Научная статья на тему 'Нестационарные процессы нагрева и дефектообразования в пластинах SiC при быстрой термической обработке'

Нестационарные процессы нагрева и дефектообразования в пластинах SiC при быстрой термической обработке Текст научной статьи по специальности «Технологии материалов»

CC BY
64
18
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Нестационарные процессы нагрева и дефектообразования в пластинах SiC при быстрой термической обработке»

Секция технологии больших интегральных схем

пленки эллипсометрическим методом, также исследовались ОЖЕ-спектры и оптическая плотность образцов. Исходя из полученных данных установлено, что характеристики полученных окислов при БТО не уступают окислам, полученным с помощью диффузионной печи.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Агеев О.А., Светличный А.М., Кочеров А.Н. Влияние конструкции реакционной камеры на облученность полупроводниковых пластин при быстрой термической обработке //Известия вузов. Электроника, 2001. №1.

УДК 621.382

О.А. Агеев, Е.А. Погорелов

НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ НАГРЕВА И ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ SIC ПРИ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ

Быстрая термическая обработка (БТО) некогерентным ИК-излучением является одним из наиболее перспективных методов нагрева в технологии изготовления приборов на основе SiC [1], за счет обеспечения малой длительности высокотемпературных операций с управлением скоростью нагрева и возможностью проведения обработки в различных технологических средах. Это дает возможность контроля фазового состава границ раздела и приповерхностных областей подложки [2]. Для предотвращения дефектообразования в пластинах SiC при БТО необходимо изучить процессы, происходящие в них при нестационарном нагреве.

В данной работе представлены результаты моделирования распределения температурных полей и полей термоупругих напряжений в пластинах SiC диаметром 100 мм при БТО, с учетом нестационарных процессов при нагреве. В модели были учтены нелинейные температурные зависимости оптических и теплофизических свойств SiC. В результате расчетов был определен температурный диапазон БТО, не приводящий к дефектообразованию в пластинах SiC.

Полученная модель может быть использована при проектировании технологических процессов изготовления приборов на основе SiC с использованием БТО.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Сеченов Д.А., Касимов Ф.Д., Агаев Ф.Г., Светличный А.М., Агеев О.А. Активируемые процессы микроэлектронной технологии. Баку: Изд-во ЭЛМ, 2000. 258с.

2. Литвинов В.Л., Демаков К.Д., Агеев О.А. и др. Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC // Физика и техника полупроводников. Т.37. 2003. Вып.4. С.473-478.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.