ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА CUGEO3: ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ КОРРЕЛЯЦИЙ Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ДОКЛАДАМ XVIII НАУЧНОЙ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА

строения, связанная с наличием трех эквивалентных подрешеток позволяет проводить коррекцию свойств материалов при изо- и гетеровалентном замещении.

В настоящем сообщении рассмотрена возможность легирования гадолиниего феррит-галлиевого граната С(1зРез 8Са, 80)2 ионами Са, Вь Се по типу Са2.хВ1 (Са.Се)хРез.в0а1.20|2, определены параметры решетки образующихся твердых растворов,

оценено валентное состояние ионов Се.

Синтез образцов осуществлялся реакцией твердофазного взаимодействия соответствующих оксидов ( СсЬ03, В120з; Се02, Ре20з, 0а204 и СаСОз - все марки ХЧ ) в области температур 850-1100°С. Контроль фазового состава осуществляли рентгено-структурным анализом.

Валентное состояние ионов Се определялось методом рентгеновской Ьз- абсорбционной спектроскопии. Рентгеновские Ьз-спектры поглощения были получены на вакуумном рентгеновском спектрометре АРС-КД-2 с регистрацией координатным детектором.

В результате проведенных исследований установлено, что замещение ионов Ос! на Се в 0ёзРез.80а1.80|2 не происходит, образцы , как правило, были неоднофазными в качестве примеси присутствовал Се02. Допирование ионами Са совместно с Се также не способствовало образованию однофазных образцов. И только при частичном замещении вс! на В1 удалось синтезировать однофазный образец со структурой граната GdBiCao5Ceo.sFe3.8Ga120|2.. Рентгеноспектральное исследование показало, что в данном соединении церий находится в четырехвалентном состоянии. Сопоставление сложной структуры спектров поглощения четырехвалентного церия в исследованном соединении и Се02 выявило перераспределение интенсивностей подполос основного сигнала, причины которого обсуждаются.

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СивеОз: ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ КОРРЕЛЯЦИЙ

А. В. ГАЛАХОВ ', В. Р. ГАЛАХОВ 2, В. И, АНИСИМОВ 2, Э. 3. КУРМАЕВ 2,

Л. И. ЛЕОНЮК3, М. ПОЙМАНЫ 4

1 Уральский государственный университет, Екатеринбург

2 Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург,

3 Московский государственный университет, Москва

4 Университет Оснабрюка, Германия

Медно-германиевый оксид СиОеОз является первым неорганическим соединением, испытывающим спин-Паейрлсовский переход. Это соединение относится к системам с электронными корреляциями и, следовательно, расчет подобных систем должен быть проведен с учетом корреляций. Однако, несмотря на довольно значительное количество работ, посвященных исследованию электронной структуры СиОеОз, до сих пор не был

1том 2, № 2

KPAfKHÉ 'боойцения по досадам xviii научной школы-семинара

Проведей анализ влиЯйия корреляций на взаимное положение Си 3d- и О 2/?-состояний и соответствия рассчитанной электронной структуры спектральным измерениям.

В данной работе электронная структура СиОеОз вычислена методом LDA+U при значениях корреляционного параметра U=0, 2, 4, б и 8 эВ. Результаты расчета сравниваются с рентгеновским фотоэлектронным спектром валентной полосы и рентгеновскими эмиссионными Си La- и О Ka-спектрами. Измерения проведены на моно кристаллическом образце СиОеОз. Рентгеновский эмиссионный О /fa-спектр получен при электронном возбуждении на рентгеновском микроанализаторе JEOL. а Си га-спектр получен в условиях припорогового возбуждения, что позволило получить спектр без сателлита Костера-Кронига. Рентгеновский фотоэлектронный спектр получен при возбуждении монохроматизированным Al /fa-излучением.

Сравнение рассчитанной электронной структуры со спектральными данными позволило установить, что наилучшее согласие в описании Си i ¿/-состояний достигается при величине корреляционной поправки U= 6 эВ. Величина вычисленной энергетической щели при этом составляет 1,2 эВ, что значительно меньше, чем найденная из оптических измерений - 3,7 эВ. Расчеты лучше всего описывают О 2/>состояния при отсутствии корреляционной поправки, но в этом случае расчет не воспроизводит энергетическую щель. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 99-03-32503 и 00-15-96575).

РЕНТГЕНОВСКИЕ ЭМИССИОННЫЕ СПЕКТРЫ И ЭЛЕКТРОННАЯ

СТРУКТУРА Ri-xAxMnOj-s (R=LA, А=ВА, SR)

: Г, <У' i ■ ! .

Н. А. ОВЕЧКИНА1, В. Р. ГАЛАХОВ1, Э. 3. КУРМАЕВч

Н. И. ЛОБАЧЕСКАЯ2, М. ДЕМЕТЕР3, М. НОЙМАН3

1 Институт физики металлов УрО РАН Екатеринбург Институт химии твердого тела УрО РАН Екатеринбург Университет Оснабрюка, Германия

Манганиты JR.i.xAxMn03^ с замещением редкоземельного элемента (R=La,) щелочноземельным (A=Ba,Sr), а также с нестехиометрией по кислородной гюдрешетке привлекают внимание большого числа исследователей благодаря уникальным магнитным и электрическим свойствам, в частности, наличию эффекта колоссального магнето-сопротивления.

Оксиды переходных металлов, к которым относятся манганиты, являются сильно коррелированными системами, при расчетах электронной структуры которых необходимо уводить корреляционные поправки. Расчеты электронной структуры данного класса 90е#иненчй, выполненные методами L(S)DA и L(S)DA+£/ (здесь U - параметр, учитывающий кулоновское взаимодействие), дают противоречащие друг другу результаты.

г «г:

химическая физика и мезоскопия том 2, № 2

247