Электрическое поле и ЭДС Дембера в SiC при быстрой термической обработке Текст научной статьи по специальности «Химические науки»

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

УДК 621.382

О.А. Агеев, Е.Ю. Гусев

ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ И ЭДС ДЕМБЕРА В SIC ПРИ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ

Быстрая термическая обработка некогерентным ИК-излучением (БТО) является одним из наиболее перспективных методов термообработки в технологии изготовления СБИС и полупроводниковых приборов высокотемпературной электроники [1]. Анализ влияния режимов БТО на электрофизические параметры приборов выявил ряд аномальных эффектов, проявляющихся, например, в увеличении скорости окисления полупроводниковых материалов при БТО[1, 2].

Причиной этого может быть формирование в подложке при БТО внутреннего электрического поля (ВЭП), напряженность которого зависит от градиента концентрации избыточных носителей заряда, связанных с неравномерным поглощением некогерентного ИК-излучения (эффект Дембера) [3]. В данной работе исследуется влияние концентрации легирующей примеси в SiC и температуры БТО на напряженность ВЭП. Установлено, что ее значение может быть достаточным для активации диффузионных процессов и химических реакций в полупроводниковых материалах.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Сеченов Д.А., Касимов Ф.Д., Агаев Ф.Г., Светличный А.М., Агеев О.А. Активируемые процессы микроэлектронной технологии. Баку: Изд-во ЭЛМ, 2000. 258с.

2. Агеев О.А., Светличный А.М., Шляховой Д.А. Особенности получения тонких пленок SiO2 методом быстрой термической обработки // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2001. №4-5. С.38-43.

3. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496с.