CC BY
6
ич^ Ы^ГШ/ЛДО"1 л*1" П/ЛУЧПЧЛП Шлилы-^СМПМАКА
Результаты, полученные методами рентгеновской эмиссионной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, служат важным критерием применимости теоретических расчетов электронной структуры и позволяют определить взаимное расположение и локализацию и О 2/>состояний в валентной полосе.
Для соединений Ьа|.хВахМп03, Ьа^БгхМпОз, ЬаМп03-8 измерены Мп 1а-, О Ка -рентгеновские эмиссионные спектры с помощью рентгеновского спектрометра РСМ-500. Представлены рентгеновские фотоэлектронные спектры валентной полосы и внутренних линий, полученные на спектрометре ЕЭС А (РШ 5600 а).
Анализ рентгеновских эмиссионных и рентгеновских фотоэлектронных спектров валентной полосы приведенных к единой шкале энергий связи, показал сильную гибридизацию Мл Зс1- и О 2/>состояний. О 2р- и -состояния занимают один и тот же энергетический интервал, а вблизи уровня Ферми лежат Мл е8-состояния. Установлено влияние допирования стронцием и барием и кислородной нестехиометрии на электронную структуру валентной полосы.
Сравнение экспериментальных данных с зонными расчетами показало, что электронная структура манганитов лучше описывается расчетами Ц8)ОА чем Ц8)ВА+1/.
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 99-02-16280, 99-03-32503 и 00-15-96575).
ЭЛЕКТРОННАЯ КОНФИГУРАЦИЯ ДОПИР О ВАННЫХ МАНГАНИТОВ: Зв-СПЕКТРЫ
В. Р. ГАЛАХОВ Н. А. ОВЕЧКИНА М. ДЕМЕТЕР 2, Э. 3. КУРМАЕВ
М. НОЙМАНН 2
1 Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург
2 Университет Оснабрюка, Германия
Манганиты с разновалентными ионами марганца, обладающие структурой перов-скита, изучаются уже около 50-ти лет. Интерес к их исследованию был стимулирован открытием в них эффекта колоссального отрицательного магнето сопротивления.
Манганиты с переменной валентностью марганца могут быть представлены как твердые растворы соединений с чисто трехвалентными ионами марганца (ЪаМпОз) и с чисто четырехвалентными (БгМпОз). Замещение трехвалентного лантана двухвалентным стронцием или наличие дефектов в катионной подрешетке приводит к появлению допирующих дырок, которые для соединений зарядового переноса должны быть локализованы на уздах кислорода, а для соединений типа Мотта-Хаббарда — в нижней зоне Хаббарда,
Мы провели измерения рентгеновских фотоэлектронных Мп ЗБ-спектров полированных манганитов — Ьа,.х8гхМп03 (х=0, 0,1, 0,15, 0,20, 0,30), Ьао.2Сао,8МпОз, дефектных манганитов Ьа^МпОз, (Ьа^ю.^о^МпОз, ЬаМпОз^ — как монокристаллов, так и керамических образцов. Кроме того, исследованы спектры манганитов
KKAiKMt оииьщьмим ни AViii пмучпиет UJr4UJIDI-^CIvmn«m
Рго58го.5МпОз, La,.2Sr,.8Mn207. Li,Mn02 (х=0.97, 0,99. 1.00, 1,03, 1.05), Li2MnC>3, SrMn03^, МпО, Мпз04.
Установлено, что при повышении формальной валентности марганца от 3+ до 3.3+ за счет допирования стронцием или дефектности по кагионной под-решетке расщепление Mn 3s-cneKTpoB остается примерно равным 5.35±0.05 эВ Понижение формальной валентности Мп в манганитах от 3+ за счет дефектности по кислороду приводит к увеличению расщепления. Повышение валентности, наблюдаемое у соединений с формальной валентностью Мп выше 3,4+ (Lai¿Sn.gM^Cb. Pro.iSro.sMnCh и далее) сопровождается плавным уменьшением величины растепления до 4.5 эВ у 1л2МпОз
Наблюдаемый эффект можно объяснить формированием дырок в О 2р-состояниях для марганца с формальной валентностью 3,0—3,3 (формирование конфигурации основного состояния 3d*L). а при большей величине валентности - - формирование дырок в Мп З^-состояниях (формирование конфигурации 3d3). Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты 99-02-16280, 99-03-32503 и 00-15-96575).
—---
