CC BY
86
№ 285
ВЕСТНИК ТОМСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА Январь
2005
ИСТОРИЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАУЧНОГО И ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО НАПРАВЛЕНИЙ
А.П. Вяткин, М.А. Кривое, Л.Г. Лаврентьева
ИСТОРИЯ ОРГАНИЗАЦИИ И СТАНОВЛЕНИЯ НАУЧНОГО НАПРАВЛЕНИЯ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В ТОМСКОМ УНИВЕРСИТЕТЕ И СИБИРСКОМ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКОМ ИНСТИТУТЕ
Двадцатое столетие в науке было веком физики, развитие которой привело к достижению ряда вершин человеческого разума. Нобелевский лауреат Ж.И. Алферов [1] отмечает три открытия ХХ века, определивших на долгие годы развитие науки и техники: искусственное деление урана, транзисторы, лазеры. Среди них наиболее значимым для развития человечества является создание транзистора на полупроводниках и последовавшее за этим создание и развитие микро- и оптоэлектроники - основы современной техники связи и информатики.
Колыбелью новых физических направлений в нашей стране был Ленинградский физико-технический институт, созданный в 1918 г. по инициативе А.Ф. Иоффе (ныне ФТИ им. А.Ф. Иоффе). Именно ЛФТИ был инициатором создания ряда физико-технических институтов на территории СССР, в том числе Сибирского физико-технического института (1928) в Томске, носящего теперь имя своего организатора академика В. Д. Кузнецова. Исследования по физике полупроводников проводились в ЛФТИ и СФТИ в 20-е и 30-е гг. ХХ века. Однако уровень технологии еще не позволял полностью реализовать технические возможности полупроводников. Основные усилия ученых в эти годы были направлены на исследование механизмов электропроводности в полупроводниках и диэлектриках. Было открыто явление электронно-дырочной проводимости в полупроводниках (ЛФТИ, Я.И. Френкель). В СФТИ (В.М. Кудрявцева) изучали люминесценцию и оптические свойства широкозонных полупроводников («кристаллофосфоров» - по терминологии того времени), создавалась теория электронных состояний в твердых телах.
На принципиально новый уровень исследования в области полупроводников вышли после изобретения транзистора (1947), гетероперехода, светоизлучающего диода и интегральной схемы (1960-е).
Стало очевидным, что полупроводники - это особый класс материалов, свойства которых могут быть полностью реализованы только при условии создания технологий нового уровня (hight tech - высокие технологии). Уже в начале 1950-х гг. были разработаны технологии получения высокочистых германия и кремния в форме монокристаллов, и почти сразу же начались исследования сложных полупроводников.
Анализируя зависимости свойств материалов от их структуры, А.Ф. Иоффе высказал гипотезу об определяющем влиянии ближнего порядка (то есть типа химической связи ) на свойства твердых тел. Поскольку
идеальными полупроводниками являются кристаллы с ковалентным типом сил связи (кремний, германий), то их аналоги сложного состава с алмазоподобной структурой также должны быть полупроводниками. К таким веществам, в первую очередь, следовало отнести соединения 3-й и 5-й групп таблицы Д.И. Менделеева, общая формула которых А3В5.
Во многих странах мира начались работы по синтезу и кристаллизации этих вещества. В СССР работы по синтезу сложных полупроводников были начаты Н.А. Г орюновой в ЛФТИ. Под ее руководством и при ее непосредственном участии были синтезированы многие из бинарных полупроводников А3В5, в том числе и арсенид галлия - прямой аналог самого популярного в те годы полупроводника - германия. Позднее работы по поиску алмазоподобных полупроводников были продолжены и были синтезированы их тройные (трехкомпонентные) аналоги.
Виктор Алексеевич Преснов
За решением проблемы выращивания монокристаллов сложных полупроводников Н.А. Горюнова обращалась в ряд организаций, в том числе и в лабораторию полупроводников СФТИ. Это краткое сотрудничество в значительной мере способствовало тому, что в СФТИ начались активные работы по синтезу и кристаллизации GaAs, а в последующем - тройных полупроводниковых соединений. Установились постоянные контакты с отделом полупроводников ЛФТИ.
Первые монокристаллы GaAs были выращены практически одновременно в ЛФТИ (Ю.М. Бурдуков,
лаборатория Д.Н. Наследо-ва), в СФТИ (А.П. Изергин, лаборатория В. А. Преснова), в НИИ 311 (лаб. Н.И. Малышева).
Один из первых монокристаллов арсенида галлия, выращенный в группе А.П. Изерги-на (примерно 1958 г.)
Арсенид галлия считается наиболее перспективным материалом современной микро- и оптоэлектроники. По значимости он занимает второе место после кремния в ряду полупроводниковых материалов. GaAs стал основным материалом, на котором сотрудники лаборатории полупроводников СФТИ проводили исследования по целому ряду научных и научно-технических направлений. Эти исследования продолжаются и в настоящее время.
Первый этап развития полупроводникового направления в Томске был отмечен открытием лаборатории полупроводников в СФТИ, которое состоялось в 1954 г. и стало возможным благодаря удачному стечению ряда обстоятельств.
Во-первых, в Томске существовала одна из сильнейших школ по физике диэлектриков, созданная К.А. Водопьяновым, А.А. Воробьевым и А.М. Венде-ровичем. Специалистами этой школы в течение многих лет изучалась взаимозависимость диэлектрических свойств материалов, их состава и структуры. Лабораторией электрофизики и кафедрой диэлектриков заведовал доц. (затем проф., д.ф. -м.н) К.А. Водопьянов.
Во-вторых, в лаборатории электрофизики в конце 1940-х - начале 50-х гг. под руководством В.А. Пре-снова были начаты исследования влияния технологических факторов на структуру и свойства радиокерамики и спаев ее с металлами. Исследования возникли в связи с организацией выпуска металлокерамических радиоламп на Новосибирском радиотехническом заводе. Главный технолог завода Ю.Б. Новодворский организовал работы по созданию на базе сибирского сырья стеатитовой радиокерамики. В последующем за разработку технологии радиокерамики он был удостоен Сталинской премии. Задача, поставленная Ю.Б. Новодворским перед томичами, состояла в исследовании электрофизических свойств керамики (К.А. Водопьянов, А.П. Вяткин, В.Н. Вертопрахов) и разработке физико-химических основ процесса формирования спая керамики и металла (В.А. Преснов, М.П. Якубеня, Л.Г. Лаврентьева). Работа завершилась промышленным выпуском высококачественных СВЧ-радиоламп. Эти разработки имели известность среди специалистов [2].
В 1951 г. директор СФТИ В.Д. Кузнецов получил правительственную телеграмму, в которой институту предписывалось принять участие в выполнении рабо-
ты правительственного уровня в г. Красноярске. Необходимо было создать керамический нагреватель большой мощности для выплавки стали по новой технологии. Для этого нужно было разработать технологию получения надежного спая металлического токо-подвода с керамическим нагревателем. Работа выполнялась группой сотрудников СФТИ, в состав которой входили В.А. Преснов, А.П. Вяткин, А.П. Изергин, и была успешно завершена в течение двух лет. Изучение свойств токопроводящей керамики показало, что, несмотря на весьма сложный состав, она является типичным полупроводником. В итоге работы родилась идея заняться изучением свойств полупроводников, прежде всего полупроводников сложного состава с тем, чтобы понять взаимосвязь между составом, структурой и свойствами для таких материалов. Так в 1953 г. под руководством В.А. Преснова начались целенаправленные исследования полупроводниковых материалов в СФТИ. Вплоть до 1960 г. эти работы велись параллельно с работами по диэлектрикам.
В 1954 г. при активной научно-организационной поддержке дирекции СФТИ (М.А. Кривов) была открыта лаборатория полупроводников (приказ №95 от 14 сентября 1954 г.), в состав которой перешли ведущие сотрудники лаборатории электрофизики (М.А. Кривов, А.П. Изергин, А.П. Вяткин, С.С. Ногина, А.Г. Григорьева и др.). Появились молодые специалисты, выпускники кафедры полупроводников и диэлектриков вновь организованного РФФ ТГУ (Е.В. Малисова), первые дипломники этой кафедры (В.А. Селиванова, Т.С. Засыпкина), первые аспиранты по новой тематике (Т.С. Засыпкина и В.Ф. Сыноров). Научная задача В.Ф. Сынорова состояла в получении методом Векшинского тонких пленок полупроводников А3В5 (А18Ъ, GaSb, 1п8Ъ). Синтез пленок прошел успешно, и защита диссертации состоялась в 1956 г. В 1962 г. В.Ф. Сыноров уехал в Воронеж, позднее стал заведующим кафедрой физики полупроводников Воронежского госунивер-ситета, засл. деятелем науки СССР.
В эти же годы на радиофизическом факультете ТГУ начинается подготовка специалистов по физике полупроводников. Специализация по физике полупроводников была открыта на базе кафедры физики диэлектриков в 1951 г. В 1956 г. в связи с отъездом заведующего кафедрой профессора К.А. Водопьянова в г. Горький кафедра физики диэлектриков была закрыта. Специализация по физике полупроводников сохранилась, была присоединена к кафедре электромагнитных колебаний, а в 1957 г. преобразована в кафедру полупроводников и диэлектриков. Кафедру возглавил В.А. Преснов, а первыми штатными сотрудниками стали его бывшие аспиранты В.Ф. Сыноров и Л.Г. Лаврентьева. В проведении занятий на кафедре активно участвовали сотрудники лаборатории полупроводников (М.А. Кривов, А.П. Изергин, А.П. Вяткин, М.П. Якубеня, Е.В. Малисова, К.С. Иванов) и лаборатории теоретической физики (В.А. Чалдышев). Лабораторные работы по спецпредметам проводились на оборудовании лаборатории полупроводников. Учебный план кафедры был составлен с учетом новых тенденций в развитии физики полупроводников. Он включал предметы по электронике полупроводников (физика
М.А. Кривов, Л.Г. Лаврентьева и А.П. Вяткин в лаборатории полупроводников СФТИ, 1970 г.
полупроводников, физика полупроводниковых приборов, физика поверхности, теория полупроводников) и по материаловедению полупроводников (физическая химия полупроводников, кристаллография и кристаллохимия, рентгеноструктурный анализ, основы технологии полупроводников).
С самого начала работ по полупроводникам В.А. Преснов ставил задачу организовать коллектив, способный решать серьезные научные и практические задачи на уровне ведущих коллективов страны. В лаборатории формируются группы по основным научным направлениям: технологии выращивания монокристаллов полупроводников (группа
А.П. Изергина), изучению физических свойств полупроводников (группа М.А. Кривова), физике полупроводниковых приборов (группа А.П. Вяткина), исследованию структуры полупроводников (группа М.П. Якубеня) и полупроводниковых пленок (группа Л.Г. Лаврентьевой). В последующем (1973) на базе этих групп сформировались лаборатории отдела физики полупроводников. В.А. Преснов заинтересовал новым делом и другие коллективы. К исследованию полупроводников подключились кафедра аналитической химии химфака ТГУ (заведующий кафедрой Г.А. Катаев), где разрабатывали методы химического анализа полупроводников (З.И. Отмахова) и методы защиты поверхности полупроводников (И.И. Отмахов), и лаборатория теоретической физики СФТИ (заведующий В.А. Чалдышев), где начались работы по расчету структуры энергетических зон сложных полупроводников. Образовались рабочие контакты с лабораторией электроники СФТИ (В.Н. Детинко) и кристаллографии ТГУ (С.А. Строителев). Начал работать семинар по физике полупроводников, направленный на повышение квалификации сотрудников. Наряду с обычными докладами по конкретным работам и реферированием опубликованных статей, на семинаре читались лекции по электронной теории твердого тела (В.А. Чалдышев), по физике полупроводников (В.А. Преснов, М.А. Кривов), по физике полупроводниковых приборов (А.П. Вяткин), по методам кристаллизиции из расплава (А.П. Изергин), по кристаллографии (С.А. Строителев), по диаграммам состояния (Ф.И. Терпугов, ХФ ТГУ), по физической химии (Г.А. Катаев, ХФ ТГУ) и др. Студенты кафедры не только пополняли коллектив новыми молодыми кадрами, но принимали активное участие в выполнении исследований по новой тематике.
Постепенно создавалась технологическая база для очистки веществ, для выращивания полупроводниковых кристаллов и пленок, для создания сплавных контактов металл - полупроводник, для химического анализа высокочистых веществ и т.д. Поскольку работать приходилось с вредными веществами (мышьяком и его производными), проблеме техники безопасности уделялось серьезное внимание. Тем не менее полностью избежать случаев разрушения кварцевых технологических систем не удавалось. Время от вре-
мени ампулы взрывались, но находчивость и быстрота реакции А.П. Изергина позволяли быстро локализовать аварийную ситуацию, не допустить существенной утечки вредных веществ.
На первом этапе (1950 - 60-е) в лаборатории полупроводников СФТИ и сотрудничавших с нею коллективах по инициативе и при непосредственном участии
В.А. Преснова был выполнен ряд приоритетных разработок:
1) создана технология синтеза и выращивания монокристаллов GaAs (группа А.П. Изергина: В.А. Селиванова, Ю. Павленко, А.Г. Григорьева, С.П. Темных);
2) разработаны технологии очистки мышьяка и химического анализа высокочистых веществ (А.П. Изер-гин, С.В. Малянов, С.А. Строителев, Г.А. Катаев,
З.И. Отмахова);
3) создана технология выращивания эпитаксиальных слоев GaAs (В.А. Преснов, Л.Г. Лаврентьева, М.Д. Вилисова, В.С. Мурашко);
4) поставлены технологии изготовления сплавных (А.П. Вяткин, А.П. Васильев, У.М. Кулиш), точечных (А.П. Вяткин, С.И. Новотный, А.А. Вилисов), диффузионных (А.П. Вяткин, С.С. Хлудков, С.В. Машнин, Т.Т. Лаврищев) GaAs-диодов;
5) поставлены методы оценки структурного совершенства монокристаллического и эпитаксиального GaAs (Б.Г. Захаров, М.П. Якубеня, О.М. Ивлева);
6) разработаны методы применения теории нагруженных копредставлений групп симметрии к расчету энергетического спектра электронов в сложных алмазоподобных полупроводниках (В.А. Чалдышев,
А.С. Поплавной). Экспериментальные работы выполнялись по заказам оборонных предприятий Москвы и Ленинграда. Заказчиками теоретических расчетов выступали академические институты, в том числе ФТИ им. А.Ф. Иоффе.
Финансирование работ велось частично за счет госбюджета, но, главным образом, за счет хоздоговоров с предприятиями Москвы и Ленинграда. Так, например, разработка технологии выращивания монокристаллов выполнялась для НИИ 311 и Гиредмета, который в это время только начинал включаться в по-
лупроводниковую тематику. Разработанный А.П. Изер-гиным метод создания квазизамкнутого объема в кристаллизационной установке (так называемый «мышьяковый затвор») прошел успешные испытания у заказчика и получил авторское свидетельство. Разработка технологии изготовления диодов на основе ар-сенида галлия проводилась для московских предприятий НИИ 35 и НИИ 311, выпускавших полупроводниковые приборы для оборонной промышленности. Работы по эпитаксии полупроводников возникли и стали развиваться после встречи В.А. Преснова с генеральным конструктором и директором Ленинградского КБ Ф.Г. Старосом (прибывшим в СССР из США), разработчиком малогабаритных цифровых вычислительных машин. Таким образом, наши специалисты работали в связке с ведущими научнопроизводственными фирмами.
Работы по новому направлению активно поддерживались Минвузом РСФСР. Увеличивался набор студентов, открывались специальные кафедры и проблемные научно-исследовательские лаборатории в вузах. В 1957 г. в ТГУ были открыты проблемные лаборатории физики полупроводников (на РФФ) и химии полупроводников (на ХФ). В Минвузе РСФСР был создан Научный совет по микроэлектронике, в задачи которого входил контроль за подготовкой кадров по микроэлектронике и за тематическим госбюджетным финансированием наиболее актуальных задач в этом научном направлении. Головными вузовскими центрами работ по микроэлектронике были ОКБ МЭИ (руководитель А.Ф. Богомолов, а позднее К.К. Морозов) и Таганрогский радиотехнический институт с производственной базой на заводе электротехнического оборудования (ТЗЭТО). Председателем Совета по микроэлектронике в течение многих лет был Л.Н. Колесов (ТРИ, Таганрог). Позднее Совет перешел в подчинение Минвуза СССР, председателем совета был назначен И.П. Степаненко (МИФИ, Москва), а позднее К.К. Морозов (МЭИ). Томский госунивер-ситет в этом совете представляли вначале В.А. Пре-снов, а затем А.П. Вяткин.
В это же время были созданы несколько научных советов АН СССР. Среди них Научный совет по физико-химическим основам материаловедения полупроводников, председателем которого была профессор МГУ А.В. Новоселова. Совет имел Сибирскую секцию, председателем которой был Ф.А. Кузнецов (зав. отделом технологии микроэлектроники Института неорганической химии СО АН СССР), а его заместителем - А.П. Вяткин. В состав Совета входил ряд томичей: А.Г. Стромберг (ТПИ), Г.А. Катаев (ТГУ), А.П. Вяткин, Л.Г. Лаврентьева (СФТИ). Данный Совет существует и в настоящее время, функцию председателя выполняет акад. Ф.А. Кузнецов, одним из членов Совета является Л.Г. Лаврентьева.
Лаборатория полупроводников СФТИ приобретала авторитет, ее доклады были представлены на всех научных конференциях по полупроводникам. Оценка уровня и значимости работ, выполнявшихся в Томске, проявилась и в том, что Томскому госуниверситету было поручено организовать Всесоюзную научную конференцию по физике поверхностных и контактных явлений в полупроводниках. Она состоялась в Томске
в сентябре 1962 г. при активном участии специалистов из Москвы, Ленинграда, Киева, Кишинева, Саратова, Новосибирска и других городов. Конференция открывалась докладом В.А. Преснова «Роль поверхностных и контактных явлений в работе полупроводниковых приборов». В трудах конференции [3] опубликовано 54 доклада, что соответствовало уровню лучших всесоюзных конференций тех лет.
Вопреки существовавшей тогда общей тенденции, выражавшейся в постепенном переходе от германия к кремнию, а затем уже к более сложным полупроводникам, коллектив томских исследователей сразу стал осваивать арсенид галлия. Этот новый, тогда еще совершенно неизученный материал обещал быть интересным [4], что начало подтверждаться уже в первых работах по изучению его свойств [5]. На конференции по поверхностным и контактным явлениям томичи представили ряд докладов по арсениду галлия.
В 60-е гг. интерес к GaAs возрос настолько, что начали проводиться международные научные конференции по арсениду галлия (1-я в 1966, 2-я в 1968) [6]. С учетом специализации томской науки В.А. Преснов предложил организовать в Томске в 1965 г. всесоюзную конференцию по арсениду галлия. Предложение получило поддержку в ТГУ, Минвузе РСФСР, в АН СССР, и в сентябре 1965 г. в Томске было проведено 1-е научное совещание (Всесоюзная конференция) по исследованию арсенида галлия и опубликованы его труды [7]. Всего было организовано восемь таких конференций-совещаний (1965, 1968, 1974, 1978, 1982, 1987, 1999, 2002). Конференции проходили с участием ведущих специалистов вузов, академических и отраслевых институтов из многих городов СССР. Сравнение трудов томских и международных конференций по ар-сениду галлия показывает, что тематика и уровень исследований были достаточно близкими. Несмотря на наличие барьера, существовало негласное соревнование двух систем, на первом этапе вполне успешное. Лишь в 70-х гг. разрыв между уровнем работ «у нас» и «у них» начинает увеличиваться. В первую очередь, это было вызвано недостаточным финансированием работ «у нас».
Отметим, что на первых порах при выполнении работ по арсениду галлия была определенная конкуренция и какая-то взаимная настороженность ленинградского и томского полупроводниковых коллективов и их лидеров Д.Н. Наследова и В.А. Преснова. Эта ситуация в корне изменилась после такого эпизода. На конференции по р - п-переходам в Ташкенте (1961), организованной Д.Н. Наследовым, состоялось два доклада, представленных учениками Д.Н. Насле-дова и В.А. Преснова - Б.В. Царенковым и А.П. Вят-киным. Доклады прошли хорошо и отчетливо показали, что работы, проводимые в этих коллективах, взаимно дополняют друг друга. Завязалась многолетняя дружба. Томичи стали частыми гостями в лаборатории Д.Н. Наследова, а ленинградцы - постоянными участниками конференций по арсениду галлия в Томске. Так, на одной из томских конференций обзорный доклад по гетеропереходам делал Ж.И. Алферов - будущий лауреат Нобелевской премии по этому научному направлению.
Коллектив лаборатории полупроводников, 1968 г.
Второй этап в развитии полупроводникового направления в Томске связан с организацией НИИ полупроводниковых приборов (ныне ОАО «НИИПП»). Научные исследования в области полупроводников, как правило, имеют прикладное значение, которое может быть реализовано при условии внедрения разработок в промышленное производство. Поэтому немало усилий было приложено, чтобы организовать отраслевой институт соответствующего профиля в Томске. Решение о строительстве в Томске НИИ, включающего опытное производство полупроводниковых приборов, было принято Госкомитетом по радиоэлектронике СМ СССР в 1960 г., а в 1964 г. НИИ полупроводниковых приборов вступил в число действующих (приказ Госкомитета по электронной технике СМ СССР №2 от 04.01.1964). Директором института был назначен профессор В.А. Преснов, ряд сотрудников ТГУ и СФТИ стали руководителями научных подразделений НИИПП (С.С. Хлудков, Л.Л. Люзе, Е.К. Брыснев, Г.Ф. Караваев, Ю.К. Пантелеев, И.К. Ковалев, В.Г. Божков). В последующие годы коллектив НИИПП пополнялся за счет выпускников ТГУ и других томских вузов (ТПИ, ТИАСУРа).
Таким образом, в 1960-е гг. в Томске был создан прецедент организации НИИ на базе исследовательских коллективов ТГУ и СФТИ. В дальнейшем он повторялся при организации НИИ ТФ СО РАН.
Отметим, что примерно в это же время в СО АН СССР решался вопрос об организации Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники (будущего Института физики полупроводников) на базе существовавшего в Новосибирске Института радиофизики и электроники (ИРЭ СО АН), в котором уже существовало полупроводниковое направление [8]. Вопрос о переходе В.А. Преснова в ИРЭ был согласован на уровне обкома КПСС, однако встретил возражения в Президиуме СО АН при обсуждении научной тематики будущего института. Вопрос был снят после назначения В.А. Преснова директором НИИПП. После организации в Сибирском отделении Института физики полупроводников (1964, директор
A.В. Ржанов) и отдела микроэлектроники в Институте неорганической химии (зав. отделом Ф.А. Кузнецов) у томичей появились возможности частого и активного научного общения с коллегами на конференциях, проводимых этими институтами, а также общения с сотрудниками лабораторий, близких по тематике (лаборатории А.Ф. Кравченко, Л.Н. Александрова,
С.И. Стенина в ИФП, Ф.А. Кузнецова, В.И. Белого,
B.Н. Вертопрахова, Г.А. Коковина в ИНХ), и, таким образом, существенно ослабла научная изоляция, обусловленная удаленностью Томска от Москвы и Ленинграда.
Под научным руководством В.А. Преснова в НИИПП были сформированы основные научно-производственные направления, ориентированные на использование арсенида галлия и его аналогов в излучающих и СВЧ-приборах. Были выполнены разработки соответствующих приборов, налажен их выпуск. В этот же период сформировалось тесное сотрудничество теоретиков и экспериментаторов, направленное на изучение материалов и процессов, перспективных для применения в приборах. Со временем ряд сотрудников НИИПП стали докторами наук (В.Г. Божков,
Н.П. Криворотов, А.А. Вилисов), кандидатами наук (Н.Н. Бакин, Е.В. Олексив, Л.Г. Шаповал, И.Д. Романова, Г.Ф. Карлова, К.И. Куркан и др). Научные направления, сформировавшиеся в НИИПП еще в 1960 - 70-е гг., являются основными и в настоящее время. Они позволили институту выжить в тяжелые 1990-е гг. и успешно развиваться в новых экономических условиях. По ряду обстоятельств в 1968 г.
В.А. Преснов покинул Томск, перейдя на работу в Одесский госуниверситет. В течение всей работы в ОГУ (1968 - 1987) В.А. Преснов поддерживал связи с томскими «полупроводниками».
С 1962 г. лабораторией полупроводников, а затем (с 1974) и отделом физики полупроводников СФТИ стал заведовать А.П. Вяткин, возглавлявший эти подразделения СФТИ в общей сложности 33 года.
После перехода В.А. Преснова в НИИПП кафедрой полупроводников ТГУ стал руководить доцент
(с 1969 г. - профессор) В.И. Гаман (1964 - 2000). Кафедра переработала свой учебный план таким образом, чтобы готовить специалистов по полупроводниковой электронике. Позднее ее название было приведено в соответствие с учебным планом, и с 1983 г. она называется кафедрой полупроводниковой электроники. С декабря 2000 г. кафедрой заведует проф.
В.П. Гермогенов.
Для подготовки специалистов в области физики полупроводниковых материалов в 1982 г. была организована специализация по физике полупроводников на кафедре физики твердого тела физического факультета ТГУ. На базе этой специализации в 1991 г. была открыта кафедра физики полупроводников. Руководителем специализации и кафедры была проф. Л.Г. Лаврентьева. С 2002 г. кафедрой заведует проф. И.В. Ивонин.
Таким образом, в 1950 - 60-е гг. в Томске сложился уникальный научный, образовательный и промышленно-отраслевой комплекс по физике и технике полупроводников, способный решать актуальные научно-технические проблемы, выпускать промышленную продукцию (в том числе, для оборонной и космической техники) и осуществлять подготовку кадров от студентов до докторов наук. В 1968 г. Томск посетили президент АН СССР М.В. Келдыш, министр высшего образования СССР В.Н. Столетов, председатель ГК по науке и технике В.А. Кириллин, председатель Президиума СО АН СССР М.А. Лаврентьев. В СФТИ М.В. Келдыш уделил значительное внимание знакомству с лабораторией полупроводников, ее научными направлениями и результатами. Выступая перед научной общественностью Томска, М.В. Келдыш отметил достижения томских вузов и подчеркнул, что должна быть существенно повышена роль науки в развитии современных технологий и в организации промышленного производства.
Научно-технические результаты по технологии и физике полупроводников, полученные коллективами СФТИ и НИИПП, имели важное значение для страны, и в 1973 г. было решено совместно с институтами СО РАН (Институтом физики полупроводников и Институтом неорганической химиии) представить на соискание Государственной премии СССР работу «Исследование физико-химических закономерностей эпитаксии и физических свойств арсенида галлия, разработка технологии и внедрение в серийное производство арсенидо-галлиевых приборов электронной техники» (В.А. Преснов, М.А. Кривов, А.П. Вяткин, Л.Г. Лаврентьева, Л.Л. Люзе, Ю.К. Пантелеев, Ф.А. Кузнецов,
A.Ф. Кравченко, Ю.Е. Марончук). Несмотря на хорошие отзывы, в 1974 г. работа по конкурсу не прошла. Было предложение представить ее в следующем году, но сделать это не удалось из-за больших организационно-технических трудностей, возникших в коллективе СФТИ в связи с преобразованием лаборатории в отдел и переездом в новый лабораторный корпус.
Третий этап развития полупроводникового направления начался в 1973 г. с преобразования лаборатории полупроводников СФТИ в отдел физики полупроводников (зав. А.П. Вяткин) в составе 7 лабораторий:
- лаборатории теоретической физики (зав.
B.А. Чалдышев);
- лаборатории физики полупроводников (зав.
С.С. Хлудков);
- лаборатории эпитаксиальных структур (зав. Л.Г. Лаврентьева);
- лаборатории физики полупроводниковых приборов (зав. А.А. Вилисов);
- лаборатории физики диэлектрических структур (зав. В.М. Нестеров);
- лаборатории люминесценции полупроводников (зав. П.Е. Рамазанов);
- химико-технологической лаборатории (зав.
B.А. Санников).
В целом тематика лабораторий была взаимосвязана общими задачами, но каждая лаборатория приобрела свое научное направление. На данном этапе был создан работоспособный коллектив, обладающий достаточно высоким научным потенциалом, научными связями и научным авторитетом. Тематика отдела была весьма актуальной и практически востребованной. Основные научные направления отдела физики полупроводников (1974):
1) теоретические исследования электронных состояний в сложных полупроводниках и сверхрешетках;
2) изучение электронных свойств GaAs, легированного примесями переходных металлов (Cr, Fe), а также подвергнутого облучению высокоэнергетическими частицами;
3) исследования кинетики роста и легирования слоев GaAs и других соединений А3В5 в условиях газофазовой эпитаксии;
4) изучение влияния условий изготовления на свойства p - n-переходов, структур металл - полупроводник и приборов на их основе;
5) синтез и кристаллизация полупроводниковых соединений A2B4c! как материалов для нелинейной оптики ИК-диапазона;
6) разработка технологий обработки поверхности полупроводников.
В последующие годы (после кончины П.Е. Рамазанова и В.А. Санникова) лаборатории люминесценции и химико-технологическая были объединены и преобразованы в лабораторию полупроводникового материаловедения (зав. лаб. В.Г. Воеводин). Основная тематика этой лаборатории - синтез, кристаллизация, исследование и применение тройных (трехкомпонентных) алмазоподобных полупроводников. Лаборатория диэлектриков после кончины В.М. Нестерова также изменила тематику, стала заниматься проблемами радиодефектоскопии (зав. лаб. Г.И. Тюльков) и перешла в отдел радиофизики СФТИ.
На этом этапе (1970 - 80-е гг.) были получены следующие наиболее важные научные результаты:
1. Разработана теория транспорта фотовозбужден-ных электронов в кристаллах. Проведен расчет зонной структуры и квантового выхода для ряда фотоэмиссион-ных материалов. Построена теория электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках со сложной структурой. Выполнены расчеты энергетического спектра электронов полупроводников А2В4С52 и многослойных квантово-размерных структур сложного состава. Подготовлено 11 канд. наук, пятеро из которых - Г.Ф. Караваев, А.С. Поплавной, Ю.И. Полыгалов, В.Г. Тютерев,
C.И. Борисенко - позднее стали докторами наук.
Лыжные соревнования в отделе физики полупроводников
2. Проведены исследования влияния собственных точечных дефектов на смещение уровня Ферми в полупроводниках. Показано, что для каждого кристалла существует предельное положение уровня Ферми (¿Шо), которое не зависит от способа введения дефектов. Докт. дис.: В.Н. Брудный, В.В. Пешев, 2 канд. дис.
3. Проведены детальные исследования диффузии донорных, акцепторных, амфотерных и глубоких примесей в GaAs. Разработана технология изготовления 5-диодов и п - V - п-структур путем диффузионного легирования GaAs примесями переходных металлов. Докт. дис.: С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, 5 канд. дис.
4. Проведены исследования кинетики и механизма роста и захвата легирующих примесей в условиях газофазовой эпитаксии полупроводников А3В5, определены оптимальные условия процесса газофазовой эпитаксии GaAs в различных технологических системах. Докт. дис.: Л.Г. Лаврентьева, И.В. Ивонин, 10 канд. дис.
5. Изучено влияние условий изготовления и внешних воздействий на электрические характеристики барьерных структур различного типа: барьеров Шотт-ки, р - п-переходов, туннельных диодов, гетеропереходов, МДП-структур из GaAs, GaSb, твердых растворов AlGaAs, AlGaSb, InGaAs, InGaAsP. На основе установленных механизмов тензо- и термочувствительности структур созданы датчики статических, переменных и импульсных давлений. Подготовлено 8 канд. наук, трое из которых - В.П. Гермогенов, Н.Г. Филонов, Н.П. Криворотов - стали докторами наук.
6. Изучены физико-химические закономерности процессов синтеза и кристаллизации соединений A2B4C|, разработана технология синтеза соединений и
технология выращивания крупных монокристаллов. Определены условия постростового воздействия на кристаллы, позволяющие целенаправленно изменять физические свойства этих материалов. Предложен динамический вариант двухтемпературного синтеза соединения ZnGeP2, существенно увеличивающий производительность процесса. Подготовлено 5 кандидатов наук, из которых двое - В.Г. Воеводин, О.В. Воеводина - стали докторами наук.
7. Отлажена технология резки и финишной обработки пластин GaAs, InP различной кристаллографической ориентации, необходимых для выращивания эпитаксиальных слоев.
В 1970-е гг. в отделе радиоэлектроники СФТИ (зав. отделом В.Н. Детинко) были начаты исследования фотоэлектрических свойств полупроводников в СВЧ-поле, сконцентрированном в малом объеме. Были созданы запредельные СВЧ-резонаторы, в емкостном зазоре которых помещались полупроводниковые образцы. Исследования проводились под руководством А.С. Петрова и завершились разработкой высокочувствительных приемников излучения с СВЧ-смещением. Главное достоинство СВЧ-смещения заключается в отсутствии контактов и устранении нежелательных явлений, связанных с ними, таких, как инжекция и экстракция носителей заряда. В работах А.В. Войцеховского, Ю.В. Медведева, Г.И. Тюлькова, Н.П. Солдаткина, А.А. Ушеренко были исследованы электрофизические, фотоэлектрические, рекомбинационные и флуктуационные свойства ряда полупроводников (кремния, германия, легированного золотом и цинком, GaAs, легированного медью и марганцем, CdHgTe и др. Фоторезисторы, созданные на основе исследованных полупроводников, были использованы как активные элементы фотоприемных устройств. Использование СВЧ-смещения оказалось перспектив-
ным и в детекторах ионизирующего излучения. За работы в области фотоэлектроники группа сотрудников лабораторий А.П. Вяткина и А.С. Петрова (В.П. Воронков, Б.А. Наливайко, А.С. Петров, Н.П. Солдат-кин, Ю.С. Михеев, Г.И. Тюльков, Ю.В. Медведев) в 1974 г. была удостоена третьей национальной премии СССР (премии Ленинского комсомола). В дальнейшем развитие этих исследований шло по двум направлениям: бесконтактная метрика полупроводников (руководитель Ю.В. Медведев) и фотоэлектрические свойства полупроводников А2Вб и А4Вб (Н§СёТе, РЬБпТе) и ИК-детекторы на их основе (руководитель А.В. Войцеховский).
Четвертый этап развития полупроводникового направления (с 1989) относится к периоду экономических реформ. Резкое сокращение финансирования и усиление роли рыночной экономики потребовали перестройки организационной структуры отдела и изменения расстановки кадров. В 1995 г. отдел физики полупроводников СФТИ был преобразован в 3 отдела:
1) отдел (лаборатория) теоретической физики (зав. Г.Ф. Караваев);
2) отдел физики полупроводников (зав. В.Н. Бруд-ный) в составе двух лабораторий:
- лаборатории эпитаксиальных структур (зав. И.В. Ивонин),
- лаборатории полупроводникового материаловедения (зав. В.Г. Воеводин);
3) отдел физики полупроводниковых приборов (зав. О.П. Толбанов) в составе двух лабораторий:
- лаборатории физики полупроводников (зав. А.В. Тяжев),
- лаборатории полупроводниковых приборов (зав. О.В. Анисимов).
В 2004 г. отдел теоретической физики присоединился к отделу физики полупроводниковых приборов.
К управлению научными коллективами пришло новое поколение руководителей. Не обошлось и без потерь: рано ушли из жизни зав. лаб. физики полупроводниковых приборов В.П. Воронков (1999), зав. лаб. полупроводникового материаловедения В.Г. Воеводин (2004). Общая численность работающих в трех отделах снизилась в 3,5 раза.
Несмотря на сокращение численности, удалось сохранить и развить наиболее важные научные направления:
1) Теоретические исследования электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах, сверхрешетках и резонансно-туннельных структурах (ЛТФ).
2) Изучение электронных состояний, образуемых примесно-дефектными кластерами, механизмов закрепления уровня Ферми и формирования барьеров на границах металл - полупроводник (ЛЭС ОФП).
3) Изучение процессов роста и дефектообразова-ния в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии сложных полупроводников (ЛЭС ОФП).
4) Разработка технологических основ создания новой элементной базы нелинейной и интегральной оптики среднего ИК-диапазона на основе бинарных и тройных полупроводниковых соединений (ЛПМ ОФП).
5) Исследование механизмов газочувствительно-сти и тензочувствительности элементарных и сложных полупроводников, разработка технологии сенсоров газов и датчиков давлений (ЛПП ОФПП).
6) Разработка технологии производства квантовочувствительных детекторных структур на основе GaAs, работающих в режиме идентификации и счета квантов и заряженных частиц, для использования в ядерной физике, медицине (рентгеновская и у-диаг-ностика), промышленности (методы неразрушающего контроля) (ЛФП ОФПП).
За период 1998 - 2004 гг. были получены существенные научные и практические результаты:
1) Разработаны модели электронных процессов в наноструктурах на основе арсенидов и нитридов галлия, алюминия и их твердых растворов с различной кристаллографической ориентацией гетерограниц. Исследовано влияние плавного изменения потенциала вблизи гетерограницы на процессы электронного транспорта.
2) Проведены расчеты глубоких энергетических уровней антиструктурных дефектов в сложных полупроводниках.
3) Развиты теоретические модели, позволяющие предсказать положение уровня Ферми в объеме дефектного полупроводника и на границах раздела металл - полупроводник.
4) В условиях низкотемпературной молекулярнолучевой эпитаксии GaAs, InGaAs изучены закономерности захвата избыточного мышьяка, формирование мышьяковых преципитатов (кластеров) и влияния кластеров на свойства материала.
5) Созданы физические модели элементарных процессов роста эпитаксиальных слоев с учетом влияния сурфактантов и легирующих примесей.
6) Разработаны физические и технологические основы создания новой элементной базы нелинейной и интегральной оптики среднего ИК-диапазона на основе полупроводниковых соединений GaSe, ZnGeP2, CdGeAs2. Создана технология производства монокристаллов.
7) Изучены закономерности взаимодействия различных газовых сред с полупроводниковыми структурами на основе Si, GaAs, SnO2. Создана технология изготовления газовых сенсоров и аппаратура обработки сигналов.
8) На основе соединений A3B5 с глубокими центрами созданы полупроводниковые диффузионные и эпитаксиальные структуры нового типа, а на их основе - ряд приборов в дискретном и интегральном исполнении: детекторы заряженных частиц, гамма- и рентгеновского излучения, фотоприемники видимого и ИК-диапазона, быстродействующие формирователи импульсов с пикосекундными фронтами.
В труднейших экономических условиях, сложившихся в науке, связь с кафедрами позволила сохранить в коллективе ведущих специалистов. Переход в докторантуру и большой научный задел позволил среднему по возрасту составу нашего коллектива успешно защитить за последнее десятилетие 16 кандидатских и девять докторских диссертаций (В.П. Гермогенов, И.В. Ивонин, О.П. Толбанов, Н.Г. Филонов,
А.А. Вилисов, Н.П. Криворотов, О.В. Воеводина,
В.Г. Воеводин, С.И. Борисенко). Продолжают интенсивно работать по основным научным направлениям ряд высококвалифицированных сотрудников (кандидаты наук: М.Д. Вилисова, И.А. Бобровникова, Н.К. Максимова, В.М. Калыгина, ведущие специалисты: С.С. Щеголь, Е.В. Черников, В.А. Новиков, Т.А. Давыдова, В.И. Балюба, С.А. Березная, З.В. Ко-ротченко).
Достаточно высокий научный уровень работ и имевшийся научно-технический задел позволили приспособиться к новым условиям, найти практическое применение научным результатам. Наиболее способные и предприимчивые сотрудники начали успешно осваивать современную школу менеджмента, маркетинга и вхождения в инновационные проекты. Значительных успехов в этом направлении добились зав. отд. О.П. Толбанов, зав. лаб. В.Г. Воеводин, а также молодые сотрудники - А.В. Тяжев, О.В. Анисимов, организовавшие и ведущие работу по практически важным научным направлениям: 1) полупроводниковые сенсоры; 2) детекторы ионизирующих излучений;
3) нелинейная оптика на основе полупроводников сложного состава.
СФТИ одним из первых в СССР начал разработку нового научно-технического направления - фундаментальные исследования и создание полупроводниковых датчиков различного назначения. Работа ведется по нескольким направлениям: сенсоры давления, сенсоры температуры, сенсоры газов. К настоящему времени выполнены физические исследования и разработан ряд приборов для угледобывающей, нефтяной и газовой отраслей промышленности. Приборы поставляются также по заказам зарубежных фирм.
На основе соединений A3B5 с глубокими центрами разрабатываются диагностические системы для меди-
цины, позволяющие существенно снизить дозовые нагрузки на пациента, а также системы промышленной томографии. Создана технология производства и осуществляются поставки детекторов по заказам зарубежных фирм.
В СФТИ разработаны физические и технологические основы создания новой элементной базы нелинейной и интегральной оптики на основе соединений ZnGeP2, CdGeAs2, GaSe. Создана технология производства кристаллов и нелинейных элементов для параметрического преобразования частоты лазеров среднего ИК-диапазона, предложены перспективные варианты структур для планарных нелинейнооптических волноводов. Работы выполняются по заявкам зарубежных фирм.
В настоящее время научный коллектив специалистов, работающих в Томском госуниверситете и его подразделениях, объединен в научную школу «Физика сложных полупроводниковых соединений и структур» [9], основоположником которого был В.А. Пре-снов [10]. Ниже приведен список трудов (монографий [11 - 17] и сборников статей-докладов на конференциях по арсениду галлия в Томске [18 - 30]), в которых отражено развитие полупроводникового направления в Томске. По данному научному направлению было защищено более 40 докторских и более 150 кандидатских диссертаций.
Заканчивая краткий обзор нашей 50-летней истории, хочется выразить уверенность в том, что дело, которому старшее поколение нашего коллектива посвятило всю свою трудовую жизнь, не только живет, но и дальше будет успешно развиваться, а научная работа вновь станет для молодых притягательной и перспективной.
ЛИТЕРАТУРА
1. АлферовЖ.И. Физика и жизнь. М.: Наука, 2001.
2. Преснов В.А., Новодворский Ю.Б., Якубеня М.П. Основы техники и физики спая. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1961.
3. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках / Под ред. В.А. Преснова. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1964. 504 с.
4. Алферов Ж.И., Царенков Б.В. Полупроводники АШВУ - 35 лет // ФТП. 1985. Т. 19. № 12. С. 2113 - 2117.
5. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение // Монография под ред. Ф.П. Кесаманлы и Д.Н. Наследова. М.: Наука, 1973. 471 с.
6. Gallium arsenide. Proc. Of 1-st Int. Symp. London, 1966 / Арсенид галлия: Пер. с англ. под ред. А.А. Визеля. М.: Сов. радио, 1972. 304 с.
7. Арсенид галлия // Труды 1-го Всес. совещ. Томск / Под ред. М.А. Кривова, Л.Г. Лаврентьевой, В.А. Преснова. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. 502 с.
8. 40 лет Институту физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук / Ред. И.Г. Неизвестный, Э.В. Скубневский. Новосибирск, 2004. 375 с.
9. Ведущие научно-педагогические коллективы Томского государственного университета: Справочник / Сост. Г.Е. Дунаевский, Т.П. Ас-тафурова, Т.С. Краснова / Под ред. Г.В. Майера. Томск: Изд-во Том. ун-та, 2003. 198 с.
10. Преснов Виктор Алексеевич и развитие физики полупроводников в Томске // Физики о физике и физиках: Сб. ст. под ред. И.Н. Анохи-
ной. Томск: Изд-во НТЛ, 1998. С. 57 - 67.
11. Воеводин В.Г., Воеводина О.В. Диарсенид кадмия-олова. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. 160 с.
12. Полупроводники А2В4С52 / А.С. Борщевский, А.А. Вайполин, Ю.А. Валов, Н.А. Горюнова, Ф.П. Кесаманлы, А. Назаров, В.Д. Прочухан, В.А. Чалдышев / Колл. монография под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова. М.: Сов. радио, 1974. 374 с.
13. Проблемы физической химии поверхности полупроводников / Под ред. А.В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1978. 288 с. (Раздел 1. Глава 1. Теория поверхностных состояний в полупроводниках / В.Е. Степанов, В.А. Чалдышев, В.Н. Чернышов. С. 5 - 43).
14. Мокроусов Г.М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1990. 230 с.
15. Элементная база оптико-электронных приборов / Колл. монография под общ. ред. В.Е. Зуева, М.В. Кабанова. Томск: МП «РАСКО», 1992. 274 с. (3 главы по полупроводникам: Глава 2. Андреев Ю.М., Воеводин В.Г., Вяткин А.П., Зуев В.В. Нелинейные оптические кристаллы А2В4С52 для преобразования излучения ИК-лазеров (с. 46 - 100). Глава 4. Воеводин В.Г., Морозов А.П. Интегрально-оптические устройства для преобразования лазерного излучения (с. 131 - 167). Глава 7. Воронков В.П., Вяткин А.П., Петров А.С., Солдаткин Н.П. Полупроводниковые приемники излучения для ближней ИК-области спектра (с. 209 - 234)).
16. Брудный В.Н., Пешев В.В., Суржиков А.П. Радиационное дефектообразование в электрических полях (арсенид галлия, фосфид индия). Новосибирск: Наука, 2001. 190 с.
17. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / Колл. монография под ред. А.Л. Асеева. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. 368 с. (Лаврентьева Л.Г., Вилисова М.Д., Преображенский В.В., Чалдышев В.В. Глава 1. Молекулярно-лучевая эпитаксия, разд. 1.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев (с. 41 -67)).
18. Арсенид галлия: Сб. статей. (Труды 1-го межвузовского совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, сентябрь 1965 г.) / Под ред. М.А. Кривова, Л.Г. Лаврентьевой, В.А. Преснова. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. 56 с.
19. Арсенид галлия: Сб. статей, вып. 2. (Труды 2-го совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, сентябрь 1968 г.) / Под ред. М.А. Кривова, Л.Г. Лаврентьевой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. 56 с.
20. Арсенид галлия: Сб. статей, вып. 3. (Труды 2-го совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, сентябрь 1968 г.) / Под ред. М.А. Кривова, Л.Г. Лаврентьевой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1970. 292 с.
21. Арсенид галлия: Сб. статей, вып. 4. (Труды 3-го совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, сентябрь 1974 г.) / Под ред. М.А. Кривова (отв. ред.), З.М. Алексеевой, М.Д. Вилисовой, Н.К. Максимовой, Е.В. Малисовой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. 314 с.
22. Арсенид галлия: Сб. статей, вып. 5. (Труды 3-го совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, сентябрь 1974 г.) / Под ред. М.А. Кривова, (отв. ред.), З.М. Алексеевой, М.Д. Вилисовой, Н.К. Максимовой, Е.В. Малисовой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. 277 с.
23. Арсенид галлия: Сб. статей, вып. 6. (Труды 3-го совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, сентябрь 1974 г.) / Под ред.
М.А. Кривова (отв. ред.), Л.Г. Лаврентьевой, Е.В. Малисовой, Н.К. Максимовой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1975. 180 с.
24. Труды 4-го Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия (Томск, сентябрь 1978 г.) / Под ред. М.Г. Мильвидского // Изв. вузов. Физика. 1980. № 1.
25. Труды 5-го Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия (Томск, сентябрь 1982 г.) / Под ред. А.Ф.Кравченко // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10.
26. Арсенид галлия. Т. 1: Сб. статей. (Труды 6-го Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, 8 - 10 сентября 1987 г.) / Под ред. В.Н. Брудного (отв. ред.), И.А. Бобровниковой, Л.М. Красильниковой, Н.В. Чалдышевой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1987. 220 с.
27. Арсенид галлия. Т. 2: Сб. статей. (Труды 6-го Всес. совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, 8 - 10 сентября 1987 г.) / Под ред. В.Н. Брудного (отв. ред.), И.А. Бобровниковой, Л.М. Красильниковой, Н.В. Чалдышевой. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1987. 198 с.
28. Материалы 7-й Российской конф. «Арсенид галлия». Томск, 21 - 23 октября 1999 г. Томск: КЦ «Южный», 2002. 240 с.
29. Материалы 8-й Российской конф. «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения Ш-У». Томск, 1 - 4 октября 2002 г. Томск: КЦ
«Южный». 413 с.
30. Материалы 8-й конф. по арсениду галлия / Под ред. В.Н. Брудного // Изв. вузов. Физика. 2003. № 6. С. 1 - 99. (Тематический выпуск.)
