Научная статья на тему 'ИОНЛАШТИРУВЧИ НУРЛАНИШЛАРНИ ФОТОПРИЁМНИКЛАРНИНГ ЯРИМЎТКАЗГИЧ ЮПҚА ПАРДАЛАРИГА ТАЪСИРИНИ МИНИМАЛЛАШТИРИШ'

ИОНЛАШТИРУВЧИ НУРЛАНИШЛАРНИ ФОТОПРИЁМНИКЛАРНИНГ ЯРИМЎТКАЗГИЧ ЮПҚА ПАРДАЛАРИГА ТАЪСИРИНИ МИНИМАЛЛАШТИРИШ Текст научной статьи по специальности «Энергетика и рациональное природопользование»

CC BY
98
6
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
электрофизик / фотоэлектрик / фотоприёмниклар / электрогенератор / Ультира фиолет (УФ) / ЭЛЯ / АЭ / АФН-анамаль фотоволтаик элемент / electrophysics / photoelectric / photopiers / electric generator / Ultra violet (UF) / ELYa / AE / AFN-anamal photovoltaic element

Аннотация научной статьи по энергетике и рациональному природопользованию, автор научной работы — Гулноза Фазлитдиновна Жўраева, Жахонгир Нурмухаммадович Жўраев, Санжарбек Мухиддин Ўғли Аҳмадалиев

Маълумки, ионлаштирувчи нурланиш яримўтказгия юпқа пардаларининг кўпгина электрофизик, фотоэлектрик ва бошқа хусусиятларини ўзгартириб юборади. Натижада деграгация жараёни тезлашади. Қурилманинг хизмат қилиш даври қисқаради. Мазкур қурилма бундай салбий оқибатларни олдини олади. Қурилма ўзини-ўзи энергия билан таъминловчи оптоэлектрон тизимга кириб, унинг элементлари тўлиқ гальваник жиҳатдан ажратилган.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по энергетике и рациональному природопользованию , автор научной работы — Гулноза Фазлитдиновна Жўраева, Жахонгир Нурмухаммадович Жўраев, Санжарбек Мухиддин Ўғли Аҳмадалиев

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

MINIMIZATION OF THE EFFECT OF IONIZING RADIATION ON PHOTOPRIUM SEMICONDUCTORS

It is known that ionizing radiation alters many electrophysical, photoelectric and other properties of semiconductor thin films. As a result, the degradation process is accelerated. The service life of the device is shortened. This device prevents such negative consequences. The device enters a self-powered optoelectronic system, the elements of which are completely galvanically isolated.

Текст научной работы на тему «ИОНЛАШТИРУВЧИ НУРЛАНИШЛАРНИ ФОТОПРИЁМНИКЛАРНИНГ ЯРИМЎТКАЗГИЧ ЮПҚА ПАРДАЛАРИГА ТАЪСИРИНИ МИНИМАЛЛАШТИРИШ»

CENTRAL ASIAN ACADEMIC JOURNAL ISSN: 2181-2489

OF SCIENTIFIC RESEARCH VOLUME 2 I ISSUE 5 I 2022

Scientific Journal Impact Factor (SJIF 2022=4.63) Passport: http://sjifactor.com/passport.php?id=22230

HOH^AmTHPYBHH HYP^AHHm^APHH OOTOnPHEMHHK^APHHHr HPHMYTKA3rHH ron^A nAP^A^APHrA TAtCHPHHH MHHHMA^^AmTHPHm

Гулноза Фазлитдиновна Жураева

ТАТУ Телекоммуникация инжиниринга кафедраси ассистенти

Жахонгир Нурмухаммадович Жураев

ТАТУ магистранти

Санжарбек Мухиддин уFли А^мадалиев

Фаргона саноат ва хизмат курсатиш техникуми талабаси

АННОТАЦИЯ

Маълумки, ионлаштирувчи нурланиш яримутказгия юпка пардаларининг купгина электрофизик, фотоэлектрик ва бошка хусусиятларини узгартириб юборади. Натижада деграгация жараёни тезлашади. Курилманинг хизмат килиш даври кискаради. Мазкур курилма бундай салбий окибатларни олдини олади. Курилма узини-узи энергия билан таъминловчи оптоэлектрон тизимга кириб, унинг элементлари тулик гальваник жихдтдан ажратилган.

Калит сузлар: электрофизик, фотоэлектрик, фотоприёмниклар, электрогенератор, Ультира фиолет (УФ), ЭЛЯ, АЭ, АФН-анамаль фотоволтаик элемент

MINIMIZATION OF THE EFFECT OF IONIZING RADIATION ON PHOTOPRIUM SEMICONDUCTORS

ABSTRACT

It is known that ionizing radiation alters many electrophysical, photoelectric and other properties of semiconductor thin films. As a result, the degradation process is accelerated. The service life of the device is shortened. This device prevents such negative consequences. The device enters a self-powered optoelectronic system, the elements of which are completely galvanically isolated.

Keywords: electrophysics, photoelectric, photopiers, electric generator, Ultra violet (UF), ELYa, AE, AFN-anamal photovoltaic element

OoTOnpneMHHKnapHH hcchk^HK Ba epyraHKHHHr yntTpa 6nH$ma TatcnpnapHHHHr can6nH OKnSaraapngaH caKgam (xHMoanam) MaKcagnga ep Ba yHgaH TamKapnga HmnaranagnraH $отоэпeктpнк Ba 6omKa KypnnManapHHHr TapKH6ngara

Scientific Journal Impact Factor (SJIF 2022=4.63) Passport: http://sjifactor.com/passport.php?id=22230

фотоприёмникларда иссиклик ва радиоалока (масалан куёш радиацияси) билан боглик деграгацион жараёнларни секинлаштириш учун ишлатилади. Такдим этилаётган курилма воситасида турли ёритгичлардан келаётган ионлаштирувчи нурланишларнинг фотоприёмникларнинг яримутказгич юпка пардаларига таъсири минималлаштирилади.

Курилма уч кисимдан иборат булиб биринчи (I) куёш ёруглигининг терморадиацион окимини йигиб паралел нурларда дастаси хосил килиб беради. [1]. Лойих,анинг иккинчи (II) кисми махсус юпка яримутказгич пардаларидан иборат "электрогенератор" ва эпитиксиал юпка пардали "фотогенератор"дан иборат [2]. Курилманинг электрогенераторида куёш радиациясининг параллел нурлар дастаси таъсирида электр сигналларини кабул килиб уни "оддий" ёруглик (иссиклик, ионлаштирувчи УФ нурланишсиз) окимига айлантиради. Электргенератор сифатида куёш элементларидан [4], фотогенератор сифатида ёруглик диоди ёки ЭЛЯ элементларидан [5] фойдаланилади. Электрогенератор юпка пардали куёш элементлари ва фотогенераторнинг ёритгич элементлари ягона яхлит электр контурни ташкил килади. У э-6 типдаги эпоксид слюла пластигидан иборат корпусга бирлаштирилади [6]. Курилманинг блок-схемаси 1-расмда курсатилган. Курилманинг учунчи (III) АЭ блоки ёриткичдан (ЁД, ЭЛЯ) оддий ёруглик дастасини олиб юкори потенциалли электр майдонига айлантиради [6].

II III

I АЭ

1 4

2 3 5

1-расм. Оптоэлектрон химоя курилмасининг блок схемаси.

I - Куёш радиациясидан йигилган параллел ёруглик окими хосил килувчи

кисм

1 - параллел йигилган ёруглик дастаси (дастлабки оким)

2 - махсус электрогенератор дастлабки ёруглик дастасини кабул килиб, электр сигналига айлантирувчи куёш батареялари блоки

3 - ёруглик диодлари ёки электролюминесцент ячейкалар блоки, унда электр сигналлари оддий иссиклик, УФ таъсирлардан тозаланган нур хосил булади.

Scientific Journal Impact Factor (SJIF 2022=4.63) Passport: http://sjifactor.com/passport.php?id=22230

II - фотогенератор ва электрогенераторларнинг ягона яхлит элкетр контури, бу кисмда куёшнинг радиацион нурланиши оддий ёругликка айланади.

4 - АФН-элемент у оддий ёругликни аномал юкори фотокучланишга айлантирувчи махсус Ш-кисмга жойлаштирилади. Курилманинг иш жараёнини баён килиш учун интеграл каскадли куёш элементини учта гомоген утишдан иборат деб унинг эквивалент электр схемасини тузамиз (2-расм).

2-расм.

Эквивалент схема чикишига (ав) ёруглик диоди (а'в') контактлари уланади. Контакт каршиликларини ва силкув (утечка) каршиликларини хдсобга олмасак, бундай эквивалент схема учун

J =Ji~ Jsi [ expOT) - 1 ] ; p = q/nkT V = TI= ,

Бу ерда i=1, 2, ...., n каскадлар тартиби (сони) Тенгламалар системаси уринли булади. Тенгламалар системасига мувофик салт режим кучланиш топилади:

п

Vc=1 У. п(^)

р и Jsl

туйиниш токи.

Scientific Journal Impact Factor (SJIF 2022=4.63) Passport: http://sjifactor.com/passport.php?id=22230

Куёш радиациясининг ёруглик дастаси (дастлабки оким)

1) Куёш элементи (2, 1-расм) га тушади ва унда электр сигналига (ав) айланади. Ундан сунг берк электр контури (ав) воситасида ёруглик диоди (фотогенератор. 3) га тушади. Ёруглик диодида (1-расм, 3) электр сигнали оддий ёруглик окимига айланади. Оддий ёруглик окими (4) оптик канал (1-расм, 4) оркали генератор типидаги фотоприёмник (АЭ, 5) га тушади ва унда аномал юкори фотокучланишга айланади. Прототиплар:

[ 1 ] № ЕС - 01-003461, Германия, Берлин, декабрь 14, 2021 [ 2 ] № ЕС-01-003425, Германия, Берлин, ноябрь 25, 2021 [ 3 ] ДЭ Н СССР , 1973, Т.208, №1, 73 [4]№ ЕС-01-002505, Германия, Берлин, 9.10.19 [ 5 ]Авт.свид. СССР № 177557 и № 183844 (1966, 1960) [ 6] Авт.свид. СССР № 546936, 25.10.76 [ 8 ] Патент на изобретения №2007114372 \28(015629) [ 7] Патент RV, № IAP 02.610, от 15.12.2000

Кайд килинган ишлардаги прототиплар маълум маънода ишлаш принципи, оптоэлектрон тизимда ишлаши такдим этилаётган ихтиро лойихасига (Оптоэлектрон химоя) ухшайди. Улардаги элементларнинг дискрет тузилиши ва хар бир элемент ишлаши учун ташки электр энергия манбасига мухтожлиги уларнинг улчами ва энергия тежамкорлигини пасайтиради. Шу сабабли уларнинг купчилиги микроэлектрон тизимга мослашаолмайди. Уларнинг купчилигида ёритгич сифатида сунъий ёруглик манбаларидан фойдаланилади. Ушбу курилмаларнинг яна бир асосий камчилиги табиий ташки иссиклик, ионлаштирувчи ва бошка таъсирларнинг салбий окибатларидан химояланмаган. Такдим этилаётган лойихада шу каби камчиликлар бартараф килинган.

Оптоэлектрон химоя курилмасининг техник характеристикалари.

- массаси 200г дан ошмайди.

- геометрик улчамлари 0,7см х 0,8см х 5мм

- кириш контури кабул килаоладиган куёш радиацияси ёруглик окими интенсивлигининг минимал киймати (2 ■ 1 0 _ 2 —1 ■ 1 0 _ в) В Т/ с м2

- юклама контуридаги (III-кисм, 1-расм) кириш каршилиги 1010 — 1 014см

- стоционар ва ностоционар режимларга мослашаолади.

- кириш контури куп каскадли булиб, лойихдда каскадлар сони 3 та ва улар ягона монолит тизимда ясалади.

Scientific Journal Impact Factor (SJIF 2022=4.63) Passport: http://sjifactor.com/passport.php?id=2223Q

- курилманинг интеграл сезгирлиги: 1 0 6 В / В т ■ с м2

- Чикиш (юклама, 1-расм Ш-кисм) блокидаги фотоприёмник сумматор режимида ишлайди.

Такдим этилаётган курилма уч кисмдан иборат булиб, унинг биринчи (I) кисмида куёш радиациясининг тулкин спектиридаги хамма нурлар кабул килинади. Лойиханинг биринчи кисми концентротор вазифасини бажаради. Лойиханинг иккинчи кисми эса (II) куёш спектридаги оптик нурлар сохасидан келаётган ультрафиалет (УФ) нурларни ушлаб колади. УФ билан бирга нурланишнинг иссиклик таъсирини хам йукотади. Куёш радиациясининг УФ ва иссиклик таъсирларидан тозаланган оддий нурланиши лойиханинг юклама блокининг (III) фотоприёмнигига (АФ) юборилади ва у ерда аномал юкори фотокучланишга айланади. Курилмада куёш элементларининг электргенератори, индукцион фотодиод ёритгичлари, электролюминесцен ва АФН элементлардан фойдаланилган. Яхлит монолит корпус сифатида экопсид смоласининг э-6 типидаги пластигидан фойдаланилган.

ФОЙДАЛАНИЛГАН АДАБИЁТЛАР (REFERENCES)

[1] Ф.И.Алфёров и др. Тенденции и перепективы развития солнечной фотоэнергетики ФТП, 2004, том.38, вып, 8, стр,937

[2] Н.Р.рахимов, О.К.Ушаков Оптоэлектронные датчики на основе АФН-эфекта, Новосибирск ,СГГА, 2010, стр.195

[3] К.Чопра, С. ДАС, Тонко-пленочные солнечные элементы, Масква, «Мир»,

[4] Xiaobo Hu, Jiahua Tao, Guoen Weng, Jinchun Jiang, Shaoqiang Chen, Ziqiang Zhu, Zunheo Chu, Solar Energy Materials and Solar Cells, 186, (2018) 324-329

[5] C. roHga, ^^KO, Оптоэпектроннка, .HeHHHrpag «3HeproaroMH3gar» , 1989, crp,

[6] Р.Найманбоев, Генератор типидаги фотоприёмниклар, Фаргона, 1997, ФарПИ наширёти.

Хулоса

1986

87-89

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.