CC BY
44
УДК 548.523.001.57:621.315.592 DOI: 10.17213/0321-2653-2015-3-108-114
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ С ЗАДАННОЙ СУБСТРУКТУРОЙ
В ГРАДИЕНТНОМ ТЕПЛОВОМ ПОЛЕ
PHYSICAL BASES OF THE SEMICONDUCTOR MATERIALS FORMATION PROCESSES OF OF WITH THE SET SUBSTRUCTURE IN THE GRADIENT THERMAL FIELD
© 2015 г. В.Н. Лозовский, Б.М. Середин, В.А. Благин, В.В. Ануфриева, А.А. Баранник, М.Л. Лунина
Лозовский Владимир Николаевич - д-р физ.-мат. наук, профессор, кафедра «Нанотехнология в электронике», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. Fizika236-npi@mail.ru
Середин Борис Михайлович - канд. техн. наук, доцент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. E-mail: seredinboris@gmail.com
Благин Вячеслав Анатольевич - студент магистратуры по направлению «Техническая физика», Национальный исследовательский университет (МЭИ), г. Москва, Россия. E-mail: blaginbox@gmail.com
Ануфриева Валерия Владимировна - ассистент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. Тел. (8635) 25-54-81. E-mail: Fizika236-npi@mail.ru
Баранник Алексей Анатольевич - канд. техн. наук, доцент, кафедра «Физика и микроэлектроника», Волгодонский инженерно-технический института, филиал НИЯУ МИФИ, г. Волгодонск, Россия. E-mail: kafna2004@mail.ru
Лунина Марина Леонидовна - канд. техн. наук, доцент, кафедра «Нанотехнология в электронике», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. Тел. (8635) 25-54-81. E-mail: Fizika236-npi@mail.ru
Lozovskiy Vladimir Nikolayevich - Doctor of Technical Sciences, professor, department «Nanotechnology in Electronics», Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI), Novocherkassk, Russia. E-mail: Fizika236-npi@mail.ru
Seredin Boris Mikhailovich - Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Physics», Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI), Novocherkassk, Russia. E-mail: seredinboris@gmail.com
Blagin Vyacheslav Anatoliyevich - magistracy student in the Technical Physics direction of National Research University «Moscow Power Institute», Moscow, Russia. E-mail: blaginbox@gmail. com
Anufriyeva Valeriya Vladimirovna - assistant, department «Physics», Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI), Novocherkassk, Russia. E-mail: Fizika236-npi@mail.ru
Barannik Aleksey Anatoliyevich - Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Physics and microe-lectronics», Volgodonsk Technical Institute - National Research Nuclear University branch, Volgodonsk, Russia. E-mail: kafna2004@mail.ru
Lunina Marina Leonidovna - Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Nanotechnology in Electronics», Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI), Novocherkassk, Russia. E-mail: Fizika236-npi@mail.ru
Осуществлен анализ особенностей процесса термомиграции жидких зон в кристалле для формирования полупроводниковых материалов с заданной субструктурой, в сравнении с методом диффузии. Учтены главные факторы, определяющие и сопровождающие процесс термомиграции жидкого включения в кристалле. Выявлены и описаны геометрические, концентрационные, температурно-временные и другие условия, при которых выбор эффекта термомиграции в качестве метода локального легирования предпочтителен. Показано, что метод термомиграции обладает значительными преимуществами, в частности, возможностями снижения температуры процесса легирования, увеличения его скорости, повышения однородности распределения легирующей примеси и улучшает кристаллическое совершенство легированных слоёв. Количественные оценки, связанные с выявленными условиями, даны на примере системы алюминий - кремний.
Ключевые слова: эффект термомиграции; диффузия; легирование; полупроводниковые структуры; силовые кремниевые приборы.
In work the analysis of process features of liquid zones thermomigration in a crystal for formation of semiconductor materials with the set substructure, in comparison with a diffusion method is carried out. The main factors defining and accompanying process of thermomigration of liquid inclusion in a crystal are considered. Geometrical, concentration, temperature and time and other conditions under which the choice of effect of thermomigration as a method of a local alloying is preferable are revealed and described. It is shown that the method of thermomigration has considerable advantages, in particular, opportunities of decrease in temperature of process of an alloying, increase in its speed, increase uniformity of distribution of the alloying impurity and improves crystal perfection of the alloyed layers. The quantitative estimates connected with the revealed conditions are given on the example of system aluminum-silicon.
Keywords: thermomigration effect; diffusion; doping; semiconductor structures; silicon power devices.
Введение
Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники подошли к новому рубежу - исследованию и формированию сложных кристаллических полупроводников с заданной субструктурой. Субструктура подразумевает сложную внутреннюю геометрию, в частности, наличие нескольких слоев и/или встроенных каналов с отличающимся от соседних областей составом, а также систем островков, образующих тонкую пленку, и т.д. [1] Если характерные размеры элементов субструктуры достаточно малы (сотни нанометров и менее), возможно проявление так называемых квантово-размерных эффектов - новых физических явлений, обусловленных пространственным ограничением. Полупроводники с микро- и наносубструктурой находят свое применение в качестве элементной базы современной электронной техники.
В настоящей работе исследуются особенности эффекта термомиграции как метода формирования субструктуры полупроводниковых материалов, в частности, их локального легирования. Установлены геометрические, температурные, фазовые и другие факторы, способствующие эффективности процесса для формирования заданной субструктуры. Проведено сравнение термомиграции и диффузии как альтернативных способов легирования. Назначение полупроводниковых материалов, исследуемых в работе, -силовая электроника. Сравнение метода термомиграции с альтернативным ему методом диффузионного легирования осуществлено на примере технологии кремниевых структур. Закономерности процесса в работе основаны на совокупном опыте многолетних экспериментальных исследований термомиграции жидких зон в полупроводниках, накопленном рядом исследователей, включая авторов настоящей статьи.
Основные представления о зонной перекристаллизации градиентом температуры (термомиграции жидких зон)
На термомиграцию жидкого включения в твёрдом теле влияет (помимо градиента температуры О) достаточно много различных процессов и факторов [2], в частности, растворение кристалла на более нагретой межфазной границе; диффузия атомов растворенного вещества в объеме жидкой фазы; их встраивание в решетку на «холодной» стороне включения; испарение вещества жидкой фазы; возникновение
движущей силы, связанной с различием концентрации примесных атомов и структурных дефектов в растворяющемся и кристаллизующемся слоях; термодиффузия (эффект Соре); тепловые эффекты на межфазных границах движущегося жидкого включения. В качестве особенностей процесса можно указать диффузию вакансий и атомов ростового вещества по границам включения; неравенство теплопроводностей контактирующих жидкой и твёрдой фаз; нестабильности формы жидких зон и их траекторий; эффект кристаллизационного оттеснения чужеродных атомов кристаллизующейся границей мигрирующей зоны. Нами проведен последовательный учет наиболее значимых из указанных факторов.
Для выявления условий предпочтительного использования термомиграции в качестве метода локального легирования необходимо знать, в первую очередь, зависимость скорости термомиграции жидкого включения и от его толщины I и температуры Т. Эти же зависимости используются при отработке температурно-временных режимов легирования. Для оптимизации указанных выше условий и режимов должны быть учтены перечисленные ранее факторы.
На рис. 1 приведены примеры экспериментальных зависимостей и(£) и и(Т) для некоторых систем [2]. На рис. 1 а видно, что с увеличением толщины зоны скорость её миграции увеличивается, стремясь к насыщению. Такая зависимость и(£) присуща включениям любой конфигурации, если основную роль играют процессы растворения на горячей и кристаллизации - на холодной границах зоны, а также диффузия. На рис. 1 б приведены характерные зависимости скорости миграции жидкой зоны от температуры в координатах (1пи; 1/Т) для различных систем при некоторых фиксированных значениях толщины слоя жидкой фазы и градиента температуры.
На рис. 1 видно, что скорости легирования методом термомиграции зависят от состава включения, экспоненциально изменяются с температурой и могут достигать многих сотен, а при высоких температурах и тысяч микрометров в час. Это значительно выше скорости легирования диффузией. Большие скорости при термомиграции могут снижать воспроизводимость глубины легирования, что накладывает ограничение сверху на температуру термомиграции (Ттах) при её использовании в технологии легирования. Имеется и нижний предел температуры (Ттш).
¡ú5
10:
№
t
б!» 1 1
\¡ \
1 \ 1
\ \ у
V > \
д 1\
\\
V
l, мкм
5 6 7 8 9 10 11 12
б
10'
Т, °К
Рис. 1. Зависимости скорости миграции зон для различных систем от толщины слоя жидкой фазы при фиксированной температуре (а) и от температуры при фиксированной толщине (б): 1 - Si-Sn: 1a - 950 °C, 1б - 1200 °С; 2 - Si-Al: 2a - 1100 °C, 2б - 950 °С; 3 - Si-Au, 1250 °C; 4 - Si-Sn-Al, 800 °C: 4а - исходный состав зоны 80 % Sn + 20 % Al; 4б - 20 % Sn + 80 Al; 5 - Si-Ag: 5a - 1300 °C, 56 - 1150 °С; 6 - Si-Pt; 7 - Si-Pd; 8 - Si-Ni; 9 - Si-Cu
При Т<Ттт процесс термомиграции не возникает, даже если вещество включения перешло в жидкое состояние. Обычно это является следствием присутствия инородных включений в объеме жидкой зоны.
Если основные факторы - это растворение, кристаллизация и диффузия, то можно использовать весьма простое выражение для зависимости скорости перекристаллизации от толщины зоны и(1) [2]:
и=-
Pp +Р D + Рк
(1)
где р d =
а - i к)(С0 - С) dT .
рр, рк - величины, харак-
D dC
теризующие ограничения термомиграции, связанные с процессом диффузии ростового вещества в жидкой зоне (р^ и процессами его растворения и кристаллизации на её межфазных границах - (рр) и (рк) соответственно; D - коэффициент диффузии атомов ростового вещества в жидкой фазе; 1к - минимальная толщина включения, при которой оно может мигрировать в кристалле при заданных значениях температуры и её градиента G (неравенство нулю величины 1к - длина порогового эффекта задержки старта зон); С0 - концентрация ростового вещества в эпитаксиальном слое; С - средняя концентрация ростового вещества в жидкой фазе; dC/dT - величина, равная котангенсу угла наклона линии ликвидус используемой бинарной системы при заданной температуре.
Формула (1) может использоваться для значений I > 1к. Если I = 1к, то и = 0, т.е. процесс термомиграции не возникает. Наличие порогового эффекта физически означает, что межфазные процессы при термомиграции могут проявиться лишь при увеличении скачков температуры на границах растворения и/или
кристаллизации (ДТр и ДТк) до значений, больше некоторых критических (ДТр)кр и (ДТк)кр. На рис. 2 зависимость и(€), выраженная формулой (1), графически представлена сплошной кривой. Изменение вида этой кривой с изменением температуры и её градиента изображены соответственно пунктирными и штрих-пунктирной кривыми. На графике зависимости v(€) целесообразно выделить 3 области: I, II, III (рис. 2). Первая область соответствует случаю, когда скорость термомиграции лимитируется межфазными кинетическими процессами.
Тз>Т1
Рис. 2. Схематическое представление зависимости скорости термомиграции от толщины включения
Этот случай относится к малым толщинам жидкой зоны I, когда величины рр и рк больше р^ При достаточно малых толщинах зоны скорость её миграции мала и чувствительна к изменениям I Использовать область I в технологии локального легирования методом термомиграции не целесообразно. Для этой цели предпочтительнее использовать диффузионный режим термомиграции (область III). В этом случае
а
pD > Рр + рк, т.е. процесс движения включения лимитируется диффузионным массопереносом ростового вещества в жидкой фазе. Может быть использован также режим, для которого pD « рр + рк (область II).
Испарение компонентов жидкой фазы может существенно изменить характер зависимостей и(1) и и(Т). Например, если из жидкого включения испаряется растворённое в нём ростовое вещество, то увеличение скорости и с увеличением I сменяется её уменьшением. Ухудшается также воспроизводимость скорости. Кроме того, испарение из жидкой фазы инициирует нестабильность процесса погружения включения со стартовой поверхности в кристалл и выхода из кристалла на его противоположной стороне. Устранить испарение можно полным погружением включения в кристалл или снижением температуры термомиграции. Предпочтителен второй приём, так как первый чреват увеличением дефектности перекристаллизованных слоёв из-за неравенства термических коэффициентов расширения жидкой фазы включения и кристалла.
Пороговый эффект (задержка зон на старте), который может быть усилен анизотропией кристалла и наличием инородных включений, определяет предел минимальной толщины включения (I = 1к), которое может мигрировать в кристалле при заданных значениях температуры и её градиента G. Движущая сила, связанная с градиентом примесей и структурных дефектов, увеличивает скорость миграции включения и её нестабильность при малых толщинах I (левая часть области I). Эффект Соре не вносит заметного вклада в скорость миграции включения, а выделение и поглощение теплоты на границах движущегося включения снижают скачок температуры в жидкой фазе и скорость миграции. Этот эффект становится значимым лишь при скоростях, существенно больших 1 мм/ч. Однако такие скорости, как указано выше, нецелесообразно использовать при термомиграционном легировании. Поверхностная (межфазная) диффузия вакансий и атомов ростового вещества в приграничных слоях включения проявляется при столь малых его размерах I, при которых вклад поверхностной диффузии в общий массоперенос во включении, вызванный
градиентом концентрации ростового вещества, соизмерим с вкладом объёмной диффузии. Однако указанная ситуация наступает при I < 1к, когда процесс термомиграции в принципе не осуществим. Увеличение теплопроводности включения приводит к уменьшению его скорости. Этот эффект мал и не может использоваться для технологически значимого регулирования скорости миграции включения. Пока не создана технология локального легирования кристаллов методом термомиграции, в которой было бы оптимизировано влияние перечисленных факторов на процесс термомиграции. Поэтому возможности термомиграции как метода легирования кристаллов ещё не исчерпаны.
Сравнительный анализ методов формирования материалов с заданной субструктурой: термомиграция и диффузия
Особенности термомиграционного метода локального легирования и его сравнение с диффузионным методом показаны на примере технологии силовых полупроводниковых приборов (СПП) на кремнии [3 - 8]. В производстве СПП указанные методы конкурируют при формировании так называемых разделительных /» -областей. Назначение разделительных /»-областей - увеличить пробивное напряжение высоковольтных р-п-переходов СПП. Разделительные / -области должны пронизывать насквозь кремниевую пластину п-типа, образуя в ней ячейки, одинаковые по размерам. На рис. 3 а приведен пример одностенных квадратных ячеек для силовых кремниевых тиристоров на токи до 100 А, технология которых разрабатывалась с участием авторов [3, 7 - 9].
Система ячеек получена миграцией перпендикулярно плоскости пластины жидкого кремний-алюминиевого включения в форме плоской сетки. Заданная ширина разделительных р+-областей обеспечивается литографией сплошного слоя SiO2, нанесённого на пластину кремния. В слое SiO2 формируются окна требуемой конфигурации, через которые в кристалл либо погружается жидкий алюминий (термомиграционный метод), либо диффундируют атомы акцептора - обычно бора (диффузионный метод).
ÜK р+ п
80 мкм
а б в
Рис. 3. Вид поверхности кремниевой пластины с р+-областями в виде одностенной сетки (а), микрофотографии шлифов финишной поверхности (б) и сечения «а-а» разделительной р+-области (в); р+-области получены методом термомиграции
Разделительные р+-области, образующиеся при использовании термомиграции, примерно однородны по концентрации акцепторов (~ 2 1019 см-3) и по толщине (рис. 3 в - шлиф). Концентрация дислокаций в этих областях обычно не превышает таковую в исходной кремниевой пластине (рис. 3 б). Аналогичные диффузионные области резко неоднородны по концентрации акцепторов и по толщине имеют повышенную дефектность (требуется дополнительное применение геттера п+ на аноде).
Если толщина пластины равна h, то такой же путь проходит при термомиграции легирующее включение. Если сквозные разделительные р -области получены двусторонней диффузией, то глубина диффузии равна Ы2. Глубина проникновения диффундирующих атомов в кристалл hD обычно оценивается (по порядку величины) соотношением к0 = ^, где -
коэффициент диффузии рассматриваемых атомов в кристалле; t - время диффузии. Если hD = Ы2, то время диффузионного формирования разделительной р-области (/Б) определится соотношением:
tD _
_ h
'4D*
(2)
В технологии, основанной на легировании кремния методом термомиграции, обычно используется диффузионный режим, когда рр + рк < рБ (области III на рис. 2). Поэтому из формулы (1) можно получить следующее выражение для длины термомиграционного легирования
Ит = и/ = [(^С / dT) / (С0 - С)] . (3)
Используя выражения (2) и (3), можно оценить отношение времени получения разделительных слоёв, выполненных на пластинах кремния (толщиной И), методом диффузии и методом термомиграции /Т:
/БДХ = hG (Б / )[(dC / dT) / (С0 - С)] . (4)
В соотношении (4) множитель при h измеряется в обратных линейных единицах (например, мкм-1) и всегда гораздо больше единицы. Последнее связано с тем, что коэффициент диффузии в жидкой фазе много больше коэффициента диффузии в кристалле. В качестве примера сравним отношение / /Т для двух вариантов реальной технологии кремниевых тиристоров, в которых разделительные слои получаются либо диффузией бора (за время при 1300 °С), либо термомиграцией алюминия (за время /Т при 1170 °С и градиенте температуры GL = 10 град/см). Конечный результат расчёта по формуле (4) может быть представлен (по порядку величины) в виде:
tDtT ~ h >
(5)
где h - измеряется в микрометрах. Из соотношения (5) следует, что для легирования слоёв кремния толщиной 1 мкм величина /дДт по порядку величины
равна единице, т. е. требуется примерно одинаковое время как для диффузии бора (при 1300 °С), так и для термомиграции алюминиевых зон (при 1170 °С). Если же h = 350 мкм, что соответствует существующей технологии, то время диффузионного легирования бором слоя кремния указанной толщины в сотни раз превышает время легирования такого же слоя алюминием методом термомиграции. Этот результат находится в удовлетворительном согласии с соотношением скоростей получения разделительных р -слоёв для кремниевых СПП приборов методами диффузии и термомиграции в реальном технологическом процессе.
Таким образом, использование термомиграционного метода легирования вместо диффузионного позволяет создавать более эффективную технологию локального легирования полупроводниковых кристаллов. Данное преимущество термомиграционного метода ярко выражено для достаточно протяженных областей легирования и теряется при глубинах легирования примерно менее 50 мкм. Это ограничение связано не только с соотношением (4). Свой вклад в ограничение размеров области локального легирования вносят, как указывалось ранее, факторы задержки зон на старте, наличие инородных включений, а также морфологическая и траекторная нестабильности процесса.
К теоретической интерпретации описанных эффектов
Рассмотренные явления во многом обусловлены нелинейностью массопереноса в условиях градиента температуры. Так, задержка зон на старте вызвана активационным кинетическим эффектом, описанным нами в [10]. В объеме жидкого включения происходит формирование квазикристаллов и кластеров вследствие резкого различия ковалентных радиусов атомов основного и легирующего компонентов зоны; доля частиц, входящих в кластеры, в области зоны может достигать 15 % [11]. В [12] проведена оценка энтальпии образования кластеров - около 1 эВ в расчете на одну частицу, что составляет до 30 % от энергии диссоциации атомов примеси с кремнием. Переход группы атомов на границе растворения в жидкую фазу может быть описан на уровне эволюции межфазных границ. Решения эволюционных уравнений для межфазных границ [1] с физической точки зрения представляют собой: а) поле концентраций компонентов и б) поле скоростей жидкой зоны - как функции координат и времени. Им соответствуют две подсистемы решений - 1) так называемая быстрая, или архимедова, для которой существенны гравитационные силы и релаксация возмущений происходит в обычных диапазонах температур (на « 200 К менее температуры плавления подложки), градиентах (50 К/см и менее) и значениях толщины жидкой зоны (I > 50 мкм) на очень коротких временах (менее 0,01 с); эта подсистема описывает развитие неустойчивости межфазных
границ и расширение спектра реакций системы при больших значениях указанных параметров - от фрагментации жидкой зоны (что, как отмечалось выше, может быть использовано в качестве формирования субструктуры эпитаксиальных слоев), до деградации подложки; и 2) - медленная, конвективная подсистема, для которой характерны «плавные» возмущения межфазных границ, в ходе которых происходит перераспределение компонентов [13]. Изменяя знак градиента температуры и, соответственно, направление движения жидкой зоны, можно управлять распределением компонентов, как показано в [14].
Заключение
Термомиграция жидких включений, как и диффузия, может служить достаточно эффективным методом локального легирования кристаллов электрически активными примесями и позволяет создавать разнообразные приборные полупроводниковые структуры.
К преимуществам термомиграционного легирования относятся: доступность сравнительно низких температур и высоких скоростей легирования, практическая неограниченность глубины легированной области, однородность распределения в ней концентрации примесного элемента, высокое совершенство легированной области, возникновение качественных (ростовых) р-п--переходов. Недостатки термомиграции как метода: ограниченность минимальной глубины легирования (50 мкм), методические трудности, возникающие при легировании примесями с высокой (в условиях термомиграции) летучестью, наличие дополнительной, технологически значимой стадии -погружение жидкого включения в объём кристалла с его поверхности, необходимость устранять нестабильности процесса термомиграции.
Термомиграции в кристалле жидких включений определяются и сопровождаются значительно большим количеством процессов и факторов, чем диффузия. Именно специфические процессы и факторы определяют условия предпочтительного применения термомиграционного легирования и обеспечивают данному методу перечисленные выше преимущества, что сулит ему определенные перспективы и стимулирует проведение исследований.
Литература
1. Баранник А.А., Благина Л.В., Драка О.Е., Подщипков Д.Г.
Физико-химические основы получения многокомпонент-
ных полупроводников с заданной субструктурой. Ростов н/Д: Из-во СКНЦ ВШ ЮФУ, 2009. 204 с.
2. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с.
3. Полухин А.С., Зуева Т.К., Солодовник А.И. Использование термомиграции в технологии структур силовых полупроводниковых приборов//Силовая электроника. 2006. № 3(9). С. 110 - 112.
4. Полухин А.С., Балюк А.В., Середин Л.М., Середин Б.М. Структуры с разделенными ¿/-областями для силовых полупроводниковых приборов на токи до 100 А //Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. / Южно.-Росс. гос. техн. ун-т (НПИ). Новочеркасск : Набла, 2003. С. 120 - 124.
5. Полухин А.С. Термомиграция неориентированных линейных зон в кремниевых пластинах (100) для производства чипов силовых полупроводниковых приборов // Компоненты и технологии. 2008. № 11. С. 97 - 100.
6. Полухин А.С. Анализ технологических факторов процесса термомиграции // Силовая электроника. 2013. № 5 (9). С. 118 - 120.
7. Середин Л.М., Середин Б.М., Князев С.Ю. Исследование причин невоспроизводимого формирования дискретных зон избирательным смачиванием//Изв. вузов. Сев. Кавк. регион. Техн. науки, 2014. Вып. 1(176). С. 125 - 130.
8. Середин Б.М. Исследование кинетики термомиграции при введении добавок Ga в зонообразующий материал Si-Al // Изв. вузов. Сев. Кавк. регион. Техн. науки. 2014. Вып. 1(176). С. 103 - 109.
9. Benjamin Morillon. Etude de la thermomigration de l'aluminium dans le silicium pour la réalisation industrielle de murs d'isolation dans les composants de puissance bidirectionnels. Micro and nanotechnologies/Microelectronics. INSA de Toulouse, 2002, 222 р. URL: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010945. (accessed 5 November 2014).
10. Blagin A.V., Barannik A.A., Kireev E.I., Lunina M.L. The Kinetics of the Crystallization in Bismuth-Containing Heterosystems Al-In-Sb-Bi and Ga-As-P-Bi//Inorganic Materials, 2008. Vol. 44, No 12, Pp. 1289 - 1292.
11. Айвазов А.А., Глазов В.М., Регель А.Р. Энтропия плавления металлов и полупроводников. М.: ЦНИИ «Электроника», 1998, 55 с.
12. Булярский С.В., Львов Л.Е., Светухин В.В. Влияние кластеризации на процесс плавления полупроводниковых соединений А3В5//ЖТФ, 2001. Т. 56. Вып. 9. С. 9 -14.
13. Кулинич Н.В. Эволюция межфазных границ в процессе зонной перекристаллизации в поле температурного градиента с учетом гидродинамических эффектов : дис. ... канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1998. 175 c.
14. Лунин Л.С., Благин А.В., Алфимова Д.Л., Попов А.И., Разумовский П.И. Физика градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур. Ростов н/Д.: Изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ. 2008. 235 с.
References
1. Barannik A.A., Blagina L.V., Draka O.Ye., Podshchipkov D.G. Fiziko-khimicheskiye osnovypolucheniya mnogokomponentnykh poluprovodnikov s zadannoy substructuroy [Physical-chemical bases of receiving multicomponent semiconductors with the set substructure]. Rostov-na-Donu, izdatel'stvo SKNTS VSH YUFU, 2009. 204 p.
2. Lozovskiy V.N., Lunin L.S., Popov V.P. Zonnaja perekristallizacija gradientom temperatury poluprovodnikovyh materialov [Temperature-gradient zone recrystallization of semiconductor materials]. Moscow, Metallurgy, 1987, 232 p.
3. Polukhin A.S., Zueva T.K., Solodovnik A.I. Ispol'zovanie termomigracii v tehnologii struktur silovyh poluprovodnikovyh pri-borov [Using thermomigration in technology structures of power semiconductor devices]. Power Electronics, 2006, vol. 3, pp. 110-112.
4. Polukhin A.S., Baljuk A.V., Seredin L.M., Seredin B.M. Struktury s razdelennymi p+ - oblastjami dlja silovyh poluprovodnikovyh priborov na toki do 100 A [Structure with separated p+ - regions for semiconductor power devices at currents more than 100 A]. Cristallization and Properties Crystalls, Novocherkassk, South-Rus. state techn. Univ., Nabla, 2003, pp. 120-124.
5. Polukhin A.S. Termomigracija neorientirovannyh linejnyh zon v kremnievyh plastinah (100) dlja proizvodstva chipov silovyh poluprovodnikovyh priborov [On the non-oriented linear zones thermomigration through (100) silicon wafers for power devices fabrication]. Components and technologies, 2008, vol. 11, pp. 97-100.
6. Polukhin A.S. Analiz tehnologicheskih faktorov processa termomigracii [Analysis of the technological factors of the thermomigration process]. Power Electronics, 2013, no. 5, pp.118-120.
7. Seredin L.M., Seredin B.M., Knyazev S.Ju. Issledovanie prichin nevosproizvodimogo formirovanija diskretnyh zon izbiratel'nym smachivaniem.[The study of reasons for non-reproducible generation of discrete zones election wetting]. Izvestiya vuzov. Severo-Kavkazskij region. Tehnicheskie nauk,, 2014, vol. 1, pp.125-130.
8. Seredin B.M. Issledovanie kineniki termomigracii pri vvedenii dobavok Ga v zonoobrazujushhij material Si-Al [The study of kinetics of the thermomigration with the introduction of additives in Ga shoobridge material Si-Al.]. Izvestiya vuzov. Severo-Kavkazskij region. Tehnicheskie nauk,, 2014, vol. 3, pp.103-109.
9. Benjamin Morillon. Etude de la thermomigration de l'aluminium dans le silicium pour la réalisation industrielle de murs d'isolation dans les composants de puissance bidirectionnels. Micro and nanotechnologies/Microelectronics. INSA de Toulouse, 2002, 222 р. Available at: https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010945 (accessed 5 November 2014)
10. Blagin A.V., Barannik A.A., Kireev E.I. and Lunina M.L.. The Kinetics of the
Crystallization in Bismuth-Containing Heterosystems Al-In-Sb-Bi and Ga-As-P-Bi//Inorganic Materials, 2008, vol. 44, no. 12, pp. 1289-1292.
11. Ayvazov A.A., Glazov V. M., Regel A.R. Entropiya plavleniya metallov i poluprovodnikov [Melting entropy of metals and semiconductors]. Moscow, TSNII Elektronika, 1998, 55 p.
12. Bulyarsky S.V., L'vov L.E., Svetukhin V.V. Vliyaniye klasterizatsii na process plavleniya poluprovodnikovykh soyedineniy A3B5 [Clustering Influence on the process of A3B5 semiconductor compounds melting]. Journal of Applied Mechanics and technical physics, 2001, vol. 56, no. 9, pp. 9-14).
13. Kulinich N. V. Evolution of interphase borders in the zonal recrystallization process
in the field of a temperature gradient taking into account hydrodynamic effects. Thesis
of the candidate of the physical-mathematics sciences [The evolution of phase boundaries in the process zone recrystallization in the temperature gradient based hydrodynamic effects. Dis. on competition. academic step. Cand. Phys.-Mat. Sciences]. Novocherkassk, 1998, 175 p.
14. Lunin L.S., Blagin A.V., Alfimova D. L., Popov A.I., Razumovsky P.I. Physics of a gradient epitaxy of semiconductor het-erostructures [Physics gradient epitaxy of semiconductor heterostructures]. Rostov-on-Don: Publishing house of the SOUTHERN FEDERAL UNIVERSITY, North Caucasian scientific center of the higher school, 2008, 235 p.
Поступила в редакцию 30 июня 2015 г.
