизация дефектов Gezn в кластере также приводит к сдвигу уровней кластера в глубь запрещенной зоны тем большему, чем больше атомов в кластере.
Результаты расчета спектров оптического поглощения для ZnGeP2 с Р-кластерами GeP разных размеров представлены на рис. 6.
привести к уменьшению числа катионов Gezn в кластере за счет стимулирования процессов обмена атомами на границе кластер - матрица, что приводит к обеднению энергетического спектра кластера и к уменьшению интенсивности оптических переходов.
Таким образом, Р-кластеры могут проявляться не только как независимые центры ИК-поглощения, но и дополнительно стимулировать ИК-поглощение, связанное с V 2П. Это позволяет согласовать в рамках одной модели [7] все известные экспериментальные результаты по исследованию природы «аномального» поглощения.
Особый интерес представляет весьма нетривиальный эффект, впервые привлекаемый для анализа экспериментальных спектров поглощения, а именно сильная зависимость энергетического спектра дефектов от количества и зарядового состояния дефектов в кластере.
Вполне вероятно, что эта ситуация типична для тройных и многокомпонентных соединений, хотя ранее такая особенность дефектного ансамбля в этих материалах не обсуждалась.
Рис. 6. Оптическое поглощение в полупроводнике 2пОеР2 с Р-кластерами СеР
Поскольку форма и поляризационная зависимость расчетных и экспериментальных спектров остаточного поглощения аналогичны, становятся понятными причины «просветления» кристаллов в результате по-слеростовых воздействий. Несомненно, такие процессы, как движение дислокаций при НТ-отжиге или интенсивная генерация вакансий при облучении могут
Рис. 7. Модель макродефектов, ответственных за остаточное ИК-поглощение (а) [7] (¿с - характерный размер ОеР-кластера; - диаметр окружающей области с повышенной концентрацией дефектов 2п0е); энергетическая схема рассматриваемого макродефекта (б) (4 - размер области с возможным ИК-поглощением, связанным с ионизированной вакансией цинка)
Наличием кластеров GeP объясняется также возможное участие V в процессе ИК-поглощения, несмотря на положение уровня Ферми, казалось бы исключающее эту возможность. Уровни А и Е вакансии Zn могут активироваться вблизи кластера при неоднородном распределении компенсирующих акцепторов вокруг кластеров из ионизированных доноров Gezn ( рис. 7).
ПАРАМЕТРИЧЕСКОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ЧАСТОТЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Получаемые в ЛПМ СФТИ нелинейно-оптические полупроводники А2В4С2 апробированы в различных схемах параметрического преобразования частоты излучения ИК-лазеров [72 - 91].
г
3
2
1
0
г
4
Элементы на основе ZnGeP2 (рис. 8) обеспечили наивысшие эффективности при ап-конверсии излучения длинноимпульсных СО2-лазеров в ближний ИК-диапазон. Преобразованным по частоте спектром излучения СО2-лазеров, работающих в 4,3 мкм-, 9,6 мкм- и 10,6 мкм-полосах излучения, а также в полосах второй секвенции, перекрывается весь диапазон (2 - 12) мкм.
Рис. 8. НЛО-элементы на основе монокристаллов ZnGeP2 (размеры < 15 х 15 х 25 мм)
По результатам исследований генерации второй гармоники (ГВГ) непрерывных СО-лазеров и СО-ла-зеров с модуляцией добротности сделан вывод о высокой эффективности ZnGeP2 как преобразователей частоты излучения в область спектра (2,6 - 3,2) мкм. Достигнутая эффективность ГВГ составляет 20 - 30% при больших значениях температурной (~200 °С) и угловой (>2°) ширин синхронизма.
Выполненная оптимизация параметров нелинейных элементов на основе монокристаллов ZnGeP2 позволила достичь эффективностей преобразования в десятки процентов при генерации комбинационных частот и, в частности, 20% от энергии 4,3 мкм-полосы излучения СО2-лазера при генерации суммарных частот этой полосы и полос второй секвенции этого же лазера.
Показано, что ZnGeP2 превосходят другие нелинейно-оптические материалы по числу реализуемых типов преобразователей частоты ИК-лазеров спектрального диапазона (2 - 12) мкм и имеют преимущество по эксплуатационным характеристикам и эффективности преобразования.
В кристаллах ZnGeP2 получена генерация параметрической суперлюминесценции [88 - 91], имеющая рекордную для среднего ИК-диапазона квантовую эффективность (17,6%) и пиковую мощность импульсного излучения до 1 МВт в предельно широком спектральном диапазоне (3,5 - 18) мкм, при накачке одиночными пикосекундными импульсами эрбиевого лазера.
Разработанная технология изготовления монокристаллов CdGeAs2 [7] обеспечила ГВГ излучения короткоимпульсных СО2-лазеров. Была продемонстрирована работоспособность неохлаждаемых CdGeAs2-удвоителей частоты с эффективностью порядка 1%. Достижимое улучшение оптического качества кристаллов может увеличить эту эффективность до 10 -20% , а эффективность удвоения излучения ТЕА- и непрерывных лазеров - в (5 - 8) раз.
РАСПРОСТРАНЕНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННО-МОДУЛИРОВАННЫХ ОПТИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ В ВОЛНОВОДНЫХ СТРУКТУРАХ
В целях создания интегрально-оптических устройств для обработки пространственно-неоднородных оптических сигналов [92 - 103] впервые выполнены теоретические и экспериментальные исследования особенностей передачи двумерного изображения в одно- и многомодовых планарных волноводах с использованием призменных устройств ввода - вывода. Рассмотрены закономерности распределения разрешающей способности по полю изображения при передаче двумерных сигналов [98,99].
В многомодовых волноводах возбуждалось 20 -70 мод, т-линии которых распространялись в пределах апертуры 6 - 11°. На рис. 9 показано распределение интенсивности лазерного пучка в плоскости экрана при отсутствии и наличии транспаранта, дающего распределение поля Е(х, у). Распределение разрешающей способности по полю изображения при использовании многомодовых волноводов определяется рассеянием мод высокого порядка и содержанием структуры (коэффициентом Линфута) и достигает 5 лин./мм.
Рис. 9. Фрагменты изображений, переданных по многомодовому волноводу: а - лазерного пучка; 2 - стандартной штриховой миры
В одномодовом планарном волноводе впервые предложен и реализован способ передачи двумерного изображения, основанный на пространственноспектральной фильтрации углового спектра сигнала
за счет естественной дисперсии волноводной моды (метод спектральной развертки). Разрешающая способность при передаче изображения достигала 12,5 лин./мм и слабо изменялась по полю изображения, угол поля зрения волновода составлял ~ 3° (рис. 10) [98].
г
Рис. 10. Фрагмент текста, переданного по одномодовому планарному волноводу
Разработанное программное обеспечение и выполненное компьютерное моделирование ряда нелинейно-оптических процессов в планарных волноводах [92
- 96, 100, 103] позволяют восстанавливать и аппроксимировать профили показателя преломления волноводов по измеренным модовым спектрам или задавать модельные профили; моделировать изменение формы профилей; рассчитывать модовый состав и коэффициенты фазового рассогласования мод; вычислять интегралы перекрытия и эффективность взаимодействия. С помощью [93] разработанного программного обеспечения определены оптимальные параметры волноводов для ап-конверсии ИК-сигнала С02-лазера (^ = 9,2 - 10,8 мкм) в поле накачки InGaAsP - 1пР DH-лазера (кр = 1,34 мкм) в градиентных CdIZn1-IGeP2-волноводах.
Впервые было проведено компьютерное моделирование процессов ППЧ лазерного излучения на основе эффекта параметрической генерации обратной волны (ПГСО). Анализ исходных характеристик материалов привел к выбору волноводов CdGeP2-AgGaS2 как объектов моделирования [94 - 96]. «Без-зеркальная» ПГСО, когда генерируемая волна распространяется в направлении, противоположном сигнальной волне и накачке, представляет большой интерес для разработки ППЧ в среднем ИК-диапазоне. Найдены оптимальные решения, практически реализуемые и позволяющие полностью перекрыть широкий спектральный диапазон.
Для планарных оптических волноводов проведены теоретические и экспериментальные исследования процессов межмодовой интерференции [97]. Результаты положены в основу создания прецизионных измерительных устройств.
Экспериментально обнаружена высокая чувствительность продольной интерференционной картины к фазовым флуктуациям возбуждающего пучка. При возбуждении волновода фокусированным пучком света, помимо продольной интерференции, наблюда-
ется поперечная интерференция мод, которая может быть интерпретирована в рамках модели интерференции цилиндрических волн. Для экспериментального подтверждения этой модели исследована зависимость периода интерференционной картины от угла возбуждения мод. Получено хорошее совпадение расчетных и экспериментальных данных.
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ ОПТИЧЕСКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ A2B4C2
В ПРИКЛАДНЫХ ЛАЗЕРНЫХ СИСТЕМАХ
Разработаны физические принципы действия и созданы макеты двух вариантов измерителей расходимости (ИР) лазерных пучков с использованием планарных оптических волноводов. Принцип действия одного их них основан на измерении периода межмодовой интерференции, наблюдаемой на поверхности волновода. Второго - на измерении угловых спектров «темных» или «светлых» т-линий, т.е. следов возбуждения волноводных мод многомодового волновода.
Исследованы возможности создания субапертур-ных гартмановских датчиков волнового фронта (ДВФ) для адаптивных оптических систем (АОС). Прогресс в разработке «волноводных» компонентов ДВФ стимулировал создание теоретического фундамента оптических компонент АОС, т.е. развития математических моделей и анализа адекватных технических решений для управления фазой лазерных пучков [7]. Результатом исследований явилось теоретически обоснованное предложение использовать измерители расходимости на основе волноводных элементов в качестве субапертур гартмановского ДВФ.
Эксперимены по использованию нелинейнооптических элементов на основе кристаллов ZnGeP2 и СdGeAs2 в составе лазерных анализаторов газовых загрязнений атмосферы (лидаров) продемонстрировали их высокие эксплуатационные характеристики [7, 82].
Испытания на рабочем стенде показали перспективность использования ZnGeP2 в лазерной системе установки ТИР-1 по управляемому термоядерному синтезу. Получено рекордное по эффективности умножение частоты, почти на порядок увеличена эффективность накачки лазерной мишени.
ФЕРРОМАГНИТЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ A2B4C2
С целью выяснения возможности использования полупроводников А2В4с2 в области спинтроники исследованы и практически реализованы различные способы введения в ZnGeP2 магнитной примеси Мп [104 - 113]. На полученных образцах ZnIMn1-IGeP2 совместно с отечественными и зарубежными партнерами выполнен цикл работ по исследованию в них магнитных явлений. Установлено, что ферромагнетизм действительно существует в объемных монокристаллах Zn1-IMnIGeP2 (с содержанием Мп до 2 мас. %) и в структурах Zn1-IMnIGeP2 - ZnGeP2, причем наблюдается до температур, превышающих комнатную (Тс = 320 К). Это выгодно отличает ферромагниты
А2В4С2 от ферромагнитов А3В5, для которых температура Кюри намного ниже. При этом для А2В4С2 сохраняются все достоинства магнитных полупроводников А3В5. Например, возможность спиновой ин-жекции, носителеиндуцированный и оптически контролируемый ферромагнетизм и т.д. Детализированы механизма вхождения Мп в решетку ZnGeP2, возникающие при этом связи и взаимодействия, обеспечивающие ферромагнитный эффект.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Итогом проведенных в ЛПМ исследований явилась разработка фундаментальных физических и ма-териаловедческих основ создания функциональных элементов оптической и магнитной электроники на
. 2Т,4„5
основе полупроводников А В С2 и выяснение возможностей их использования в нелинейной, интегральной и адаптивной оптике, а также спинтронике.
Определены физико-химические закономерности процессов синтеза и кристаллизации, проведен термодинамический анализ этих процессов, разработана высокопроизводительная технология выращивания
. 2Т,4„5
крупных монокристаллов А В С2 высокого оптического качества.
Из термодинамического расчета получены равновесные концентрации собственных точечных дефектов и области гомогенности полупроводников А2В4с2. Экспериментально изучены особенности формирования ансамбля макро- и микродефектов в А2В4С5 Выяснены возможности управления оптическими и электрофизическими свойствами кристаллов А2В4С путем различного рода послеростовых воздействий.
Методами модельного псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки впервые рассчитано энергетическое положение уровней точечных структурных дефектов, а также кластеров на их основе в запрещенной зоне полупроводника ZnGeP2. Определены оптические переходы с участием дефектов, которые могут вызывать поглощение в ближней ИК-области спектра.
Впервые обеспечена наиболее полная апробация нелинейных элементов на основе ZnGeP2 и CdGeAs2 в различных схемах параметрического преобразования частоты твердотельных и газовых лазеров среднего ИК-диапазона.
Теоретически и экспериментально изучены физико-химические закономерности формирования планарных волноводов. Предложен метод оценки оптических потерь в неоднородных волноводных структурах с использованием формализма оптики мутных сред.
Впервые выполнен анализ процессов ап-конверсии и генерации обратной волны в планарных структурах на основе нелинейно-оптических кристаллов. Предложены наиболее перспективные варианты планарных структур.
Впервые теоретически и экспериментально показано, что в планарных оптических волноводах с призменными устройствами ввода-вывода излучения можно осуществить передачу и ап-конверсию двумерного изображения.
Изучены закономерности процессов модовой интерференции, связанные с условиями пространственно-угловой фильтрации лазерных пучков в волноводных структурах. Впервые обнаружен и исследован эффект поперечной интерференции волноводных мод в планарных волноводах и получены новые данные о фазовой чувствительности продольной межмодовой интерференции в волноводных структурах.
Разработаны принципиально новые устройства для измерения расходимости лазерных пучков, основанные на регистрации т-спектров волноводных мод и периодов межмодовой интерференции в планарных волноводах.
Впервые предложено использовать многомодовые планарные волноводы как основные оптические компоненты субапертур гартмановского ДВФ в адаптивных оптических системах.
Получен новый ферромагнитный материал ZnIMn1-IGeP2. Показано, что ферромагнитные полу-
245
проводники А В С2 в ряде аспектов выгодно отличаются от ферромагнитов А3В5.
ЛИТЕРАТУРА
1. Борщевский А.С., Вайполин А.А., Валов Ю.А. и др. Полупроводники A2B4C2 / Под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова. М.: Сов. радио,
1974. 376 с.
2. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. С. 267.
3. Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 2. С. 209 - 229.
4. Shay J.L. and Wernick J.H. Ternary Chalcopirite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications. Oxford: Pergamon Press,
1975. 330 p.
5. Горюнова Н.А., Мамаев С., Прочухан В.Д. // ДАН СССР. 1962. Т. 142. № 3. C. 623 - 626.
6. Чалдышев В.А., Покровский В.Н. // Изв. вузов. Физика. 1960. № 2. С. 173 - 181.
7. Воеводин В.Г. Элементы оптической электроники на основе соединений A B C2: получение, свойства и применение: Дис. ... докт. наук. Томск, 2003. 395 с.
8. Андреев Ю.М., Буткевич Д.М., Воеводин В.Г. и др. Элементная база оптико-электронных приборов / Под ред. В.Е. Зуева, М.В. Кабанова. Томск: РАСКО, 1992. 274 с.
9. Чалдышев В.А. // Изв. вузов. Физика. 1962. № 2. С.98 - 103.
10. Чалдышев В.А. Дис. ... канд. наук. Томск: ТГУ, 1963.
11. Чалдышев В.А., Караваев Г.Ф. // Изв. вузов. Физика. 1963. № 5. С. 103 - 105.
12. Караваев Г.Ф. Дис. ... канд. наук. Томск: ТГУ, 1965.
13. Караваев Г.Ф., Поплавной А.С. // ФТТ. 1966. Т. 8. № 6. С. 2143 - 2145.
14. Караваев Г.Ф., Поплавной А.С., Чалдышев В.А. // ФТП. 1968. Т. 2. № 1. С. 113 - 115.
15. Поплавной А.С. Дис. ... канд. наук. Томск: ТГУ, 1967.
16. Поплавной А.С., Караваев Г.Ф. // Неорг. материалы. 1968. Т. 4. № 1. С. 196 - 200.
17. Поплавной А.С. // Неорг. материалы. 1969. Т. 5. № 1. С. 498 - 501.
18. Горюнова Н.А., Белле М.Л., Златкин Л.Б. и др. // ФТП. 1968. Т. 2. № 9. С. 1344 - 1351.
19. Поплавной А.С., Полыгалое Ю.И., Чалдышев В.А. // Изв. вузов. Физика. 1969. № 11. С. 59 - 66; 1970. № 6. С. 95 - 100; 1970. № 7. С. 12 -22.
20. Goryunova N.A., Poplavnoi A.S., Polygalov Yu.l., Chaldyshev V.A. // Phys. Stat. Sol. (B). 1970. V. 39. No. 1. P. 9 - 17.
21. Pikhtin A.N., Razbegaev V.N., Goryunova N.A., et al. // Phys. Stat. Sol. (A). 1971. V. 4. P. 311 - 318.
22. Златкин Л.Б., Иванов Е.К., Караваев Г.Ф., Чалдышев В.А. // ФТП. 1971. Т. 5. № 11. С. 2058 - 2063.
23. Kovaliauskas J., Karavaev G.F., Leonov E.I., et al // Phys. Stat. Sol. (B). 1971. V. 45. P. 443 - 451.
24. Караваев Г.Ф., Кривайте Г.З., Полыгалов Ю.И. и др. // ФТП. 1972. Т. 6. № 11. С. 2211 - 2215.
25. Захаров Н.А, Чалдышев В.А. // ФТП. 1982. Т. 16. № 7. С. 1194 - 1199; 1984. Т. 18. № 2. С. 217 - 222; 1985. Т. 19. № 5. С. 842 - 847.
26. Захаров Н.А., Чалдышев В.А. // Изв. вузов. Физика. 1986. № 8. С. 19 - 40.
27. Караваев Г.Ф, Борисенко С.И // Изв. вузов, Физика. 1978. № 6. С. 28 - 34; 1982. № 1. С. 68 - 72; 1988. № 4. С. 101 - 104.
28. Борисенко С.И. Дис. ... канд. наук. Томск: ТГУ, 1986.
29. Караваев Г.Ф., Поплавной А.С., Тютерев В.Г. // Изв. вузов. Физика. 1970. № 10. С. 42 - 48.
30. Поплавной А.С., Тютерев В.Г. // Изв. вузов. Физика. 1975. № 6. С. 51 - 57; 1976. № 6. С. 109 - 113.
31. Поплавной А.С., Тютерев В.Г. // ФТТ. 1975. Т. 17. С. 313 - 316, 1055 - 1060.
32. Поплавной А.С., Тютерев В.Г// Изв. вузов. Физика. 1978. № 6. С. 39 - 43.
33. Тютерев В.Г. // ФТТ. 1995. Т. 37. № 12. С. 3553 - 3557.
34. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г. // ФТП. 1982. Т. 16. № 3. С. 432 - 439.
35. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. // Изв. вузов. Физика. 1988. № 4. С. 101 - 104; № 5. С. 117 - 119.
36. Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г., Чалдышев В.А. // ФТТ. 1988. Т. 30. № 9. С. 2753 - 2756.
37. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Скачков С.И., Тютерев В.Г. // ФТП. 1986. Т. 20. № 7. С. 1214 - 1217.
38. Борисенко С.И., Рудь В.Ю, Рудь Ю.В, Тютерев В.Г. // ФТП. 2001. Т. 35. № 6. С. 720 - 725.
39. Voevodin V.G., Grinyaev S.N. // MRS Proceedings. 2002. V. 677. P. А4.6.1 - АА4.6.6.
40. Voevodin V.G., Grinyaev S.N., Voevodina O.V// Materials Science in Semiconductor Processing. 2003. V. 6. P. 385 - 388.
41. Воеводин В.Г., Гриняев С.Н. // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск, 2003. C. 67 - 68.
42. Воеводин В.Г., Тернова Е.А. // Изв. вузов. Физика. 1984. № 2. С. 118 - 120.
43. Воеводин В.Г., Воеводина О.В. // Изв. вузов. Физика. 1993. № 10. C. 40 - 51.
44. Воеводин В.Г., Воеводина О.В., Иванова М.А. // Изв. вузов. Физика. 1990. № 3. C. 116.
45. Voevodin V.G., Voevodina O.V.. // Japan. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. Suppl. 39-1. P. 402 - 403.
46. Voevodin V.G., Voevodina O.V. // Proc. of SPIE. 1999. V. 3890. P. 75 - 81.
47. Воеводин В.Г., Тернова Е.А. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т. 21. № 3. С. 362 - 365.
48. Voevodin V.G., Voevodina O.V. // MRS Proceedings. 2002. V. 677. P. АА4.20.1 - АА4.20.6.
49. Воеводин В.Г., Воеводина О.В. Диарсенид кадмия-олова. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1988. 160 с.
50. Вяткин А.П., Воеводин В.Г. и др. // Получение, свойства и применение фосфидов. Киев: Наукова думка, 1977. С. 41 - 45.
51. Брудный В.Н., Воеводин В.Г., Воеводина О.В. и др. // Изв. вузов. Физика. 1998. № 8. C. 26 - 48.
52. Воеводин В.Г., Головин Г.М., Грибенюков А.И., Морозов В. С. // Электронная техника / ЦНИИ «Электроника». Сер. 6. Материалы. 1984. Вып. 2 (187). C. 67 - 68.
53. Voevodin V.G., Voevodina O.V. // Proc. SPIE. 1997. V. 3182. P. 359 - 362.
54. Воеводин В.Г., Березная С.А., Воеводина О.В. и др. // Современные проблемы физики и высокие технологии. Томск, 2003. C. 148 - 151.
55. Воеводин В.Г., Катаев Ю.Г., Бобровникова И.А. и др. // Изв. вузов. Физика. 1988. № 4. C. 74 - 78.
56. Воеводин В.Г., Попова Е.А. // Изв. вузов. Физика. 1989. № 12. C. 80 - 82.
57. Воеводин В.Г., Грибенюков А.И., Кривов М.А., Морозов В.С. // Изв. вузов. Физика. 1980. № 9. C. 123 - 125.
58. Бобровникова И.А., Воеводин В.Г., Нестерюк Л.Г. и др. // Изв. вузов. Физика. 1982. № 7. C. 110 - 112.
59. Воеводин В.Г. , Арбузова Г.К., Грибенюков А.И., Максимова Н.К. // Электронная техника / ЦНИИ «Электроника». Сер. 6. Материалы. 1981. Вып. 3 (152). C. 42 - 44.
60. Кривов М.А., Воеводин В.Г., Воеводина О.В. // Изв. вузов. Физика. 1985. № 2. С. 118 - 119.
61. Voevodin V.G., Voevodina O.V., Vedernikova T.V. // Inst. Physics. Conf. Ser. 1998. No. 152. P. 835 - 838.
62. Voevodin V.G., Voevodina O.V., Vedernikova T.V. // Cryst. Res. Technol. 1996. V. 31. S.I.1. P. 93 - 96.
63. Батурина Н.Л., Воеводин В.Г., Воеводина О.В. и др. // Физика и техника акустооптики: Межвуз. сб. / Под ред. Е.С. Коваленко, А.С. Пу-говкина. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1989. С. 60 - 69.
64. Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaya S.A., et al. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003. V. 64. Issues 9 - 10. P. 1755 - 1760.
65. Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaja S.A., et al. // MRS Proceedings. 2002. V. 692. P. 265 - 274.
66. Voevodin V.G., Voevodina O.V., Bereznaja S.A., et al. // MRS Proceedings. 2002. V. 719. P. 475 - 480.
67. Воеводин В.Г., Грибенюков А.И., Морозов А.Н., Морозов В.С. // Изв. вузов. Физика. 1985. № 2. С. 64 - 69.
68. Вяткин А.П, Воеводин В.Г., Воеводина О.В. и др. // Изв. вузов. Физика. 1982. № 4. С. 103 - 104.
69. Воеводин В.Г., Степанов В.Е. // Изв. вузов. Физика. 1994. № 11. С. 3 - 9.
70. Brudnyi V.N., Voevodin V.G., Voevodina O.V., Krivov M.A. // Phys. Stat. Sol. (a). V. 62. 1980. P. 155 - 162.
71. Брудный В.Н., Воеводин В.Г., Ведерникова Т.В. и др. // Изв. вузов. Физика. 1981. № 9. C. 122 - 125.
72. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г. и др. Лидарные системы и их оптико-электронные элементы. Томск: Изд-во ИОА СО РАН, 2004. 525 с.
73. Андреев Ю.М, Воеводин В.Г. и др. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. № 6. С. 1177 - 1178.
74. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Гейко П.П. и др. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. № 11. С. 2137 - 2138.
75. Андреев Ю.М, Гейко П.П., Воеводин В.Г. и др. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. № 11. С. 2252 - 2254.
76. Андреев Ю.М, Воеводин В.Г. и др. // Спектроскоп. методы зондир. атмосф. Новосибирск: Наука, 1985. С. 113 - 116
77. Андреев Ю.М, Белых АД., Воеводин В.Г. и др. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. № 4. C. 782 - 783.
78. Бетин А.А., Воеводин В.Г., Ерганов К.В. и др. // Квантовая электроника. 1991. Т. 18. № 7. C. 812 - 816.
79. VodopyanovK.L., Voevodin V.G. // Optics Communication. 1995. V. 117. № 3 - 4. P. 277 - 282.
80. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Гейко П.П. // Оптика атмосферы и океана. 2000. Т. 13. № 4. C. 401 - 406.
81. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Грибенюков А.И. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1985. Вып. 4. C. 244.
82. Андреев Ю.М., Воеводин В .Г., Гейко П.П., Грибенюков А.И. // I Болгаро-Советский сем. «Лазерные методы и средства измерения и контроля параметров окружающей среды»: Сб. докл. София: Бузлуджа, 1985. С. 252 - 259.
83. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Гейко П.П. и др. // Квантовая электроника. 1984. Т. 11. № 8. С. 1511 - 1512
84. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Гейко П.П. и др. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. № 4. C. 784 - 788.
85. Vodopyanov K.L., Mirov S.B., Воеводин В.Г., Schunemann P.G. // Optic. Commun. 1998. V. 155. P. 47 - 50.
86. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г. // Журнал прикладной спектроскопии. 1987. Т. 47. № 1. C. 15 - 20.
87. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Ведерникова Т.В. и др. // Оптика атмосферы. 1988. Т. 1. № 2. C. 103 - 105.
88. Vodopyanov K.L., Kulevskii L.A., Voevodin V.G., Gribenjukov A.I. // Optic. Commun. 1991. V. 83. No. 5 - 6. P. 322 - 326.
89. Водопьянов К.Л., Воеводин В.Г. и др. // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1985. Т. 49. № 3. C. 569 - 572.
90. Водопьянов К.Л., Воеводин В.Г. и др. // Квантовая электроника. 1987. Т. 14. № 9. C. 1815 - 1819.
91. VodopyanovK.L., Voevodin V.G. // Optic. Commun. 1995. V. 114. P. 333 - 335.
92. Voevodin V.G., Leontieva O.V. // Japan. J. Appl. Phys. 2000. V. З9. Suppl. З9-1. P. З47 - З48.
93. Voevodin V.G., Leontieva O.V. // Cryst. Res. Technol. 1996. V. З1. S.I. 1. P. 12З - 126.
94. Voevodin V.G., Leontieva O.V. // Proc. of SPIE. 1999. V. З890. P. 48 - 51.
95. Voevodin V.G., Leontieva O.V. // Proc. of SPIE. 1998. V. З485. P. З80 - З84.
96. Voevodin V.G., Leontieva O.V. // Ternary and Multinary Compounds / Inst. Physics. Conf. Ser. 1998. No. 152. P. 99З - 996.
97. Воеводин В.Г., Aхмеmбеков Г.Д., Морозов А.Н., Калеева В.А. Межмодовая интерференция в планарных оптических волноводах // Квантовая электроника. 1990. T. 17. N° 1. С. 90 - 91.
98. Воеводин В.Г., Морозов А.Н. // Физика и техника акустооптики. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1987. С. 110 - 116.
99. Воеводин В.Г., Кривов М.А., Курицын Б.А., Морозов А.Н. // Изв. вузов. Физика. 1985. M 2. С. 55 - 58.
100. Воеводин В.Г., Сmепанов В.Е. // Квантовая электроника. 1994. Т. 21. M 8. С. 791 - 792.
101. Воеводин В.Г., Давыдова Т.А., Морозов А.Н. и др. // Изв. вузов. Физика. 1990. M 11. C. 40 - 4З.
102. Воеводин В.Г., Грибенюков А.И., Морозов А.Н., Чалдышева Н.В. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 58. Вып. 2. С. 419 - 420.
103. Воеводин В.Г., Морозов А.Н., Токарев Н.А. // Интегральная оптика (физические основы, приложения) / Под ред. К.К. Светашева, Л.А. Ильиной. Новосибирск: Наука, 1986. С. 109 - 115.
104. Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi T., et al. // Extended Abstracts of 48th Spring Meeting, 2001 by Japan Society of Applied Physics. Tokyo, Japan, March 28 - З1, No. З. P.B21, 30a-ZB-2.
105. Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi T., et al. // Int. Conf. on Crystal Growth ICCG-n/ICVG-H. Kyoto, Japan, З0 July - 4 August 2001. P. 7З - 74.
106. Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi T., et al. New magnetic material in ZnGeP2-Mn chalcopyrite system // J. Cryst. Growth. 2002. V. 2З6. P. 609 - 612
107. Medvedkin G.A., Goloshchapov S.I., Voevodin V.G., et al. // 11th Int.Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia, June 2З - 28, 200З. P. NT.16p1 - NT.^.
108. Baranov P.G., Goloshchapov S.I., Medvedkin G.A., Voevodin V.G. // JETP Letters. 200З. V. 7. No. 10. P. 582 - 586.
109. Баранов П.Г., Голощапов С.И., Медведкин Г.А., Воеводин В.Г. // Письма ЖЭТФ. 200З. Т. 77. M 10. C. 686 - 690.
110. Medvedkin G.A., Goloshchapov S.I., Baranov P.G., et al. // Book of Abstr. of the 14-th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. Denver, Colorado, USA, September - October, 2004.
111. Gehlhoff W., Azamat D., Hoffmann A., and Voevodin V.G. // Book of Abstr. of the 14-th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. Denver, Colorado, USA, September - October, 2004.
112. Medvedkin G. A. and Voevodin V. G. // To be published in JOSA.
113. Baranov P.G., Goloshchapov S.I., Medvedkin G.A, et al. // 12th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia, June 21 - 25, 2004.
